物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)練習(xí)題

1、物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)練習(xí)題1、四種常見元素的性質(zhì)或結(jié)構(gòu)信息如下表，試根據(jù)信息回答有關(guān)問題.TOftABCD性質(zhì)原子核外用兩個電子層，原子的M原子核外電子排布為有兩種常見氧化結(jié)構(gòu)最外層后 3個未成對的電層后1對Ar3d 104sx,有+1、 +2 兩物，其中什-種是信息子成對的p種常見化合價冶金工業(yè)常用的還電子原劑(1) A元素與其同周期相鄰兩種元素原子的第一電離能由大到小的順序為 (用元素 符號表示)；試解釋其原因 。(2) B元素的低價氧化物分子中心原子的雜化方式為 , B元素的最高價氧化物分子 VSEPR莫型為, B元素與D元素形成分子空間構(gòu)型為 。(3) D元素最高價氧化物的熔點比同主族相鄰元

2、素最高價氧化物的熔點 (填“高” 或“低”)，其原因是。(4)往C元素的硫酸鹽溶液中逐滴加入過量A元素的氫化物水溶液，觀察到的現(xiàn)象為;后一現(xiàn)象的化學(xué)反應(yīng)方程式為 (5)某同學(xué)根據(jù)上述信息，推斷A基態(tài)原子的核外電子排布為:該同學(xué)所畫的電子排布圖違背了 (6) C晶體的堆積方式如圖所示，設(shè) C原子半徑為r cm,阿伏伽德羅常數(shù)用表示，則 晶胞中 C 原子的配位數(shù)為 , C晶體的密度為 g? cm3(要求寫表達式，可以不化簡)。2、新型儲氫材料是開發(fā)利用氫能的重要研究方向。(1) Ti(BH4)3是一種儲氫材料，可由 TiCl 4和LiBH4反應(yīng)制得?；鶓B(tài)Cl原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為 ,該能

3、層具有的原子軌道數(shù)為OLiBH4由Li+和BH-構(gòu)成，BH-的立體結(jié)構(gòu)是 , B原子的雜化軌道類型是 Li、曰H元素的電負性由大到小排列順序為 。(2)金屬氫化物是具有良好發(fā)展前景的儲氫材料。LiH中，離子半徑Li+H(填“>”、"=”或“V").某儲氫材料是第三周期金屬元素M的氫化物.M的部分電離能如表所示：11/kJ ? mol-112/kJ ? mol-113/kJ ? mol-114/kJ ? mol-115/kJ ? mol-1738145177331054013630M是(填兀素符號)。(3) NaH具有NaCl型晶體結(jié)構(gòu)，已知NaH晶體的晶胞參數(shù) a=4

4、88pm(棱長)，Na+半徑為102pm,H的半徑為 , NaH的理論密度是 g-cm -3(只列算式，不必計算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)為 NA)3. (15分)元素X基態(tài)原子核外電子數(shù)為29,元素Y位于X的前一周期且最外層電子數(shù)為1,元素Z基態(tài)原子3P軌道上有4個電子，元素 P原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的3倍，元素Q基態(tài)原子2p半充滿。請回答下列問題：(1)寫出X基態(tài)原子的核外電子排布式 。(2) Q的氣態(tài)氫化物分子中Q原子軌道雜化類型是 ，該分子的空間構(gòu)型為(3) P與Q的第一電離能的大小關(guān)系為 。(4) Z的氫化物在乙醇中的溶解度小于P的氫化物的原因是 。(5) Y與P形成的化合物晶胞

5、結(jié)構(gòu)如圖，晶胞參數(shù) a=0. 566nm,晶胞中P 原子的配位數(shù)為 ,計算該晶體的密度為 g/cm3。4、(15分)A, B, C, D, E五種元素，均位于元素周期表的前四周期.它們的核電荷數(shù)逐漸增加.且核電荷數(shù)之和為57; B原子的L層p軌道中有2個電子，C的原子核外有三個未成對電子，D與B原子的價電子數(shù)相同.E原子的K層電子數(shù)與最外層電子數(shù)之比為2: 1,其d軌道處于全充滿狀態(tài)。請回答下列問題：(1) B, D原子可分別與 A原子形成只含一個中心原子的共價化合物X和Y,其中X的電子式為, Y中D原子的雜化軌道類型為 ; C與A形成的常見化合物的 分子構(gòu)型為。(2) B和D的最高價氧化物的

6、晶體中熔點較高的是(填化學(xué)式),其原因是 一(3)B與C比較，電負性較大的是 (填元素符號)，E2+的核外電子排布式為(4) E2+與C的常見氫化物形成配離子反應(yīng)的離子方程式為 。(5) E單質(zhì)的晶體中原子的堆積方式如下圖甲所示，其晶胞特征如下圖乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如下圖丙所示，若已知E原子半徑為d, NA表示阿伏伽德羅常數(shù)。摩爾質(zhì)最為M,則該原子白配位數(shù)為 ,該晶體的密度可表示為 。5. (14分)有甲、乙、丙、丁、戊五種短周期元素，原子序數(shù)依次增大，其常見化合價依次為+1、-2、+1、+3、-1。它們形成的物質(zhì)間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下圖所示。常溫下用惰性電極電解(有陽離子交換膜)1

7、L l mol/L 的A溶液。B黃綠色氣體A溶液蛆C單質(zhì)E氣體混合物X請按要求回答下列問題：(1)己元素與丙元素同主族，比丙原子多2個電子層，則己的原予序數(shù)為 推測相同條件下丙、己單質(zhì)分別與水反應(yīng)劇烈程度的依據(jù)是(2)甲、乙、戊按原予個數(shù)比1:1:1形成的化合物Y具有漂白性，其電子式為 (3)上圖轉(zhuǎn)化關(guān)系中不屬于氧化還原反應(yīng)的有(填編號) 。(4)接通右圖電路片刻后，向燒杯中滴加一種試劑即可檢驗鐵電極被腐蝕，此反應(yīng)的離子 方程式為。(5)當(dāng)反應(yīng)電解一段時間后測得D溶液pH=12 (常溫下，假設(shè)氣體完全逸出，取出交換膜后溶液充分混勻，忽略溶液體積變化)，此時共轉(zhuǎn)移電子數(shù)目約為 ;反應(yīng)的離子方程式

8、為 。(6)若上圖中各步反應(yīng)均為恰好完全轉(zhuǎn)化，則混合物X中含有的物質(zhì)(除水外)有6. (14分)a、b、c、d是四種原子序數(shù)依次增大的短周期元素。a原子的電子層數(shù)為n,核內(nèi)質(zhì)子數(shù)是 2n21,最外層電子數(shù)為2n+l ； b、d同主族，能形成兩種中學(xué)常見的化合物；c與b組成的化合物是一種兩性氧化物，工業(yè)上通過電解該化合物可冶煉 質(zhì)；e原子有四個能層，其未成對電子數(shù)在同周期是最多的?；卮鹣铝袉栴}：(1) a在周期表中的位置 ; e的基態(tài)原子價電子排布式為 。(2) b、c、d原子的第一電離能由大到小的順序是 。(3) a和b形成的離子 W呈平面正三角形，其中心原子的雜化類型為 ; a、b、 d氣態(tài)

9、氫化物最穩(wěn)定的是 (寫化學(xué)式)。(4)元素c與Fe構(gòu)成合金的晶胞如圖，該合金的化學(xué)式為 。(5)將b、d組成的極性分子通人含少量W離子的BaCl2水溶液中，有NO氣體生成。發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為 。7. (12分)從原子、分子水平上幫助我們認(rèn)識物質(zhì)構(gòu)成的規(guī)律：以微粒之間不同的作用力為線索，研究不同類型物質(zhì)的有關(guān)性質(zhì)：從物質(zhì)結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)的視角預(yù)測物質(zhì)的有關(guān)性質(zhì)(1)下列說法正確的是 (填序號)。A.元素電負性由大到小的順序為O> N> C8. 一個乙烯分子含 2個兀鍵和4個b鍵C.氯化鈉和氯化葩晶體中氯離子的配位數(shù)相同D.第一電離能的大小為 Al >M(g> Na(2)根

10、據(jù)等電子體原理，默基硫(OCS)分子的結(jié)構(gòu)式為 ;光氣(COCl2)各原子最外層都滿 足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則光氣分子的空間構(gòu)型為 (用文字描述)；(3) Cu 2+基態(tài)的電子排布式為 ;向硫酸銅溶液中加入過量氨水，然后加入適量乙醇，溶液中會析出深藍色的Cu(NH)4SO4晶體，硫酸根離子中硫原子的雜化方式為;不考慮空間構(gòu)型，其內(nèi)界結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為 。8.錯(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素，在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。回答下列問題：(1)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為 Ar ,有 個未成對電子。(2)Ge與C是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分

11、析，原因是 。(3)比較下列錯鹵化物的熔點和沸點，分析其變化規(guī)律及原因 。GeCl4GeBr4Gel4熔點/ C一26146沸點/ c186約400(4)光催化還原CO制備CH反應(yīng)中，帶狀納米 ZnzGeO是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ga。電負性由大至小的順序是 。(5)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為 ,微粒之間存在的作用力是。(6)晶胞有兩個基本要素：原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置。如圖為 Ge單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0) ; B為(王0, /); C為(,2，0)。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為 。晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀。 已知Ge單晶的一

12、-3 晶胞參數(shù)a= pm,其留度為 gcm (列出計算式即可)。9、東晉華陽國志南中志 卷四中已有關(guān)于白銅的記載，云南饃白銅(銅饃合金)聞名中外，曾主要用于造幣，亦可用于制作仿銀飾品?；卮鹣铝袉栴}:(1)饃元素基態(tài)原子的電子排布式為 , 3d能級上的未成對電子數(shù)為 (2)硫酸饃溶于氨水形成Ni(NH 3) 6SO4藍色溶液。Ni(NH 3) 6SO4中陰離子的立體構(gòu)型是 。在Ni(NH3)62+中 Ni2+與NH之間形成的化學(xué)鍵稱為 ，提供孤電子對的成鍵原 子是 O氨的沸點(填“高于”或“低于")瞬(PH3),原因是 ；氨是 分子(填“極性”或“非極性”)，中心原子的軌道雜化類型為

13、(3)單質(zhì)銅及饃都是由 鍵形成的晶體；元素銅與饃的第二電離能分別為：Icu= 1O958 kJ mol I I Ni = 1 753 kJ - mol I Cu>I Ni 的原因是(4)某饃白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。晶胞中銅原子與饃原子的數(shù)量比為 。若合金的密度為 d g - cmi 3,晶胞參數(shù)a=nm=10、3. (2016 全國卷出)神化錢(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可 用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。回答下列問題：(1)寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式 。(2)根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga As,第一電離能Ga A& (填“大于” 或"小于&q

14、uot;)(3)AsCl 3分子的立體構(gòu)型為,其中As的雜化軌道類型為GaF3的熔點高于 1 000 C , GaCl3的熔點為 77.9 C,其原因是(5)GaAs的熔點為1 238 C,密度為 p g - cm 3,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖 所示。該晶體的類型為 , Ga與As以 鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為 MGg mo/1和MAg mol1,原子半徑分別為Gpm 和Aspm阿伏加德羅常數(shù)值為 N,則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體 積的百分率為。11、碳及其化合物廣泛存在于自然界中。回答下列問題：(1)處于一定空間運動狀態(tài)的電子在原子核外出現(xiàn)的概率密度分布可用 形象化 描述。在基態(tài)14C原

15、子中，核外存在 對自旋相反的電子。(2)碳在形成化合物時，其鍵型以共價鍵為主，原因是 。(3)CS2分子中，共價鍵的類型有 , C原子的雜化軌道類型是 ,寫出兩 個與CS具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子或離子 。(4)CO能與金屬Fe形成Fe(CO)5,該化合物的熔點為 253 K,沸點為376 K,其固體屬 于 晶體。(5)碳有多種同素異形體，其中石墨烯與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示：石墨烯晶體金剛石晶體在石墨烯晶體中，每個 C原子連接 個六元環(huán)，每個六元環(huán)占有 個C 原子。在金剛石晶體中，C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán)，每個C原子連接 個六元環(huán)，六元環(huán)中最多有 個C原子在同一平面12、A、R C、D為原子序數(shù)依次增大的四種元素，A2和B+具有相同的電子構(gòu)型； C、D為同周期元素，C核外電子總數(shù)是最外層電子數(shù)的 3倍；D元素最外層有一 個未成對電子?；卮鹣铝袉栴}：(1)四種元素中電負性最大的是 (填元素符號)，其中C原子的核外電子排布式為