concept的IGBT驅(qū)動(dòng)板原理解讀

1、 板子的解讀a、有電氣接口，即插即用，適用于17mm雙管IGBT模塊b、基于SCALE-2芯片組雙通道驅(qū)動(dòng)器命名規(guī)則：工作框圖MOD（模式選擇）MOD輸入，可以選擇工作模式直接模式如果MOD輸入沒有連接（懸空），或連接到VCC，選擇直接模式，死區(qū)時(shí)間由控制器設(shè)定。該模式下，兩個(gè)通道之間沒有相互依賴關(guān)系。輸入INA直接影響通道1，輸入INB直接影響通道2。在輸入（INA或INB）的高電位，總是導(dǎo)致相應(yīng)IGBT的導(dǎo)通。每個(gè)IGBT接收各自的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。半橋模式如果MOD輸入是低電位（連接到GND），就選擇了半橋模式。死區(qū)時(shí)間由驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部設(shè)定，該模式下死區(qū)時(shí)間Td為3us。輸入INA和INB具有以下功

2、能：當(dāng)INB作為使能輸入時(shí)，INA是驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入。當(dāng)輸入INB是低電位，兩個(gè)通道都閉鎖。如果INB電位變高，兩個(gè)通道都使能，而且跟隨輸入INA的信號(hào)。在INA由低變高時(shí)，通道2立即關(guān)斷，1個(gè)死區(qū)時(shí)間后，通道1導(dǎo)通。只有在控制電路產(chǎn)生死區(qū)時(shí)間的情況下，才能選擇該模式，死區(qū)時(shí)間由電阻設(shè)定。典型值和經(jīng)驗(yàn)公式：Rm(k)=33*Td(us)+56.4 范圍：0.5us<Td<3.8us，73k<Rm<182k注意：半橋上的2個(gè)開關(guān)同步或重疊時(shí)候，會(huì)短路DC link。INA，INB（通道驅(qū)動(dòng)輸入，例如PWM）它們安全的識(shí)別整個(gè)邏輯電位3.3V-15V范圍內(nèi)的信號(hào)。它們具有內(nèi)置的

3、4.7k下拉電阻，及施密特觸發(fā)特性（見給定IGBT的專用參數(shù)表/3/）。INA或INB的輸入信號(hào)任意處于臨界值時(shí)，可以觸發(fā)1個(gè)輸入躍變。 跳變電平設(shè)置：SCALE-2輸入信號(hào)的跳變電平比較低，可以在輸入側(cè)配置電阻分壓網(wǎng)絡(luò)，相當(dāng)于提升了輸入側(cè)的跳變門檻，因此更難響應(yīng)噪聲。SCALE-2驅(qū)動(dòng)器的信號(hào)傳輸延遲極短，通常小于90ns。其中包括35ns的窄脈沖抑制時(shí)間。這樣可以避免可能存在的EMI問題導(dǎo)致的門極誤觸發(fā)。不建議直接將RC網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用于INA或INB，因?yàn)閭鬏斞舆t的抖動(dòng)會(huì)顯著升高。建議使用施密特觸發(fā)器以避免這種缺點(diǎn)。注意，如果同時(shí)使用直接并聯(lián)與窄脈沖抑制，建議在施密特觸發(fā)器后將驅(qū)動(dòng)器的輸入INA

4、/INB并聯(lián)起來。建議在直接并聯(lián)應(yīng)用中不要為每個(gè)驅(qū)動(dòng)核單獨(dú)使用施密特觸發(fā)器，因?yàn)槭┟芴赜|發(fā)器的延遲時(shí)間的誤差可能會(huì)較高，導(dǎo)致IGBT換流時(shí)動(dòng)態(tài)均流不理想。典型情況下，當(dāng)INA/INB升高到大約2.6V的閾值電壓時(shí)，所有SCALE-2驅(qū)動(dòng)核將會(huì)開啟相應(yīng)的通道。而關(guān)斷閾值電壓大約為1.3V。因此，回差為1.3V。在有些噪聲干擾很嚴(yán)重的應(yīng)用中，升高輸入閾值電壓有助于避免錯(cuò)誤的開關(guān)行為。為此，按照?qǐng)D13在盡可能靠近驅(qū)動(dòng)核的位置放置分壓電阻R2和R3。確保分壓電阻R2和R3與驅(qū)動(dòng)器之間的距離盡可能小對(duì)于避免在PCB上引起干擾至關(guān)重要。在開通瞬間，假設(shè)R2=3.3k，R3=1k，INA=+15V。在沒有R

5、2和R3的情況下，INA達(dá)到2.6V后驅(qū)動(dòng)器立即導(dǎo)通。分壓網(wǎng)絡(luò)可將開通閾值電壓升高至大約11.2V，關(guān)斷閾值電壓則提升至大約5.6V。在此例中，INA和INB信號(hào)的驅(qū)動(dòng)器在IGBT導(dǎo)通狀態(tài)下必須持續(xù)提供3.5mA（串聯(lián)電路上為4.3K，15V時(shí)所消耗）的電流。SO1，SO2（狀態(tài)輸出）輸出SOx是集電極開路三極管。沒有檢測(cè)到故障條件，輸出是高阻。開路時(shí)，內(nèi)部500uA電流源提升SOx輸出到大約4V的電壓。在通道“x”檢測(cè)到故障條件時(shí)，相應(yīng)的狀態(tài)輸出SOx變低電位（連接到GND）。2個(gè)SOx輸出可以連接到一起，提供1個(gè)公共故障信號(hào)。但是，建議單獨(dú)評(píng)估狀態(tài)信號(hào)，以達(dá)到快速準(zhǔn)確的故障診斷。狀態(tài)信號(hào)是

6、怎樣處理的1、二次側(cè)的故障（IGBT模塊短路或電源欠壓檢測(cè)）立即傳輸?shù)较鄳?yīng)的SOx輸出。檢測(cè)到短路電流的驅(qū)動(dòng)器將發(fā)送1個(gè)故障反饋給相應(yīng)的SOx輸出。在大約1.4us的額外延時(shí)后，相應(yīng)的IGBT將被關(guān)斷。在該延時(shí)期間，IGBT不能被關(guān)斷。在閉鎖時(shí)間TB過去后，SOx輸出自動(dòng)復(fù)位（返回到高阻狀態(tài)）。2、一次側(cè)電源欠壓同時(shí)指示到2個(gè)SOx輸出。當(dāng)一次側(cè)電源欠壓消失時(shí)（參閱定時(shí)信息的相關(guān)參數(shù)表/3/），2個(gè)SOx輸出自動(dòng)復(fù)位（返回到高阻狀態(tài)）。如果并聯(lián)情況下電源欠壓，相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)器將發(fā)送1個(gè)故障反饋給相應(yīng)的SOx輸出，并立即關(guān)斷相應(yīng)的IGBT（s）。然后建議立即給所有并聯(lián)的驅(qū)動(dòng)器發(fā)送關(guān)斷信號(hào)。然后，經(jīng)過

7、1個(gè)短暫的延時(shí)后，相應(yīng)的IGBTs將會(huì)被關(guān)斷。對(duì)于SO信號(hào)的處理，有以下原則：1. SO信號(hào)必須有明確的點(diǎn)位，最好就近上拉；2 SO信號(hào)經(jīng)過長(zhǎng)線傳輸時(shí) 可以考慮配合信號(hào)經(jīng)過長(zhǎng)線傳輸時(shí)，可以考慮配合緩沖器，以提高電壓信號(hào)抗擾能力，且接收端要配合阻抗合適的下拉電阻；SOx故障輸出端有20mA的驅(qū)動(dòng)能力。與主控制器的距離越長(zhǎng)，SOx線路對(duì)EMC越敏感，因?yàn)槠胀刂破鬏斎氲淖杩贡容^高。如果未檢測(cè)到故障狀況，SOx輸出為高阻抗。因此，很容易有電壓尖峰被感應(yīng)出來。（上圖）中將上拉電阻R4放置在SOx線路末端靠近控制器的一側(cè)的方案是不推薦的。圖中顯示的兩種解決方案（中圖和下圖）可以解決這個(gè)問題：1、將緩沖器

8、按照?qǐng)D（中圖）放置在靠近驅(qū)動(dòng)器SOx端子的位置。建議使用R4>1k的上拉電阻上拉至VCC。如果發(fā)生故障，相應(yīng)的SOx輸出將被拉到GND。建議將該電阻放置得盡可能靠近驅(qū)動(dòng)器。圖中100電阻可保護(hù)緩沖器免受電磁干擾。下拉電阻R5可保護(hù)控制器輸入免受電壓尖峰影響。2、在圖（下圖）中，由10電阻和肖特基二極管構(gòu)成的保護(hù)網(wǎng)絡(luò)可保護(hù)驅(qū)動(dòng)器的SOx輸出。TB（調(diào)整閉鎖時(shí)間TB的輸入）該端子TB，允許通過連接1個(gè)外部電阻到GND，來減少工廠設(shè)定的閉鎖時(shí)間。下文的等式計(jì)算管腳TB和GND之間的必須連接的電阻Rb的值，以設(shè)定要求的閉鎖時(shí)間Tb（典型值）：通過選擇Rb=0，閉鎖時(shí)間也可以設(shè)置為最小值9us（典

9、型值）。如果不使用，輸入TB可以懸空。電源監(jiān)控驅(qū)動(dòng)器的一次側(cè)，2個(gè)二次側(cè)驅(qū)動(dòng)通道，配備有本地欠壓監(jiān)控電路。如果出現(xiàn)一次側(cè)電源欠壓故障，2個(gè)IGBT被1個(gè)負(fù)的門極電壓驅(qū)動(dòng)，從而保持在斷開狀態(tài)（2個(gè)通道都閉鎖），故障傳送到2個(gè)輸出SO1和SO2，直到故障消失。如果一個(gè)二次側(cè)電源欠壓，相應(yīng)的IGBT被1個(gè)負(fù)的門極電壓驅(qū)動(dòng)，從而保持在斷開狀態(tài)（通道閉鎖），故障傳送到相應(yīng)的SOx輸出，閉鎖時(shí)間之后，SOx輸出自動(dòng)復(fù)位（返回為高阻狀態(tài)）。即使較低的電源電壓，驅(qū)動(dòng)器從IGBT的門極到發(fā)射極之間提供一個(gè)低阻。注意：在1個(gè)半橋內(nèi)，如果電源電壓低，建議不要用1個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)器操作IGBTs組。否則，高比率增加的V

10、ce可能會(huì)造成這些IGBTs的部分開通正副邊電源變化規(guī)律：SCALE-2副邊的電源電壓是由ASIC處理出來的。副邊DC/DC電源的輸出電壓大約為25V，由ASIC內(nèi)部分變成+15V及-10V，其中+15V是被穩(wěn)壓的，-10V是不穩(wěn)的。VE管腳是芯片“造”出來的，內(nèi)部是靠電流源來控制輸出的電壓源Viso是+15V來控制輸出的電壓源。Viso是+15V，VE是0V，COM是-10V。因此VE管腳上的靜態(tài)負(fù)載的程度對(duì)VE的內(nèi)部穩(wěn)壓影響很大。VE管腳上吞吐的電流只有幾個(gè)mA。欠壓保護(hù) 在驅(qū)動(dòng)器的原方欠壓的情況下，電源電壓下降過程中，由于DCDC電源是開環(huán)的，所以副邊的+25V也會(huì)跟著下降，而Viso與

11、VE間有穩(wěn)壓電路，故被穩(wěn)定在+15V，而VE與COM之間的-10V隨著下降，如果，Viso與COM之間電壓繼續(xù)下降，降至VE對(duì)COM為-5.5V時(shí)，芯片會(huì)將-5.5V穩(wěn)住，同時(shí)，Viso與VE之間的+15V開始下降，當(dāng)這個(gè)電壓下降到了12V的時(shí)候，芯片會(huì)報(bào)欠壓保護(hù)，IGBT會(huì)被關(guān)短，且門級(jí)關(guān)斷電壓被維持在-5.5V。在驅(qū)動(dòng)器掉電過程，IGBT的關(guān)斷電壓至少保持在-5.5V，因?yàn)榇蠊β蔍GBT都有較強(qiáng)的米勒效應(yīng)，必須要有負(fù)壓才能保證關(guān)斷的可靠，0壓的關(guān)斷是不可靠的！短路保護(hù)和過流保護(hù)的意義及其區(qū)別通常我們說的短路保護(hù)和過流保護(hù)是不一樣的，是兩個(gè)很不一樣的概念，不應(yīng)該混為一談。橋臂內(nèi)短路（直通）命

12、名為“一類”短路1、 硬件失效或軟件失效。2、 短路回路中的電感量很小(100nH級(jí))。3、 VCE sat檢測(cè)。橋臂間短路（大電感短路）命名為“二類”短路1、 相間短路或相對(duì)地短路2、 短路回路中的電感量稍大(uH級(jí)的) 。3、 可以使用Vcesat ，也可以使用霍爾，根據(jù)電流變化率來定。4、這類短路的回路中的電感量是不確定的。短路分為一類及二類兩種，但這兩種短路都有一個(gè)共同點(diǎn)，那就是，IGBT會(huì)出現(xiàn)“退飽和現(xiàn)象”，當(dāng)IGBT一旦退出飽和區(qū)，它的損耗會(huì)成百倍的往上升，那么允許持續(xù)這種狀態(tài)的時(shí)會(huì)非?？量塘耍挥?0us，我們需要靠驅(qū)動(dòng)器發(fā)現(xiàn)這一行為并關(guān)掉門極。IGBT過流的情況則是，回路電感較

13、大，電流爬升很慢（相對(duì)于短路），IGBT不會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象，但是由于電流比正常工況要高很多，因此經(jīng)過若干個(gè)開關(guān)周期后，IGBT的損耗也會(huì)比較高，結(jié)溫也會(huì)迅速上升，從而導(dǎo)致失效。在這時(shí)，IGBT驅(qū)動(dòng)器一般是不能及時(shí)發(fā)現(xiàn)這一現(xiàn)象的，因?yàn)镮GBT的飽和壓降的變化很微弱，驅(qū)動(dòng)器通常識(shí)別不到這種變化。所以需要靠電流傳感器來感知電流的數(shù)值，對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行保護(hù)。所以，我們認(rèn)為，IGBT驅(qū)動(dòng)器是為了解決短路保護(hù)，而過流保護(hù)則是由電流傳感器來完成短路的定義IGBT發(fā)生短路時(shí)，描述短路電流的數(shù)學(xué)表達(dá)式如下，這是一個(gè)線性方程。它表示，在短路發(fā)生時(shí)，電流的絕對(duì)值與電壓，回路中的電感量，及整個(gè)過程持續(xù)的時(shí)間有關(guān)系。絕大部分

14、的短路母線電壓都是在額定點(diǎn)的影響短路電流的因素主要是“短路回路中的電感量”。因此對(duì)短路行為進(jìn)行分類定義時(shí)，短路回路中的電感量是主要的分類依據(jù)。如果短路回路中的電感量再繼續(xù)增大，那么電流變化率就變得更低，此時(shí)就不是短路了，變成“過流”了。這時(shí)驅(qū)動(dòng)器是察覺不到這種異常狀態(tài)的，因此在系統(tǒng)中需要電流傳感器來感知電流的絕對(duì)數(shù)值，從而進(jìn)行“過流保護(hù)”。我們認(rèn)為，通常IGBT驅(qū)動(dòng)器是不能進(jìn)行過流保護(hù)的。二類短路與過流之間沒有明顯的界限，學(xué)術(shù)上沒有進(jìn)行定義，在工程上，可以做一個(gè)很粗略的假設(shè)：10A/us以下的電流變化率視為“過流”。IGBT退飽和行為，其字面的意思是“退出了飽和區(qū)”，實(shí)際就是“進(jìn)入線性區(qū)”的另

15、外一種說法。IGBT的電流如果持續(xù)增大，當(dāng)?shù)竭_(dá)某一個(gè)點(diǎn)（退飽和點(diǎn)）時(shí)，IGBT的Vce會(huì)發(fā)生顯著變化，會(huì)在非常短的時(shí)間內(nèi)（例如幾百納秒內(nèi)）上升至直流母線電壓。退飽和行為的標(biāo)志就是Vcesat上升至直流母線電壓。Vcesat在飽和區(qū)內(nèi)的變化是非常微弱的，如果想利用飽和壓降的變化來辨識(shí)IGBT的電流是很困難的，通常我們只辨識(shí)IGBT的退飽和行為。短路的檢測(cè)和保護(hù)短路保護(hù)設(shè)置：設(shè)置Rvce的阻值，以使R流過電流大約0.61mA，比如VDC-LINK。流過的電流不要超過1mA。而且：在應(yīng)用中，必須考慮PCB板的最小爬電距離。參考電壓Vref的設(shè)置，由于內(nèi)部有150uA的電流源，參考電壓，Rthx一般設(shè)

16、計(jì)為68K，則比較電壓為10.2V。短路保護(hù)過程：1、當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí)，內(nèi)部mosfet打開，Cx上電壓被鉗在COM，比較器不翻轉(zhuǎn)；2、當(dāng)IGBT導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的MOS管關(guān)閉，藍(lán)點(diǎn)電位向紅點(diǎn)充電，紅點(diǎn)電位從-10V開始上升（內(nèi)部mosfet把紅點(diǎn)電位鉗在-10V），IGBT集電極電位下降至Vcesat，最終紅點(diǎn)也到達(dá)Vcesat；3、當(dāng)IGBT短路后，IGBT會(huì)退出飽和區(qū)，此時(shí)藍(lán)點(diǎn)電位迅速上升至直流母線電壓，藍(lán)點(diǎn)會(huì)通過電阻向紅點(diǎn)充電，經(jīng)過一段時(shí)間后（充電時(shí)間取決于直流母線電壓、串聯(lián)電阻值和電容值），紅點(diǎn)電位會(huì)上升至綠點(diǎn)，比較器翻轉(zhuǎn)，IGBT被關(guān)斷。門級(jí)鉗位：下圖中的紅圈內(nèi)的二極管的作用是門

17、極鉗位，在IGBT短路時(shí)，門極電位有可能被抬升，門極鉗位電路可以將門極電位鉗住，以確保短路電流不會(huì)過高。在IGBT短路時(shí)，集電極電流Ic劇烈上升，由于米勒效應(yīng)的存在，在這個(gè)過程中，門級(jí)電位也會(huì)跟著上升，而門級(jí)電位高于15V，則短路電流也會(huì)沖高，可能比給定的短路電流還高，如果不對(duì)門級(jí)進(jìn)行鉗位，短路電流可能跑的非常高，IGBT也會(huì)超出短路安全工作區(qū)。大部分競(jìng)爭(zhēng)的驅(qū)動(dòng)器在過流或短路時(shí)是不能限制過壓的。但是對(duì)高功率或高壓IGBTs，這卻是必要的。為了解決這個(gè)問題，SCALE-2即插即用驅(qū)動(dòng)器提供了先進(jìn)有效鉗位功能。先進(jìn)有效鉗位關(guān)斷電壓尖峰的本質(zhì)：IGBT關(guān)斷時(shí)，主回路的雜散電感中所存儲(chǔ)的能量都需要有釋

18、放的途徑，最常見的途徑就是產(chǎn)生電壓尖峰，在關(guān)斷的過程中，這些能量都以關(guān)斷損耗的形式耗散在IGBT上 損耗的形式耗散在IGBT上。然而電壓尖峰太高會(huì)損壞IGBT，因此，有源鉗位就是將能量由高而窄的脈沖，轉(zhuǎn)變成矮而寬的脈沖，這個(gè)過程中耗散掉的能量仍然是雜散 的脈沖，轉(zhuǎn)變成矮而寬的脈沖，這個(gè)過程中耗散掉的能量仍然是雜散電感所存儲(chǔ)的能量。有源鉗位電路的本質(zhì)：驅(qū)動(dòng)器使IGBT的關(guān)斷過程延長(zhǎng)目的是將雜散電感的能量耗散在IGBT上，或者說“讓IGBT在線性區(qū)里多待一會(huì)”。有效鉗位是，如果集電極-發(fā)射極電壓超過預(yù)定的門檻電壓時(shí)，部分開通IGBT的一種技術(shù)。IGBT保持線性工作?；镜挠行сQ位拓?fù)?，建?個(gè)單反

19、饋通道，從IGBT的集電極通過暫態(tài)電壓抑制器（TVS）到IGBT的門極。2SP0115T SCALE-2驅(qū)動(dòng)器支持基于以下原則的CONCEPT先進(jìn)有效鉗位：當(dāng)有效鉗位有效時(shí)，驅(qū)動(dòng)器的關(guān)斷MOSFET斷開，從而改善有效鉗位的有效性，減少TVS上的損耗。圖就是CONCEPT公司推出的 右圖就是CONCEPT公司推出的基于SCALE2芯片組的Advanced Active Clamping的功能示意圖。當(dāng)TVS被擊穿時(shí)，電流IAAC會(huì)流進(jìn)ASIC（專用集成電路）的AAC單元。該單元會(huì)根據(jù)IAAC的大小操縱下管Mosfet。當(dāng)該電流大于40mA時(shí)，下管Mosfet開始被線性地關(guān)斷，當(dāng)電流大于500mA

20、時(shí)，下管Mosfet完全關(guān)閉。此時(shí)門極處于開路狀態(tài)，Iz會(huì)向門極電容充電，使門極電壓從米勒平臺(tái)回到+15V 從而使關(guān)斷電流變緩慢達(dá)到電壓鉗位的效果這個(gè)電 臺(tái)回到+15V，從而使關(guān)斷電流變緩慢，達(dá)到電壓鉗位的效果。這個(gè)電路的特點(diǎn)是TVS的負(fù)載非常小，TVS的工作點(diǎn)非常接近額定點(diǎn)，鉗位的準(zhǔn)度大大提高。 電路原理圖（左）在DC-link電壓800V，集電極電流900A（正常集電極電流的2倍）時(shí)，450A/1200V IGBT模塊關(guān)斷特性下圖是關(guān)斷7500A電流（短路 圖是關(guān)斷 流短路測(cè)試）時(shí)產(chǎn)生的有源鉗位動(dòng)作。黃線為Vge；藍(lán)線為Vce；綠線為Ic(2KA/格)可以看出：1.門極波形從15V下跳時(shí)，

21、Ic開始下降，同時(shí)產(chǎn)生了電壓尖峰峰高 2.電壓尖峰最高到達(dá)約2600V，然后被鉗在2500V3.電流在下降過程中的斜率被改變了4.通常需要500ns就能關(guān)斷的電流用了1.5us才被完全關(guān)斷因?yàn)橛性淬Q位的動(dòng)作點(diǎn)實(shí)際上是一個(gè)范圍，在CONCEPT產(chǎn)品(即插即用)的中通常會(huì)給出對(duì)母線電壓最大值的約束 不會(huì)直接給出有源 datasheet中，通常會(huì)給出對(duì)母線電壓最大值的約束，而不會(huì)直接給出有源鉗位點(diǎn)的數(shù)值。如下圖(1SP0635-33)。下圖為2SP0320-12：需要注意，以上截圖中討論的母線電壓都是穩(wěn)態(tài)值，不是指的電壓尖峰。在有源鉗位電路中，TVS是最關(guān)鍵的元件。下面以ST公司的SMBJ130A為

22、例進(jìn)行解讀。該器件漏電流為1uA時(shí)，電壓為130V；其 漏電流為1uA時(shí)，電壓為130V；其擊穿點(diǎn)是電流為1mA時(shí)，此時(shí)電壓為144V152V。當(dāng)6片SMBJ130A串聯(lián)在一起，則其擊穿門檻的最低值為144V×6=864V，典型值為152×6=912V?？梢钥闯?，由于TVS目前的技術(shù)水平所限，其擊穿點(diǎn)的電壓是比較寬的是一個(gè)范圍 其擊穿點(diǎn)的電壓是比較寬的，是 個(gè)范圍。TVS的溫度特性是正溫度特性的，ST公司的SMBJ130A的溫度系數(shù)大 TVS的溫度特性是正溫度特性的，ST公司的SMBJ130A的溫度系數(shù)大約為+1；其他品牌的溫度系數(shù)都能在datasheet中查到。在-40度時(shí)，TVS的擊穿點(diǎn)比25度時(shí)大約下降6%8%.通常在大功率的IGBT的應(yīng)用中，有源鉗位的功能是非常必要的，而功率越小，必要性越低。其原因是隨著系統(tǒng)的功率變大，IGBT的di/dt會(huì)增大，且雜散電感也會(huì)越大，因此電壓尖峰會(huì)越高。下表說明不同IGBT在關(guān)斷額定電流時(shí)的di/dt的水平在IGBT短路時(shí)，關(guān)斷短路電流的di/dt會(huì)更高，比關(guān)斷額定電流要高很多 在IGBT短路時(shí)，關(guān)斷短路電流的di/dt會(huì)更高，比關(guān)斷額定電流要高很多，因此短路時(shí)電壓尖峰更高。所以有可能出現(xiàn)，驅(qū)動(dòng)器發(fā)現(xiàn)了IGBT的短