微弧氧化工藝及封孔處理對(duì)鎂合金耐蝕性能的影響

1、表面技術(shù)SURFACE TECHNOLOGY#第37卷 第6期2008年12月Vol 37 Na 6 Dec 200X微弧氧化工藝及封孔處理對(duì)鎂合金耐蝕性能的影響李勇.牛麗媛.高光亮林繼興.劉蘭云(浙江工貿(mào)職業(yè)技術(shù)學(xué)院先進(jìn)材料研發(fā)中心，浙江溫州325003)I摘要I為尋求在低成本下獲得髙性能佞合金防護(hù)膜的方法.采用直流低壓微弧氏化工藝.在硅酸鹽體系中添加抑弧利抑 弧以獲礙均勻的膜空，并對(duì)隨后獲得的微弧丸億陶近膜進(jìn)擰封閉處理。通過(guò)形悅分析及扁蝕析氫的方法研究了膜層的時(shí)蝕性能及 腐蝕特征站果表明：在低電流密度下適當(dāng)延長(zhǎng)微弧丸化時(shí)間.可茯得更為致密的陶走膜戾.抗腐蝕性能更好。該酸鹽対孔處理可使 膜層

2、的致密層變厚并進(jìn)I步強(qiáng)化膜層的致密度：能保證基體完全不受腐燭的時(shí)間顯著延長(zhǎng)并在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)使膜展的抗焉蝕性能 明顯提高.I關(guān)鍵詞I微弧氧化:封孔處理：佞合金:耐性性：陶近膜中圖分類(lèi)號(hào)IX； 174 453文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼A文章編號(hào)1001- 366()( 20()8) 06- 0014- 04Effect of Processing Parameters ofM icroarcOxidation and Sealing Treainenton Corrosion Resistance ofMagnesiun A lk)yLI Yong. NIU L t-yiuin, GAO Guanff-lian L

3、IN Ji-xin LIU Lan-ytin(A dvancerl M atera 1 K&D Center of Zhejiang Industry & Trade Poktechniq W enJiou 325003 Ch ha)| A bstract In oiler to obtain n icer protect ve fikn ofm aiesiun alloy and reduce cosX thewell-pn)p()rtbned ce- ran c coating was gotten by direct current and kw tension in i

4、cnarc oxilatbn technology using the reduciig arc solvent acklcrl h silicate systnn Then the coatiiig of stm c san pies was carried on scalhg treatn nil Corms bn ivs Stance and cormsi>n lx4iav ior of tlie (tram ic coat iig were msearrhzl by m icix)stnictun* anaksis and die exjxuin ent of gatlierii

5、g hy- (ln)gen in 軟 N solution flic nults iiul kat dial ceran S coatiig get mon! dose-gniiml and lias better coiwsim 心 sistancewhenni feroaic oxilatbn tin e is prolonged properly o" he bask of the lover anperc density Sealhg treatnent u- shg carbonate make tie stratim canpactum of tie coathg th

6、icken hg and densificatbn which can prolong total noncor- ive t hie of M g l)asal Ixxlv nm ai*kal)k aiul iiieivase eroni)!>-resisting c-harack'ristk of the ceran k t'oatuig ev ileiitK wh(ii <lippiig h NaCl elution for a kxig tineKeywords M ieman* ox klat imk Sealing tniifen ent l agues

7、 iim albys Conx)si)n rrsbtanoc Cemn ic a)athg械性能評(píng)價(jià)上|“q低壓微強(qiáng)氧化工藝的研究相對(duì)趨緩，微弧 楓化陶瓷膜的咐腐蝕件能、耐蝕機(jī)理以及腐蝕行為的研究也較表面技術(shù)SURFACE TECHNOLOGY#第37卷 第6期2008年12月Vol 37 Na 6 Dec 200X錢(qián)合金具仃密度小、比強(qiáng)度啟八比剛度髙、附?jīng)_擊、陽(yáng)尼吸爲(wèi) 和切削加工性能好等優(yōu)點(diǎn),已廣泛應(yīng)用f 3C產(chǎn)品、汽車(chē)制造、 航空航天等領(lǐng)域。但是樸的化學(xué)件質(zhì)活潑.門(mén)然牛成的表面氣 化膜耐蝕性較差，起不到保護(hù)作用,使其應(yīng)用受到了很大的限 制.需耍進(jìn)行仃效的防護(hù)處理來(lái)發(fā)揮鎂介金的優(yōu)異性能耳化技

8、人 f年興起的一種在鎂、鋁亠、金屬及其合 金表而原位生K悶瓷膜的新技術(shù)該技術(shù)獲得的陶瓷層以冶金 方式與基體結(jié)合.陶瓷膜的綜合杵能優(yōu)于陽(yáng)極氣化、鋸酸鹽處 理.對(duì)環(huán)境無(wú)污染設(shè)備簡(jiǎn)因而受到了眾多科技工作音及企 業(yè)界的關(guān)注H詢鎖及鎂合金的微弧血化藝姜向心電壓領(lǐng)域發(fā)展.研少，向11關(guān)丁微弧氣化際處理匸藝的研究更少。對(duì)于鎂及樸介 金，捉高耐蝕性是耍解決的首耍問(wèn)題.即使經(jīng)過(guò)微竝包化處理 后，其耐業(yè)性能也未必能達(dá)到實(shí)杯的應(yīng)川水.內(nèi)此對(duì)鎂合金經(jīng) 微弧買(mǎi)化處理得到的陶瓷膜的耐蝕性能進(jìn)行深入研究貝仃匝藝 的理論意義和實(shí)用價(jià)值1 ,-u,.木文采用低壓微孤訊化匸藝.在硅酸鹽電解液體系中添加 抑弧劑以抑制弧光.獲得均勻

9、的微弧氧化膜.并對(duì)膜層進(jìn)行了后 紅封閉處理.巫點(diǎn)研究錢(qián)介金微如氧化匸藝參數(shù)及后續(xù)處理工 序?qū)μ沾赡つ臀g性能的影響.對(duì)低成木制備高耐蝕性能的微弧 氣化匸藝進(jìn)行r何益的探索.為鎂及其合金經(jīng)微弧氣化處理后 的實(shí)際應(yīng)用更定慕礎(chǔ).表面技術(shù)SURFACE TECHNOLOGY#第37卷 第6期2008年12月Vol 37 Na 6 Dec 200X究也多集中在膜層的和組成、衣面形貌、元素分析以及力學(xué)、機(jī)表面技術(shù)SURFACE TECHNOLOGY15第37卷 第6期2008年12月Vol 37 Na 6 Dec 200X(1 ' 臨軼灘離隘嗣 Electronic Publishing House

10、.藝細(xì)皿|收稿日期|2008- 08- 06I基金項(xiàng)目|溫州市科技局資助項(xiàng)ll(G 2(K)8(IM5)I作者簡(jiǎn)介|李勇(】976)，男.河南新縣人講師.碩±, tfi從爭(zhēng)債、鋁1試驗(yàn)及方法1 1試驗(yàn)工藝流程試樣打陸除汕請(qǐng)洗連接導(dǎo)線通電微狐訊化試樣 清洗-烘干-形貌分析T析包腐付廠消洗T烘干T形貌分析.If封閉處理T淸洗T烘干除油I：斥如卜:取燒杯配置一定呈l（）g/L的NXM溶液, 放入試樣.對(duì)燒杯進(jìn)行水浴加熱.加熱至WTC示保溫Khn in 洗液采用去離子水以LE VA DM25WM空顯微鏡觀察膜層的 組織形規(guī).1 2微弧氧化及封閉處理試驗(yàn)試驗(yàn)電源采用K（；F-53門(mén)50高頻亶流

11、電源。以去離子水 配制電解溶液,配方如下:29g/LNrf）H、25g/L硅酸鈉、4g兒氛 化包氨、K）inL/L抑孤劑。試驗(yàn)過(guò)程中使用流動(dòng)水對(duì)電解槽進(jìn)行 冷卻,控制電解液溫度住6（疋以K電解槽陰極接不銹鋼板. 陽(yáng)極接純鎂（純度99. 9% ）試樣.試樣為規(guī)則的長(zhǎng)方體.尺寸為 3Qnm x 20nun x 1叭頂端打1個(gè)也Oran的小幾，用于連接 導(dǎo)線.封閉處理匸藝如卜：収一定呈的封孔劑（主要成分為礦酸 ft）£ J：燒杯中,以去離子水均勻溶解，配制成濃度為20g/LK 封幾溶液.放入試樣，水浴加熱至K5C保溫2（h. h后取出試 樣，清洗烘干。1 3析氫腐蝕試驗(yàn)腐蝕試驗(yàn)試樣制備:將

12、經(jīng)過(guò)微弧氣化及封閉處理后的長(zhǎng)方 體試樣的 端面留F 20him x 2ftnm的表面暴露，其余|（1| （包括 樣品頂場(chǎng)% 0mm的孔）采用特殊方法密封.防止介質(zhì)溶液與 非眾露面接觸.用去離子水配制質(zhì)址分?jǐn)?shù)為滅的化學(xué)純NKI溶液.作為 介質(zhì)溶液.以HC1或、aOH溶液調(diào)控其|H = 6 8 6 9=將樣品 置丁燒杯內(nèi).以倒賈的漏訃罩住樣皿.漏斗頸口連接帯刻度的滴 定管.試驗(yàn)計(jì)時(shí)前.燒杯、漏斗、滴定借內(nèi)充滿介質(zhì)溶液.樣晶與 介質(zhì)溶液發(fā)生反應(yīng)生成的氣體曲潮斗收集到滴定管內(nèi)，一定時(shí) 間內(nèi)滴定管內(nèi)氣體休積的多少以及氣休體枳隨浸泡時(shí)間的變化 曲線可以反映膜層的耐腐蝕性能。其原理如下:M g- 2e= M

13、 g2*, 2H ' + 2r= H 2顯然，試樣表 面為微弧氧化陶瓷摸所覆孟.陶瓷膜很難與Na（：l溶液發(fā)生氣體 析出反應(yīng)，氣休的生成必燃是陶瓷腋段孟下的Mgtf休打介質(zhì) 溶液反應(yīng)的產(chǎn)物.反W收集的氣休越少.說(shuō)明陶瓷膜層越致帝. 對(duì)基體的保護(hù)作用越顯苦，試樣的抗腐蝕性能越好。2結(jié)果與討論表I微弧氧化及后處理工藝對(duì)陶瓷原層耐腐蝕性能的影響I abb 1 Effect ofm icroarc oxidation andpost trcatn cn on corroshn of ccrain ic coatin)>試樣微弧輒化際處呷關(guān)蝕析呈時(shí)間電流密度“/(A* an-2)沒(méi)泡 時(shí)何

14、/I1V體 體枳/mL*>Q X81061K960 6(52Q 747-()5%対孔960 4«y4(1 735-()5(M960 4744(1 686-04萬(wàn)対孔960 2®6(1 689-04151120 391（?6Q 683-05(M封孔1120 297Tg(1 634-()3刃1120 3的if8(1 5280322封孔1120 2250204()60 M) KM)HM/h “ 試樣()20 44) 60 l(M) 120 時(shí)刨冷 hJMT Ml圖1氣體體枳隨沒(méi)泡時(shí)何的變化Fipirr 1 o km I in r aruti（Ni curvi*孔處理過(guò)的試樣

15、較未封孔試樣析出的氣休明顯偏少。另外.隨 訊化時(shí)間的延K以及電流密度的下降.試樣反應(yīng)析出的氣休體 枳也有較明顯的減少.從圖1的曲線起始點(diǎn)可以看出：收集管內(nèi)開(kāi)始出現(xiàn)氣體的 時(shí)間仃看很大的差異.r試樣時(shí)間饋短.在 弘左右.&試樣最 長(zhǎng).約為56h ffl la中. K試樣收集管內(nèi)開(kāi)始出現(xiàn)氣體的時(shí) 間較F"試樣顯苦延長(zhǎng)；圖lb中,2 試樣相較 2 試樣也 出現(xiàn)了同樣規(guī)律.而H.乳7*試樣的HII線非常接近.因此，綜介表I及圖丨可以看出：1）*試樣，即氧化時(shí)間為 血h微弧氣化電流從工藝開(kāi)始時(shí)的（）52駅/on，卞降到結(jié)束 時(shí)的Q 322A /cw2所得的試樣在經(jīng)過(guò)封孔處理后，耐腐蝕性

16、能 最好；f試樣,即氧化吋何九 加h微弧氣化電流從工藝開(kāi)始時(shí) 的Q 88IX/an2 F降到結(jié)束時(shí)的Q 618A/an2所須的試樣，其耐 蝕性能較差.2）在微狐氧化丁藝參數(shù)近似的情況下.經(jīng)過(guò)封孔 處理的試樣表面膜層保護(hù)基體不受腐蝕液浸蝕的時(shí)間明顯延 匕膜煨的耐蝕性能顯苔提筒。3）在本試驗(yàn)工藝條件內(nèi)，隨看 微弧氧化時(shí)間的延長(zhǎng).單位面積卜微弧枕化電流的降低.試樣的表面技術(shù)SURFACE TECHNOLOGY19第37卷 第6期2008年12月Vol 37 Na 6 Dec 200X2 1試驗(yàn)結(jié)果表1是試樣經(jīng)過(guò)不同工藝參數(shù)處理后在5%N«CI溶液中進(jìn) 行析氮腐蝕試驗(yàn)的結(jié)果，2示了微弧氣化匸

17、藝參數(shù)變化及封閉 處理對(duì)試樣衣面膜層耐腐蝕性能的影響圖1是析包試驗(yàn)中以 試樣管內(nèi)氣體體積融浸泡時(shí)間的變化曲線。其中圖“是r、 才、丁、彳試樣的氣體體積劇何曲找，圖ib是§、6、?、£試樣 的氣體體枳射間曲線.表1顯示:1試樣在浸泡96h后獲得了 （1 605«L的氣體，析 出氣體址鐵點(diǎn)試樣浸泡112H時(shí)氣體體積為a 225ml.析出氣抗腐蝕性能逐漸提髙，但在枕化時(shí)何到達(dá)一泄値后，氧化時(shí)間的 延長(zhǎng)對(duì)試樣耐蝕性能的捉髙效果逐漸變得不明顯.2 2陶瓷膜的表面形貌圖2是試樣經(jīng)過(guò)微如氣化及微弧血化+封孔處理所得謝瓷 膜的表面形貌.圖2a-圖2d依次對(duì)應(yīng)的是r、2T"

18、;、g試樣，其 中圖2a.圖2c未作封孔處理圖2h圖2d經(jīng)過(guò)了封孔處理。可 以看出，圖2a中的試樣膜層表面有較多較大的孔洞和裂紋，圖 2c中的試樣表面孔洞和裂紋均較小;圖2b與圖2d中的試樣則 兒乎沒(méi)仃孔洞或裂紋。微觀訊化時(shí)在強(qiáng)電場(chǎng)作用下試樣表面發(fā)生介電擊穿從 ouse. All rights reserved, © 1解知牢僦熾腿艄鱷S臊帥同儺臨寵”圖2微瓠牡化及微瓠氣化上打L處理所紂副處膜的組織形貌Kycuir 2 Surlier moqihol r* of ernw r c<Nitvig aft<Tin i-nurcoxilatiwi and in i（T（Miiv

19、 <ix ilaticMi pits ;raliig tn-atnmt 而引發(fā)徽等離子體放電.試驗(yàn)過(guò)程中.浸在溶液里的樣品表面 能觀察到一些游動(dòng)的火花和無(wú)數(shù)閃爍的火星.同時(shí)伴何微小氣 泡外逸.由J：擊穿總是發(fā)生在朋相對(duì)薄弱的部位,因此Mi時(shí)間 的延長(zhǎng).氣化初期形成的陶瓷膜不斷被擊穿而使內(nèi)層的氣化過(guò) 程繼續(xù)，這樣，鎖基體外緣不斷被陶瓷化，表面膜層逐漸變厚. 擊穿在形成放H1通道的同時(shí).會(huì)沿通道產(chǎn)牛瞬時(shí)髙溫.使火花放 電區(qū)的金屬發(fā)生劇烈熱彤脹、熔化并與電解質(zhì)浦液發(fā)生反應(yīng)。 與此同時(shí)山火花放電導(dǎo)致的農(nóng)而瞬間高溫熔化協(xié)在溶液的冷 凝作用卜產(chǎn)生氣體外逸.但由于冷卻條件的不同.外層先于內(nèi)部 凝周.容

20、易將絕人部分氣體外溢通道封閉，J：是就形成了圖2a 和圖2所不的紐織特征.孔洞和裂紋保持了絕緣陶瓷腹層的擊 穿通道并拌出氣體維持微弧拉化過(guò)程持續(xù)進(jìn)行由于試驗(yàn)所采用的電源參數(shù)不同.故試樣的擊穿電爪及電 流也不相同，電流密度越大,釋放的能址就越夬，放電孔澗的孔 從和裂紋的縫覘也就越大圖2a試樣的微弧血化平均電流密 度較圖2c的試樣尢所以圖2a膜層孔洞及裂紋均較圖2的 A.而圖2b和圖2d由于經(jīng)過(guò)了封孔處理，其孔隙吸附了碳酸 鹽封孔劑.膜層農(nóng)而的孔洞及裂紋得到密対.因此衷面膜層顯得 致密.2 3陶瓷膜的腐蝕特征圖3是試樣經(jīng)過(guò)腐述析包試驗(yàn)后陶瓷膜的表而形貌.Jt 中，圖3a為1*試樣在N配1溶液中浸泡

21、96h后的膜層組織形貌, 圖3b為£試樣在NdCI溶液中浸泡112h后的膜層組織形貌. 圖3a中膜層表面有許多較大的孔洞;圖3b中的孔洞媽很不明 顯，但農(nóng)価能看到許多小的凹坑及凸起的顆粒。按照陶瓷膜分 層累加生長(zhǎng)方式I叫在剛開(kāi)始成膜時(shí)放電孔道較小.形成內(nèi)層 陶瓷膜，隨右牡化的進(jìn)行.放電幾道變?nèi)?陶瓷膜變得曲松并形 成外広陶瓷脫.此時(shí).熔融的陶瓷方而外溢堆枳在陶瓷膜衷 面.另一方面沿放電扎洞流入內(nèi)層將內(nèi)層陶逢膜的放電孔洞全 部或部分覆孟.使得內(nèi)層陶瓷膜越來(lái)越致密，從而形成致密匕。 外層陶瓷膜由于沒(méi)仃得到熔融陶瓷的補(bǔ)允.在不斷擊穿的情況 中沒(méi)f j被覆蓋掉的放電孔洞與外層陶瓷膜的放電孔洞

22、連在- 起.形成了從表面到宰體的樹(shù)枝狀“通道”.這些“微通道”或“裂 紋"直接形響看陶瓷膜的耐腐蝕性能。圖3劇蝕析宜實(shí)驗(yàn)麻陶處狽的組織形貌F ini n* 3 Su rfacr in rr（ii<> Eg rs of <mm ir coathg after rnrioi hti t<*st在NdCi»液浸泡過(guò)程中，對(duì)于未作封孔處理的試樣，溶液 中的er較容易通過(guò)這些“通道”從表面滓入膜層和皋體.從而 誘發(fā)Mg體發(fā)I反應(yīng).反應(yīng)工成的氣體乂循石這叫通道析ilk 隨看浸泡時(shí)間的延K.陶盜膜層中的部分成分也會(huì)溶入溶液。 在基體部分氣體不斷析岀的沖擊和溶液對(duì)陶

23、瓷膜層可溶部 分的浸洗下，膜層的“微通道”逐漸通暢并變?nèi)?，衣現(xiàn)在腋広的 細(xì)織形貌卜就是孔洞或裂紋比浸泡詢更大、更加淸晰町見(jiàn).浸泡 后膜層變得更加疏松.呈現(xiàn)出圖3a所爪的組織彤貌。由于陶瓷 膜層總足由疏松層和致密肚組成氧化電流密度越小.膜層農(nóng)面 孔洞及裂紋越小，氣化時(shí)間越長(zhǎng).膜£越厚.樹(shù)枝狀“通道”越lill 折，CI穿過(guò)致密層到達(dá)茲體的時(shí)間也越K.因而誘發(fā)呈休發(fā)生 反應(yīng)所需要的時(shí)間也越長(zhǎng).反Z則時(shí)間越血.表現(xiàn)在析氫實(shí)驗(yàn) 結(jié)果上就是反應(yīng)放出的氣體較欽陶瓷膜的耐蝕性相對(duì)較空，膜 層的腐蝕形態(tài)以孔洞腐蝕為主.對(duì)于經(jīng)過(guò)封孔處理的試樣，在封幾處理過(guò)程屮.在孔隙的吸 陽(yáng)作用下，封孔刑循荷這些州枝

24、狀“通道“進(jìn)入并填充.便原本 疏松的外圧陶瓷膜也逐漸變得致密，最終使整個(gè)陶瓷膜都變成 致密層.在浸泡過(guò)程中，CI較難濯入基休誘發(fā)反應(yīng)，因而封孔 處理的試樣膜層在浸泡后仍然顯得燙密.但隨著浸泡時(shí)間的延 氏以及介質(zhì)溶液離了的侵襲.陶瓷肚吸附的封孔劑以及謝礎(chǔ)膜 中的可溶部分會(huì)逐漸溶入溶液.在膜層表浙就會(huì)冊(cè)下凹坑利凸 起,因而表現(xiàn)出圖3b所示的組織形貌。當(dāng)浸泡一定時(shí)間后,C1 開(kāi)始潼入基體誘發(fā)反應(yīng)并析出氣體.因此.相比未封孔試樣，封 孔處理過(guò)的試樣開(kāi)始析出氣體的時(shí)間總是較晚：Ifu且氧化時(shí)何 越K的試樣.山J膜匕越片，封孔處理后致密度越髙，析出氣體 的時(shí)間也越晚。表現(xiàn)在析社試駿結(jié)果上就是反應(yīng)放出的氣休

25、很 少，陶瓷膜的耐蝕性好.膜口的腐蝕彤態(tài)以面蝕特征為上。3結(jié)論1）在莊酸鹽電解液休系下.采用r流低壓微加訊化工藝可 以獲得均勻、完密II致密的陶瓷膜層。在較低電流密度卜.適當(dāng) 延長(zhǎng)微弧氧化時(shí)間，可提高膜L：的致密度；當(dāng)IW氧化匸藝參數(shù) 控制電流密度在Q 68* /an2 - Q 322A/<m時(shí)間在6-加h 時(shí)，膜層的耐蝕性能較好。2）在孔隙的吸附作用下.碳酸銀封孔處理可以密対微狐訊 并提高簾個(gè)欣層的致密度保護(hù)肚體完個(gè)不受腐辿的時(shí)間顯苫延氏.膜 層的抗腐蝕性能明昭提髙.3)微XVI化陶瓷膜在鳳化時(shí)(Hjttfo,電流密度較人時(shí).膜 層較溥表面孔洞及裂紋較大時(shí)兀腐蝕形態(tài)以孔洞腐蝕特征為 上

26、;在氣化時(shí)何較匕電流密度牧小時(shí).膜煨較厚，農(nóng)仙扎洞及裂 紋較小以及經(jīng)過(guò)封孔處理麻，陶注膜的幅蝕形態(tài)逐漸呈現(xiàn)出而 蝕特征.勢(shì)考文獻(xiàn)J| 11 M iliarlM. Awirsim H. ASM Sprriihy Handbook Magnrsim mid M apicniiii A Ihyn | M J. IL 5i X: ASM hl<*niat ima I MalrriiU PhkK 1999. 323-3242劉念遠(yuǎn)邯忠財(cái).伏介金衣而處理的研允現(xiàn)狀勺展墊JJ 電鍍9 涂飾.2002 26( II 上 27-3()(3|承方友.趙睛陳寧.橫合金微弧氧化附瓷層的生長(zhǎng)過(guò)程研究, 電級(jí)與涂飾

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30、37 Na 6 Dec 200X表面技術(shù)SURFACE TECHNOLOGY#第37卷 第6期2008年12月Vol 37 Na 6 Dec 200X(上接第13頁(yè))參考文獻(xiàn)|表面技術(shù)SURFACE TECHNOLOGY#第37卷 第6期2008年12月Vol 37 Na 6 Dec 200X表面技術(shù)SURFACE TECHNOLOGY#第37卷 第6期2008年12月Vol 37 Na 6 Dec 200X圖3施披dQniitt!層的XKDffl卜 n* 3 XK1) patrmft of p lit iig br6() m h3結(jié)論1) 化學(xué)鍍NSP在基體上的初期沉積并非單個(gè)原子的 均勻沉

31、枳.而是聚集成廉子團(tuán)后抒優(yōu)沉積農(nóng)現(xiàn)在品界、邊界及 某些特殊取向處的優(yōu)先沉枳.2) 初期沉枳的廉(團(tuán)小顆粒以環(huán)狀形態(tài)存在.環(huán)狀顆粒的 尺寸為10 %數(shù)鼠級(jí).3) 在木文的試驗(yàn)條件卜，其沉枳生長(zhǎng)機(jī)制町認(rèn)為是：原子 團(tuán)壞狀顆粒抒優(yōu)沉枳疊加生1<T延伸擴(kuò)展至大面枳區(qū)域 孟笹個(gè)區(qū)域*加終形成菲晶態(tài)鎮(zhèn)層.4) 在施鍍時(shí).iCLKP三種元素的原子優(yōu)先在基體表面的 活化點(diǎn)處吸附、沉積.然麻迅速鋪展.形成一個(gè)個(gè)慕元.乞個(gè)基 元長(zhǎng)大至相互接觸即形成第1層.由于第1層合金的fl催化作 用.為F 12鍍層的形成提供了能址條件，所以在基元間繼續(xù)沉 積原子.形成新的廉元,而后鋪展長(zhǎng)大形成新的一層加終成為©絶g警紂蠢 Journal Electronic Publishing(1|張守心用水洽.NJFfBfft體防腐蝕研材料保護(hù).1999 32( 9): 28-30| 2|賀學(xué)峰燒結(jié)NdF