鐵嶺關于成立IGBT公司策劃書_模板

1、CMC泓域咨詢 /鐵嶺關于成立IGBT公司策劃書鐵嶺關于成立IGBT公司策劃書xx投資管理公司目錄第一章 擬成立公司基本信息10一、 公司名稱10二、 注冊資本10三、 注冊地址10四、 主要經(jīng)營范圍10五、 主要股東10公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)11公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)11公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)12公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)13六、 項目概況13七、 完善區(qū)域創(chuàng)新服務平臺14第二章 市場預測18一、 IGBT結(jié)構(gòu)不斷升級，協(xié)同第三代半導體技術創(chuàng)新18二、 制造工藝正從8英寸晶圓朝向12英寸升級迭代22三、 國內(nèi)IGBT模塊百億級市場空間，占全球40%以上24第三章 項目建設背景及必要性分析

2、26一、 IGBT是新能源車動力系統(tǒng)核心中的核心26二、 新能源汽車的電力系統(tǒng)中，功率IGBT價值占比達達52%27三、 構(gòu)筑具有區(qū)域特色的創(chuàng)新體系29四、 工控領域及電源行業(yè)支撐IGBT穩(wěn)定發(fā)展31五、 IGBT供貨周期與價格均有增長，供不應求難以緩解32第四章 公司籌建方案34一、 公司經(jīng)營宗旨34二、 公司的目標、主要職責34三、 公司組建方式35四、 公司管理體制35五、 部門職責及權(quán)限36六、 核心人員介紹40七、 財務會計制度41第五章 發(fā)展規(guī)劃45一、 公司發(fā)展規(guī)劃45二、 主要任務46三、 IGBT基本情況48四、 晶圓產(chǎn)能持續(xù)緊缺，IGBT供不應求或延續(xù)較長時間50五、 新能

3、源發(fā)電為IGBT帶來持續(xù)發(fā)展動力50六、 國內(nèi)IGBT企業(yè)實現(xiàn)0-1突破，緊抓缺貨朝下國產(chǎn)化機遇51第六章 法人治理結(jié)構(gòu)53一、 股東權(quán)利及義務53二、 董事60三、 高級管理人員64四、 監(jiān)事67第七章 項目風險防范分析69一、 項目風險分析69二、 公司競爭劣勢76第八章 項目選址分析77一、 項目選址原則77二、 建設區(qū)基本情況77三、 按照高質(zhì)量發(fā)展要求，立足鐵嶺實際，“十四五”時期階段性主要目標為：79四、 優(yōu)化非公有制經(jīng)濟發(fā)展環(huán)境81五、 持續(xù)優(yōu)化營商環(huán)境81六、 深化供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革82第九章 環(huán)保方案分析85一、 編制依據(jù)85二、 環(huán)境影響合理性分析86三、 建設期大氣環(huán)境影響

4、分析88四、 建設期水環(huán)境影響分析89五、 建設期固體廢棄物環(huán)境影響分析89六、 建設期聲環(huán)境影響分析90七、 建設期生態(tài)環(huán)境影響分析91八、 清潔生產(chǎn)92九、 環(huán)境管理分析93十、 環(huán)境影響結(jié)論95十一、 環(huán)境影響建議96第十章 投資方案分析97一、 投資估算的編制說明97二、 建設投資估算97建設投資估算表99三、 建設期利息99建設期利息估算表99四、 流動資金100流動資金估算表101五、 項目總投資102總投資及構(gòu)成一覽表102六、 資金籌措與投資計劃103項目投資計劃與資金籌措一覽表103第十一章 項目實施進度計劃105一、 項目進度安排105項目實施進度計劃一覽表105二、 項目

5、實施保障措施106第十二章 經(jīng)濟效益及財務分析107一、 經(jīng)濟評價財務測算107營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表107綜合總成本費用估算表108固定資產(chǎn)折舊費估算表109無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表110利潤及利潤分配表111二、 項目盈利能力分析112項目投資現(xiàn)金流量表114三、 償債能力分析115借款還本付息計劃表116第十三章 總結(jié)分析118第十四章 附表附錄120主要經(jīng)濟指標一覽表120建設投資估算表121建設期利息估算表122固定資產(chǎn)投資估算表123流動資金估算表123總投資及構(gòu)成一覽表124項目投資計劃與資金籌措一覽表125營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表126綜合總成本費用估

6、算表127固定資產(chǎn)折舊費估算表128無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表128利潤及利潤分配表129項目投資現(xiàn)金流量表130借款還本付息計劃表131建筑工程投資一覽表132項目實施進度計劃一覽表133主要設備購置一覽表134能耗分析一覽表134報告說明xx投資管理公司主要由xxx有限公司和xx有限責任公司共同出資成立。其中：xxx有限公司出資1080.00萬元，占xx投資管理公司80%股份；xx有限責任公司出資270萬元，占xx投資管理公司20%股份。根據(jù)謹慎財務估算，項目總投資46594.71萬元，其中：建設投資37328.53萬元，占項目總投資的80.11%；建設期利息738.95萬元，占項目總投

7、資的1.59%；流動資金8527.23萬元，占項目總投資的18.30%。項目正常運營每年營業(yè)收入92100.00萬元，綜合總成本費用79090.20萬元，凈利潤9472.45萬元，財務內(nèi)部收益率12.66%，財務凈現(xiàn)值-580.36萬元，全部投資回收期7.05年。本期項目具有較強的財務盈利能力，其財務凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。第三代半導體物理特性相較于iSi在工作頻率、抗高溫和抗高壓具備較強的優(yōu)勢。半導體材料領域至今經(jīng)歷了多個發(fā)展階段，相較而言，第三代半導體在工作頻率、抗高溫和抗高壓等方面更具優(yōu)勢。第一代半導體材料主要包括硅（Si）和鍺（Ge），于20世紀40年代開始登上舞臺，目前主要應用于

8、大規(guī)模集成電路中。但硅材料的禁帶寬度窄、電子遷移率低，且屬于間接帶隙結(jié)構(gòu)，在光電子器件和高頻高功率器件的應用上存在較大瓶頸，因此其性能已難以滿足高功率和高頻器件的需求。本報告基于可信的公開資料，參考行業(yè)研究模型，旨在對項目進行合理的邏輯分析研究。本報告僅作為投資參考或作為參考范文模板用途。IGBT下游應用包含工控、家電、新能源汽車等，02020年市場規(guī)模達到454億美元。根據(jù)Yole，2020年，全球IGBT市場規(guī)模約為54億美元，預計將于2026年增長至84億美元。IGBT具有多個下游應用市場，主要包括工控、家電、新能源汽車、新能源發(fā)電、軌道交通等。其中，工控是IGBT最大的下游應用市場，2

9、020年，工控在全球IGBT下游應用中占比約為31.48%、家電占比約為24.07%、EV/HEV占比約為9%。第一章 擬成立公司基本信息一、 公司名稱xx投資管理公司（以工商登記信息為準）二、 注冊資本1350萬元三、 注冊地址鐵嶺xxx四、 主要經(jīng)營范圍經(jīng)營范圍：從事IGBT相關業(yè)務（企業(yè)依法自主選擇經(jīng)營項目，開展經(jīng)營活動；依法須經(jīng)批準的項目，經(jīng)相關部門批準后依批準的內(nèi)容開展經(jīng)營活動；不得從事本市產(chǎn)業(yè)政策禁止和限制類項目的經(jīng)營活動。）五、 主要股東xx投資管理公司主要由xxx有限公司和xx有限責任公司發(fā)起成立。（一）xxx有限公司基本情況1、公司簡介公司在“政府引導、市場主導、社會參與”的

10、總體原則基礎上，堅持優(yōu)化結(jié)構(gòu)，提質(zhì)增效。不斷促進企業(yè)改變粗放型發(fā)展模式和管理方式，補齊生態(tài)環(huán)境保護不足和區(qū)域發(fā)展不協(xié)調(diào)的短板，走綠色、協(xié)調(diào)和可持續(xù)發(fā)展道路，不斷優(yōu)化供給結(jié)構(gòu)，提高發(fā)展質(zhì)量和效益。牢固樹立并切實貫徹創(chuàng)新、協(xié)調(diào)、綠色、開放、共享的發(fā)展理念，以提質(zhì)增效為中心，以提升創(chuàng)新能力為主線，降成本、補短板，推進供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革。公司在發(fā)展中始終堅持以創(chuàng)新為源動力，不斷投入巨資引入先進研發(fā)設備，更新思想觀念，依托優(yōu)秀的人才、完善的信息、現(xiàn)代科技技術等優(yōu)勢，不斷加大新產(chǎn)品的研發(fā)力度，以實現(xiàn)公司的永續(xù)經(jīng)營和品牌發(fā)展。2、主要財務數(shù)據(jù)公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)項目2020年12月2019年12月201

11、8年12月資產(chǎn)總額18000.9114400.7313500.68負債總額7015.345612.275261.51股東權(quán)益合計10985.578788.468239.18公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項目2020年度2019年度2018年度營業(yè)收入37761.4730209.1828321.10營業(yè)利潤5947.494757.994460.62利潤總額4893.043914.433669.78凈利潤3669.782862.432642.24歸屬于母公司所有者的凈利潤3669.782862.432642.24（二）xx有限責任公司基本情況1、公司簡介公司秉承“以人為本、品質(zhì)為本”的發(fā)展理念，倡導“誠信

12、尊重”的企業(yè)情懷；堅持“品質(zhì)營造未來，細節(jié)決定成敗”為質(zhì)量方針；以“真誠服務贏得市場，以優(yōu)質(zhì)品質(zhì)謀求發(fā)展”的營銷思路；以科學發(fā)展觀縱觀全局，爭取實現(xiàn)行業(yè)領軍、技術領先、產(chǎn)品領跑的發(fā)展目標。 公司滿懷信心，發(fā)揚“正直、誠信、務實、創(chuàng)新”的企業(yè)精神和“追求卓越，回報社會” 的企業(yè)宗旨，以優(yōu)良的產(chǎn)品服務、可靠的質(zhì)量、一流的服務為客戶提供更多更好的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品及服務。2、主要財務數(shù)據(jù)公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)項目2020年12月2019年12月2018年12月資產(chǎn)總額18000.9114400.7313500.68負債總額7015.345612.275261.51股東權(quán)益合計10985.578788.46

13、8239.18公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項目2020年度2019年度2018年度營業(yè)收入37761.4730209.1828321.10營業(yè)利潤5947.494757.994460.62利潤總額4893.043914.433669.78凈利潤3669.782862.432642.24歸屬于母公司所有者的凈利潤3669.782862.432642.24六、 項目概況（一）投資路徑xx投資管理公司主要從事關于成立IGBT公司的投資建設與運營管理。（二）項目提出的理由IGBT根據(jù)使用電壓范圍可分為低壓、中壓和高壓IGBT。按照使用電壓范圍，可以將IGBT分為低壓、中壓和高壓三大類產(chǎn)品，不同電壓范圍對應著

14、不同的應用場景。低壓通常為1200V以下，主要用于低消耗的消費電子和太陽能逆變器領域；中壓通常為1200V2500V，主要用于新能源汽車、風力發(fā)電等領域；高壓通常為2500V以上，主要用于高壓大電流的高鐵、動車、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機等領域。七、 完善區(qū)域創(chuàng)新服務平臺圍繞支柱產(chǎn)業(yè)和特色產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求，加快推進各類科技創(chuàng)新平臺建設，充分發(fā)揮園區(qū)對科技創(chuàng)新支撐作用，全面提升科技創(chuàng)新能力。健全產(chǎn)學研對接與成果轉(zhuǎn)化平臺。以各種技術合作機制、技術交易市場為依托，發(fā)布技術需求，展示各地科研動態(tài)，實現(xiàn)創(chuàng)新資源有效對接。鼓勵市專用車生產(chǎn)基地共性技術服務中心、橡膠工業(yè)研究設計院、農(nóng)業(yè)科學院提高自主創(chuàng)新能力。以技術洽談

15、會、成果展示會等為載體，推動技術成果轉(zhuǎn)化。積極發(fā)展產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)，支持工業(yè)云計算和大數(shù)據(jù)中心建設，支持平臺免費向中小微企業(yè)分享業(yè)務資源，助力企業(yè)實現(xiàn)數(shù)字化轉(zhuǎn)型。健全公共服務和中介服務平臺。探索建立跨區(qū)域公共資源交易平臺、生產(chǎn)性服務業(yè)及中介機構(gòu)服務平臺。構(gòu)建融資擔保、倉儲物流以及勞動用工等公共服務平臺。打造電商服務平臺。完善市級12316服務平臺、村級益農(nóng)信息社，提升信息化服務“三農(nóng)”水平。推進科技風險投資機構(gòu)和科技企業(yè)孵化器建設，發(fā)展科技評估業(yè)和風險投資業(yè)，降低科技交易風險和交易成本。健全產(chǎn)業(yè)開放合作發(fā)展平臺。積極發(fā)展跨境貿(mào)易，開辟國際郵件進出口通道，吸引大電商、大快遞企業(yè)入駐。鼓勵本地電商平臺和

16、企業(yè)拓展跨境電商業(yè)務，開拓境外消費市場。以重點園區(qū)為載體，搭建企業(yè)孵化器、技術服務中心、物流中心、企業(yè)商會等服務平臺。與江蘇省有關市、縣合作建設示范工業(yè)園區(qū)，加快推進淮安鐵嶺工業(yè)園區(qū)建設，推動與對口城市眾創(chuàng)空間、產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新聯(lián)盟的實質(zhì)性合作。以園區(qū)為載體打造創(chuàng)新高地。以經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)、高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)和農(nóng)業(yè)科技示范區(qū)內(nèi)骨干企業(yè)為主體，以引進省內(nèi)外科研院所、高校和技術研發(fā)團隊為支撐，積極參與“沈大科技創(chuàng)新走廊”、沈陽國家綜合科學城和新一代人工智能發(fā)展試驗區(qū)建設，擴大與央企、國企和軍工集團的戰(zhàn)略合作，打造科技創(chuàng)新高地。推動區(qū)域創(chuàng)新協(xié)同發(fā)展，支持各級、各類產(chǎn)業(yè)園區(qū)，圍繞特色優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)建立研發(fā)中心、中

17、試基地、成果轉(zhuǎn)化中心，推進關鍵技術創(chuàng)新突破，實現(xiàn)由規(guī)模擴張向量質(zhì)齊升轉(zhuǎn)變，打造區(qū)域創(chuàng)新增長極。積極融入開放式創(chuàng)新網(wǎng)絡，突出產(chǎn)業(yè)集群創(chuàng)新、新一代信息技術支撐，進一步建立健全科技創(chuàng)業(yè)中心、留學歸國人員創(chuàng)業(yè)園、大眾創(chuàng)業(yè)萬眾創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)孵化基地，實現(xiàn)由單純招商引資向引資、引智、引技相結(jié)合轉(zhuǎn)變，實現(xiàn)全領域開放式創(chuàng)新。到2025年，創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)平臺實力顯著增強，市級以上重點實驗室、專業(yè)技術創(chuàng)新中心達到20個以上，新建5個省級新型研發(fā)機構(gòu)、5個省級技術轉(zhuǎn)移示范機構(gòu)、1個省級企業(yè)科技孵化器、5個省級“眾創(chuàng)空間”，省級及以上科普基地總數(shù)達到20個。（三）項目選址項目選址位于xxx，占地面積約82.00畝。項目擬定建設區(qū)

18、域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，非常適宜本期項目建設。（四）生產(chǎn)規(guī)模項目建成后，形成年產(chǎn)xx個IGBT的生產(chǎn)能力。（五）建設規(guī)模項目建筑面積109269.44，其中：生產(chǎn)工程68600.54，倉儲工程24657.56，行政辦公及生活服務設施9558.00，公共工程6453.34。（六）項目投資根據(jù)謹慎財務估算，項目總投資46594.71萬元，其中：建設投資37328.53萬元，占項目總投資的80.11%；建設期利息738.95萬元，占項目總投資的1.59%；流動資金8527.23萬元，占項目總投資的18.30%。（七）經(jīng)濟效益（正常經(jīng)營年份）1、營業(yè)收入（S

19、P）：92100.00萬元。2、綜合總成本費用（TC）：79090.20萬元。3、凈利潤（NP）：9472.45萬元。4、全部投資回收期（Pt）：7.05年。5、財務內(nèi)部收益率：12.66%。6、財務凈現(xiàn)值：-580.36萬元。（八）項目進度規(guī)劃項目建設期限規(guī)劃24個月。（九）項目綜合評價本項目生產(chǎn)所需的原輔材料來源廣泛，產(chǎn)品市場需求旺盛，潛力巨大；本項目產(chǎn)品生產(chǎn)技術先進，產(chǎn)品質(zhì)量、成本具有較強的競爭力，三廢排放少，能夠達到國家排放標準；本項目場地及周邊環(huán)境經(jīng)考察適合本項目建設；項目產(chǎn)品暢銷，經(jīng)濟效益好，抗風險能力強，社會效益顯著，符合國家的產(chǎn)業(yè)政策。第二章 市場預測一、 IGBT結(jié)構(gòu)不斷升級

20、，協(xié)同第三代半導體技術創(chuàng)新IGBT是一個電路開關，透過開關控制改變電壓。IGBT（絕緣柵雙極型晶體管，InsulatedGateBipolarTransistor）是一個三端器件，也是重要的分立器件分支，屬于分立器件中的全控型器件，可以同時控制開通與關斷，具有自關斷的特征，即是一個非通即斷的開關。IGBT擁有柵極G（Gate）、集電極C（Collector）和發(fā)射極E（Emitter），其開通和關斷由柵極和發(fā)射極間的電壓UGE決定；在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通。IGBT結(jié)合了TMOSFET與與TBJT的優(yōu)勢。IGBT結(jié)合了

21、MOSFET與BJT的優(yōu)點，既有MOSFET的開關速度快，輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關損耗小的優(yōu)點，又有BJT導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，此外為了提升IGBT耐壓，減小拖尾電流，結(jié)構(gòu)相對復雜。IGBT被各類下游市場廣泛使用，是電力電子領域較為理想的開關器件。IGBT工藝與設計難度高，產(chǎn)品生命周期長。IGBT芯片結(jié)構(gòu)分為正面（Emitterside）和背面（Collectoerside）。從80年代初到現(xiàn)在，IGBT正面技術從平面柵（Planar）迭代至溝槽柵(Trench)，并演變?yōu)槲喜郏∕icroPatternTrench）；背面技術從穿通型（PT,PunchThr

22、ough）迭代至非穿通型（NPT,NonPunchThrough），再演變?yōu)閳鼋刂剐停‵S,FieldStop）。技術的迭代對改善IGBT的開關性能和提升通態(tài)降壓等性能上具有較大幫助，但是實現(xiàn)這些技術對于工藝有著相當高的要求，尤其是薄片工藝（8英寸以上的硅片當減薄至100200um后極易破碎）以及背面工藝（因正面金屬熔點的限制，所以背面退火激活的難度大），這也是導致IGBT迭代速度較慢。此外，IGBT產(chǎn)品具有生命周期長的特點，以英飛凌IGBT產(chǎn)品為例，該產(chǎn)品已迭代至第七代，但其發(fā)布于2000年代初的第三代IGBT芯片技術在3300V、4500V、6500V等高壓應用領域依舊占據(jù)主導地位，其發(fā)布

23、于2007年的第四代IGBT則依舊為目前使用最廣泛的IGBT芯片技術，其IGBT4產(chǎn)品的收入增長趨勢甚至持續(xù)到了第15年。高密度、高可靠性、更好的集成散熱功能是IGBT未來發(fā)展趨勢。英飛凌作為全球IGBT龍頭企業(yè)，產(chǎn)品技術已成為本土廠商的對標。截至2021年，英飛凌產(chǎn)品已迭代至第七代。其中，第五代與第六代均屬于第四代的優(yōu)化版（第五代屬于大功率版第四代，第六代屬于高頻版第四代）。IGBT器件需要承受高電壓和大電流，對于穩(wěn)定性、可靠性要求較高。未來，IGBT會朝著更小尺寸、更大晶圓、更薄厚度發(fā)展，并通過成本、功率密度、結(jié)溫、可靠性等方面的提升來實現(xiàn)整個芯片結(jié)束的進步。此外，IGBT模塊的未來趨勢也

24、將朝著更高的熱導率材料、更厚的覆銅層、更好的集成散熱功能和更高的可靠性發(fā)展。第三代半導體物理特性相較于iSi在工作頻率、抗高溫和抗高壓具備較強的優(yōu)勢。半導體材料領域至今經(jīng)歷了多個發(fā)展階段，相較而言，第三代半導體在工作頻率、抗高溫和抗高壓等方面更具優(yōu)勢。第一代半導體材料主要包括硅（Si）和鍺（Ge），于20世紀40年代開始登上舞臺，目前主要應用于大規(guī)模集成電路中。但硅材料的禁帶寬度窄、電子遷移率低，且屬于間接帶隙結(jié)構(gòu)，在光電子器件和高頻高功率器件的應用上存在較大瓶頸，因此其性能已難以滿足高功率和高頻器件的需求。新材料推進新產(chǎn)品發(fā)展，高壓高頻領域適用SiC。碳化硅在絕緣破壞電場界強度為硅的10倍，

25、因此SiC可以以低電阻、薄膜厚的漂移層實現(xiàn)高耐壓，意味著相同的耐壓產(chǎn)品SiC的面積會比Si還要小，比如900VSiC-MOSFET的面積是Si-MOSFET的1/35。因此，硅基的SJ-MOSFET只有900V左右的產(chǎn)品，SiC可以做到1700V以上且低導通電阻。Si為了改善高耐壓化所帶來的導通電阻增大主要采用IGBT結(jié)構(gòu)，但由于其存在開關損耗大產(chǎn)生發(fā)熱、高頻驅(qū)動受到限制等問題，所以需借由改變材料提升產(chǎn)品性能。SiC在MOSFET的結(jié)構(gòu)就可實現(xiàn)高耐壓，因此可同時實現(xiàn)高耐壓、低導通電阻、高速，即使在1200V或更高的擊穿電壓下也可以制造高速MOSFET結(jié)構(gòu)。SiCMTOSFET具備一定優(yōu)勢，但成

26、本較高。就器件類型而言，SiCMOSFET與SiMOSFET相似。但是，SiC是一種寬帶隙（WBG）材料，其特性允許這些器件在與IGBT相同的高功率水平下運行，同時仍然能夠以高頻率進行開關。這些特性可轉(zhuǎn)化為系統(tǒng)優(yōu)勢，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的熱耗散。然而，受制于制造成本和產(chǎn)品良率影響，SiC產(chǎn)品價格較高。由于Si越是高耐壓的組件、每單位面積的導通電阻變高(以耐壓的約22.5倍增加)，因此600V以上的電壓則主要使用IGBT。但是IGBT是藉由注入少數(shù)載子之正孔于漂移層內(nèi)，比MOSFET可降低導通電阻，另一方面由于少數(shù)載子的累積，斷開時產(chǎn)生尾電流、造成開關的損耗。SiC由于漂移層的電

27、阻比Si組件低，不須使用傳導度調(diào)變，可用高速組件構(gòu)造之MOSFET以兼顧高耐壓與低電阻，可實現(xiàn)開關損耗的大幅削減與冷卻器的小型化。SiC在制造和應用方面又面臨很高的技術要求，因此SiCMosfet價格較SiIGBT高。根據(jù)功率器件的特性，不同功率器件的應用領域各有不同。雖然IGBT結(jié)合了MOSFET與BJT的優(yōu)勢，但三者根據(jù)各自的器件性能優(yōu)勢，都有適合的應用領域。BJT更強調(diào)工作功率，MOSFET更強調(diào)工作頻率，IGBT則是工作功率與頻率兼具。BJT因其成本優(yōu)勢，常被用于低功率低頻率應用市場，MOSFET適用于中功率高頻率應用市場，IGBT適用于高功率中頻率應用市場。高功率密度的IGBT在性能

28、、可靠性等方面將繼續(xù)發(fā)展，因此在較長一段時間內(nèi)仍會是汽車電動化的主流器件。SiC組件具有高壓、高頻和高效率的優(yōu)勢，在縮小體積的同時提高了效率，相關產(chǎn)品則主要用于高壓高頻領域。部分IGBT廠商已開始布局SiC產(chǎn)業(yè)。SiC具有較大發(fā)展?jié)摿?，已吸引多家功率器件廠商進行布局。英飛凌于2018年收購德國廠商Siltectra，彌補自身晶體切割工藝，又于2018年12月與Cree簽署長期協(xié)議，保證自身光伏逆變器和新能源汽車領域的產(chǎn)品供應，旗下CoolSiC系列產(chǎn)品已走入量產(chǎn)。2019年，意法半導體與Cree簽署價值2.5億美元的長單協(xié)議，且收購了瑞典SiC晶圓廠商NorstelAB，以滿足汽車和工業(yè)客戶對

29、MOSFET與二極管的需求。2021年，意法半導體宣布造出8英寸SiC晶圓。此外，斯達半導、華潤微、等本土廠商也已在SiC領域布局。二、 制造工藝正從8英寸晶圓朝向12英寸升級迭代以特色工藝需要工藝與設計的積累，海外企業(yè)以MIDM為主。功率半導體主要以特色工藝為主，器件的技術迭代像邏輯、存儲芯片依靠尺寸的縮小，因此特色工藝的要求更多需要行業(yè)的積累與know-how，包括工藝、產(chǎn)品、服務、平臺等多個維度；功率器件產(chǎn)品性能與應用場景密切相關，導致平臺多、產(chǎn)品類型多，因此更注重工藝的成熟度和穩(wěn)定性，工藝平臺的多樣性。在這樣的背景下，由于IDM可以按需生產(chǎn)不同電性功能的功率器件，加速技術及應用積累，在

30、深度及廣度上覆蓋客戶不同的需求，因此IGBT海外的企業(yè)大多的生產(chǎn)模式以IDM為主，國內(nèi)相比海外發(fā)展較晚，因此催生出Fabless找代工廠生產(chǎn)的模式，專業(yè)化分工加速對海外的追趕。代表IDM型IGBT廠商包括英飛凌、瑞薩、Vishay、羅姆、安森美、富士電機、士蘭微、華微電子等；Fabless型IGBT廠商包括斯達半導、新潔能、宏微科技等。IGBT代工廠則包括高塔、華虹、東部高科等廠商。IGBT主要采用成熟制程，目前生產(chǎn)大多以以88英寸晶圓為主。IGBT產(chǎn)品對產(chǎn)線工藝依賴性較強，目前國際IGBT大廠主要采用8英寸生產(chǎn)線。為進一步提升產(chǎn)品性能與可靠性，IGBT制造廠正積極布局可用于12英寸晶圓的相關

31、工藝。英飛凌作為IGBT龍頭企業(yè)，已于2018年推出以12英寸晶圓生產(chǎn)的IGBT器件。同時，斯達半導12英寸IGBT產(chǎn)能也已實現(xiàn)量產(chǎn)。未來，隨著各家IGBT廠商工藝的進步，IGBT產(chǎn)品也將轉(zhuǎn)向12英寸晶圓，并采用更先進的制程。IGBT需求增長擴廠計劃持續(xù)推進，朝向300mm（12英寸）晶圓發(fā)展。英飛凌2021年9月公告其位于奧地利菲拉赫的300毫米薄晶圓功率半導體芯片工廠正式啟動運營，隨著數(shù)字化和電氣化進程的加快，公司預計未來幾年全球?qū)β拾雽w器件的需求將持續(xù)增長，因此當前正是新增產(chǎn)能的最好時機。2021年3月東芝公告準備開工建設300mm晶圓制造廠，由于功率器件是控制和降低汽車、工業(yè)和其他

32、電氣設備功耗的重要部件，公司預計電動汽車、工廠自動化和可再生能源領域的增長將繼續(xù)推動功率器件的需求增長。2020年12月士蘭微12英寸芯片生產(chǎn)線項目由廈門士蘭集科微電子有限公司負責實施運營，第一條12英寸產(chǎn)線，總投資70億元，工藝線寬90納米，計劃月產(chǎn)8萬片。本次投產(chǎn)的產(chǎn)線就是其中的一期項目，總投資50億元，規(guī)劃月產(chǎn)能4萬片；項目二期將繼續(xù)投資20億元，規(guī)劃新增月產(chǎn)能4萬片。第二條12英寸生產(chǎn)線預計總投資100億元，將建設工藝線寬65納米至90納米的12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線。三、 國內(nèi)IGBT模塊百億級市場空間，占全球40%以上根據(jù)英飛凌年報，2019年英飛凌模塊產(chǎn)品全球市占率35.6%，斯

33、達半導2.5%，英飛凌IGBT器件產(chǎn)品市占率32.5%，士蘭微2.2%。2019年斯達半導IGBT模塊營業(yè)收入7.6億元，士蘭微IGBT器件營業(yè)收入約1億元，由此可推算2019年全球IGBT模塊市場規(guī)模約300億元，IGBT器件市場規(guī)模約45億元。根據(jù)ASMC研究顯示，全球IGBT市場規(guī)模預計在2022年達到60億美元，全球IGBT市場規(guī)模在未來幾年時間仍將繼續(xù)保持穩(wěn)定增長的勢頭。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)和頭豹研究院數(shù)據(jù)整理，2014年，我國IGBT行業(yè)市場規(guī)模為79.8億元，預測到2020年，我國IGBT行業(yè)將實現(xiàn)197.7億元的收入，年復合增長率達16.32%。預計到2023年中國IGBT行業(yè)整

34、體市場規(guī)模有望達到290.8億元，市場前景廣闊。根據(jù)Yole預測，2024年我國行業(yè)IGBT產(chǎn)量預期達到0.78億只，需求量達到1.96億只，仍存在巨大供需缺口。IGBT市場長期被英飛凌、富士電機等海外公司壟斷，英飛凌占據(jù)絕對領先的地位。2019年英飛凌模塊產(chǎn)品全球市占率35.6%，器件產(chǎn)品全球市占率32.5%，IGBT模塊領域國內(nèi)斯達半導是唯一進入前十的企業(yè)，市占率2.5%，IGBT器件領域國內(nèi)士蘭微是唯一進入前十的企業(yè)，市占率2.2%。國內(nèi)產(chǎn)品供需不平衡，“國產(chǎn)替代”將是未來IGBT行業(yè)發(fā)展的主要方向。第三章 項目建設背景及必要性分析一、 IGBT是新能源車動力系統(tǒng)核心中的核心新能源車的制

35、動原理是利用電磁效應驅(qū)動電機轉(zhuǎn)動，IGBT優(yōu)異的開關特性可以實現(xiàn)交直流轉(zhuǎn)換、電壓轉(zhuǎn)換和頻率轉(zhuǎn)換幾個核心功能，電動車充電時，通過IGBT將外部電源轉(zhuǎn)變成直流電，并把外部220V電壓轉(zhuǎn)換成適當?shù)碾妷航o電池組充電。電動車制動時，通過IGBT把直流電轉(zhuǎn)變成交流電機使用的交流電，同時精確調(diào)整電壓和頻率，驅(qū)動電動車運動。一臺車的加速能力、最高時速、能源效率主要看車規(guī)級功率器件的性能，硅基IGBT作為主導型功率器件，在新能源車中應用于電動控制系統(tǒng)、車載空調(diào)系統(tǒng)、充電樁逆變器三個子系統(tǒng)中，約占整車成本的7%-10%，是除電池以外成本第二高的元件，也是決定整車能源效率的關鍵器件。新能車市場銷量：根據(jù)中汽協(xié)發(fā)布的

36、數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2019年新能源車新產(chǎn)銷分別完成124.2萬輛和120.6萬輛，其中絕大部分為純電動汽車，產(chǎn)銷為102萬輛和97.2萬輛，插電式混合動力汽車產(chǎn)銷為22.0萬輛和23.2萬輛，2020年國內(nèi)新能源車銷量為136.7萬輛。2021年5月，新能源汽車產(chǎn)銷環(huán)比略增，同比繼續(xù)保持高速增長，產(chǎn)銷均為21.7萬輛，環(huán)比增長0.5%和5.4%，同比增長1.5倍和1.6倍。單臺新能源車用量：電動汽車單車IGBT的價格在A00級車的主控IGBT模塊價值量800-1000元，A級車1500左右，混動車在2000元左右，再綜合空調(diào)、充電等部分，平均電動汽車單車IGBT價值量為1000-4000不等。根據(jù)Yo

37、le的統(tǒng)計，2016年全球電動車IGBT管用量約為9億美元，單車的IGBT管用量約為450美元。新能源車IGBT市場空間推算：據(jù)IDC預計，受政策推動等因素的影響，中國新能源汽車市場將在未來5年迎來強勁增長，2020年至2025年的年均復合增長率（CAGR）將達到36.1%，假設單臺車IGBT用量3000元左右來預估，至2025年，國內(nèi)新能源車IGBT模塊市場規(guī)模為191億左右。二、 新能源汽車的電力系統(tǒng)中，功率IGBT價值占比達達52%新能源汽車核心三電系統(tǒng)（電池、電機、電控）。1）電池是新能源汽車的能量來源，替換傳統(tǒng)燃油汽車的油箱；動力電池系統(tǒng)主要由電芯、電池管理系統(tǒng)等組成。2）電機負責將

38、電能轉(zhuǎn)換為機械能，包含定子、轉(zhuǎn)子等；3）電控如同汽車的大腦，用來控制電機的啟動、暫停、轉(zhuǎn)速、扭矩等各項“動作”。三電系統(tǒng)需要大量的半導體產(chǎn)品包括功率半導體、模擬芯片、控制芯片等；隨著電動汽車的發(fā)展與普及，汽車半導體迎來快速發(fā)展期。電力系統(tǒng)主要分為四大類：DC/DC轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)(BMS)、逆變器、車載充電器。逆變器是汽車的關鍵部件，主要用到的半導體芯片為為IGBT。逆變器類似于燃油車的發(fā)動機管理系統(tǒng)EMS，決定著駕駛行為。無論電機是同步、異步還是無刷直流電機，逆變器始終以類似的方式運行，其設計應最大限度地減少開關損耗并最大限度地提高熱效率。IGBT是電動汽車逆變器的核心電子器件，重要性類

39、似電腦里的CPU。DC-DC。轉(zhuǎn)換器供電給汽車低壓電子系統(tǒng)。DC/DC變換器是新能源汽車必須配置的功能，類似燃油汽車中配置的低電壓發(fā)電機總成，其功能是給車載12V或24V低壓電池充電，并為整車提供全部的低壓供電。在新能源汽車中會配置一個DC/DC變換器作為能量傳遞部件，從車載動力電池取電，提高能源的利用率，給車載12V或24V低壓電池充電，并為整車提供全部的低壓電子系統(tǒng)供電。BMS電池管理系統(tǒng)是電動汽車中電池組的大腦。BMS可根據(jù)起動能力對充電狀態(tài)、健康狀態(tài)和功能狀態(tài)進行快速、可靠的監(jiān)測，以提供必要的信息。因此，BMS能夠最大限度地降低因為電池意外失效而導致的汽車故障次數(shù)，從而盡可能地提升電池

40、使用壽命和電池效率，并實現(xiàn)二氧化碳減排功能。OBC車載充電器主要功能是為電池充電。OBC的核心功能是整流電源輸入，并將其轉(zhuǎn)換為適合電池的充電電壓可能是400V或越來越多的800V。一個典型的OBC由多個級聯(lián)級組成，包括功率因數(shù)校正（PFC）、DC/DC轉(zhuǎn)換器、次級整流、輔助電源、控制及驅(qū)動電路。OBC具有多種功率等級，功率等級越高，充電時間就越短。最流行的OBC功率等級是3.3kW、6.6kW、11kW和22kW。新能源汽車動力系統(tǒng)中，器逆變器IGBT價值量比占比52%。在電動傳統(tǒng)系統(tǒng)中，主逆變器負責控制電動機，是汽車中的一個關鍵元器件，決定了駕駛行為和車輛的能源效率。并且，主逆變器還用于捕獲

41、再生制動釋放的能量并將此能量回饋給電池，所以，車輛的最大行程與主逆變器的效率直接相關。三、 構(gòu)筑具有區(qū)域特色的創(chuàng)新體系以完善創(chuàng)新體制機制為抓手，以產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新為重點，形成政府、企業(yè)、社會多元化投入格局，加強創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)促進政策的配套銜接，構(gòu)筑具有區(qū)域特色的創(chuàng)新體系。完善科技創(chuàng)新體制機制。建立省市聯(lián)席、市本級院所參與的科技創(chuàng)新工作聯(lián)席會議制度，力爭將全市重大關鍵技術攻關項目納入省和國家計劃。推進各專項規(guī)劃與科技規(guī)劃緊密結(jié)合，形成規(guī)劃有機銜接與高效聯(lián)動機制。探索建立技術要素參與分配等激勵機制，調(diào)動科技人員加快科技成果轉(zhuǎn)化的積極性。建立健全科技咨詢服務體系，構(gòu)建低成本、開放式眾創(chuàng)空間，促進人才、技術、資

42、金等科技資源在鐵嶺富集。健全產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新體系。強化企業(yè)技術創(chuàng)新主體地位和高校、科研院所知識創(chuàng)新主體地位，加快構(gòu)建產(chǎn)學研用緊密結(jié)合的技術創(chuàng)新體系。積極爭取國家科技項目支持，有效匯集各種創(chuàng)新資源和要素，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新。促進產(chǎn)業(yè)鏈與創(chuàng)新鏈深度融合，圍繞先進裝備制造、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、新能源、新材料、節(jié)能環(huán)保、生物醫(yī)藥等關鍵領域，力求在關鍵技術、核心零部件和重大成套裝備三個層次實現(xiàn)新突破。建立多元化創(chuàng)新投入體系。設立財政科技引導資金，對重大科技項目、重要創(chuàng)新平臺、高層次科技人才及重要成果給予補助。綜合運用風險補償、貸款貼息、PPP模式、事后補助及無償資助等方式，帶動和促進民間投資。鼓勵科技銀行、科技小額貸

43、款公司，開展知識產(chǎn)權(quán)質(zhì)押，加大對科技型中小企業(yè)的信貸支持。建立和完善科技保險保費補助機制，重點支持開展自主創(chuàng)新首臺（套）產(chǎn)品的推廣應用和科技企業(yè)融資類保險。完善創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)政策體系。強化對創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)的財政支持，設立科技專項資金，對研發(fā)和科技服務給予補助。推進科技金融深度融合，設立創(chuàng)業(yè)投資基金，為科技攻關、成果轉(zhuǎn)化提供金融服務。提升孵化機構(gòu)和眾創(chuàng)空間服務水平，鼓勵龍頭企業(yè)、科研院所、高等院校建設平臺型眾創(chuàng)空間。完善知識產(chǎn)權(quán)保護政策，強化知識產(chǎn)權(quán)維權(quán)援助，加大對侵權(quán)行為打擊力度。到2025年，區(qū)域科技創(chuàng)新體系基本形成，科技創(chuàng)新經(jīng)費投入穩(wěn)步提升，R&D經(jīng)費占GDP比重達到1%，規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)研發(fā)投入占企

44、業(yè)銷售收入力爭達到1%。四、 工控領域及電源行業(yè)支撐IGBT穩(wěn)定發(fā)展IGBT模塊是變頻器、逆變焊機、UPS電源等傳統(tǒng)工業(yè)控制及電源行業(yè)的核心元器件，根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，2019年全球工控市場IGBT市場規(guī)模約為140億元，中國工控市場IGBT市場規(guī)模約為30億元。由于工控市場下游需求分散，工控IGBT市場需求較為穩(wěn)定，假設未來每年保持3%的規(guī)模增速，預計到2025年全球工控IGBT市場規(guī)模將達到167億元。變頻器行業(yè)：據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院測算，我國變頻器行業(yè)的市場規(guī)模整體呈上升態(tài)勢，從2012年至2019年，中國變頻器行業(yè)規(guī)模除2015年有小幅度下降以外，其余年份均處于穩(wěn)步增長狀態(tài)。2019年我國變

45、頻器行業(yè)的市場規(guī)模達到495億元，相比2018年增長4.7%。在一系列節(jié)能環(huán)保政策的指引下，預計未來5年內(nèi)，變頻器將在電力、冶金、煤炭、石油化工等領域?qū)⒈３址€(wěn)定增長，在市政、軌道交通、電梯等領域需求進一步增加，從而促進市場規(guī)模擴大，未來幾年整體增幅將保持在10%左右，到2025年，變頻器市場規(guī)模將達到883億。變頻器靠內(nèi)部IGBT的開關來調(diào)整輸出電源的電壓和頻率，根據(jù)電機的實際需要來提供其所需要的電源電壓，進而達到節(jié)能、調(diào)速的目的，變頻器產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展勢必導致IGBT需求提升。逆變式弧焊電源，又稱弧焊逆變器，是一種新型的焊接電源。這種電源一般是將三相工頻（50赫茲）交流網(wǎng)路電壓，先經(jīng)輸入整流器

46、整流和濾波，變成直流，再通過IGBT模塊的交替開關作用，逆變成幾千赫茲至幾萬赫茲的中頻交流電壓，同時經(jīng)變壓器降至適合于焊接的幾十伏電壓，后再次整流并經(jīng)電抗濾波輸出相當平穩(wěn)的直流焊接電流。根據(jù)國家統(tǒng)計局數(shù)據(jù)，2020年我國電焊機產(chǎn)量為1108.93萬臺，同比2019年增加了158.87萬臺。UPS，電源系統(tǒng)，IGBT被廣泛應用于不間斷電源系統(tǒng)(UPS)的設計中，數(shù)據(jù)顯示，1200V/100AIGBT的導通電阻為同規(guī)格耐壓功率MOSFET的1/10，開關時間為同規(guī)格GTR的1/10。據(jù)QYR電子研究中心統(tǒng)計，2018年全球不間斷電源（UPS）市場價值為105.37億美元，預計到2025年底將達到1

47、39.66億美元。五、 IGBT供貨周期與價格均有增長，供不應求難以緩解晶體管（含IGBT）交期周數(shù)高于大部分半導體產(chǎn)品交期。由于疫情所導致的供需失衡，半導體產(chǎn)品交期在過去的812個月中大幅延長，雖然部分產(chǎn)品交期在7月略有縮短，但已于8月再次出現(xiàn)延長的態(tài)勢。在各類半導體產(chǎn)品中，晶體管（含IGBT）整體交期已超過35周。IGBT大多為成熟制程（8英寸為主），8英寸制程由于前幾年數(shù)量和產(chǎn)線不斷下滑，部分設備大廠已不再生產(chǎn)8英寸晶圓所需的相關設備，設備緊缺導致擴產(chǎn)較12英寸晶圓廠少，供不應求導致成熟制程產(chǎn)能持續(xù)緊缺；同理，IGBT產(chǎn)能緊缺導致今年產(chǎn)品的交期周數(shù)大幅度提升。國際龍頭企業(yè)TIGBT產(chǎn)品價

48、格與拉貨周期，均呈現(xiàn)上漲態(tài)勢。由于產(chǎn)能持續(xù)緊缺，2021年IGBT產(chǎn)品貨期持續(xù)拉長，且在Q3仍未出現(xiàn)緩解的現(xiàn)象。英飛凌與Microsemi部分IGBT產(chǎn)品的交貨周期已延長至50周。此外，ST、安森美、IXYS等國際龍頭企業(yè)IGBT產(chǎn)品交貨周期也呈現(xiàn)出繼續(xù)延長的趨勢，且相關產(chǎn)品價格也表現(xiàn)出上漲的趨勢。第四章 公司籌建方案一、 公司經(jīng)營宗旨加強經(jīng)濟合作和技術交流，采用先進適用的科學技術和科學經(jīng)營管理方法，提高產(chǎn)品質(zhì)量，發(fā)展新產(chǎn)品，并在質(zhì)量、價格等方面具有國際市場上的競爭能力，提高經(jīng)濟效益，使投資者獲得滿意的利益。二、 公司的目標、主要職責（一）目標近期目標：深化企業(yè)改革，加快結(jié)構(gòu)調(diào)整，優(yōu)化資源配置

49、，加強企業(yè)管理，建立現(xiàn)代企業(yè)制度；精干主業(yè)，分離輔業(yè)，增強企業(yè)市場競爭力，加快發(fā)展；提高企業(yè)經(jīng)濟效益，完善管理制度及運營網(wǎng)絡。遠期目標：探索模式創(chuàng)新、制度創(chuàng)新、管理創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)發(fā)展新思路。堅持發(fā)展自主品牌，提升企業(yè)核心競爭力。此外，面向國際、國內(nèi)兩個市場，優(yōu)化資源配置，實施多元化戰(zhàn)略，向產(chǎn)業(yè)集團化發(fā)展，力爭利用3-5年的時間把公司建設成具有先進管理水平和較強市場競爭實力的大型企業(yè)集團。（二）主要職責1、執(zhí)行國家法律、法規(guī)和產(chǎn)業(yè)政策，在國家宏觀調(diào)控和行業(yè)監(jiān)管下，以市場需求為導向，依法自主經(jīng)營。2、根據(jù)國家和地方產(chǎn)業(yè)政策、IGBT行業(yè)發(fā)展規(guī)劃和市場需求，制定并組織實施公司的發(fā)展戰(zhàn)略、中長期發(fā)展規(guī)劃、

50、年度計劃和重大經(jīng)營決策。3、深化企業(yè)改革，加快結(jié)構(gòu)調(diào)整，轉(zhuǎn)換企業(yè)經(jīng)營機制，建立現(xiàn)代企業(yè)制度，強化內(nèi)部管理，促進企業(yè)可持續(xù)發(fā)展。4、指導和加強企業(yè)思想政治工作和精神文明建設，統(tǒng)一管理公司的名稱、商標、商譽等無形資產(chǎn)，搞好公司企業(yè)文化建設。5、在保證股東企業(yè)合法權(quán)益和自身發(fā)展需要的前提下，公司可依照公司法等有關規(guī)定，集中資產(chǎn)收益，用于再投入和結(jié)構(gòu)調(diào)整。三、 公司組建方式xx投資管理公司主要由xxx有限公司和xx有限責任公司共同出資成立。其中：xxx有限公司出資1080.00萬元，占xx投資管理公司80%股份；xx有限責任公司出資270萬元，占xx投資管理公司20%股份。四、 公司管理體制xx投資管

51、理公司實行董事會領導下的總經(jīng)理負責制，各部門按其規(guī)定的職能范圍，履行各自的管理服務職能，而且直接對總經(jīng)理負責；公司建立完善的營銷、供應、生產(chǎn)和品質(zhì)管理體系，確立各部門相應的經(jīng)濟責任目標，加強產(chǎn)品質(zhì)量和定額目標管理，確保公司生產(chǎn)經(jīng)營正常、有效、穩(wěn)定、安全、持續(xù)運行，有力促進企業(yè)的高效、健康、快速發(fā)展?？偨?jīng)理的主要職責如下：1、全面領導企業(yè)的日常工作；對企業(yè)的產(chǎn)品質(zhì)量負責；向本公司職工傳達滿足顧客和法律法規(guī)要求的重要性；2、制定并正式批準頒布本公司的質(zhì)量方針和質(zhì)量目標，采取有效措施，保證各級人員理解質(zhì)量方針并堅持貫徹執(zhí)行；3、負責策劃、建立本公司的質(zhì)量管理體系，批準發(fā)布本公司的質(zhì)量手冊；4、明確所

52、有與質(zhì)量有關的職能部門和人員的職責權(quán)限和相互關系；5、確保質(zhì)量管理體系運行所必要的資源配備；6、任命管理者代表，并為其有效開展工作提供支持；7、定期組織并主持對質(zhì)量管理體系的管理評審，以確保其持續(xù)的適宜性、充分性和有效性。五、 部門職責及權(quán)限（一）綜合管理部1、協(xié)助管理者代表組織建立文件化質(zhì)量體系，并使其有效運行和持續(xù)改進。2、協(xié)助管理者代表，組織內(nèi)部質(zhì)量管理體系審核。3、負責本公司文件（包括記錄）的管理和控制。4、負責本公司員工培訓的管理，制訂并實施員工培訓計劃。5、參與識別并確定為實現(xiàn)產(chǎn)品符合性所需的工作環(huán)境，并對工作環(huán)境中與產(chǎn)品符合性有關的條件加以管理。（二）財務部1、參與制定本公司財務

53、制度及相應的實施細則。2、參與本公司的工程項目可信性研究和項目評估中的財務分析工作。3、負責董事會及總經(jīng)理所需的財務數(shù)據(jù)資料的整理編報。4、負責對財務工作有關的外部及政府部門，如稅務局、財政局、銀行、會計事務所等聯(lián)絡、溝通工作。5、負責資金管理、調(diào)度。編制月、季、年度財務情況說明分析，向公司領導報告公司經(jīng)營情況。6、負責銷售統(tǒng)計、復核工作，每月負責編制銷售應收款報表，并督促銷售部及時催交樓款。負責銷售樓款的收款工作，并及時送交銀行。7、負責每月轉(zhuǎn)賬憑證的編制，匯總所有的記賬憑證。8、負責公司總長及所有明細分類賬的記賬、結(jié)賬、核對，每月5日前完成會計報表的編制，并及時清理應收、應付款項。9、協(xié)助

54、出納做好樓款的收款工作，并配合銷售部門做好銷售分析工作。10、負責公司全年的會計報表、帳薄裝訂及會計資料保管工作。11、負責銀行財務管理，負責支票等有關結(jié)算憑證的購買、領用及保管，辦理銀行收付業(yè)務。12、負責先進管理，審核收付原始憑證。13、負責編制銀行收付憑證、現(xiàn)金收付憑證，登記銀行存款及現(xiàn)金日記賬，月末與銀行對賬單和對銀行存款余額，并編制余額調(diào)節(jié)表。14、負責公司員工工資的發(fā)放工作，現(xiàn)金收付工作。（三）投資發(fā)展部1、調(diào)查、搜集、整理有關市場信息，并提出投資建議。2、擬定公司年度投資計劃及中長期投資計劃。3、負責投資項目的儲備、篩選、投資項目的可行性研究工作。4、負責經(jīng)董事會批準的投資項目的

55、籌建工作。5、按照國家產(chǎn)業(yè)政策，負責公司產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、投資結(jié)構(gòu)的調(diào)整。6、及時完成領導交辦的其他事項。（四）銷售部1、協(xié)助總經(jīng)理制定和分解年度銷售目標和銷售成本控制指標，并負責具體落實。2、依據(jù)公司年度銷售指標，明確營銷策略，制定營銷計劃和拓展銷售網(wǎng)絡，并對任務進行分解，策劃組織實施銷售工作，確保實現(xiàn)預期目標。3、負責收集市場信息，分析市場動向、銷售動態(tài)、市場競爭發(fā)展狀況等，并定期將信息報送商務發(fā)展部。4、負責按產(chǎn)品銷售合同規(guī)定收款和催收，并將相關收款情況報送商務發(fā)展部。5、定期不定期走訪客戶，整理和歸納客戶資料，掌握客戶情況，進行有效的客戶管理。6、制定并組織填寫各類銷售統(tǒng)計報表，并將相關數(shù)據(jù)及

56、時報送商務發(fā)展部總經(jīng)理。7、負責市場物資信息的收集和調(diào)查預測，建立起牢固可靠的物資供應網(wǎng)絡，不斷開辟和優(yōu)化物資供應渠道。8、負責收集產(chǎn)品供應商信息，并對供應商進行質(zhì)量、技術和供就能力進行評估，根據(jù)公司需求計劃，編制與之相配套的采購計劃，并進行采購談判和產(chǎn)品采購，保證產(chǎn)品供應及時，確保產(chǎn)品價格合理、質(zhì)量符合要求。9、建立發(fā)運流程，設計最佳運輸路線、運輸工具，選擇合格的運輸商，嚴格按公司下達的發(fā)運成本預算進行有效管理，定期分析費用開支，查找超支、節(jié)支原因并實施控制。10、負責對部門員工進行業(yè)務素質(zhì)、產(chǎn)品知識培訓和考核等工作，不斷培養(yǎng)、挖掘、引進銷售人才，建設高素質(zhì)的銷售隊伍。六、 核心人員介紹1、田xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1970年出生，碩士研究生學歷。2012年4月至今任xxx有限公司監(jiān)事。2018年8月至今任公司獨立董事。2、曹xx，1974年出生，研究生學歷。2002年6月至2006年8月就職于xxx有限責任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限責任公司銷售部副經(jīng)理。2011年3月至今歷任公司監(jiān)事、銷售部副部長、部長；2019年8月至今任公司監(jiān)事會主席。3、梁xx，中國國籍，1978年出生，本科學歷，中國注冊會計師。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司獨立董事。4、龍xx，中國