微電子--芯片測試與封裝作業(yè)

1、1.發(fā)表于 2012-10-31 11:37:002.發(fā)表于2010-4-5 18:02:15應該是這樣排名的 1 .清華（整體最強）2.電子科大功率器件、半導體功能材料最強3. 北大（工藝全國最強） 4 .復旦（設計最強）5. 東南（MEMS與射頻最強） 6 .西電（可靠性最強）后面的就是 上交 華中科技 浙大.可以看出各個高校各有千秋，應該選準方向，再準備擇校。3.發(fā)表于 2010-3-7 18:14:29北京地區(qū)大唐微電子技術有限公司北京北大眾志微系統(tǒng)科技有限責任公司 北京中星微電子有限公司 中國華大集成電路設計中心 北京中電華大電子設計有限責任公司 北京清華同方微電子有限公司 北京神州

2、龍芯集成電路設計有限公司 威盛電子（中國）有限公司 北京九方中實電子科技有限責任公司 北京集成電路設計公司 北京華虹集成電路設計有限責任公司 北京北方華虹微系統(tǒng)有限公司 北京海爾集成電路設計有限公司 北京六合萬通微電子技術有限公司 北京中慶微數(shù)字設備開發(fā)有限公司 北京訊風光通信技術開發(fā)有限責任公司 北京兆日科技有限責任公司 北京北大青鳥集成電路有限公司 北京宏思電子技術有限公司 北京航天偉盈微電子有限公司 北京火馬微電子技術有限公司 北京奇普嘉科技有限公司 北京思旺電子技術有限公司 北京協(xié)同偉業(yè)信息技術有限公司 北京利亞德電子科技有限公司 北京芯網(wǎng)拓科技有限公司 清華大學微電子學研究所 北京奧

3、貝克電子信息技術有限公司 北京東世科技有限公司北京青鳥元芯微系統(tǒng)科技有限責任公司 北京中科飛鴻科技有限公司 北京凝思科技有限公司北京天宏繹集成電路科技發(fā)展有限公司 北京東科微電子有限公司北京福星曉程電子科技股份有限公司 國家專用集成電路設計工程技術研究中心 北京國際工程咨詢公司 北京中科聯(lián)創(chuàng)科技有限公司 北京清華紫光微電子系統(tǒng)有限公司 北京時代華諾科技有限公司 北京中科微電子技術有限公司 奧華微電子（北京）有限公司 北京博旭華達科技有限公司 北京國芯安集成電路設計有限公司 北京凱賽德航天系統(tǒng)集成設計有限公司 北京伊泰克電子有限公司 矽統(tǒng)科技有限公司北京代表處 北京明宇科技有限公司北京英貝多嵌入

4、式網(wǎng)絡技術有限公司 公司 惠普（中國）有限公司中關村軟件學院 中國科學院中心 中國科學院微電子研究所世源科技工程有限公司（中國電子工程設計院）北京潤光泰力科技發(fā)展有限公司 公司 公司 公司 公司 公司 方舟科技（北京）有限公司摩托羅拉強芯（天津）集成電路設計有限公司 美國家半導體深圳地區(qū)深圳市中興集成電路設計有限責任公司 深圳市國微電子股份有限公司 深圳市國微技術有限公司深圳市明微電子有限公司 深圳市力合微電子有限公司 深圳市愛思科微電子有限公司 深圳市長運通集成電路設計有限公司 芯邦微電子有限公司 深圳市劍拓科技有限公司 深圳市方通科技有限公司 深圳市明華澳漢科技股份有限公司 深圳方禾集成電

5、路有限公司 深圳市昊天旭輝科技有限公司 深圳市矽谷電子系統(tǒng)有限公司 深圳市中密科技有限公司 深圳市世紀經(jīng)緯數(shù)據(jù)系統(tǒng)有限公司 深圳市國芯微電子有限公司 深圳深愛半導體有限公司 深圳艾科創(chuàng)新微電子有限公司 深圳市先功集成電路有限公司 深圳市互動寶科技開發(fā)有限公司 深圳市中微半導體有限公司 深圳市安健科技有限公司 美芯集成電路（深圳）有限公司 深圳市冠日通訊科技有限公司 深圳市興域電子有限公司 深圳蘭光電子集團公司 安凱開曼公司深圳凱達網(wǎng)絡技術有限公司 創(chuàng)系電子科技（深圳）有限公司 深圳市名聲電子科技開發(fā) 富大微電子科技（深圳）有限公司 深圳市日松微電子有限公司 深圳市惠而特科技有限公司 深圳市天微

6、電子有限公司 晶門科技（深圳）有限公司 深圳源核微電子技術有限公司 深圳華超軟件與微電子設計有限公司 深圳市江波龍電子有限公司 泰格陽技術（深圳）有限公司 深圳市朗科科技有限公司 深圳市鵬思電子有限公司 珠海炬力集成電路設計有限公司 深圳賽格高技術投資股份有限公司 廣晟微電子有限公司 深圳市貝頓科技有限公司 深圳市易成科技有限公司上海地區(qū)上海華虹集成電路有限責任公司 上海新茂半導體有限公司復旦大學專用集成電路與系統(tǒng)國家重點實驗室 宏羚科技（上海）有限公司 上大眾芯微電子有限公司 上海華龍信息技術開發(fā)中心 圣景微電子公司 上海精致科技有限公司泰鼎多媒體技術（上海）有限公司 公司鼎芯半導體（上海）

7、有限公司 展訊通信有限公司 新益系統(tǒng)科技有限公司 上海明波通信技術有限公司 邏輯公司 美國微芯科技公司上海微科集成電路有限公司 上海大締微電子有限公司 上海寬頻科技股份有限公司 中穎電子（上海）有限公司 上海矽創(chuàng)微電子有限公司 上海至益電子技術有限公司 芯原微電子（上海）有限公司 智芯科技（上海）有限公司 得理微電子（上海）有限公司 格科微電子（上海）有限公司 上海愛普生電子有限公司 上海華園微電子技術有限公司 上海眾華電子有限公司 德力微電子有限公司 勇瑞科技（上海）有限公司江浙地區(qū)蘇州中科集成電路設計中心 江蘇意源科技有限公司 無錫市愛芯科微電子有限公司 無錫市華方微電子有限公司 無錫華潤

8、矽科微電子有限公司 寧波市科技園區(qū)甬晶微電子有限公司 杭州士蘭微電子股份有限公司 杭州中天微系統(tǒng)有限公司中國電子科技集團公司第五十五研究所西安地區(qū)德國英飛凌科技有限公司 西安華西集成電路設計中心 西安亞同集成電路技術有限公司 西安深亞電子有限公司 西安聯(lián)圣科技有限公司 西安交大數(shù)碼技術有限責任公司 西安中芯微電子技術有限公司 陜西美歐電信技術有限公司 西安萬思微電子有限公司 西安和記奧普泰通信技術有限公司 西北工業(yè)大學航空微電子中心 西安科大華成電子股份有限公司 西安北斗星數(shù)碼信息有限公司 西安啟圣科技有限責任公司 西安西電捷通無線網(wǎng)絡通信有限公司 西安華泰集成電路設計中心 富微科技有限公司2

9、015-4-11 09:38| 發(fā)布者: |西安德智科技有限公司 西安德恒科技有限公司西安開元微電子科技股份有限公司 陜西航天意德高科技產(chǎn)業(yè)有限公司 西安藍啟科技有限責任公司 西安秦芯科技有限公司西安大唐電信有限公司設計部 西安集成電路設計專業(yè)孵化器成都地區(qū)成都國騰微電子有限公司 綿陽凱路微電子有限公司 四川南山之橋微電子有限公司 成都登巔科技有限公司 成都天銳電子科技有限公司 成都威斯達芯片有限責任公司 中國電子工程設計院西南分院信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設計研究院有限公司 成都華微電子系統(tǒng)有限公司4.國際研究暨顧問機構 Gartner 最終統(tǒng)計結果顯示， 2014年全球半導體營收總金額達3,403

10、億美元，較2013年的3,154億美元增加7.9%。前25大半導體廠商合計之營收成長11.7%，高于業(yè)界整體成長率。前25大半導體廠占整體市場營收72.4%，亦高于2013年的69.9%。Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“2014年各類元件皆呈正成長，不似2013年時，特殊應用積體電路(ASIC)、離散元件(discrete)與微組件(microcomponent)均呈衰退。記憶體市場連續(xù)第二年成為表現(xiàn)最佳的部門，增幅達16.6%，顯示其余領域僅成長4.9%。整體來說，以DRAM廠商表現(xiàn)最佳，主要受惠于DRAM市場景氣大好，年營收上揚32%達461億美元，甚至超越19

11、95年所創(chuàng)下的418億美元歷史高點?！?014年大型半導體廠商之間的購并活動較前一年更為熱絡，部分已公開的購并案要待2015年才會完成交易。最受矚目的購并案包括安華高科技(Avago)買下巨積(LSI)后，首度躋身全球前25大半導體廠商。晨星半導體(MStar Semiconductor)經(jīng)過長時間磨合終于并入聯(lián)發(fā)科(MediaTek)，安森美(ON Semicondcutor)則買下Aptina Imaging。根據(jù)這波已定案的購并潮調(diào)整數(shù)據(jù)后，全球前25大半導體廠全年營收成長9.1%。2014年全球營收前10大半導體廠商 (單位：百萬美元)（來源：Gartner，2015年3月）半導體封裝

12、廠的分布 (來源：半導體技術天地)發(fā)表于 2014-3-12 14:28:06國內(nèi)封裝廠家的封裝水平排名發(fā)表于 2011-10-10 21:42:42從工藝、管理、產(chǎn)品線種類、研發(fā)實力、國際發(fā)明專利角度看：第一集團：日月光、安靠、矽品、UTAC、ST、Intel、飛思卡爾；第二集團：南通富士通、NXP、江蘇長電、天水華天、固鍀、樂山非尼克斯、瑞薩、捷敏、 星科金朋、Carsem、Infineon、美光、三洋、飛兆；第三集團：華汕、藍箭、安盛、杰群、明昕、葵和、華微、華晶、四川無線電廠等 第四集團：Many5. 一些行業(yè)動態(tài)英特爾16億美元升級成都芯片封裝測試工廠2014-12-7 11:14|

13、 發(fā)布者: （來源：微電子論壇 ）英特爾宣布，將在未來15年內(nèi)投資16億美元，對英特爾成都工廠的晶圓預處理、封裝及測試業(yè)務進行全面升級，并將英特爾最新的 “高端測試技術”(AdvancedTestTechnology)引入中國。全面升級封裝測試工廠位于成都高新區(qū)的英特爾成都工廠為英特爾公司全資所有。該廠自投建以來，英特爾先后宣布投、增資3.75億美元和7500萬美元，期間還宣布建設二期工程。資料顯示，英特爾的封裝測試工廠主要分布在發(fā)展中國家，包括中國、馬來西亞、菲律賓、越南以及哥斯達黎加等。成都工廠是英特爾最大的封裝測試中心之一，這座世界級工廠為英特爾各類芯片組和移動處理器產(chǎn)品提供晶圓預處理、

14、封裝和最終測試，是英特爾在全球最大的封裝測試基地之一。據(jù)了解，此次英特爾成都工廠引入的“高端測試技術”是一項重要創(chuàng)新技術，將大幅擴展測試的覆蓋范圍，更好地進行產(chǎn)品分類，進行更可靠的預測、更精確的封裝定位，以及靈活、自適應的流程優(yōu)化。這項技術能夠測試各種英特爾產(chǎn)品類別并適用于多類產(chǎn)品，預計將在2016年下半年投入量產(chǎn)，而相關技術升級和引入將于2015年進行。據(jù)Gartner中國研究總監(jiān)盛陵海向每日經(jīng)濟新聞記者介紹，芯片設計生產(chǎn)流程中，在晶圓廠中生產(chǎn)出的大圓片狀的芯片流片需要在封裝測試工序中切割和檢測封裝。而封裝廠的分裝形式和測試，都是根據(jù)英特爾的產(chǎn)品線來進行改進和調(diào)整的。此前工序中，處理器芯片需

15、要通過南橋北橋等搭起來，但最新低功耗產(chǎn)品和移動查產(chǎn)品一般通過SOC模式將多種芯片模塊集成在一起，所以分裝和測試工序都要變更，必要的升級是需要的。盛陵海向記者表示：“將最新、最高端的測試計劃引入中國，預示著英特爾會把新產(chǎn)品的芯片封裝測試更多地放到成都?！庇⑻貭柟緢?zhí)行副總裁、技術與制造事業(yè)部總經(jīng)理比爾郝特表示：“這次投資是英特爾封裝測試業(yè)務發(fā)展史上的重大舉措，也是我們在成都的最大單筆投資。把最新的高端測試技術部署在中國，是我們和中國共同創(chuàng)新的承諾?！彼赋觯⑻貭柍啥脊S的全面升級將助力中國ICT產(chǎn)業(yè)持續(xù)創(chuàng)新并推動區(qū)域經(jīng)濟發(fā)展。此外，英特爾還在成都設立了英特爾中國西部的第一個分撥中心，以提高供應

16、鏈效率。成都形成ICT業(yè)聚集優(yōu)勢作為西部中心城市之一，成都擁有從集成電路設計、芯片制造、封裝測試到終端制造、配套應用為一體的完整的產(chǎn)業(yè)鏈布局?？紤]到英特爾此前在中國的一系列投資計劃，這項升級投資很合乎情理，這意味著中國在英特爾的戰(zhàn)略中已經(jīng)從市場中心轉變?yōu)榫C合戰(zhàn)略中心，而成都擁有這方面的優(yōu)勢。英特爾公司技術與制造事業(yè)部副總裁、英特爾產(chǎn)品(成都)有限公司總經(jīng)理卞成剛表示：“此次合作是英特爾和成都謀求共同創(chuàng)新的里程碑，也將再度促進成都和四川供應鏈的成長，進一步培養(yǎng)高科技生產(chǎn)力，助力本地高科技產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展?！睋?jù)了解，對于英特爾將最新的“高端測試技術”引入成都工廠，四川省、成都市和成都高新區(qū)政府將給

17、予大力支持。四川省檢驗檢疫局和成都海關分別與英特爾簽署諒解備忘錄，支持英特爾成都工廠的運營和未來升級。在英特爾12月3日宣布16億美元全面升級成都工廠之前，今年11月6日，德州儀器宣布將在成都高新區(qū)設立12英寸晶圓凸點加工廠。數(shù)據(jù)顯示，目前，全球20%的電腦在成都制造，全球50%的筆記本電腦芯片在成都封裝測試，全球一半以上的iPad在成都生產(chǎn)。目前，英特爾成都工廠芯片組和微處理器產(chǎn)量分別占英特爾全球產(chǎn)量的60%和50%。集成電路方面，成都聚集了英特爾、德州儀器兩大產(chǎn)業(yè)巨頭，已經(jīng)擁有2條8英寸生產(chǎn)線、6座封測廠、100多家IC設計企業(yè)，總投資將超過50億美元，產(chǎn)業(yè)規(guī)模和水平居全國前列、中西部第一

18、。微電子所“極大規(guī)模集成電路關鍵技術研究集體”榮獲 2014 年度中國科學院杰出科技成就獎(來源：芯天地2015年1月刊 中國科學院微電子研究所)在 1 月 29 日召開的中國科學院 2015年度工作會議上，微電子所“極大規(guī)模集成電路關鍵技術研究集體” 榮獲 2014 年度中國科學院杰出科技成就獎，實現(xiàn)了微電子所在該獎項“零”的突破?！皹O大規(guī)模集成電路關鍵技術研究集體”在國家科技重大專項的支持下，牽頭組織全國性產(chǎn)學研用聯(lián)盟，聯(lián)合北京大學、清華大學、復旦大學、中芯國際、武漢新芯等單位，經(jīng)過 5 年攻關，實現(xiàn)了 22 納米高 K 介質(zhì) / 金屬柵工程、14 納米 FinFet 器件、新型閃存器件、

19、可制造性設計等關鍵技術的突破，研究水平邁入世界前列；提出了“專利指導下的研發(fā)戰(zhàn)略”，在關鍵工藝模塊上形成了較為系統(tǒng)的知識產(chǎn)權布局，首次實現(xiàn)了向大型制造企業(yè)的許可轉讓，并進入產(chǎn)業(yè)化開發(fā)階段。這一成果的取得，標志著我國在集成電路這一高度全球化的高科技競爭領域前沿擁有了一席之地，將為我國納米級極大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)技術升級提供有力的技術支撐。新型刻蝕機研發(fā)升級，獲得銷售訂單 1100 萬元(來源：芯天地2015年1月刊 中國科學院微電子研究所)微電子設備技術研究室 ( 八室 ) 針對 III-V 族材料及深硅刻蝕技術需求，對刻蝕機進行技術升級。設計上基于流體力學性質(zhì)和等離子體特性，采用全新腔室優(yōu)化結構

20、，并應用自主開發(fā)的腔室內(nèi)襯噴涂技術?？涛g設備下電極溫度優(yōu)選優(yōu)化，可控范圍拓展至 -15 200，可對刻蝕對象材料有更好的擴展應用；同時設備采用全新的自主開發(fā)控制軟件，為后續(xù)應用的靈活拓展和可配置性提供了極大的便利。升級設備逐步推向市場， 2014 年獲得銷售訂單 1100 萬元。MEMS 傳感器 8 英寸鍵合封裝技術(來源：芯天地2015年1月刊 中國科學院微電子研究所)晶圓級封裝（WLP）技術是微機電系統(tǒng)（MEMS）縮小尺寸、降低成本、提高良率的最優(yōu)封裝方案，已廣泛應用于多種 MEMS 器件。集成電路先導工藝研發(fā)中心（十室）與江蘇艾特曼電子科技有限公司共同攻關， 成功開發(fā)了全套 Al-Ge

21、共晶系8 英寸晶圓級氣密封裝工藝，并將其應用于一款三軸加速度傳感器，可同步完成 15000 顆尺寸為1.4mmx1.2mm，而鍵合環(huán)寬度僅為 70 微米的器件的封裝工作。經(jīng)測試，該器件的鍵合強度超過 70MPa、漏率小于 5.0x10-3Pacm3/s，終測良率超過 97%，與國際知名半導體代工廠所生產(chǎn)的同類產(chǎn)品指標相當，達到國際一流水平。目前這款傳感器已上市銷售。在工藝開發(fā)過程中，技術團隊自行開發(fā)了一款 8 英寸手動晶圓鍵合對準機，可實現(xiàn)對準精度小于 10 微米的精確對準，填補了國內(nèi)空白。微電子所在石墨烯材料及器件研制領域取得整體突破(來源：芯天地2015年1月刊 中國科學院微電子研究所)近

22、日，微電子所在石墨烯材料及器件研制領域取得整體突破。微電子所微波器件與集成電路研究室（四室）金智研究員的研究團隊在國家和中科院科研項目的支持下，對石墨烯的材料生長、轉移和石墨烯射頻器件的制備進行了深入、系統(tǒng)的研究，制備出了具有極高振蕩頻率的石墨烯射頻器件，取得了一系列重大成果。石墨烯作為一種新型的二維碳材料，由于其優(yōu)異的電學、光學性質(zhì)以及穩(wěn)定的化學特性，在微電子領域具有廣闊的應用前景?；瘜W氣相沉積方法是取得高質(zhì)量石墨烯的重要途徑之一，但將石墨烯從金屬表面向目標襯底的轉移是制約該方法推廣的“瓶頸”。四室研究團隊創(chuàng)造性地采用瓊脂糖凝膠作為固體電解質(zhì)，利用電化學方法實現(xiàn)了石墨烯的綠色高效轉移。該轉移

23、方法可推廣至大尺寸石墨烯薄膜的制備，為石墨烯的大規(guī)模應用提供了可行的途徑。生長石墨烯所用的金屬襯底在制備過程中會在表面形成有序的形貌起伏，這種結構會導致轉移后的石墨烯薄膜產(chǎn)生大量有序排列的褶皺。四室研究團隊通過制備出的特殊結構的石墨烯射頻器件，圍繞褶皺對石墨烯中載流子傳輸?shù)挠绊懻归_了研究，發(fā)現(xiàn)這種有序的褶皺會導致石墨烯中載流子的傳輸具有各向異性的特點：平行于褶皺方向的載流子遷移率比垂直方向的顯著提高。該發(fā)現(xiàn)為制備高性能的石墨烯射頻器件提供了重要的參考依據(jù)。在石墨烯射頻器件的制備過程中，已有的柵介質(zhì)制備方法在工藝的可控性和器件性能方面具有一定的缺陷。四室研究團隊利用旋涂的方法在石墨烯表面形成 BCB 薄膜，并以此作為種子層進行了氧化鋁介電層的沉積生長。該方法不僅具有極好的工藝可控性，由于 BCB 特殊的化學結構，避免了對石墨烯性能的不利影響，實現(xiàn)了高性能石墨烯射頻器件的制備。石墨烯與金屬電極之間的接觸電阻會影響石墨烯射頻器件的柵控，從而