電子工業(yè)污染物排放標(biāo)準(zhǔn)-電子元件

1、電子工業(yè)污染物排放標(biāo)準(zhǔn) 電子元件編 制 說 明（征求意見稿）電子工業(yè)污染物排放標(biāo)準(zhǔn) 電子元件編制組二八年六月目 錄1 前言.12 制訂本標(biāo)準(zhǔn)的必要性.12.1 標(biāo)準(zhǔn)制定的背景.12.2 制定標(biāo)準(zhǔn)的主要目的.13 標(biāo)準(zhǔn)制訂思路與原則.13.1 標(biāo)準(zhǔn)制訂思路.13.2 標(biāo)準(zhǔn)制訂的原則.24 電子元件行業(yè)特性分析及處理控制技術(shù)調(diào)研.24.1 電子元件生產(chǎn)的行業(yè)特性分析.24.2 行業(yè)基本情況調(diào)查.234.3 處理控制技術(shù)調(diào)研.305 大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)限值規(guī)定.365.1 國內(nèi)外排放標(biāo)準(zhǔn)情況.365.2 污染物排放監(jiān)測.405.3 大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)限值的論證.406 水污染物排放標(biāo)準(zhǔn)限值規(guī)定.45

2、6.1 國內(nèi)外排放標(biāo)準(zhǔn)情況.456.2 污染物排放情況監(jiān)測.476.3 污水排放標(biāo)準(zhǔn)限值的論證.487 其它規(guī)定與說明事項.567.1 關(guān)于禁排的規(guī)定.567.2 關(guān)于管理規(guī)定.577.3 標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行時間.598 標(biāo)準(zhǔn)實施后的經(jīng)濟(jì)環(huán)境效益分析.59I電子工業(yè)污染物排放標(biāo)準(zhǔn) 電子元件編制說明1 前言電子行業(yè)污染排放標(biāo)準(zhǔn)是通過標(biāo)準(zhǔn)體系劃分后，由國家環(huán)?？偩謽?biāo)準(zhǔn)司確定的系列標(biāo)準(zhǔn)。電子元件生產(chǎn)的污染排放標(biāo)準(zhǔn)是其中一個標(biāo)準(zhǔn)。2005年10月通過開題論證報告，并開始了污染源的調(diào)查工作。在選取了有特點的行業(yè)企業(yè)后，對不同元件的生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)行了系統(tǒng)的監(jiān)測；并對污染物治理技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的調(diào)研。在這些實驗工作與調(diào)研的

3、基礎(chǔ)上，結(jié)合國內(nèi)、外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)開展了標(biāo)準(zhǔn)的制訂工作。2 制訂本標(biāo)準(zhǔn)的必要性2.1 標(biāo)準(zhǔn)制定的背景電子工業(yè)作為發(fā)展最快的制造業(yè)之一，它展示出生產(chǎn)工藝和產(chǎn)品出口的快速變化。這一行業(yè)已成為許多國家吸收高科技能力和發(fā)展傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)能力的風(fēng)向標(biāo)。微電子工業(yè)在許多國家都被稱為“新工業(yè)革命”以及“信息時代”的支柱產(chǎn)業(yè)。它對世界工業(yè)、貿(mào)易、知識和社會進(jìn)步的重要性是無容置疑的。早期人們形成了電子工業(yè)的清潔、環(huán)保印象，而對其對環(huán)境的影響和對健康的危害程度認(rèn)識不足。隨著對電子工業(yè)方面有關(guān)環(huán)保問題和環(huán)保知識的增進(jìn)，政府和工業(yè)部門都能認(rèn)識到采取措施避免或減少電子工業(yè)污染的必要性。為了適應(yīng)與國際接軌的新形勢要求，按不同行業(yè)

4、特點制定小的綜合排放標(biāo)準(zhǔn)，以適應(yīng)行業(yè)污染控制和管理的需要，已經(jīng)勢在必行。電子元件是電子工業(yè)的基礎(chǔ)，也是電子工業(yè)重要的分支行業(yè)。對于該行業(yè)的污染排放標(biāo)準(zhǔn)，我國沒有專門規(guī)定，只能參照大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)（GB 16297-1996）和污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)（GB 8978-1996）。隨著現(xiàn)代電子工業(yè)的飛速發(fā)展，電子元件需求巨大，新的污染物也隨之產(chǎn)生，缺乏控制方法，急需標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行控制。因此，對電子元件污染排放制定專門的排放標(biāo)準(zhǔn)是非常必要的。2.2 制定標(biāo)準(zhǔn)的主要目的對各生產(chǎn)工藝過程中規(guī)定排放限值，有效控制電子元件生產(chǎn)過程中所產(chǎn)生的污染。 3 標(biāo)準(zhǔn)制訂思路與原則3.1 標(biāo)準(zhǔn)制訂思路（1）根據(jù)現(xiàn)階段電子行業(yè)

5、電子元件生產(chǎn)的污染現(xiàn)狀，對確定控制因子排放濃度水平進(jìn)行調(diào)查。排放濃度的調(diào)查要充分考慮不同電子元件生產(chǎn)的各種情況。這一部分工作，以調(diào)研與實際測量相結(jié)合。（2）工藝廢氣與污水治理技術(shù)調(diào)查，在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上考慮技術(shù)進(jìn)步。對于治理技1術(shù)的考察也以調(diào)研與實測相結(jié)合。（3）以現(xiàn)有先進(jìn)技術(shù)為條件，充分考慮被治理單位的經(jīng)濟(jì)承受能力，參照國際、國內(nèi)有關(guān)控制指標(biāo)制定排放標(biāo)準(zhǔn)限值。（4）對于不便量化的限定，以管理規(guī)定條文的形式作出要求。3.2 標(biāo)準(zhǔn)制訂的原則以現(xiàn)有技術(shù)經(jīng)濟(jì)條件為基礎(chǔ)，參照國內(nèi)外有關(guān)廢氣及污水排放標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)定排放標(biāo)準(zhǔn)濃度限值。4 電子元件行業(yè)特性分析及處理控制技術(shù)調(diào)研電子元件生產(chǎn)的行業(yè)一般包括：電容器

6、、電阻器、電位器、電感器、電子變壓器、控制元件、電子敏感元件、傳感器和印制電路板（PCB）等。主要就電子行業(yè)的發(fā)展及全國的分布情況進(jìn)行行業(yè)基本情況調(diào)查，并選擇適當(dāng)?shù)钠髽I(yè)進(jìn)行監(jiān)測研究。處理控制技術(shù)調(diào)研則包括對各種污染因子處理技術(shù)的調(diào)研。4.1 電子元件生產(chǎn)的行業(yè)特性分析4.1.1 電容器生產(chǎn)4.1.1.1 有機(jī)介質(zhì)電容器(1) 主要原料介質(zhì)材料：浸漬電容器紙張的浸漬料：純地蠟、電容器器油、聚異丁烯、凡士林、十二烷基苯、蓖麻油；電容器紙；塑料薄膜：聚丙烯（PP、PPCl：箔式電容器用光滑薄膜；PPR：浸漬全膜電容器用雙面粗化薄膜；PPTS：金屬化電容器用電暈處理薄膜）聚苯乙烯、聚四氟乙烯、聚脂、聚

7、碳亞胺、聚偏氟乙烯、醋酸纖維素。導(dǎo)電材料：電極：鋁箔、鋁鈦合金線、鋅、錫；引出線材料：圓銅線、鍍錫銅包鋼線、純銅帶和純銅箔；蕊子端面噴涂材料：鉛錫鋅焊料、鉛錫焊料、鋁線、鋅線。(2) 典型工藝流程，見圖1。2圖1 地臘浸漬金屬化紙電容器典型生產(chǎn)工藝流程(3) 環(huán)境污染的可能來源電容器的金屬零件在裝配前必須要嚴(yán)格加以清洗，以去油污和金屬氧化物。特別是電極環(huán)要進(jìn)行拋光處理，去邊緣毛刺及降低表面粗糙程度。清洗：一般是堿去油、酸腐蝕；拋光電解液典型配方：磷酸（比重1.7） 1000ml，Cr2O3180200g。除以上污染外，流程各環(huán)節(jié)中無明顯的污染來源。但對于廢棄的電容器應(yīng)有管理辦法。 4.1.1.

8、2 鋁電解電容(1) 主要原料(a)鋁箔：陽極用鋁箔：高純鋁（99.99）；陰極用鋁箔：從價格方面考慮以鋁箔，現(xiàn)在開始有采用摻入銅。錳、鐵等成分地銅鉛合金；(b)鋁線（99.9399.99的高純鋁）；(c)鋁板和鋁帶（99.099.5的工業(yè)純鋁）；(d)電解電容器紙：長纖維的木漿紙（牛皮紙），短纖維的麻線紙或棉漿紙；(e)封口橡膠：天然橡膠、三元乙丙橡膠和丁基橡膠；(f)鍍錫銅包鋼線；(g)化學(xué)試劑：鋁電解電容器用酸：硼酸、磷酸、己二算、甲酸、順丁烯二酸，2，4，6三硝基苯酚、鄰苯二甲酸、苯甲酸、琥珀酸、泌脂酸、檸檬酸；鋁電解電容器用堿：乙胺、乙胺醇、乙二醇胺、二乙基羥胺、三乙醇胺、二正丙胺、

9、三正丙胺、萘二胺、嗎啉、苯甲胺；鋁電解電容器用溶劑：乙二醇、甘油、乙二醇甲醚、N，N二甲基甲酰胺、N乙基甲酰胺、N，N二乙基甲酰胺、二甲亞砜、r丁內(nèi)脂、環(huán)氧乙烷；(h)粘膠帶和紙帶：聚脂膠帶、聚丙烯膠帶、謅紙熱膠帶、紙帶；(i)聚氯乙烯（PVC）熱縮套管。(2) 典型工藝流程，見圖2。圖2中*電化學(xué)腐蝕工藝有：食鹽直流腐蝕（NaCl-D.C）3鹽酸交流腐蝕(HCl-A.C) 鹽酸直流腐蝕(HCl-D.C) 鹽酸復(fù)合腐蝕(HCl-D.C+A.C)圖2 鋁電解電容典型生產(chǎn)工藝流程4老練：裝配后將產(chǎn)品放在最高工作溫度下，按極性規(guī)定的直流電流電壓，通過芯子內(nèi)工作電解質(zhì)的電化學(xué)作用，對裝配中受到的介質(zhì)氧

10、化膜加以修復(fù)，使之恢復(fù)其固有特性。（3）環(huán)境污染的可能來源除電容器的金屬零件在裝配前有需清洗的共同特點外，在腐蝕時會產(chǎn)生鹽酸霧；在裝配密封時，會產(chǎn)生惡心氣味的胺類污染物，其它流程中無明顯的污染來源，但對于廢棄的電容器應(yīng)有管理辦法。4.1.1.3.鉭電解電容（1）主要原料（2）典型工藝流程，見圖3。（3）環(huán)境污染的可能來源除電容器的金屬零件在裝配前有需清洗的共同特點外，沒有其它特征污染物。4.1.1.4.云母電容器（1）主要原料：云母，加工過程見圖4。5圖4 云母生產(chǎn)工藝流程圖3 鉭電解電容典型生產(chǎn)工藝流程6（2）典型工藝流程，見圖5。（3）環(huán)境污染的可能來源除電容器的金屬零件在裝配前有需清洗的

11、共同特點外，沒有其它特征污染物。圖5 云母電容典型生產(chǎn)工藝流程4.1.2 電阻器4.1.2.1薄膜電阻（1）薄膜電阻的典型生產(chǎn)工藝，見圖6。圖6 薄膜電阻典型生產(chǎn)工藝流程7（2）環(huán)境污染的可能來源除清洗的油污及洗滌劑和廢棄電阻外，無明顯的污染來源。4.1.2.2. 玻璃釉電阻器（1）制作玻璃釉電阻器的工藝流程，見圖7。圖7 玻璃釉電阻典型生產(chǎn)工藝流程（2）環(huán)境污染的可能來源除清洗的油污及洗滌劑和廢棄電阻外，無明顯的污染來源。4.1.2.3.金屬箔電阻器（1）金屬箔電阻器生產(chǎn)工藝流程，見圖8。（2）環(huán)境污染的可能來源除清洗的油污及洗滌劑和廢棄電阻外，還有刻蝕、顯影過程產(chǎn)生污染。84.1.3 電位

12、器（1）主要原料：漿料漿料是由具有導(dǎo)電鏈枝結(jié)構(gòu)物質(zhì)、填料和載體等性能的材料按阻值和使用技術(shù)要求不同，以不同比例配制而成的懸浮液。配置工藝見圖9。圖8 金屬箔電阻典型生產(chǎn)工藝流程圖9 漿料的組成和配置工藝91 2 3 4 5 工作漿料圖10 制版（正片制作）流程（2）制版（正片制作）流程、電阻體印刷工藝，見圖10和圖11。（3）環(huán)境污染的可能來源漿料的配制過程會有溶劑揮發(fā)，顯影、清洗過程會有污染物產(chǎn)生。電阻體生產(chǎn)用的是貴金屬原料，除廢棄電位器外，無其他固體廢棄物。4.1.4 電感器（1）主要原料及工藝（a）浸漬10圖11 電阻體印刷工藝材料：提純地臘、聚苯乙烯15溶于85苯、3201酚醛清漆（用

13、酒精稀釋至0.880.9比重）、聚乙烯醇縮醛膠、有機(jī)硅W30-7。（b）包封電感器包封配方見表1。表1 電感器包封配方配方材料 618環(huán)氧樹脂白碳黑 南大-42 651聚酰胺 618環(huán)氧樹脂 二甲苯 石英粉 二氧化鈦 590（固化劑）白碳黑 三乙醇胺酚醛粉木包封料（FWKF-10）無水乙醇 丙酮份量 10份 7份 2份 3份 100g 15g25g 100g125g 10g20g 15g30g 15g30g 30滴40滴 25g 3500ml 3500ml配方1配方2配方3 （c）灌封電感器灌封配方見表2。11表2 電感器灌封配方方法配方11.室溫硫化硅橡膠配方2材料107硅橡膠 南大-42

14、正桂酸乙脂 二丁基二月桂酸錫色素 103-1硅橡膠 南大-42二丁基二月桂酸錫色素 高溫固化環(huán)氧樹脂 634環(huán)氧樹脂 304聚酯樹脂 苯二甲酸酐 高頻瓷粉 色素 室溫固化環(huán)氧樹脂 618環(huán)氧樹脂 651聚酰胺 高頻瓷粉 色素份量/份 100 2 5 5 適量 100 5 7 適量 100 25 45 適量 適量 適量 100 30 適量 適量 適量配方12.環(huán)氧樹脂灌注配方2（2）環(huán)境污染的可能來源包封過程中有有機(jī)廢氣產(chǎn)生，如二甲苯、丙酮等。此外，固體廢棄方面有廢棄電感器，其他過程基本上沒有特殊的工藝產(chǎn)生污染。 4.1.5 電子變壓器電子變壓器主要涉及的都是線圈、鐵心的制造。主要污染在最后的封

15、灌之類的過程，大致和上面的差不多。 4.1.6 印制電路板4.1.6.1厚膜印制電路板工藝（1）工藝流程厚膜印制電路板工藝圖見圖12。12圖12 厚膜印制電路板工藝流程4.1.6.2薄膜印制電路板工藝（1）工藝流程13（a）掩膜蒸發(fā)工藝流程圖，見圖13。圖13 掩膜蒸發(fā)工藝流程圖14（b）直刻工藝流程圖，見圖14。圖14 直刻工藝流程圖15（c）反刻工藝流程圖，見圖15。圖15 反刻工藝流程圖（2）薄膜電路的制版反光刻技術(shù)，見圖16。16圖16 薄膜電路的制版反光刻技術(shù)4.1.6.3 最新印制板工藝流程（1）單面紙質(zhì)印制板制造流程（適合大批量生產(chǎn)），見圖17。（2）非金屬化孔單面、雙面玻璃布板

16、或小批量單面紙質(zhì)板制造流程，見圖18。（3）雙面金屬化孔印制板制造流程，見圖19。（4）多層印制板制造流程，見圖20。4.1.6.4 產(chǎn)生污染物的主要過程及主要污染物（1）照相底片為SO軟片或超粒干版。顯影液配方：米吐爾0.4g、Na2SO3 80g、對苯二酚18g、無水Na2CO3 25g、溴化鉀4g、去離子水25ml。定影液配方：Na2SO3 80g、Na2S2O3 250g、去離子水1000ml。17圖17 單面紙質(zhì)印制板制造流程（適合大批量生產(chǎn)）18圖18 非金屬化孔單面、雙面玻璃布板或小批量單面紙質(zhì)板制造流程19圖19 雙面金屬化孔印制板制造流程20圖20 多層印制板制造流程21（2

17、）清洗工藝常用的清晰工藝見表3。表3 常用的清洗方法 材料基片鎢鉬鋁金玻璃器皿 步驟 步驟一 去油污有機(jī)溶劑（汽油、甲苯、丙酮） 步驟二 去金屬離子酸 （鹽酸、硝酸、硫酸、王水） 步驟三 去清洗劑去離子水溢流沖洗或蒸汽去油 用25NaOH煮、至表面光滑，用去離子水沖洗，真空煅燒 用鹽酸煮半小時，用去離子水洗 用丙酮球擦后，用甲苯和乙醇咯超聲波清洗5min，再用去離子水洗幾次，用90磷酸腐蝕至表面光滑，去離子水洗放入無水乙醇保存 用丙酮球擦后，用甲苯和乙醇咯超聲波清洗5min，再用去離子水洗幾次，用90磷酸腐蝕至表面光滑，去離子水洗放入無水乙醇備用 用洗液（硫酸85+去離子水10+重鉻酸鉀5）浸

18、泡、用去離子水洗 清洗過程有表3中溶劑揮發(fā)，還會有少量重金屬污染物進(jìn)入清洗水中。（3）電鍍、微蝕刻、氧化、去毛刺可能有重金屬Cu、Ni以及陰離子CN等離子進(jìn)入廢水中。4.1.7 電子敏感元件4.1.7.1單晶熱敏電阻器的制造（1）單晶熱敏電阻器的制造工藝流程，見圖21。圖21 單晶熱敏電阻器的制造工藝流程（2）關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù)（a）鍺、硅單晶熱敏電阻器的電極制備-22常用的電極材料見表4。表4 常用的電極材料 單晶材料Si n型電極材料 Ag-Al-As Ag-Al-SbAu-As;Au-SbSn;Sn-SbSn-As;Pb-Sb p型電極材料 Al Al-Ga Al-Sn In;In-Pb In

19、-Ga;Au-Ga Ge（b）碳化硅單晶的外延。（3）污染情況：這個步驟主要是在高真空下進(jìn)行，這樣污染不是很大。4.1.7.2 單晶型銻化銦霍爾的制造（1）工藝流程，見圖22。圖22 單晶型銻化銦霍爾的制造工藝流程腐蝕：1：1配置氟化氫銨和過氧化氫溶液，加入少量的FeCl2。最后用CP4拋光。（2）主要污染物及其來源(a)廢氣：腐蝕過程有少量HF氣體產(chǎn)生。(b)廢水：清洗產(chǎn)生的油脂，腐蝕產(chǎn)生含F(xiàn)e、F、Cl廢水。4.1.8 磁性材料生產(chǎn)過程主要有粉塵，即顆粒物排放。4.2 行業(yè)基本情況調(diào)查4.2.1 電子元件行業(yè)發(fā)展的展望首先說明電子元件行業(yè)整體發(fā)展現(xiàn)狀。在進(jìn)行行業(yè)統(tǒng)計時，一般用電子組件的概念

20、，按在電路中的基本作用，電子組件可分為有源組件和無源組件。前者是指改變輸入信號基本特性（如放大、整流、開關(guān)等）的一類組件，通常稱為電子器件，如真空電子器件、半導(dǎo)體器件；無源組件是不能改變輸入信號基本特性的一類組件，也稱為電子元件，如電阻器、電容23 2+-器、電感器等。狹義的電子組件指的是電子元件。中國電子組件行業(yè)近年來發(fā)展穩(wěn)定，產(chǎn)品產(chǎn)量約占全球總產(chǎn)量的30%左右，位居世界前列。2006年全年電子元件產(chǎn)量達(dá)到5207.1億只，同比增長26.1%。2006年實現(xiàn)銷售收入5588.03億元，同比增長31.97%，實現(xiàn)利潤286.30億元，比2005年同期增長77.89億元。近年來，我國電子組件的產(chǎn)

21、量波動較大，在經(jīng)歷了20022004年的高速增長后，2005年電子元件產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了平穩(wěn)增長期。2006年，受整機(jī)轉(zhuǎn)型升級影響，電子組件行業(yè)同比增長26.07%。根據(jù)回歸分析法，預(yù)計到2010年，我國電子組件產(chǎn)量將達(dá)到10000億只以上。電子組件是隨著電子技術(shù)的產(chǎn)生而出現(xiàn)的，并且隨著電子技術(shù)的推廣而發(fā)展。具體說來，由于在電子電路中，有源組件是核心，是起主導(dǎo)作用的，所以為了與其相匹配，作為無源組件的電子組件總是伴隋著有源組件而發(fā)展的。電子組件已經(jīng)經(jīng)歷了四個發(fā)展階段，即大型、小型、超小型、微型，現(xiàn)在已進(jìn)入發(fā)展中的第五個階段，即片式組件階段，與其相應(yīng)的安裝技術(shù)是表面安裝技術(shù)(SMT)。2001年2006

22、年電子元件及組件生產(chǎn)情況和產(chǎn)量變動軌跡分別見表5和圖23。表5 2001年2006年電子元件及組件生產(chǎn)情況 年份200120022003200420052006 產(chǎn)量（億只） 2197.95 3403.10 3778.02 4349.37 4130.40 5207.10 增長率（%0 54.83 11.02 15.12 -5.03 26.07資料來源：中國電子工業(yè)年鑒、信息產(chǎn)業(yè)部電子元件行業(yè)生產(chǎn)情況。從以上數(shù)據(jù)可以看出，近年來，我國電子組件的產(chǎn)量波動較大，在經(jīng)歷了2002年2004年的高速增長后，2005年電子元件產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了平穩(wěn)增長期。2006年，受整機(jī)轉(zhuǎn)型升級影響，電子組件行業(yè)同比增長26.

23、07%。電子組件行業(yè)整體發(fā)展態(tài)勢。汽車電子、PDA、互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品、機(jī)頂盒等產(chǎn)品的迅速啟動及飛速發(fā)展，將極大地帶動中國電子組件市場的發(fā)展。在通訊類產(chǎn)品中，不僅僅是蜂窩電話，還有更多的產(chǎn)品如移動通信、光通信網(wǎng)絡(luò)，普通電話等都需要大量的組件。另外，計算機(jī)及相關(guān)產(chǎn)品、消費(fèi)電子產(chǎn)品雖然沒有以前發(fā)展那么快，但需求依然強(qiáng)勁，這些都將成為中國電子組件市場發(fā)展的動力。全球電子組件市場規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大，國內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，將為電子組件產(chǎn)業(yè)帶來廣闊的發(fā)展前景。24產(chǎn)量（億只）增長率6000.0060.0050.0040.0030.0020.0010.000.00-10.00200120022003200420

24、052006 5000.00 4000.00 3000.002000.001000.000.00圖23 20012006年電子元件及組件產(chǎn)量變動軌跡 單位：億只眾多國際知名分析機(jī)構(gòu)預(yù)測，中國電子組件行業(yè)未來三年的增長將繼續(xù)保持樂觀態(tài)度。手機(jī)、個人電腦、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字電視、MP3等各種消費(fèi)電子產(chǎn)品實現(xiàn)了兩位數(shù)以上的增長，而且仍將保持較高增速，因此，消費(fèi)電子將日益成為半導(dǎo)體以及整個電子組件行業(yè)的推動力。中國電子組件產(chǎn)品產(chǎn)量約占全球總產(chǎn)量的30%左右，已發(fā)展成為世界上舉足輕重的電子元件生產(chǎn)大國，也因而在被動元件和分立器件領(lǐng)域，涌現(xiàn)出一批具備世界先進(jìn)技術(shù)水平的領(lǐng)軍企業(yè)。預(yù)計到2010年全球電子信息制造

25、業(yè)市場將達(dá)到19055億美元，其中，電子組件市場將達(dá)到2800億美元，占14.7%。全球片式組件產(chǎn)量將從2005年的15000億只增至2010年的25000億只，年均增長13%。4.2.2 代表企業(yè)調(diào)查監(jiān)測研究電子元件生產(chǎn)企業(yè)主要集中于長三角及珠三角地區(qū)。我們對電子百強(qiáng)企業(yè)中生產(chǎn)電子元件的企業(yè)進(jìn)行了分地區(qū)統(tǒng)計，特別對深圳地區(qū)的情況進(jìn)行了分析，確定了五家企業(yè)作為代表企業(yè)進(jìn)行了全面調(diào)查、監(jiān)測研究。4.2.2.1電感線圈、變壓器典型企業(yè)：深圳市電子有限公司。25圖24 電子有限公司電感線圈生產(chǎn)工藝流圖（2）環(huán)境污染的可能來源在點膠過程中有有機(jī)廢氣產(chǎn)生，如二甲苯、丙酮等。 （3）污染治理設(shè)施及情況描述

26、 上錫處有抽風(fēng)設(shè)備，集中排放。 4.2.2.2覆銅箔層壓板典型企業(yè)：深圳絕緣材料有限公司。 （1）覆銅板的典型流程，見圖25。 （2）環(huán)境污染的可能來源：原料混合過程中會有丙酮，甲苯等有機(jī)氣體產(chǎn)生，烘箱運(yùn)轉(zhuǎn)過程中也有有機(jī)氣體的產(chǎn)生。 P片上漆到后來的烘干過程中都會有有機(jī)氣體的產(chǎn)生。 （3）污染治理設(shè)施及情況描述生產(chǎn)車間有焚燒爐集中收集車間有機(jī)廢氣處理。柴油點火，直接燃燒后排放。 4.2.2.3印制線路板典型企業(yè)：寶安區(qū)電子廠。 （1）生產(chǎn)工藝流程，見圖26。26烘箱圖25 深圳絕緣材料有限公司覆銅板生產(chǎn)工藝流程圖示（2）環(huán)境污染的可能來源在表面刷磨過程中用稀硫酸來去除樣品表面的CuO時有硫酸銅

27、和稀硫酸廢液的產(chǎn)生；在蝕刻去墨的過程和之前的上油墨和光固化過程中會有有機(jī)氣體的產(chǎn)生。在表面清洗的過程中也會有酸廢水和有機(jī)廢水的產(chǎn)生；在線路板的印制過程中也有會有機(jī)氣體的產(chǎn)生；在后處理的松香涂布過程中會有較大量的有機(jī)廢氣的產(chǎn)生?？偨Y(jié)來說：線路板生產(chǎn)過程廢氣中污染物包括：粉塵，指標(biāo)為TSP或PM10；酸性氣體，主要成份為硫酸、HCl和HNO3；蝕刻氣體，主要成份是NH3；有機(jī)氣體，主要成份是苯、甲苯、二甲苯等；噴錫廢氣，主要成份是松香。（3）污染治理設(shè)施及情況描述各類廢水以及酸霧有分流處理，主要是設(shè)施有兩個堿性洗滌塔；生產(chǎn)過程中排放有機(jī)廢氣量比較大，不但抽氣設(shè)施不完善而且無集中處理。4.2.2.4

28、音頻磁頭、視頻磁頭典型企業(yè)：深圳電子工業(yè)總公司。27圖26 寶安區(qū)電子廠高精密度印制線路板生產(chǎn)工藝流程圖（1）生產(chǎn)工藝流程，見圖27。1、視頻磁頭：282、音頻磁頭：圖27 深圳電子工業(yè)總公司音頻磁頭和視頻磁頭生產(chǎn)工藝流程圖（2）環(huán)境污染的可能來源在灌封過程以及固化過程中會有有機(jī)氣體的產(chǎn)生，如丙酮，甲苯，乙酸乙酯等。（3）污染治理設(shè)施及情況描述車間中央有抽風(fēng)機(jī)，直接排放到室外，無任何處理設(shè)施。4.2.2.5電容器典型企業(yè)：深圳電容器有限公司。（1）深圳電容器有限公司生產(chǎn)工藝流程圖見圖28。（2）環(huán)境污染的可能來源。在包封、涂硅、灌封過程都會有丙酮和甲苯，二甲苯，乙苯等有機(jī)氣體的產(chǎn)生，在清理過程

29、中會有酸堿廢水的產(chǎn)生。（3）污染治理設(shè)施及情況描述無任何處理措施，也無集中排放。29圖28 深圳電容器有限公司生產(chǎn)工藝流程圖4.3 處理控制技術(shù)調(diào)研 4.3.1氣體污染控制技術(shù) 4.3.1.1VOCs 控制技術(shù)現(xiàn)在有的VOCs 控制技術(shù)可以簡單分為兩大類:一類稱為破壞性方法，包括氧化法和生物法，氧化法又可分為直接燃燒法和催化焚燒法；另一類稱為回收性方法，常用的回收方法30有吸收法、吸附法、濃縮法和膜分離法；正在研究開發(fā)的方法還有等離子凈化技術(shù)和光催化氧化技術(shù)。下面是一些常用的VOC末端處理技術(shù)的特點比較：1) 焚燒/催化焚燒a由于整個去除階段需要在高溫的條件下進(jìn)行（焚燒-815.6/催化焚燒-

30、371.1），在這樣的條件下空氣中的N容易被轉(zhuǎn)化為NOX，形成二次污染物，同時在燃燒過程中也有可能會產(chǎn)生一些有毒物質(zhì)，比如說二惡英。b焚燒反應(yīng)開始時需要投加燃料使焚燒過程啟動，如果被焚燒處理的VOCs有足夠高的熱值，焚燒啟動之后燃燒過程可直接進(jìn)行，否則需投加輔助燃料以維持燃燒過程的正常進(jìn)行。催化劑的使用，可以減少輔助燃料的消耗量。c催化燃燒過程中用的催化劑在有機(jī)氣體中存在硫、硅、氯化物等化學(xué)物質(zhì)時候容易發(fā)生中毒現(xiàn)象（催化劑中毒）。d處理的有機(jī)氣體中存在Cl2（Cl2HCl）和S（SSO2SO3）這些物質(zhì)的存在會對后續(xù)設(shè)備，管道造成腐蝕。（建議應(yīng)進(jìn)行預(yù)處理/用酸性洗滌器去除）e廢氣在爐膛內(nèi)應(yīng)該保

31、持良好的湍流狀態(tài)，才能達(dá)到較高的去除效率。f當(dāng)VOCs中含有氯化烴之類化合物時，其焚燒溫度通常要求達(dá)到982.2以上。g由于耗能太大，建議進(jìn)行熱能回收，設(shè)計良好的焚燒爐熱能回收裝置，熱能回收效率可達(dá)95%。（對流換熱式/蓄熱式）h催化劑中毒情況：硫、硅、氯化物、Pb，或者在燃燒過程中生成的無機(jī)鹽類（如鈉鹽）覆蓋在催化劑表面，從而導(dǎo)致催化劑活性下降。對覆蓋有無機(jī)鹽的催化劑可以利用反吹技術(shù)使其恢復(fù)活性，但對于中毒很深的催化劑只能更換。催化劑經(jīng)過長時間使用之后會有一些硅酮，重質(zhì)烴類以及顆粒物覆蓋其表面，使其活性下降。故催化劑焚燒爐適宜用來處理凈化后的VOCs氣體。在使用對溫度比較敏感的催化劑時必須設(shè)

32、計保護(hù)裝置，以免高溫度破壞催化劑活性。當(dāng)VOCs氣體中有氯化物存在時，宜選用可耐受氯的催化劑。開發(fā)新型耐受性強(qiáng)，活性降低緩慢的新型催化劑勢在必行。2) 生物凈化技術(shù)待處理對象本身的性質(zhì)對工藝過程中的傳質(zhì)與生物凈化影響很大，如水溶性，可生物降解性等。另外，床層材料或生物膜對處理對象的吸附能力也對凈化效果的好壞起著關(guān)鍵的作用。31VOCs之間總是有抑制作用。特別是一種為親水性另一種為憎水性物質(zhì)時，親水性的物質(zhì)存在不利于處理憎水性有機(jī)物的微生物發(fā)揮降解作用。填料的性能研究（如陶瓷球填料/焦碳填料-吸附和生物降解的雙重過程）。如果連續(xù)進(jìn)氣，且廢氣中污染物的濃度和組分穩(wěn)定，用該法處理成本很低，但是一般工

33、業(yè)廢氣的污染物的濃度和組分經(jīng)常波動。3) 吸附法（顆粒活性炭/活性炭纖維）顆?；钚蕴抗に嚨娜秉c是吸附效率低，運(yùn)行費(fèi)用高，操作不穩(wěn)定，安全性差，設(shè)備使用壽命短?；钚蕴坷w維回收效率的達(dá)到92%-98%?；厥盏奈镔|(zhì)通常需要進(jìn)一步安全處置。4) 光催化氧化法反應(yīng)過程快，效率高，且無二次污染問題，具有非常大的潛在應(yīng)用價值。但是在光催化過程中，對催化劑的要求高，催化劑活性易降低，如何解決催化劑的失活問題成為該技術(shù)的關(guān)鍵。5) 低溫等離子技術(shù)a在常溫常壓下操作，有機(jī)化合物最終產(chǎn)物為CO2，CO，H2O，若有機(jī)物是氯代物，則產(chǎn)物應(yīng)該加上氯化物，而無中間產(chǎn)物，降低了有機(jī)物毒性，同時避免了其他方法中后期處理問題；

34、無須考慮催化劑失活問題；工藝流程簡單，運(yùn)行費(fèi)用低，是直接燃燒的一半左右，對揮發(fā)性有機(jī)物的去除效率高。b低溫等離子技術(shù)開發(fā)難度大，資金有限，涉及研究領(lǐng)域廣，使得該技術(shù)難以成熟并取得商業(yè)化應(yīng)用。應(yīng)該注意到末端處理技術(shù)是只是降低VOC排放的最后一道防線，應(yīng)該極力從源頭下手，采取源頭控制，盡量用低危害，低揮發(fā)性的有機(jī)溶劑代替原有的有機(jī)溶劑，實行綠色生產(chǎn)才是控制VOC排放的根本方法。總結(jié)來說，（1）吸附法：去除效率高、凈化徹底、能耗低、工藝成熟、易于推廣，但如果再生的液體不能回用，這些液體必須進(jìn)行處理，不僅可能造成二次污染，而且增加許多處理成本。另外當(dāng)廢氣中有氣溶膠或其他雜質(zhì)時，吸附劑易失效。(2) 直

35、接燃燒法：工藝成熟,在適宜的溫度和保留時間下，處理率可達(dá)99 %，但能耗高,投資大,易氧化空氣中N2。(3) 催化燃燒法：處理率在90 %95 %，只針對特定類型的化合物反應(yīng)，能耗高、投資大（需貴重金屬做催化劑）、催化劑易中毒、可能產(chǎn)生二惡英。(4) 生物法：主要是濕地過濾、生物過濾等，該法能耗低，但設(shè)備重占地大，系統(tǒng)彈性小，需后處理受污染的生物群，如果連續(xù)進(jìn)氣，且廢氣中污染物的濃度和組分穩(wěn)定，用該法處理成本很低，但是一般工業(yè)廢氣的污染物的濃度和組分經(jīng)常波動。(5) 回收污染物：該法有利于生態(tài)循環(huán)，但投資成本高、運(yùn)行費(fèi)用高，回收的原料通常需要進(jìn)一步安全處置。(6)光催化法：反應(yīng)過程快，效率高，

36、且無32二次污染問題，具有非常大的潛在應(yīng)用價值。但是在光催化過程中，對催化劑的要求較高，催化劑活性易降低，如何解決催化劑的失活問題成為該技術(shù)的關(guān)鍵。近幾年發(fā)展起來的低溫等離子體技術(shù)處理VOCs，有其獨特的優(yōu)點：可在常溫常壓下操作；有機(jī)化合物最終產(chǎn)物為CO2、CO和H2O，若有機(jī)物是氯代物，則產(chǎn)物應(yīng)加上氯化物，而無中間副產(chǎn)物，降低了有機(jī)物毒性，同時避免了其他方法中后期處理問題；無需考慮催化劑失活問題；工藝流程簡單、運(yùn)行費(fèi)用低，是直接燃燒的一半；運(yùn)行管理方便；對VOCs的去除率高，對VOCs的適應(yīng)性強(qiáng)。但是在國內(nèi)也有技術(shù)不成熟，運(yùn)行成本高，資金投入不足等缺點。4.3.1. 2其它大氣污染物控制技術(shù)

37、酸霧主要采用洗滌塔進(jìn)行處理。技術(shù)比較成熟，如酸性氣體凈化塔，用2%-6%NaOH堿液進(jìn)行噴淋吸收處理。據(jù)美國EPA調(diào)查報告其處理效率可達(dá)90%以上，歐盟大宗化學(xué)品工業(yè)最佳可得技術(shù)（BAT）資料表明氣體洗滌器BAT技術(shù)的削減率為95%-99.9%。4.3.2 水污染控制技術(shù)水污染物主要擬涉及指標(biāo)為：pH、CODcr、重金屬離子Cu、Ni、Cr等以及氨氮等無機(jī)指標(biāo)；苯系物等有機(jī)指標(biāo)。水污染物的控制技術(shù)主要采用傳統(tǒng)的處理技術(shù)：如含pH的廢水，在排放水體或進(jìn)行生物處理或化學(xué)處理之前，必須進(jìn)行中和，使pH值達(dá)到6.5-8.5。但對于工業(yè)廢水中酸堿物質(zhì)濃度高達(dá)3%-5%的廢水，應(yīng)首先考慮回收；含重金屬離子

38、的廢水則主要采用化學(xué)沉淀法，其主要包括四個過程：(1)pH的調(diào)節(jié)以及形成金屬化合物沉淀：在調(diào)節(jié)pH到堿性時，大多數(shù)金屬離子如銅，可以轉(zhuǎn)化成不可溶的金屬氫氧化物。不溶解的金屬可以從溶液中去除。(2)凝結(jié)反應(yīng)：pH調(diào)節(jié)后，在溶液中加入負(fù)離子聚合物形成金屬氫氧化物凝結(jié)，凝結(jié)后廢水分層。(3)沉淀：較慢的混合過程通過沉淀，將廢水中的沉淀物從廢水中分離出來，另行收集排放。(4)中和：在排放前在金屬廢水中加入酸進(jìn)行中和；有機(jī)廢水的處理一般使用生物降解的方法，其中包括好氧生物處理和厭氧生物處理兩大類。廢水生物處理的目的主要是使水中的有機(jī)污染物通過微生物的代謝活動予以轉(zhuǎn)化，穩(wěn)定，使之無害化。典型的廢水回用處理

39、工藝流程和廢水處理工藝分別見圖29和圖30。2+2+6+33圖29 典型的廢水回用處理工藝流程34綜圖30 典型的廢水處理工藝355 大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)限值規(guī)定5.1 國內(nèi)外排放標(biāo)準(zhǔn)情況在氣體污染物控制方法，美國主要控制有害大氣污染物（HAP），在電子元件生產(chǎn)方面主要有氯化氫、氟化氫、二甲苯等。標(biāo)準(zhǔn)限值對新、老（現(xiàn)）源一致，標(biāo)準(zhǔn)要求對工藝中排風(fēng)口排放的有機(jī)HAP削減其總量的98%，或?qū)⑵渑欧艥舛瓤刂圃?0ppmv以下；對無機(jī)HAP削減其總量的95%，或?qū)⑵渑欧艥舛瓤刂圃?.42ppmv以下?，F(xiàn)有企業(yè)2003年5月22日起三年內(nèi)需達(dá)到該標(biāo)準(zhǔn)，新建企業(yè)建成之日或2003年5月22日起達(dá)標(biāo)。美國賓夕

40、法尼亞規(guī)定的地區(qū)工作場所苯的排放限值為3.243mg/m，美國職業(yè)安全衛(wèi)生研究所(NIOSH)1976年提出車間苯的“應(yīng)急標(biāo)準(zhǔn)”(Emergency車間空氣中苯的閾限值1946年訂為100ppm，1947年降至50ppm。Standard)為1ppm(3.2 mg/m)，1948年為25ppm；當(dāng)時均為考慮苯有致白血病的可能性；1974年又修訂為10ppm，其上限值為25ppm，1976年提出苯可引起進(jìn)行性造血組織惡性疾病-白血病,對人類為一致癌物質(zhì)，為此大幅度降低其閾限值為1ppm，并提出以每分鐘1L流量采樣兩小時。此提議未被通過，主張苯應(yīng)用時禁止敞開操作，盡可能以低毒溶劑替代。1978年3

41、月職業(yè)安全衛(wèi)生管理局通過了苯的閾限值為1ppm，并提出預(yù)期的水平為0.5ppm。俄羅斯1994年批準(zhǔn)的車間空氣中有害物質(zhì)的最高容許濃度值中規(guī)定C2C10烯烴的最高濃度值為100 mg/m。世界銀行污染預(yù)防和削減手冊中規(guī)定電子制造業(yè)VOCs最高允許排放濃度為20 mg/m。歐盟以及德國、荷蘭等國家并未就電子元件方面規(guī)定排放標(biāo)準(zhǔn)，但對相關(guān)污染物有相應(yīng)的限值規(guī)定，如HF為5mg/m(德國、荷蘭)，HCl為30mg/m(德國、荷蘭), 硫酸為5mg/m(荷蘭)。日本在大氣污染物方面，只對其電子產(chǎn)品生產(chǎn)過程的涂布等工藝產(chǎn)生的VOCs進(jìn)行了規(guī)定，且規(guī)定的排風(fēng)量在5000 m以上，其排放量小于1400ppm

42、.。我國大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)（GB 16297-1996）中對苯系物等常見揮發(fā)性有機(jī)物和非甲烷總烴以及HCl、硫酸霧等都有相關(guān)的電子元件生產(chǎn)過程污染物排放限值。廣東省地方標(biāo)準(zhǔn)大氣污染物排放限值（DB 44/27-2001）也對上述電子元件生產(chǎn)過程污染物進(jìn)行了限值規(guī)定。我國福建省在1996年頒布了制鞋行業(yè)的大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)(DB 35/156-1996)，該標(biāo)準(zhǔn)對“三苯”廢氣的mg/m；甲苯和二甲苯，一級排放限值如下：苯，一級排放濃度為12 mg/m，二級排放濃度為17排放濃度為40 mg/m，二級排放濃度為60 mg/m。表6 中華人民共和國國家大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)（GB 16297-1996）

43、（表中/前的值為1997年1月1日前設(shè)立的污染源標(biāo)準(zhǔn)限值，表中/后的值為1997年1月1日后設(shè)立的污染源標(biāo)準(zhǔn)限值，無/表示兩者相同） 33333333333336序污最高允許排放濃3號 染度(mg/m)最高允許排放速率（kg/h）排氣筒一級（m） /無 15 20 禁 30 排 40 15 20 30 40 15 20 30 40 15 20 30 40 15 20 30 40 50 60禁 排二級 0.60/0.50 1.0/0.90 3.3/2.9 6.00/5.6 3.6/3.1 6.1/5.2 21/18 36/30 1.2/1.0 2.0/1.7 6.9/5.9 12/10 12/1

44、0 20/17 63/53 120/100三級 0.90/0.80 1.5/1.3 5.2/4.4 9.0/7.6 5.5/4.7 9.3/7.9 31/27 54/46 1.8/1.5 3.1/2.6 10/8.8 18/15 18/16 30/27 100/83 170/150無組織排放監(jiān)控濃度限值 監(jiān)控點濃度(mg/m)31 17/12周界外濃度最高點0.50/0.402甲60/40 周界外濃度最高點3.0/2.43二甲90/70 非150/120 甲（使用溶劑汽油烷或其他混合烴類總物質(zhì)） 禁 排周界外濃度最高點1.5/1.246.3 10 35 61周界外濃度最高點 (無組織排放源上風(fēng)

45、向設(shè)參照點，下風(fēng)向設(shè)監(jiān)控點)/( 周界外濃度最高點)5.0/4.05顆150/120 粒（其它） 21 3.5 14 24 36 51 4.1/3.5 6.9/5.9 27/23 46/39 70/60 100/85 5.9/5.0 10/8.5 40/34 69/59 110/94 150/1305.0（監(jiān)控點與參照點濃度差值）/1.06鉛及其0.90/0.70 化合15 20 30 40 50 60 70 80 90 100 15 20 30 40 50 60 70 80禁 排0.005/0.0040.007/0.0060.031/0.0270.055/0.0470.085/0.0720.

46、12/0.10 0.17/0.15 0.23/0.20 0.31/0.26 0.39/0.33 0.36/0.31 0.61/0.52 2.1/1.8 3.5/3.0 5.4/4.6 7.7/6.6 11/9.3 15/13370.007/0.0060.011/0.0090.048/0.0410.083/0.0710.13/0.11 0.18/0.15 0.26/0.22 0.35/0.30 0.47/0.40 0.60/0.51 0.55/0.47 0.93/0.79 3.1/2.7 5.4/4.6 8.2/7.0 12/10 17/14 22/19周界外濃度最高點 0.0075 /0.00

47、607錫及其10/8.5 化合禁 排周界外濃度最高點0.30/0.24序污最高允許排放濃3號 染度(mg/m)最高允許排放速率（kg/h）排氣筒（m） 15 20 30 40 50 60 70 80 25 30 40 50 60 70 80 15 20 30 40 50 60 70 80一級/無二級 0.12/0.10 0.20/0.17 0.69/0.59 1.2/1.0 1.8/1.5 2.6/2.2 3.6/3.1 4.9/4.2 0.018/0.15 0.31/0.26 1.0/0.88 1.8/1.5 2.7/2.3 3.9/3.3 5.5/4.6 1.8/1.5 3.1/2.6 1

48、0/8.8 18/15 27/23 39/33 55/46 74/63三級 0.18/0.15 0.31/0.26 1.0/0.88 1.8/1.5 2.7/2.3 3.9/3.3 5.5/4.7 0.28/0.24 0.4/0.39 1.6/1.3 2.7/2.3 4.1/3.5 5.9/5.0 8.3/7.0 2.8/2.4 4.60/3.9 16/13 27/23 41/35 59/50 83/70 110/95無組織排放監(jiān)控濃度限值 監(jiān)控點 (無組織排放源上風(fēng)向設(shè)參照點，下風(fēng)向設(shè)監(jiān)控點)/( 周界外濃度最高點)濃度(mg/m)38氟11/9.0 化(其它) 禁 排203(g/m)（監(jiān)控

49、點與參照點濃度差值）/203(g/m)9氯化2.3/1.9 禁 排 周界外濃度最高點0.030/0.024硫70/4510 酸(其它) 禁 排 周界外濃度最高點1.5 /1.2表7 廣東省地方標(biāo)準(zhǔn)大氣污染物排放限值（DB 44/27-2001）（表中/前的值為廣東省第一時段標(biāo)準(zhǔn)限值，即2002年1月1日前建設(shè)的項目，表中/后的值為廣東省第二時段標(biāo)準(zhǔn)限值，即2002年1月1日后建設(shè)的項目，無/表示兩者相同）序污號 染最高允許排放濃3度(mg/m) 最高允許排放速率（kg/h）排氣筒（m） 15 20 30 40 15 20 30 40一級/無 禁 排二級 0.50/0.42 0.90/0.70

50、2.9/2.3 5.6/4.2 3.1/2.5 5.2/4.3 18/15 30/25三級 0.80/0.3 1.3/1.0 4.4/3.6 7.6/6.3 4.7/3.8 7.9/6.5 27/22 46/38無組織排放監(jiān)控濃度限值 監(jiān)控點濃度3(mg/m)1 12周界外濃度最高點0.50/0.402甲40 禁 排 周界外濃度最高點3.0/2.438序污號 染最高允許排放濃3度(mg/m) 二甲70 非120 甲（使用溶劑汽油烷或其他混合烴類總物質(zhì)） 最高允許排放速率（kg/h）排氣筒（m） 15 20 30 40 15 20 30 40 15 20 30 40 50 60 15 20 30

51、 40 50 60 70 80 90 100 15 20 30 40 50 60 70 80 15 20 30 40 50 60一級/無 禁 排二級 1.0/0.84 1.7/1.4 5.9/4.8 10/8.4 10/8.4 17/14 53/44 100/84 3.5/2.9 5.9/4.8 23/19 39/32 60/49 85/70 0.0040.006/0.0050.027/0.0220.047/0.0380.072/0.0600.10/0.084 0.15/0.12 0.20/0.16 0.26/0.22 0.33/0.27 0.31/0.25 0.52/0.43 1.8/1.5

52、 3.0/2.4 4.6/3.8 6.6/5.4 9.3/7.7 13/10 0.10/0.084 0.17/0.14 0.59/0.48 1.0/0.84 1.5/1.3 2.2/1.8三級 1.5/1.3 2.6/2.2 8.8/7.0 15/13 16/13 27/21 83/70 150/120 5.0/4.1 8.5/7.0 34/28 59/48 94/77 130/100 0.006/0.0050.009/0.0080.041/0.0340.071/0.0580.11/0.091 0.15/0.13 0.22/0.18 0.30/0.24 0.40/0.33 0.51/0.42 0.47/0.38 0.79/0.65 2.7/