內(nèi)存識別與介紹

1、在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存，港臺稱之為記憶體）。 一、內(nèi)存基礎(chǔ)知識1、內(nèi)存基礎(chǔ)知識快速入門 平時在我們生活中的PC的主機箱內(nèi)部附件主要包括下面下面幾個部分：1、主板；2、CPU；3、內(nèi)存；4、硬盤；5、顯卡；6；光驅(qū)；7、電源。 其中，主板是一部臺式機的主要構(gòu)成部分，因為其他所有配件都要連接在其上面才能工作。 如下圖所示，一般的電腦機箱內(nèi)部都分成4個區(qū)域，其中，A區(qū)域為放置主板的位置(CPU

2、/內(nèi)存/顯卡/PCI配件都連接在主板上)；B區(qū)域為放置電源的位置；C區(qū)域一般為放置光驅(qū)（CD-ROM/DVD-ROM/刻錄機）的位置；D區(qū)域則為放置硬盤的位置。 如我們上述，內(nèi)存為安裝于主板上內(nèi)存插槽上，而如圖中所示，一般電腦主板上的安裝配件的擴展插槽主要為：A、SATA硬盤接口；B、IDE硬盤接口；C、CPU插槽；D、內(nèi)存插槽；E、主板電源接口；F、CPU供電接口；G、CPU風扇電源接口；H、軟驅(qū)接口；I、PCI接口設(shè)備接口；J、顯卡接口（J區(qū)域中短接口為PCI 1X設(shè)備接口），不同的主板這些擴展插槽的位置可能會略有不同。 在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存

3、儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存），輔助存儲器又稱外存儲器（簡稱外存）。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤，像硬盤，軟盤，磁帶，CD等，能長期保存信息，并且不依賴于電來保存信息，但是由機械部件帶動，速度與CPU相比就顯得慢的多。內(nèi)存指的就是主板上的存儲部件，是CPU直接與之溝通，并用其存儲數(shù)據(jù)的部件，存放當前正在使用的（即執(zhí)行中）的數(shù)據(jù)和程序，它的物理實質(zhì)就是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲功能的集成電路，內(nèi)存只用于暫時存放程序和數(shù)據(jù)，一旦關(guān)閉電源或發(fā)生斷電，其中的程序

4、和數(shù)據(jù)就會丟失。 我們平常所說的內(nèi)存都是主儲存器，它的大小影響著一臺計算機的性能。圖中紅圈所示的的插槽即為內(nèi)存插槽，左下角小圖為內(nèi)存。和CPU一樣，內(nèi)存的安裝也非常簡單，只要將內(nèi)存的正反面正確放置到主板上的內(nèi)存插槽上其就可安裝進去，否則的話則會因為針腳的不對稱而無法將內(nèi)存安裝進去。 內(nèi)存儲器在PC設(shè)備中占有重要的席位，也正是內(nèi)存儲技術(shù)的發(fā)展才得以讓如今的計算機呈現(xiàn)出一番勃勃生機的景象。毫不夸張地說，未來PC發(fā)展的重點不是 CPU而是內(nèi)存。半導體技術(shù)的突破已經(jīng)為CPU發(fā)展鋪平的道理，隨著主頻的不斷提高，整個系統(tǒng)將對內(nèi)存性能提出更高的要求。縱觀PC技術(shù)的發(fā)展，每次內(nèi)存技術(shù)的提升都對整體性能產(chǎn)生重大

5、的影響。一、內(nèi)存基礎(chǔ)知識解析在全面了解內(nèi)存之前，我們必須對內(nèi)存的基礎(chǔ)知識有充分的認識。通過對內(nèi)存工作原理、作用以及結(jié)構(gòu)的了解，大家將會更為深刻地明白為何內(nèi)存如此受到重視。1內(nèi)存的工作原理從一有計算機開始，就有了內(nèi)存。內(nèi)存物理實質(zhì)就是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲功能的集成電路，內(nèi)存只用于暫時存放程序和數(shù)據(jù)，一旦關(guān)閉電源或發(fā)生斷電，其中的程序和數(shù)據(jù)就會丟失。我們平常所提到的計算機的內(nèi)存指的是動態(tài)內(nèi)存（即DRAM），動態(tài)內(nèi)存中所謂的“動態(tài)”是指當我們將數(shù)據(jù)寫入 DRAM后，經(jīng)過一段時間數(shù)據(jù)會丟失，因此需要一個額外設(shè)電路進行內(nèi)存刷新操作。具體的工作過程是這樣的：一個DRAM的存儲單元存儲的是0

6、還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數(shù)據(jù)丟失的原因；刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大于滿電量的12，則認為其代表1，并把電容充滿電；若電量小于12，則認為其代表0，并把電容放電，由此來保持數(shù)據(jù)的連續(xù)性。每一個內(nèi)存單元通過可以短暫存儲電荷的電容組成，數(shù)據(jù)信息由無數(shù)個位（bit）組成，每一個位只有兩種狀態(tài)：0和1，內(nèi)存將這些位的數(shù)據(jù)存儲在內(nèi)存單元組成的柵格里。當處理器進行運算時，通過前端總線和內(nèi)存之間的通道將一些需要信息的存儲到內(nèi)存里的柵格里，當需要調(diào)用信息時，再向內(nèi)存發(fā)出請求，這些請求都帶有內(nèi)存地址的信息，以此

7、來定位數(shù)據(jù)在內(nèi)存柵格內(nèi)的位置。 要直觀地理解內(nèi)存的原理的話，我不妨舉例來說。當CPU載入一個應(yīng)用程序，例如文字處理或頁面編輯。當你以鍵盤輸入指令開始，CPI詮釋指令并命令硬盤將指令或程序載入到內(nèi)存中，當數(shù)據(jù)被載入內(nèi)存之后，CPU便能比從硬盤中存取從而更快速地取得數(shù)據(jù)。2內(nèi)存的作用從功能上理解，我們可以將內(nèi)存看作是內(nèi)存控制器（一般位于北橋芯片中）與CPU之間的橋梁或與倉庫。顯然，內(nèi)存的容量決定“倉庫”的大小，而內(nèi)存的速度決定“橋梁”的寬窄，兩者缺一不可，這也就是我們常常說道的“內(nèi)存容量”與“內(nèi)存速度”。當CPU需要內(nèi)存中的數(shù)據(jù)時，它會發(fā)出一個由內(nèi)存控制器所執(zhí)行的要求，內(nèi)存控制器接著將要求發(fā)送至內(nèi)

8、存，并在接收數(shù)據(jù)時向CPU報告整個周期（從CPU 到內(nèi)存控制器，內(nèi)存再回到CPU）所需的時間會。毫無疑問，縮短整個周期是提高內(nèi)存速度的關(guān)鍵，而這一周期就是由內(nèi)存的頻率、存取時間、位款來決定。更快速的內(nèi)存技術(shù)對整體性能表現(xiàn)有重大的貢獻，但是提高內(nèi)存速度只是解決方案的一部分，數(shù)據(jù)在CPU以及內(nèi)存間傳送所花的時間通常比處理器執(zhí)行功能所花的時間更長，為此緩沖區(qū)被廣泛應(yīng)用。其實，所謂的緩沖器就是CPU中的一級緩存與二級緩存，它們是內(nèi)存這座“大橋梁”與CPU之間的“小橋梁”。3內(nèi)存帶寬的重要性通常我們所說的內(nèi)存速度實際上應(yīng)該用“內(nèi)存帶寬”來表述才更為確切。當CPU需要內(nèi)存中的數(shù)據(jù)時，它會發(fā)出一個由內(nèi)存控制

9、器所執(zhí)行的要求，內(nèi)存控制器接著將要求發(fā)送至內(nèi)存，并在接收數(shù)據(jù)時向CPU報告整個周期（從CPU到內(nèi)存控制器，內(nèi)存再回到CPU）所需的時間。毫無疑問，縮短整個周期也是提高內(nèi)存速度的關(guān)鍵，這就好比在橋梁上工作的警察，其指揮疏通能力也是決定通暢度的因素之一。內(nèi)存帶寬為何會如此重要呢？在回答這一問題之前，我們先來簡單看一看系統(tǒng)工作的過程。CPU接收到指令后，它會最先向CPU中的一級緩存（L1 Cache）去尋找相關(guān)的數(shù)據(jù)，然一級緩存是與CPU同頻運行的，但是由于容量較小，所以不可能每次都命中。這時CPU會繼續(xù)向下一級的二級緩存（L2 Cache）尋找，同樣的道理，當所需要的數(shù)據(jù)在二級緩存中也沒有的話，會

10、繼續(xù)轉(zhuǎn)向L3 Cache（如果有的話，如Xeon處理器）、內(nèi)存和硬盤。由于目前系統(tǒng)處理的數(shù)據(jù)量都是相當巨大的，因此幾乎每一步操作都得經(jīng)過內(nèi)存，這也是整個系統(tǒng)中工作最為頻繁的部件。如此一來，內(nèi)存的性能就在一定程度上決定了這個系統(tǒng)的表現(xiàn)，這點在多媒體設(shè)計軟件和3D游戲中表現(xiàn)得更為明顯。 內(nèi)存帶寬的計算方法并不復雜，大家可以遵循如下的計算公式：帶寬總線寬度×總線頻率×一個時鐘周期內(nèi)交換的數(shù)據(jù)包個數(shù)。很明顯，在這些乘數(shù)因子中，每個都會對最終的內(nèi)存帶寬產(chǎn)生極大的影響。然而，如今在頻率上已經(jīng)沒有太大文章可作，畢竟這受到制作工藝的限制，不可能在短時間內(nèi)成倍提高。而總線寬度和數(shù)據(jù)包個數(shù)就大

11、不相同了，簡單的改變會令內(nèi)存帶寬突飛猛進。 計算機是由哪幾部分組成的呢？簡單的說，一個完整的計算機系統(tǒng)是由軟件和硬件組成的。其中，硬件部分由中央處理單元（運算器和控制器）、存儲器和輸入/輸出設(shè)備構(gòu)成。這次我們要談的是存儲器方面的內(nèi)容。 先給大家看三句話： A 我的PC 有1GB的內(nèi)存。 B 我的PC 有5GB的存儲器。 C 我的PC 有5GB 的內(nèi)存。 唔，有似曾相識的感覺。沒錯，這是某個笑話的三種表達方式，但只有其中的一個可以認為是真正的笑話。到底是哪一個呢？先說A，如果有錢，給自己的電腦插上1GB的內(nèi)存是可能的；而B，既然說是存儲器，也可以包括硬盤了，話說的滴水不漏，也沒留下笑柄；最后到C

12、，因為目前個人電腦上使用的主板一般只能支持到1GB的內(nèi)存，即使是INTEL目前最高階的450NX芯片組也只能支持到4GB-所以，用5GB的內(nèi)存是胡扯的啦。現(xiàn)在我們可以知道的一點是：存儲器包括主存和輔存。主存具有速度快、價格高、容量小的特點，負責直接與CPU交換指令和數(shù)據(jù)。輔存速度慢、價格低、容量大，可以用來保存程序和數(shù)據(jù)。常見的輔存如硬盤、軟盤等，而現(xiàn)在的主存一般就是指半導體集成電路存儲器了。那主存和內(nèi)存有什么關(guān)系呢？可以這么認為：主存就是廣義的內(nèi)存。 廣義的內(nèi)存分為隨機存儲器（RAM，RANDOM ACCESS MEMORY）和只讀存儲器（ROM，READ ONLY MEMORY）。一、 R

13、AM RAM是指通過指令可以隨機的、個別的對各個存儲單元進行訪問的存儲器，一般訪問時間基本固定，而與存儲單元地址無關(guān)。RAM的速度比較快，但其保存的信息需要電力支持，一旦丟失供電即數(shù)據(jù)消失，所以又叫易失性存儲器，還有一種很有趣的叫法是"揮發(fā)性存儲器"，當然這里"揮發(fā)"掉的是數(shù)據(jù)而不是物理上的芯片。 RAM又分動態(tài)存儲器（DRAM，DYNAMIC RAM）和靜態(tài)存儲器（SRAM，STATIC RAM）。SRAM是利用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來保存信息的，只要不斷電，信息是不會丟失的，所以謂之靜態(tài)；DRAM利用MOS （金屬氧化物半導體）電容存儲電荷來儲存信息，大家都知

14、道，電容是會漏電的，所以必須通過不停的給電容充電來維持信息，這個充電的過程叫再生或刷新（REFRESH）。由于電容的充放電是需要相對較長的時間的，DRAM的速度要慢于SRAM。但SRAM免刷新的優(yōu)點需要較復雜的電路支持，如一個典型的SRAM的存儲單元需要六個晶體管（三極管）構(gòu)成，而DRAM的一個存儲單元最初需要三個晶體管和一個電容，后來經(jīng)過改進，就只需要一個晶體管和一個電容了。由此可見，DRAM的成本、集成度、功耗等明顯優(yōu)于SRAM。 （一） DRAM DRAM就是我們常說的內(nèi)存，這顯然就是狹義的內(nèi)存概念了。后面我們說的內(nèi)存也是這個狹義的概念-DRAM。常見的DRAM有許多規(guī)格，如 FPM D

15、RAM 、EDO DRAM、BEDO DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、SLDRAM、RDRAM、DIRECT RDRAM等。 1 FPM DRAM（FAST PAGE MODE DRAM，快速頁模式DRAM） 傳統(tǒng)的DRAM在存取一個BIT的數(shù)據(jù)時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數(shù)據(jù)。FRM DRAM對此做了改進，在觸發(fā)了行地址后，如果 CPU需要的地址在同一行內(nèi)，則可以連續(xù)輸出列地址而不必再輸出行地址了。由于一般的程序和數(shù)據(jù)在內(nèi)存中排列的地址是連續(xù)的，這種情況下輸出行地址后連續(xù)輸出列地址就可以得到所需要的數(shù)據(jù)。因此FPM DRAM的設(shè)計可以提高內(nèi)存的傳輸速率。在96年以前，在

16、486時代和PENTIUM時代的初期，F(xiàn)PM DRAM被大量使用。 2 EDO DRAM（EXTENDED DATA OUT DRAM，擴充數(shù)據(jù)輸出DRAM） 傳統(tǒng)的DRAM和FPM DRAM 在存取每一BIT 數(shù)據(jù)時必須輸出行地址和列地址并使其穩(wěn)定一段時間，然后才能讀寫有效的數(shù)據(jù)。而下一個 BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。EDO DRAM對FPM DRAM 的改進主要是縮短等待輸出地址的時間。EDO DRAM不必等待資料的讀寫操作是否完成，只要規(guī)定的有效時間一到就可以準備輸出下一個地址，由此可以減小等待時間。從另一個角度說，EDO DRAM 在讀寫數(shù)據(jù)的同時進行下一地址的準備工

17、作，提高了工作效率。后期的486系統(tǒng)開始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM開始執(zhí)行。 3 BEDO DRAM （BURST EDO DRAM ，突發(fā)式EDO DRAM） BEDO DRAM是突發(fā)式的讀取方式，也就是當一個數(shù)據(jù)地址被送出后，剩下的三個數(shù)據(jù)每一個都只需要一個周期就能讀取。BEDO 的主要加強之處是在芯片上增加了一個地址計數(shù)器來追蹤下一個地址。BEDO DRAM可以一次存取一批數(shù)據(jù)而EDO DRAM只能存取一組數(shù)據(jù)，所以BEDO DRAM比EDO DRAM更快。但BEDO DRAM 在內(nèi)存市場上只是曇花一現(xiàn)，只有很少的主板支持（如VIA APOLLO VP2），很快

18、就被DRAM替代了。 4 SDRAM（SYNCHRONOUS DRAM） SDRAM 的最大特點就是可以與CPU的外頻同步，可以取消等待周期，減少了數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t。而此前的DRAM 都使用異步方式工作，由于沒有與系統(tǒng)的外頻同步，在存取數(shù)據(jù)時，系統(tǒng)必須等待若干時序才能接受和送出數(shù)據(jù)，如SDRAM可以使存儲器控制器知道在哪一個時鐘脈沖周期使數(shù)據(jù)請求使能，因此數(shù)據(jù)可在脈沖沿來到之前便開始傳輸，而EDO DRAM每隔2時鐘才開始傳輸，F(xiàn)PM DRAM每隔3個時鐘脈沖周期才開始傳輸，從而制約了傳輸率。當CPU的頻率越來越高后，異步DRAM的數(shù)據(jù)傳輸率就成為系統(tǒng)的瓶頸，而且，隨著頻率的提高，異步DRAM與

19、SDRAM的性能差距會越來越大。 對DRAM而言，除了容量，最重要的指標就是速度了。一般FPM DRAM和EDO DRAM的速度在070ns之間，SDRAM的速度在 10 ns左右。由于SDRAM的工作速度與系統(tǒng)的外頻保持一致，所以SDRAM的速度標識可以換算成工作頻率，如100 ns的SDRAM的頻率是 1 s/10 ns=100 MHz，同理，8 ns的SDRAM的工作頻率是125 MHz，12 ns的SDRAM 的工作頻率是 83 MHz，15ns的SDRAM的工作頻率是66 MHz。由于目前流行的是PC100的SDRAM，讀者在采購內(nèi)存時絕大多數(shù)希望選購符合 PC100規(guī)范的SDRAM

20、。PC100規(guī)格非常復雜，我們應(yīng)該了解的部分主要是內(nèi)存條上應(yīng)帶SPD，內(nèi)存工作頻率為100 MHz時，CL應(yīng)為2或3個 clk，最好為2 clk，tAC必須不超過6 ns等。 除了以上PC100規(guī)范要求的一些性能指標外，一個真正的發(fā)燒友還應(yīng)該關(guān)心一下SDRAM芯片其他幾個很重要的指標：如芯片的輸出位寬、功耗（電壓）等，因為這些指標也決定了內(nèi)存的超頻潛力-給內(nèi)存超頻的時候還是很多的，即使不超頻，性能好的內(nèi)存也意味著更高的穩(wěn)定裕度和更好的升級潛力。 （二） SRAM SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如 A

21、syncSRAM (Asynchronous SRAM,異步SRAM)、Sync SRAM (Synchronous SRAM,同步 SRAM)、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM,管道突發(fā)SRAM)，還有INTEL沒有公布細節(jié)的CSRAM等。 SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如 AsyncSRAM (Asynchronous SRAM,異步SRAM)、Sync SRAM (Synchronous SRAM,同步 SRAM)、PBSRAM (Pipelined Burst SRA

22、M,管道突發(fā)SRAM)，還有INTEL沒有公布細節(jié)的CSRAM等。2、識別內(nèi)存方法多內(nèi)存標貼標些啥如圖1，這就是我們在看內(nèi)存外觀時候看到的標貼。標貼上一般會告訴我們產(chǎn)品參數(shù)、產(chǎn)品品牌、料號（P/N）、產(chǎn)品編號（S/N）等信息。我們在買內(nèi)存的時候就可以通過它得到內(nèi)存基本信息，從而知道這根內(nèi)存條是不是我們所要購買的。小貼士：P/N與S/NP/N又叫料號，像宇瞻、金士頓等這些內(nèi)存模組廠商在生產(chǎn)內(nèi)存的時候，如果它們生產(chǎn)內(nèi)存選用的內(nèi)存顆粒、PCB（印刷電路板）等原料一致，那么廠商就會為這些內(nèi)存印上相同的P/N；也就是說，只要兩條內(nèi)存的P/N一致，那么這兩條內(nèi)存出現(xiàn)不兼容問題的幾率非常非常低。S/N稱為產(chǎn)

23、品編號，因為S/N都是唯一的，所以它對檢查內(nèi)存防偽有幫助。RoHS歐盟限制在電子電氣設(shè)備中使用某些有害物質(zhì)的規(guī)定，它對鉛、鎘、汞等有害物質(zhì)的含量都有明確的限制。這一指令對環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展是有益的。標貼表達方式多知道了內(nèi)存標貼涵蓋了哪些方面的內(nèi)容，下面我們就一起來研究標貼上最重要的部分內(nèi)存參數(shù)。標貼上內(nèi)存參數(shù)表達方式分了好幾種，但幾種表達方式所指的信息都基本一致，比如容量、帶寬、延遲、頻率等參數(shù)。為了讓同學們更好地理解幾種表達方式的意思，琪琪老師根據(jù)它們的特點為它們?nèi)×嗣?，然后給大家分類介紹。1.單刀直入法如圖2，這種標法絕對是豪爽之人喜歡的，前兩節(jié)課我們講到的內(nèi)存代數(shù)（DDR2）、內(nèi)存容量（5

24、12MB）、等效頻率（800MHz）全部都清楚地標記在了上面。2.位寬延遲法首先，大家可以把注意力集中到圖3紅色方框里的內(nèi)容上，這是目前金士頓內(nèi)存比較常見的標注方式，我們可以從“KVR667D2N5/1G”中的 “667”、“D2”、“1GB”這幾個字樣知道這條內(nèi)存是DDR2 667 1GB的內(nèi)存。如果同學們覺得這種方法獲取內(nèi)存信息比較困難，大家可以注意一下藍色方框里“1GB PC2-5300 CL5 240-Pin DIMM”的字樣。“1GB”、“CL5”、“240-Pin”分別告訴我們內(nèi)存容量是1GB、延遲是5、金手指為240Pin（也就是指內(nèi)存邊緣的小金屬片兩面加起來有240片）。這里我

25、們要重點說一下“PC2-5300”的意思，“PC2-5300”是內(nèi)存模組廠商比較通用的一種用內(nèi)存帶寬表示內(nèi)存參數(shù)的方法，雖然沒有誰制定這種標法的標準，但很多廠商都依循著下面這種方法標示內(nèi)存信息：PC2表示DDR2的意思，如果是PC則表示DDR，PC后面的數(shù)字代表內(nèi)存是第幾代；5300就是指的內(nèi)存帶寬為5.3GB/s，以前琪琪老師教過同學們計算前端總線帶寬的公式（帶寬位寬×頻率÷8），這個公式對于計算內(nèi)存帶寬同樣適用。目前內(nèi)存位寬為64bit，這樣我們就可以通過這個公式計算出頻率或者帶寬的值。比如PC2-5300內(nèi)存，它的帶寬就為5.3GB/s（5300MB /s，1GB約等

26、于1000MB），5300MB/s64bit×頻率÷8，所以等效頻率就等于667MHz，剛好等于我們前面從內(nèi)存標貼獲取的內(nèi)存頻率。小貼士：內(nèi)存與CPU搭配問題不少人在選擇好一個平臺之后，就為選擇內(nèi)存犯了難，不知道怎么搭配內(nèi)存才能讓內(nèi)存和CPU充分發(fā)揮性能。其實內(nèi)存和CPU如何搭配主要看帶寬。我們來看看圖4，CPU要和內(nèi)存交換數(shù)據(jù)，要通過兩個通道，一個是處理器和主板（北橋芯片）的通道，另一個是主板（北橋芯片）和內(nèi)存的通道，只要兩個通道都大于或者等于CPU需要的數(shù)據(jù)量，那么瓶頸問題就不會出現(xiàn)。比如CPU和北橋芯片的通道帶寬為8.5GB/s，那么只要內(nèi)存帶寬等于或者大于這個帶寬就

27、可以了。同樣通過帶寬公式計算，8.5GB/s64bit×頻率÷8，一根等效頻率為1066MHz的內(nèi)存就可以滿足了。如果是組成雙通道，內(nèi)存位寬就會由64bit變?yōu)?28bit，8.5GB/s128bit×頻率÷8，所以兩條等效頻率為533MHz的內(nèi)存組成雙通道就可以滿足CPU帶寬的需要。3.內(nèi)存顆粒法對比前面兩種標示方法，大家不難發(fā)現(xiàn)圖5紅框中的“512M×16”是與它們不同的。“512M”說明這條內(nèi)存的內(nèi)存顆粒是512Mb（注意是b）的規(guī)格，也就是每一顆內(nèi)存顆粒是64MB的容量，“×16”說明這條內(nèi)存有16顆這樣的內(nèi)存顆粒，64MB&

28、#215;161024MB就說明這條內(nèi)存的總?cè)萘繛?1GB。軟件查詢信息足講了這么多從標貼獲取內(nèi)存信息的方法，接下來琪琪老師把自己常用的用CPU-Z查詢內(nèi)存信息的方法介紹給大家（下載地址：如圖6，這就是CPU-Z的界面，它是一個查看自己電腦基本信息的軟件，右下角是軟件的版本號，一般來說，版本越新，軟件能越能正確識別硬件的信息，特別是新產(chǎn)品。內(nèi)存選項卡首先，我們選擇內(nèi)存選項卡查看內(nèi)存信息（圖6），同學們可以看到，在常規(guī)項目中，軟件清楚標示了內(nèi)存類型是DDR2，總?cè)萘繛?GB（2048MB），而且組成了雙通道（通道數(shù)標示為雙）。時序框中的“內(nèi)存頻率”就是我們上期介紹的內(nèi)存工作頻率，這樣我們就可以根

29、據(jù)上期學到的內(nèi)存預讀取知識，得知這條是DDR2 800的內(nèi)存。接下來，CAS#延遲時間、RAS#到CAS#延遲等幾個參數(shù)最重要的就是第一個CL，內(nèi)存廠商常把它標注在標貼上，比如圖3藍框中的 CL5、圖5紅框中的（5）都是指的CAS#延遲時間。小貼士：也有內(nèi)存廠商喜歡把內(nèi)存延遲參數(shù)全部標注出來，如圖7最右邊的“4.4.4.12”就是對應(yīng)的圖6中的CL、tRCD、tRP、tRAS四個參數(shù)。內(nèi)存延遲表示的是一段很短的時間，就好像當士兵接到命令開槍到士兵做開槍動作之間的士兵反應(yīng)的時間。這幾個延遲參數(shù)表示的是內(nèi)存幾個“動作”的間隔時間或者反應(yīng)時間，第一個數(shù)字最為重要，表示讀取命令到第一個輸出數(shù)據(jù)之間的延

30、遲，即CL。這是縱向地址脈沖的反應(yīng)時間。第二個數(shù)字表示從內(nèi)存行地址到列地址的延遲時間，即tRCD。第三個數(shù)字表示內(nèi)存行地址控制器預充電時間，即tRP，指內(nèi)存從結(jié)束一個行訪問到重新開始的間隔時間。第四個數(shù)字表示內(nèi)存行地址控制器激活時間（tRAS）。為了讓大家更好的理解，我們打個比方，琪琪老師問同學們在某一期的電腦報D19版第三行第四個字是哪個字，同學們收到“指令”就會先找到那一期報紙和D19版，這需要時間；然后，同學們會去找第四列，這也需要時間；接著大家找到第三行，同樣要時間，最后找到了這個字。這個找字的過程就和內(nèi)存的工作原理非常類似，而在找的過程中，每個找的步驟所花的時間就和內(nèi)存延遲時間所表達

31、的意思差不多。SPD選項卡SPD選項卡顯示的就是SPD（Serial Presence Detect，串行配置偵測，圖8）芯片的內(nèi)存信息（圖9）。從圖9我們可以知道，這條內(nèi)存是插在內(nèi)存插槽1上的、內(nèi)存是DDR2的、內(nèi)存容量是 1GB（模塊大小1024MB）、帶寬為6.4GB/s（PC2-6400）、內(nèi)存模組廠商是宇瞻科技、生產(chǎn)日期為2007年第50周（50/07）。此外我們可以通過對比兩條插在不同插槽上的內(nèi)存的編號和序列號（圖9與圖10），知道這兩條內(nèi)存的兼容性如何。大家可以看到，這兩條插在插槽1和插槽3上的內(nèi)存顆粒編號和序列號完全相同，這說明此兩條內(nèi)存出現(xiàn)兼容性問題的幾率非常低。最后就是時序

32、表這一欄，它記載的就是我們剛才介紹的幾個延遲參數(shù)，當然還有內(nèi)存電壓，需要指出的是這幾個頻率代表的是內(nèi)存的工作頻率，200MHz、 266MHz、400MHz這幾個頻率同時出現(xiàn)，我們只需要認準數(shù)值最大的一個就可以了，說明這條內(nèi)存等效頻率為800MHz?？偨Y(jié)今天琪琪老師介紹了兩種識別內(nèi)存信息的方法，標貼法適合同學們在選購時挑內(nèi)存，軟件法適合同學們核實內(nèi)存信息是否和標貼所示的內(nèi)容一樣。只要同學們靈活運用這兩種方法，就不會被JS所欺騙了。內(nèi)存類型指內(nèi)存所采用的內(nèi)存類型，不同類型的內(nèi)存?zhèn)鬏旑愋透饔胁町?，在傳輸率、工作頻率、工作方式、工作電壓等方面都有不同。目前市場中主要有的內(nèi)存類型有SDRAM、DDR

33、SDRAM和RDRAM三種，其中DDR SDRAM內(nèi)存占據(jù)了市場的主流，而SDRAM內(nèi)存規(guī)格已不再發(fā)展，處于被淘汰的行列。RDRAM則始終未成為市場的主流，只有部分芯片組支持，而這些芯片組也逐漸退出了市場，RDRAM前景并不被看好。SDRAM：SDRAM，即Synchronous DRAM（同步動態(tài)隨機存儲器），曾經(jīng)是PC電腦上最為廣泛應(yīng)用的一種內(nèi)存類型，即便在今天SDRAM仍舊還在市場占有一席之地。既然是“同步動態(tài)隨機存儲器”，那就代表著它的工作速度是與系統(tǒng)總線速度同步的。SDRAM內(nèi)存又分為PC66、PC100、PC133等不同規(guī)格，而規(guī)格后面的數(shù)字就代表著該內(nèi)存最大所能正常工作系統(tǒng)總線速

34、度，比如PC100，那就說明此內(nèi)存可以在系統(tǒng)總線為100MHz的電腦中同步工作。與系統(tǒng)總線速度同步，也就是與系統(tǒng)時鐘同步，這樣就避免了不必要的等待周期，減少數(shù)據(jù)存儲時間。同步還使存儲控制器知道在哪一個時鐘脈沖期由數(shù)據(jù)請求使用，因此數(shù)據(jù)可在脈沖上升期便開始傳輸。SDRAM采用3.3伏工作電壓，168Pin的DIMM接口，帶寬為64位。SDRAM不僅應(yīng)用在內(nèi)存上，在顯存上也較為常見。DDR SDRAM：嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，部分初學者也?？吹紻DR SDRAM，就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速

35、率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進，即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時鐘的上升期進行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨立執(zhí)行，又保持與CPU完全同步；DDR

36、使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定回路提供一個數(shù)據(jù)濾波信號)技術(shù)，當數(shù)據(jù)有效時，存儲控制器可使用這個數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù)，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲器模塊的數(shù)據(jù)。DDL本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標準SDRA的兩倍。從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3V

37、電壓的LVTTL標準。DDR2 SDRAM內(nèi)存詳解RDRAM：RDRAM（Rambus DRAM）是美國的RAMBUS公司開發(fā)的一種內(nèi)存。與DDR和SDRAM不同，它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式。在推出時，因為其徹底改變了內(nèi)存的傳輸模式，無法保證與原有的制造工藝相兼容，而且內(nèi)存廠商要生產(chǎn)RDRAM還必須要加納一定專利費用，再加上其本身制造成本，就導致了RDRAM從一問世就高昂的價格讓普通用戶無法接收。而同時期的DDR則能以較低的價格，不錯的性能，逐漸成為主流，雖然RDRAM曾受到英特爾公司的大力支持，但始終沒有成為主流。RDRAM的數(shù)據(jù)存儲位寬是16位，遠低于DDR和SDRAM的64位。但在頻率方面則遠遠高于二者，可以達到400MHz乃至更高。同樣也是在一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，內(nèi)存帶寬能達到1.6Gbyte/s。普通