全面教你認識內存參數(shù)

1、全面教你認識內存參數(shù)向您全面介紹了內存參數(shù)內存熱點jany 2010-4-28內存這種小硬件是電腦系統(tǒng)中最重要的組件之一然而， 對于入門級用 戶來說，簡單的參數(shù) （如內存類型、工作頻率和接口類型 ）印象可能非 常模糊，對于更小的內存計時參數(shù)來說甚至更加混亂。 對于高級玩家 來說，一些特定的內存小參數(shù)設置足以影響超頻效果和整個系統(tǒng)的最 終性能。如果你不想成為一個新手，你不必記住所有的參數(shù)和規(guī)格， 但至少你有一個基本的理解， 當你真的需要使用它們時， 你不會不知 道什么時候你去查閱它們。內存類型 目前，桌面平臺上使用的內存主要有三種 :DDR1 、 DDR2 和 DDR3， 其中DDR 1內存已經

2、基本淘汰，DDR 2禾口 DDR 3是當前主流。DDR1 存儲器第一代 DDR 存儲器DDR 特別提款權是雙倍數(shù)據速率特別提款權的縮寫，意思是雙倍 速率同步動態(tài)隨機存取存儲器 DDR 存儲器是在 SDRAM 存儲器的基 礎上發(fā)展起來的， 仍然使用 SDRAM 生產系統(tǒng)。 因此， 對于存儲器制 造商來說， 只需對制造普通軟件無線電存儲器的設備稍加改進， 就可 以實現(xiàn) DDR 存儲器的生產，從而有效降低成本。 DDR2 存儲器第二代內存DDR2 是第二代內存產品它是在 DDR 存儲器技術的基礎上改進的， 因此它具有更快的傳輸速度 （高達 800 兆赫茲 ）、更低的功耗和更好的 散熱性能。 DDR3

3、 存儲器第三代 DDR 存儲器DDR3 相的工作電壓比 DDR2 低，從 DDR2 的 1.8V 降至 1.5V ，具 有更好的性能和省電性能。 DDR2 的 4 位預讀升級為 8 位預讀目前， DDR3 可以達到 1600 兆赫的速度。由于目前最快的 DDR2 內存速度 已提高到 800 兆赫 /1066 兆赫，第一批 DDR3 內存模塊將從 1333 兆赫。三種類型的內存從內存控制器到內存插槽不兼容即使在同時支持兩 種內存的組合主板上， 兩種內存也不能同時工作， 只能使用一種內存。 存儲器 SPD 芯片存儲器 SPD 芯片SPD(串行存在檢測):SPD是一個8引腳的電可擦可編程只讀存儲器，

4、 容量為 256 字節(jié)，主要存儲存儲器的相關數(shù)據， 如容量、芯片制造商、 存儲器模塊制造商、 工作速度等。 存儲模塊的內容通常由存儲模塊制 造商編寫支持單刀雙擲的主板在啟動時自動檢測單刀雙擲中的數(shù)據， 并相應設置存儲器的工作參數(shù)啟動計算機后，主板BIOS將讀取SPD中的信息，主板北橋芯片組 將根據這些參數(shù)信息自動配置相應的內存工作順序和控制寄存器， 從 而充分發(fā)揮內存芯片的性能實現(xiàn)上述情況的前提是在基本輸入輸出 系統(tǒng)設置界面中將內存設置選項設置為 “按單刀雙擲 ”。當主板無法從 內存模塊中檢測到SPD信息時，它只能提供更保守的配置在某種意義上，SPD芯片是識別記憶品牌的重要標志如果 SPD中的

5、 參數(shù)值設置不正確， 將不會優(yōu)化內存， 但會導致系統(tǒng)工作不穩(wěn)定甚至 崩潰。因此，為了避免兼容性問題，許多普通內存或兼容內存制造商 一般將內存操作參數(shù)設置在相對保守的 SPD,從而限制了內存性能的 充分發(fā)揮更有甚者， 一些非法制造商使用特殊的讀寫設備來改變 SPD 信息，以欺騙計算機的檢測和獲取不一致的數(shù)據，從而欺騙消費者。 XMP 技術支持 XMP 的內存產品XMP 設置在基本輸入輸出系統(tǒng)英特爾至尊內存配置文件(XMP)中，這是一項提高內存性能的技術, 類似于英偉達的 SLI 內存技術英特爾制定了英特爾至尊內存配置文 件（英特爾 XMP 規(guī)范 ），該文件將認證 DDR3 內存。芯片組將自動識

6、別已通過認證的內存模塊產品的指定品牌和指定型號， 并通過提高數(shù) 據吞吐量和帶寬等來提高其性能。英特爾公司表示，由于它主要用于未來的高端平臺，這項技術不會 出現(xiàn)在 DDR2 內存模塊上，使用“極限內存 ”技術的第一個條件是使用 DDR3 內存。內存控制器 內存控制器是計算機系統(tǒng)內存內部控制和內存與中央處理器通過內 存控制器進行數(shù)據交換的重要組成部分內存控制器決定了計算機系 統(tǒng)可以使用的最大內存容量、內存庫數(shù)量、內存類型和速度、內存粒 度數(shù)據的深度和寬度以及其他重要參數(shù)， 也就是說， 決定了計算機系 統(tǒng)的內存性能，因此極大地影響了計算機系統(tǒng)的整體性能。的早期內存控制器集成在主板的北橋芯片中。傳統(tǒng)計

7、算機系統(tǒng) 的內存控制器位于主板芯片組的北橋芯片中。 為了與內存交換數(shù)據， 中央處理器需要經歷 “中央處理器 -北橋-內存-北橋 -中央處理器 ”的五 個步驟。在這種模式下，數(shù)據通過多級傳輸，數(shù)據延遲明顯較大，從 而影響計算機系統(tǒng)的整體性能。AMD的K8系列CPU（包括各種帶有 插槽 754/939/940和其他接口的處理器 ）內部集成了一個內存控制器。 中央處理器和內存之間的數(shù)據交換過程簡化為“中央處理器 -內存-中央處理器 ”三個步驟，省略了兩個步驟。與傳統(tǒng)的內存控制器方案相 比，它明顯具有更低的數(shù)據延遲， 這有助于提高計算機系統(tǒng)的整體性能AMD 率先將內存控制器集成到臺式機平臺上的 CPU

8、英特爾新核心系列處理器中。它還將內存控制器集成到 中央處理器中。集成內存控制器的優(yōu)點是可以有效地控制內存控制 器工作在與中央處理器內核相同的頻率上， 并且由于內存和中央處理 器之間的數(shù)據交換不需要通過北橋， 因此可以有效地減少傳輸延遲例 如，這就像將貨物倉庫直接移動到加工車間， 這大大減少了原材料和 成品在貨物倉庫和加工車間之間來回運輸所需的時間， 并大大提高了 生產效率。因此，系統(tǒng)的整體性能也得到了提高。內存規(guī)格參數(shù)內存性能規(guī)格標簽內存頻率像中央處理器一樣， 內存也有自己的工作頻率。 從某種程度上來說， 內存的主頻越高， 表示內存能夠達到的速度越快。 存儲器的主頻率決 定了存儲器能夠正常工作

9、的最大頻率。目前，最流行的記憶頻率是DDR2-800和DDR3-1333。作為DDR2的替代品，DDR3存儲器的頻 率已經達到 3000 兆赫。內存容量內存容量不僅是影響內存價格的因素，也是影響整體系統(tǒng)性能的因 素過去， 512兆內存仍然是視窗 XP 平臺的主流， 1GB 已經是一個大 容量了。到目前為止， 64 位系統(tǒng)已經變得流行起來。越來越多的人 使用帶有的視窗 Vista 和視窗 7。如果沒有大約 2GB 的內存，可能無法保證 操作的平穩(wěn)性。目前，單塊內存的容量主要包括1GB和2GB。在高端，也有一塊罕見的 4GB 超大容量內存，工作電壓為。不同類型的存儲器正常工作所需的電壓不同。但是，

10、每種類型的 內存都有自己的規(guī)格， 這些規(guī)格超出了內存的規(guī)格， 很容易造成內存 損壞。DDR2存儲器的工作電壓通常約為 1.8V，而DDR3存儲器的 工作電壓約為1.6v 些高頻存儲器需要在高于標準的電壓值下工作。 對于每種品牌和類型的內存， 這取決于制造商。 只要它在允許的范圍 內浮動，稍微增加內存電壓有利于內存超頻，但同時，發(fā)熱量大大增 加，因此存在硬件損壞的風險。存儲器定時參數(shù)基本輸入輸出系統(tǒng)存儲器定時設置TCL: CAS 延遲控制 (TCL) 通常，當我們查找存儲器定時參數(shù)，如 “-88-8-24”和其他數(shù)字序列時， 上述數(shù)字序列的相應參數(shù)是 “CURCD-tRP-tRAS第一個“8是第

11、一個 參數(shù)，即 CL 參數(shù)CAS延遲控制(也稱為tel、CL、CAS延遲時間、CAS延遲),CAS 延遲是 地址控制器在內存讀寫操作前的延遲 ” CAS控制接收指令和 執(zhí)行指令之間的時間因為 CAS 主要控制十六進制地址，或內存矩陣中的列地址， 所以它是最重要的參數(shù)， 應該在穩(wěn)定的前提下設置得盡 可能低。內存根據行和列尋址。當請求被觸發(fā)時，它最初是tRAS（激活預充電延遲 ）。預充電后，內存真正開始初始化 RAS 一旦激活了 tRAS， RAS（行地址選通）就開始尋址所需的數(shù)據首先是行地址，然后是tRCD 初始化，循環(huán)結束，然后通過 CAS 訪問所需數(shù)據的確切十六進制地 址從CAS開始到CAS

12、結束的時間段是CAS延遲。因此，CAS是找 到數(shù)據的最后一步，也是最重要的內存參數(shù)。該參數(shù)控制存儲器在實際執(zhí)行數(shù)據讀取指令之前必須等待多少個時鐘周 期。同時， 該參數(shù)還決定了在存儲器突發(fā)傳輸過程中完成第一部分傳 輸所需的時鐘周期數(shù)該參數(shù)越小， 內存越快必須注意的是， 有些內存 不能在低延遲下運行，可能會丟失數(shù)據。此外，增加延遲會使內存以 更高的頻率運行，因此當內存需要超頻時，應該嘗試增加CAS延遲。該參數(shù)對內存性能影響最大。在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下，CAS值越低，內存讀寫操作越快。存儲器標記tcd: ras 到 CAS 延遲該值是 “-88-8-24”存儲器定時參數(shù)中的第二個參數(shù)，即第二個 “

13、8”RAS 到CAS延遲（也稱為:tRCD，RAS到CAS延遲，活動到CMD），表示 行到列尋址延遲時間 ，值越小，性能越好。當讀取、寫入或刷新存 儲器時，有必要在這兩個脈沖信號之間插入延遲時鐘周期在 JEDEC 規(guī)范中，它是第二個參數(shù)。 減少這種延遲可以提高系統(tǒng)性能。如果您 的內存超頻性能不好， 您可以將此值設置為內存的默認值， 或者嘗試 增加 tRCD 值。trp:行預充電（TRP）該值是 “-88-8-24”存儲器定時參數(shù)中的第三個參數(shù)，即第三個 “8行”預 充電定時 （也稱為 tRP、RAS 預充電、預充電到活動 ）意味著 存儲行地 址控制器的延遲。預充電參數(shù)越小，存儲器讀寫速度越快。

14、在激活另 一行之前，TRP用于設置RAS所需的充電時間。tras: min ras 活動時序該值是 “8-8-8-24”存儲器時序參數(shù)中的最后一個參數(shù)，即“24最”小RAS激活時間（也稱為:tRAS、激活到預充電延遲、行激活時間、預充 電等待狀態(tài)、行激活延遲、行預充電延遲、 RAS 激活時間 ）表示“從存 儲器行有效到預充電的最短時間 ”。調整這個參數(shù)需要根據具體情況 來決定，一般來說我們最好把它設置在 24到 30 之間這個參數(shù)取決于 實際情況，并不是說越大或越小越好。如果傳輸時間過長， 系統(tǒng)會因不必要的等待而降低性能。 減少 tRAS 周期將導致激活的行地址更早進入非活動狀態(tài)。如果 tRAS 的周期太 短，數(shù)據的突發(fā)傳輸可能由于缺少足夠的時間而無法完成， 這可能導 致數(shù)據丟失或數(shù)據損壞。該值通常設置為 CAS延遲+tRCD+2個時鐘 周期ddr2-ddr3 基本上已經完成了 的更換和移交。