微電概論考試綱要

1、微電概論 綱要 唐睿第一章 緒論1. 電子工業(yè)增長率一般為GDP增長率的3倍，而集成電路工業(yè)增長率又是電子工業(yè)增長率的2倍。幾十年來，世界集成電路業(yè)的產(chǎn)值以大于13%，集成度以46%的年增長率持續(xù)發(fā)展。2. 集成電路的定義 （P7）3. 微電子學(xué)的作用 （P9）4. 集成電路的分類：（1）按器件結(jié)構(gòu)分類，以及各自優(yōu)缺點(3種) （2）按集成電路規(guī)模分類（6種） （3）按結(jié)構(gòu)形式分類（2種） （4）按電路功能分類（3種） (P9)5. 集成電路分類總結(jié)圖 （P12）6. 微電子學(xué)的主要研究什么，以什么為目的，特點是什么 (P13)7. 微電子技術(shù)的定義及包括的內(nèi)容（四種）第二章半導(dǎo)體物理和器件物

2、理基礎(chǔ) 1.半導(dǎo)體器件的定義和分類（兩種） 2. 半導(dǎo)體的主要特點（四種） （P15） 3. 硅、鍺、砷化鎵晶體中共價鍵上的電子擺脫束縛所需能量 （P16） 4. 電子、空穴、載流子 （P17） 多子、少子 (P27) 5. N型、P型半導(dǎo)體的概念 （P17） 6. 遷移率是反映半導(dǎo)體載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)，同樣的參雜濃度，載流子的遷移率越大，半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率越高，遷移率的大小不僅關(guān)系著導(dǎo)電能力的強弱，而且還直接決定著載流子運動（飄逸和擴(kuò)散）的快慢。它直接影響了半導(dǎo)體器件的工作速度。遷移率大小與參雜濃度和溫度有關(guān)。 7.載流子的定義，運動形式（三種）和散射形式（兩種） 8.pn節(jié)的定義、特

3、性 突變節(jié)與緩變節(jié) PN節(jié)的單向?qū)щ娦?平衡PN節(jié) （P33） 9.PN節(jié)的擊穿及原理 （P41） 10.三極管（雙極晶體管） （P43） 11.MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)（圖）、工作原理、別稱 （P55） 12MOS場效應(yīng)晶體管的種類，四種MOSFET的截面圖及其轉(zhuǎn)移和輸出特性曲線（P63） 13.反相器和存儲器第三章 1.評價集成電路性能的主要方面及其個自定義和作用 （P66） 2.串、與、并、或及其電路圖的畫法 3.IC的制造簡要流程（四步） 第四章 1.光刻三要素 光刻的工藝流程 （P89） 2正負(fù)膠的工作原理 （P95） 3.幾種常見的光刻方法及其優(yōu)缺點（根據(jù)曝光方法的不同分為三類）

4、超細(xì)線條光刻技術(shù)的分類 （四類） （P97） 4刻蝕技術(shù)的種類及各自的優(yōu)缺點 （P99）氧化硅層的主要作用（六種） （P101） （P101） 7.二氧化硅的制備方法及原理（四種） （P102）8化學(xué)氣相淀積方法（三種） （P109）9.參雜的方法（2種）的步驟（六步） （P112） 10.金屬膜的形成方法（2種） 少數(shù)金屬可采用CVD方法淀積 （P113） 11.集成電路工藝小結(jié) （P122）第五章 1.摩爾定律 （P124）基于分層分級設(shè)計思想的設(shè)計過程（四個階段） 從域的角度分（三個方面） （P125）公式及含義 (P134) 4.版圖的檢查與驗證（3布） （P133）集成電路的兩種設(shè)計規(guī)則 （P135） 第七章1.SOC指什么 （P215）第八章 1.光電導(dǎo)體的定義 光電導(dǎo)的基本工作原理 2光伏效應(yīng) 3.光電效應(yīng)（2類） 光電效應(yīng)和光伏效應(yīng)屬于內(nèi)光電效應(yīng) 光生載流子第九章 1.MEMS指什么 （P267） 2.廣義上MEMS的定義 MEMS的應(yīng)用 （P267） 3.幾種重要的MEMS器件（6種） （P270）（4種） （P289） 5.制作MEMS器件的3種重要技術(shù) （P28