多腔體等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)_第1頁
多腔體等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)_第2頁
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1、多腔體等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)多腔體PECVD系統(tǒng)包括三個(gè)工藝腔體，一個(gè)載樣預(yù)抽腔體，一個(gè)樣品轉(zhuǎn)換真空腔。三個(gè)工藝腔體分別用于沉積SiO2, a-Si, n+ a-Si。 襯底尺寸：6英寸6英寸方片(載片臺(tái)直徑為220 mm；工藝腔體直徑為240 mm) 載樣預(yù)抽真空腔(一個(gè)) 工藝真空腔(三個(gè)) 自動(dòng)控制傳送機(jī)械臂(一套) 模塊主控制單元(計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)控制系統(tǒng))(三套) 射頻電源(30-300W)及自動(dòng)匹配調(diào)節(jié)單元(三套) 抽真空系統(tǒng)及真空測(cè)量系統(tǒng)(四套) 腐蝕氣體配套氣路接口及氣體流量控制計(jì)(八套) 非腐蝕氣體配套氣路接口及氣體流量控制計(jì)(八套)B. 系統(tǒng)性能指標(biāo)(指標(biāo)中的,

2、 25 nm/minStress (薄膜表面應(yīng)力) 10-5 (ohm-cm)-1Uniformity (均勻性) 5% Repeatability (重復(fù)率) 25 nm/minStress (薄膜表面應(yīng)力) 10-2 (ohm-cm)-1Uniformity (均勻性) 5% Repeatability (重復(fù)率) 10 nm/minRefractive index (折射率) 1.98Stress (薄膜表面應(yīng)力) 5 eV (Deposited on quartz substrate；石英襯底)Breakdown voltage (擊穿電壓) 5 MV/cmBFH (7:1) etch rate (氫氟酸腐蝕速率) 100 nm/min (Process at 300 C)Uniformity (均勻性) 3% Repeatability (重復(fù)率) 50 nm/min Refractive index (折射率) 1.46Stress (薄膜表面應(yīng)力) 7 MV/cmBFH (7:1) etch rate (氫氟酸腐蝕速率) 350 nm/min (Process at 300 C)Un

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