擴散與固相反應(yīng)

1、第七章擴散與固相反應(yīng)1、名詞解釋：非穩(wěn)定擴散：擴散過程中任一點濃度隨時間變化；穩(wěn)定擴散：擴散質(zhì)點濃度分布不隨時間變化。無序擴散：無化學(xué)位梯度、濃度梯度、無外場推動力，由熱起伏引起的擴散。 質(zhì)點的擴散是無序的、隨機的。本征擴散：主要出現(xiàn)了肖特基和弗蘭克爾點缺陷，由此點缺陷引起的擴散為本征擴散（空位來源于晶體結(jié)構(gòu)中本征熱缺陷而引起的質(zhì)點遷 移）；非本征擴散：空位來源于摻雜而引起的質(zhì)點遷移。正擴散和逆擴散：正擴散：當(dāng)熱力學(xué)因子時，物質(zhì)由高濃度處流向低濃度處，擴散結(jié)果使溶質(zhì) 趨于均勻化，Di0。逆擴散：當(dāng)熱力學(xué)因子 時，物質(zhì)由低濃度處流向高濃度處，擴散結(jié)果使溶質(zhì) 偏聚或分相，Di936.5K 5、（

2、1）試述晶體中質(zhì)點的擴散機構(gòu)及方式。（2）設(shè)體積擴散與晶界擴散活化 能間關(guān)系為Qgb=Qv/2 （Qgb、Qv分別為晶界擴散與體積擴散活化能），試畫 出InDI/T曲線，并分析在哪個溫度范圍內(nèi)，晶界擴散超過體積擴散？ 解：（1）晶體中質(zhì)點的遷移機構(gòu)主要有兩種：空位機構(gòu)和間隙機構(gòu)?？瘴粰C 構(gòu)：晶格結(jié)點上的質(zhì)點躍遷到鄰近空位，空位則反向躍遷；間隙機 構(gòu)：處于間隙位置的質(zhì)點從一個間隙位置遷移到另一個間隙位置； 其它在亞間隙機構(gòu)中，處于間隙位置的質(zhì)點將晶格結(jié)點上的質(zhì)點彈 入間隙位置并占據(jù)該位置，其晶格變形程度介于空位機構(gòu)與間隙機 構(gòu)之間。（2）由擴散系數(shù)： 曲菁）或lnD“nD0譯，晶界擴散有:ln

3、Dgb =ln Dgb0 -丑，體積擴散有:RT即叫。罟 皿善，0 Qln Dv =ln Dv，欲使 Dgb Dv，RT0ln0 ， 移項得 DV0 2RTgb，則當(dāng)T : Tc時，以T ：Qvd 0 或 T ： ，令 Tc :2R l-Df） Rln（*）DgbDgb晶界擴散為主，Dgb Dv ;當(dāng)T Tc時，以體積擴散為主，Dgb：Dv。& MoO3和CaCO3反應(yīng)時，反應(yīng)機理受到 CaCO3顆粒大小的影響，當(dāng) MoO3 :CaCO3 = 1 : 1; rMoO3=0.036mm, r caCO3 =0.13mm 時，反應(yīng)由擴散控制。當(dāng) MoO3： CaCO3 = 1 : 15; r ca

4、co3 60冶=82 個。10、在恒定源條件下820C時，鋼經(jīng)1小時的滲碳，可得到一定厚度的表面滲碳 層，若在同樣條件下，要得到兩倍厚度的滲碳層需要幾個小時？根據(jù)恒定源擴散深度x二K、, Dt , x：t1/2，所以要得到兩倍厚度的滲碳層，需4h。在不穩(wěn)定擴散條件下800C時，在鋼中滲碳100分鐘可得到合適厚度的滲碳 層，若在1000C時要得到同樣厚度的滲碳層，需要多少時間(Do=2.4 X0-12m2 / sec D1000 =3 X0-11m2/ sec) ?不穩(wěn)定擴散中恒定源擴散問題，x二K.頁，已知x不變，X1-K.D；，x2 二 K、D2t2， X1=X2，. D1t1=D2t2，已

5、知 D1， D2， t1，則可求 t2=480s。在制造硅半導(dǎo)體器體中，常使硼擴散到硅單晶中，若在1600K溫度下，保持硼在硅單晶表面的濃度恒定(恒定源半無限擴散)，要求距表面10-3cm深度處硼的濃度是表面濃度的一半，問需要多長時間(已知-12 2D1600 c =8 X10 cm /sec)?不穩(wěn)定擴散恒定源半無限擴散c(Xt,cerfc(N備)，已知c(1n = c/2,B 8,彳 0cm /sec,x erfc()13、13、解:解:14、14、x=10-3cm，D，求解 t=1.25 105s=34.7h。Zn2+在ZnS中擴散時，563C時的擴散系數(shù)為3X10-14cm2/sec；

6、 450 C時的擴 散系數(shù)為1.0 10-14cm2/sec，求：(1)擴散的活化能和D;( 2) 750 C時 的擴散系數(shù)。(1) D=D 0exp (-Q/RT)T=563+273=836K 時，D=3X10-14cm2/s142T=450+273=723K 時，D=1.0 %0- cm /s 代入上式可求Q=48875J,-152D0=3.39 為0 cm /s(2) 略。在某種材料中，某種粒子的晶界擴散系數(shù)與體積擴散系數(shù)分別為Dgb=2.00 10-10exp (-19100/T)和 Dv=1.00 X0-4exp (-38200/T)，是求晶界 擴散系數(shù)和體積擴散系數(shù)分別在什么溫度范

7、圍內(nèi)占優(yōu)勢？晶 界擴散 Dgb=2.002 10-10exp ( -19100/T),體擴散 Dv=1.00 X0-4exp (-38200/T) ,T 增大，exp (-19100/T)減小,Dgb 減小，Dv 減??；T 減小， exp (-19100/T)增大，Dgb 增大，Dv 增大；計算有 T=1455.6K Dgb= Dv， T1455.6K 時，DgbDv，高溫時，體積擴散占優(yōu)；T Dv， 低溫時，晶界擴散占優(yōu)。=cerfc(),15、 假定碳在aFe (體心立方)和 Fe (面心立方)中的擴散系數(shù)分別為：2D =0.0079exp-83600 (J/mol) /RTcm /sec

8、 ; Dy =0.21exp141284 (J/mol) /RTcm2/sec,計算800 C時各自的擴散系數(shù)并解釋其差別。解：T=800+273=1073K 時，D a=0.0079ex(-83600/RT) =6.77 X0_7cm2/s, D 尸0.21exp (-141284/RT) =2.1 X108 cm2/s, Da D 擴散介質(zhì)結(jié)構(gòu)對擴散有很大影響， 結(jié)構(gòu)疏松，擴散阻力小而擴散系數(shù)大，體心較面心疏松；aFe體心立方，p-Fe 面心立方。16、試分析離子晶體中 ,陰離子擴散系數(shù)般都小于陽離子擴散系數(shù)的原因 ? 解：離子晶體一般為陰離子作密堆積， 陽離子填充在四面體或八面體空隙中。 所以陽離子較易擴散。 如果陰離子進行擴散， 則要改變晶體堆積方式， 阻力大。 從而就會拆散離子晶體的結(jié)構(gòu)骨架。17、試從結(jié)構(gòu)和能量的觀點解釋為什么 D表面D晶面D晶內(nèi) 解：固體表面質(zhì)點在表面力作用下，導(dǎo)致表面質(zhì)點的極化、變形、重排并引起原來的晶格畸變， 表面結(jié)構(gòu)不同于內(nèi)部， 并使表面處于較高的能量狀態(tài)。 晶體 的內(nèi)部質(zhì)點排列有周期性， 每個質(zhì)點力場是對稱的， 質(zhì)點在表面遷移所需活 化能較晶體內(nèi)部小， 則相應(yīng)的擴散系數(shù)大。 同理，晶界上質(zhì)點排列方式不同 于內(nèi)部，排列混亂，存在著空位