共生摻雜及磁性離子基團植入對鉍層狀材料電磁性能的影響

1、物理化學專業(yè)畢業(yè)論文 精品論文 共生摻雜及磁性離子基團植入對鉍層狀材料電磁性能的影響關鍵詞：鉍 鈣鈦礦結構 鐵電材料 鐵電存儲器 電磁性能摘要：鉍系層狀鈣鈦礦結構的鐵電材料在非易失性鐵電存儲器和高溫壓電陶瓷方面具有潛在的應用前景。這種材料反轉速度快，抗疲勞性能好，具有較高的鐵電居里溫度(Tc)和不含鉛污染的優(yōu)點。然而，由于自發(fā)極化被限制在ab平面內，典型的鉍層狀材料如B4Ti3O12(BIT,2Pr=15C/cm2)和SrBi4Ti4O15(SBTi，2Pr=6.2-13.0C/cm2)存在著剩余極化小、壓電活性低等不足，尚不能取代目前工業(yè)上廣泛使用的PZT來滿足工業(yè)化生產(chǎn)高密度存儲器和壓電傳

2、感器的需要。為了改善鉍層狀材料的性能，人們想出來許多辦法來改善它的性能。本論文主要工作是基于鉍層狀材料的改性研究，包括共生摻雜和磁性離子基團植入兩大部分，具體說來可以分為下面幾個部分： (1) A位Nd離子摻雜：我們用傳統(tǒng)固相反應法制備了系列Nd摻雜BIT-SBTi陶瓷樣品，并研究了其相應的鐵電、壓電、介電行為。借助于XRD和Raman散射，研究了Nd摻雜對其晶體結構和離子占位的影響。研究顯示，當Nd離子摻雜量為0.5時，材料的剩余極化和壓電系數(shù)同步達到最大值，分別為33.2C/cm2和14 pC/N。同比不摻雜的BIT-SBTi陶瓷，其增幅分別達到1.7倍和75，進一步增加Nd摻雜量，材料的

3、性能出現(xiàn)下降趨勢。借助于材料的復阻抗譜，發(fā)現(xiàn)材料的傳導激活能隨摻雜量的增加而而增加，這可以被看成是材料中氧空位濃度下降的直接證據(jù)。介電常數(shù)和介電損耗的溫度譜顯示，隨Nd摻雜量的增加，介電峰出現(xiàn)介電彌散的現(xiàn)象，但是在損耗的溫度譜中沒有能發(fā)現(xiàn)明顯的介電馳豫峰。和La摻雜相比，Nd摻雜并沒有引起所謂的馳豫鐵電體的特征，并初步給出了解釋。 (2)B位高價摻雜：本章研究了Nb、V和W摻雜Bi4Ti3O12-MBi4Ti4O15(BIT-MBTi，M=Ca, Sr)陶瓷材料的電性能。研究結果顯示，這樣的高價施主摻雜顯著增強了BIT-MBTi材料的鐵電剩余極化和壓電系數(shù)。其中W摻雜對BIT-SBTi材料的鐵

4、電剩余極化提升最大，而Nb摻雜BIT-SBTi材料的壓電性能提升最為明顯。Nb摻雜同樣也提升了BIT-CBTi的剩余極化和壓電系數(shù)，但沒有對BIT-SBTi的影響來得顯著。BIT-CBTi薄膜也表現(xiàn)出了較高的鐵電剩余極化值39C/cm2。電性能的增強是由于材料內部氧空位濃度的降低和動性的減弱所引起。材料內部傳導激活能隨摻雜量的增加直接給出了氧空位濃度減低的證據(jù)。在V摻雜BIT-SBTi的研究中發(fā)現(xiàn)了剩余極化的最大值和壓電系數(shù)的最大值不出現(xiàn)在同一摻雜量上，這被認為是V摻雜對材料內部疇壁的結構和密度的影響要比對氧空位濃度的影響來得更為顯著所致。BIT-CBTi的變溫介電譜出現(xiàn)了雙介電峰，分別位于6

5、58和728。對應于低溫的介電峰可能和材料中BIT組元的規(guī)整化有關，而高溫的介電峰則于材料的鐵電順電相變有關。 (3)用濕化學方法制備了含磁性離子基團的鉍層狀材料Bi5FeTi3O15(BFTO)。用XRD譜和Raman譜分析了其晶體結構。用AFM和FESEM觀察了其表面和斷面形貌。研究發(fā)現(xiàn)，在570 kV/cm外電場下，村料的鐵電剩余極化(2Pr)和矯頑場(Ec)分別達到35.5C/cm2和171kV/cm。剩余極化在285 kV/cm外場下經(jīng)過5.2×109反轉后降為66，BFTO和SBTi材料在Raman，譜和鐵電響應方面進行了對比分析。漏電流機制的研究發(fā)現(xiàn)，在50 kv/cm

6、到200 kV/cm的外場范圍內主要是Schottky發(fā)射機制起主導作用，在高于200 kV/cm的外場時，漏電流機制可能是多種混合機制共同起作用。 制備了基于傳統(tǒng)固相燒結工藝制備的Bi5Fe0.5Co0.5Ti3O15(BFCT)陶瓷，XRD和HRTEM顯示其層狀鈣鈦礦Aurivillius相已經(jīng)形成。其在230kV/cm電場下的電滯回線顯示樣品的2Pr約為13C/cm2，矯頑場約為140 kV/cm。這可能是局域Fe-O-Co基團的形成從而導致了它們之間的鐵磁耦合相互作用形成了BFCT較強的磁性能。這樣一種局域鐵磁耦合也是材料中出現(xiàn)自旋玻璃態(tài)的原因之一。正文內容 鉍系層狀鈣鈦礦結構的鐵電材

7、料在非易失性鐵電存儲器和高溫壓電陶瓷方面具有潛在的應用前景。這種材料反轉速度快，抗疲勞性能好，具有較高的鐵電居里溫度(Tc)和不含鉛污染的優(yōu)點。然而，由于自發(fā)極化被限制在ab平面內，典型的鉍層狀材料如B4Ti3O12(BIT,2Pr=15C/cm2)和SrBi4Ti4O15(SBTi，2Pr=6.2-13.0C/cm2)存在著剩余極化小、壓電活性低等不足，尚不能取代目前工業(yè)上廣泛使用的PZT來滿足工業(yè)化生產(chǎn)高密度存儲器和壓電傳感器的需要。為了改善鉍層狀材料的性能，人們想出來許多辦法來改善它的性能。本論文主要工作是基于鉍層狀材料的改性研究，包括共生摻雜和磁性離子基團植入兩大部分，具體說來可以分為

8、下面幾個部分： (1) A位Nd離子摻雜：我們用傳統(tǒng)固相反應法制備了系列Nd摻雜BIT-SBTi陶瓷樣品，并研究了其相應的鐵電、壓電、介電行為。借助于XRD和Raman散射，研究了Nd摻雜對其晶體結構和離子占位的影響。研究顯示，當Nd離子摻雜量為0.5時，材料的剩余極化和壓電系數(shù)同步達到最大值，分別為33.2C/cm2和14 pC/N。同比不摻雜的BIT-SBTi陶瓷，其增幅分別達到1.7倍和75，進一步增加Nd摻雜量，材料的性能出現(xiàn)下降趨勢。借助于材料的復阻抗譜，發(fā)現(xiàn)材料的傳導激活能隨摻雜量的增加而而增加，這可以被看成是材料中氧空位濃度下降的直接證據(jù)。介電常數(shù)和介電損耗的溫度譜顯示，隨Nd摻

9、雜量的增加，介電峰出現(xiàn)介電彌散的現(xiàn)象，但是在損耗的溫度譜中沒有能發(fā)現(xiàn)明顯的介電馳豫峰。和La摻雜相比，Nd摻雜并沒有引起所謂的馳豫鐵電體的特征，并初步給出了解釋。 (2)B位高價摻雜：本章研究了Nb、V和W摻雜Bi4Ti3O12-MBi4Ti4O15(BIT-MBTi，M=Ca, Sr)陶瓷材料的電性能。研究結果顯示，這樣的高價施主摻雜顯著增強了BIT-MBTi材料的鐵電剩余極化和壓電系數(shù)。其中W摻雜對BIT-SBTi材料的鐵電剩余極化提升最大，而Nb摻雜BIT-SBTi材料的壓電性能提升最為明顯。Nb摻雜同樣也提升了BIT-CBTi的剩余極化和壓電系數(shù)，但沒有對BIT-SBTi的影響來得顯著

10、。BIT-CBTi薄膜也表現(xiàn)出了較高的鐵電剩余極化值39C/cm2。電性能的增強是由于材料內部氧空位濃度的降低和動性的減弱所引起。材料內部傳導激活能隨摻雜量的增加直接給出了氧空位濃度減低的證據(jù)。在V摻雜BIT-SBTi的研究中發(fā)現(xiàn)了剩余極化的最大值和壓電系數(shù)的最大值不出現(xiàn)在同一摻雜量上，這被認為是V摻雜對材料內部疇壁的結構和密度的影響要比對氧空位濃度的影響來得更為顯著所致。BIT-CBTi的變溫介電譜出現(xiàn)了雙介電峰，分別位于658和728。對應于低溫的介電峰可能和材料中BIT組元的規(guī)整化有關，而高溫的介電峰則于材料的鐵電順電相變有關。 (3)用濕化學方法制備了含磁性離子基團的鉍層狀材料Bi5F

11、eTi3O15(BFTO)。用XRD譜和Raman譜分析了其晶體結構。用AFM和FESEM觀察了其表面和斷面形貌。研究發(fā)現(xiàn)，在570 kV/cm外電場下，村料的鐵電剩余極化(2Pr)和矯頑場(Ec)分別達到35.5C/cm2和171kV/cm。剩余極化在285 kV/cm外場下經(jīng)過5.2×109反轉后降為66，BFTO和SBTi材料在Raman，譜和鐵電響應方面進行了對比分析。漏電流機制的研究發(fā)現(xiàn)，在50 kv/cm到200 kV/cm的外場范圍內主要是Schottky發(fā)射機制起主導作用，在高于200 kV/cm的外場時，漏電流機制可能是多種混合機制共同起作用。 制備了基于傳統(tǒng)固相燒

12、結工藝制備的Bi5Fe0.5Co0.5Ti3O15(BFCT)陶瓷，XRD和HRTEM顯示其層狀鈣鈦礦Aurivillius相已經(jīng)形成。其在230kV/cm電場下的電滯回線顯示樣品的2Pr約為13C/cm2，矯頑場約為140 kV/cm。這可能是局域Fe-O-Co基團的形成從而導致了它們之間的鐵磁耦合相互作用形成了BFCT較強的磁性能。這樣一種局域鐵磁耦合也是材料中出現(xiàn)自旋玻璃態(tài)的原因之一。鉍系層狀鈣鈦礦結構的鐵電材料在非易失性鐵電存儲器和高溫壓電陶瓷方面具有潛在的應用前景。這種材料反轉速度快，抗疲勞性能好，具有較高的鐵電居里溫度(Tc)和不含鉛污染的優(yōu)點。然而，由于自發(fā)極化被限制在ab平面內

13、，典型的鉍層狀材料如B4Ti3O12(BIT,2Pr=15C/cm2)和SrBi4Ti4O15(SBTi，2Pr=6.2-13.0C/cm2)存在著剩余極化小、壓電活性低等不足，尚不能取代目前工業(yè)上廣泛使用的PZT來滿足工業(yè)化生產(chǎn)高密度存儲器和壓電傳感器的需要。為了改善鉍層狀材料的性能，人們想出來許多辦法來改善它的性能。本論文主要工作是基于鉍層狀材料的改性研究，包括共生摻雜和磁性離子基團植入兩大部分，具體說來可以分為下面幾個部分： (1) A位Nd離子摻雜：我們用傳統(tǒng)固相反應法制備了系列Nd摻雜BIT-SBTi陶瓷樣品，并研究了其相應的鐵電、壓電、介電行為。借助于XRD和Raman散射，研究了

14、Nd摻雜對其晶體結構和離子占位的影響。研究顯示，當Nd離子摻雜量為0.5時，材料的剩余極化和壓電系數(shù)同步達到最大值，分別為33.2C/cm2和14 pC/N。同比不摻雜的BIT-SBTi陶瓷，其增幅分別達到1.7倍和75，進一步增加Nd摻雜量，材料的性能出現(xiàn)下降趨勢。借助于材料的復阻抗譜，發(fā)現(xiàn)材料的傳導激活能隨摻雜量的增加而而增加，這可以被看成是材料中氧空位濃度下降的直接證據(jù)。介電常數(shù)和介電損耗的溫度譜顯示，隨Nd摻雜量的增加，介電峰出現(xiàn)介電彌散的現(xiàn)象，但是在損耗的溫度譜中沒有能發(fā)現(xiàn)明顯的介電馳豫峰。和La摻雜相比，Nd摻雜并沒有引起所謂的馳豫鐵電體的特征，并初步給出了解釋。 (2)B位高價摻

15、雜：本章研究了Nb、V和W摻雜Bi4Ti3O12-MBi4Ti4O15(BIT-MBTi，M=Ca, Sr)陶瓷材料的電性能。研究結果顯示，這樣的高價施主摻雜顯著增強了BIT-MBTi材料的鐵電剩余極化和壓電系數(shù)。其中W摻雜對BIT-SBTi材料的鐵電剩余極化提升最大，而Nb摻雜BIT-SBTi材料的壓電性能提升最為明顯。Nb摻雜同樣也提升了BIT-CBTi的剩余極化和壓電系數(shù)，但沒有對BIT-SBTi的影響來得顯著。BIT-CBTi薄膜也表現(xiàn)出了較高的鐵電剩余極化值39C/cm2。電性能的增強是由于材料內部氧空位濃度的降低和動性的減弱所引起。材料內部傳導激活能隨摻雜量的增加直接給出了氧空位濃

16、度減低的證據(jù)。在V摻雜BIT-SBTi的研究中發(fā)現(xiàn)了剩余極化的最大值和壓電系數(shù)的最大值不出現(xiàn)在同一摻雜量上，這被認為是V摻雜對材料內部疇壁的結構和密度的影響要比對氧空位濃度的影響來得更為顯著所致。BIT-CBTi的變溫介電譜出現(xiàn)了雙介電峰，分別位于658和728。對應于低溫的介電峰可能和材料中BIT組元的規(guī)整化有關，而高溫的介電峰則于材料的鐵電順電相變有關。 (3)用濕化學方法制備了含磁性離子基團的鉍層狀材料Bi5FeTi3O15(BFTO)。用XRD譜和Raman譜分析了其晶體結構。用AFM和FESEM觀察了其表面和斷面形貌。研究發(fā)現(xiàn)，在570 kV/cm外電場下，村料的鐵電剩余極化(2Pr

17、)和矯頑場(Ec)分別達到35.5C/cm2和171kV/cm。剩余極化在285 kV/cm外場下經(jīng)過5.2×109反轉后降為66，BFTO和SBTi材料在Raman，譜和鐵電響應方面進行了對比分析。漏電流機制的研究發(fā)現(xiàn)，在50 kv/cm到200 kV/cm的外場范圍內主要是Schottky發(fā)射機制起主導作用，在高于200 kV/cm的外場時，漏電流機制可能是多種混合機制共同起作用。 制備了基于傳統(tǒng)固相燒結工藝制備的Bi5Fe0.5Co0.5Ti3O15(BFCT)陶瓷，XRD和HRTEM顯示其層狀鈣鈦礦Aurivillius相已經(jīng)形成。其在230kV/cm電場下的電滯回線顯示樣品

18、的2Pr約為13C/cm2，矯頑場約為140 kV/cm。這可能是局域Fe-O-Co基團的形成從而導致了它們之間的鐵磁耦合相互作用形成了BFCT較強的磁性能。這樣一種局域鐵磁耦合也是材料中出現(xiàn)自旋玻璃態(tài)的原因之一。鉍系層狀鈣鈦礦結構的鐵電材料在非易失性鐵電存儲器和高溫壓電陶瓷方面具有潛在的應用前景。這種材料反轉速度快，抗疲勞性能好，具有較高的鐵電居里溫度(Tc)和不含鉛污染的優(yōu)點。然而，由于自發(fā)極化被限制在ab平面內，典型的鉍層狀材料如B4Ti3O12(BIT,2Pr=15C/cm2)和SrBi4Ti4O15(SBTi，2Pr=6.2-13.0C/cm2)存在著剩余極化小、壓電活性低等不足，尚

19、不能取代目前工業(yè)上廣泛使用的PZT來滿足工業(yè)化生產(chǎn)高密度存儲器和壓電傳感器的需要。為了改善鉍層狀材料的性能，人們想出來許多辦法來改善它的性能。本論文主要工作是基于鉍層狀材料的改性研究，包括共生摻雜和磁性離子基團植入兩大部分，具體說來可以分為下面幾個部分： (1) A位Nd離子摻雜：我們用傳統(tǒng)固相反應法制備了系列Nd摻雜BIT-SBTi陶瓷樣品，并研究了其相應的鐵電、壓電、介電行為。借助于XRD和Raman散射，研究了Nd摻雜對其晶體結構和離子占位的影響。研究顯示，當Nd離子摻雜量為0.5時，材料的剩余極化和壓電系數(shù)同步達到最大值，分別為33.2C/cm2和14 pC/N。同比不摻雜的BIT-S

20、BTi陶瓷，其增幅分別達到1.7倍和75，進一步增加Nd摻雜量，材料的性能出現(xiàn)下降趨勢。借助于材料的復阻抗譜，發(fā)現(xiàn)材料的傳導激活能隨摻雜量的增加而而增加，這可以被看成是材料中氧空位濃度下降的直接證據(jù)。介電常數(shù)和介電損耗的溫度譜顯示，隨Nd摻雜量的增加，介電峰出現(xiàn)介電彌散的現(xiàn)象，但是在損耗的溫度譜中沒有能發(fā)現(xiàn)明顯的介電馳豫峰。和La摻雜相比，Nd摻雜并沒有引起所謂的馳豫鐵電體的特征，并初步給出了解釋。 (2)B位高價摻雜：本章研究了Nb、V和W摻雜Bi4Ti3O12-MBi4Ti4O15(BIT-MBTi，M=Ca, Sr)陶瓷材料的電性能。研究結果顯示，這樣的高價施主摻雜顯著增強了BIT-MB

21、Ti材料的鐵電剩余極化和壓電系數(shù)。其中W摻雜對BIT-SBTi材料的鐵電剩余極化提升最大，而Nb摻雜BIT-SBTi材料的壓電性能提升最為明顯。Nb摻雜同樣也提升了BIT-CBTi的剩余極化和壓電系數(shù)，但沒有對BIT-SBTi的影響來得顯著。BIT-CBTi薄膜也表現(xiàn)出了較高的鐵電剩余極化值39C/cm2。電性能的增強是由于材料內部氧空位濃度的降低和動性的減弱所引起。材料內部傳導激活能隨摻雜量的增加直接給出了氧空位濃度減低的證據(jù)。在V摻雜BIT-SBTi的研究中發(fā)現(xiàn)了剩余極化的最大值和壓電系數(shù)的最大值不出現(xiàn)在同一摻雜量上，這被認為是V摻雜對材料內部疇壁的結構和密度的影響要比對氧空位濃度的影響來

22、得更為顯著所致。BIT-CBTi的變溫介電譜出現(xiàn)了雙介電峰，分別位于658和728。對應于低溫的介電峰可能和材料中BIT組元的規(guī)整化有關，而高溫的介電峰則于材料的鐵電順電相變有關。 (3)用濕化學方法制備了含磁性離子基團的鉍層狀材料Bi5FeTi3O15(BFTO)。用XRD譜和Raman譜分析了其晶體結構。用AFM和FESEM觀察了其表面和斷面形貌。研究發(fā)現(xiàn)，在570 kV/cm外電場下，村料的鐵電剩余極化(2Pr)和矯頑場(Ec)分別達到35.5C/cm2和171kV/cm。剩余極化在285 kV/cm外場下經(jīng)過5.2×109反轉后降為66，BFTO和SBTi材料在Raman，譜

23、和鐵電響應方面進行了對比分析。漏電流機制的研究發(fā)現(xiàn)，在50 kv/cm到200 kV/cm的外場范圍內主要是Schottky發(fā)射機制起主導作用，在高于200 kV/cm的外場時，漏電流機制可能是多種混合機制共同起作用。 制備了基于傳統(tǒng)固相燒結工藝制備的Bi5Fe0.5Co0.5Ti3O15(BFCT)陶瓷，XRD和HRTEM顯示其層狀鈣鈦礦Aurivillius相已經(jīng)形成。其在230kV/cm電場下的電滯回線顯示樣品的2Pr約為13C/cm2，矯頑場約為140 kV/cm。這可能是局域Fe-O-Co基團的形成從而導致了它們之間的鐵磁耦合相互作用形成了BFCT較強的磁性能。這樣一種局域鐵磁耦合也

24、是材料中出現(xiàn)自旋玻璃態(tài)的原因之一。鉍系層狀鈣鈦礦結構的鐵電材料在非易失性鐵電存儲器和高溫壓電陶瓷方面具有潛在的應用前景。這種材料反轉速度快，抗疲勞性能好，具有較高的鐵電居里溫度(Tc)和不含鉛污染的優(yōu)點。然而，由于自發(fā)極化被限制在ab平面內，典型的鉍層狀材料如B4Ti3O12(BIT,2Pr=15C/cm2)和SrBi4Ti4O15(SBTi，2Pr=6.2-13.0C/cm2)存在著剩余極化小、壓電活性低等不足，尚不能取代目前工業(yè)上廣泛使用的PZT來滿足工業(yè)化生產(chǎn)高密度存儲器和壓電傳感器的需要。為了改善鉍層狀材料的性能，人們想出來許多辦法來改善它的性能。本論文主要工作是基于鉍層狀材料的改性研

25、究，包括共生摻雜和磁性離子基團植入兩大部分，具體說來可以分為下面幾個部分： (1) A位Nd離子摻雜：我們用傳統(tǒng)固相反應法制備了系列Nd摻雜BIT-SBTi陶瓷樣品，并研究了其相應的鐵電、壓電、介電行為。借助于XRD和Raman散射，研究了Nd摻雜對其晶體結構和離子占位的影響。研究顯示，當Nd離子摻雜量為0.5時，材料的剩余極化和壓電系數(shù)同步達到最大值，分別為33.2C/cm2和14 pC/N。同比不摻雜的BIT-SBTi陶瓷，其增幅分別達到1.7倍和75，進一步增加Nd摻雜量，材料的性能出現(xiàn)下降趨勢。借助于材料的復阻抗譜，發(fā)現(xiàn)材料的傳導激活能隨摻雜量的增加而而增加，這可以被看成是材料中氧空位

26、濃度下降的直接證據(jù)。介電常數(shù)和介電損耗的溫度譜顯示，隨Nd摻雜量的增加，介電峰出現(xiàn)介電彌散的現(xiàn)象，但是在損耗的溫度譜中沒有能發(fā)現(xiàn)明顯的介電馳豫峰。和La摻雜相比，Nd摻雜并沒有引起所謂的馳豫鐵電體的特征，并初步給出了解釋。 (2)B位高價摻雜：本章研究了Nb、V和W摻雜Bi4Ti3O12-MBi4Ti4O15(BIT-MBTi，M=Ca, Sr)陶瓷材料的電性能。研究結果顯示，這樣的高價施主摻雜顯著增強了BIT-MBTi材料的鐵電剩余極化和壓電系數(shù)。其中W摻雜對BIT-SBTi材料的鐵電剩余極化提升最大，而Nb摻雜BIT-SBTi材料的壓電性能提升最為明顯。Nb摻雜同樣也提升了BIT-CBTi

27、的剩余極化和壓電系數(shù)，但沒有對BIT-SBTi的影響來得顯著。BIT-CBTi薄膜也表現(xiàn)出了較高的鐵電剩余極化值39C/cm2。電性能的增強是由于材料內部氧空位濃度的降低和動性的減弱所引起。材料內部傳導激活能隨摻雜量的增加直接給出了氧空位濃度減低的證據(jù)。在V摻雜BIT-SBTi的研究中發(fā)現(xiàn)了剩余極化的最大值和壓電系數(shù)的最大值不出現(xiàn)在同一摻雜量上，這被認為是V摻雜對材料內部疇壁的結構和密度的影響要比對氧空位濃度的影響來得更為顯著所致。BIT-CBTi的變溫介電譜出現(xiàn)了雙介電峰，分別位于658和728。對應于低溫的介電峰可能和材料中BIT組元的規(guī)整化有關，而高溫的介電峰則于材料的鐵電順電相變有關。

28、 (3)用濕化學方法制備了含磁性離子基團的鉍層狀材料Bi5FeTi3O15(BFTO)。用XRD譜和Raman譜分析了其晶體結構。用AFM和FESEM觀察了其表面和斷面形貌。研究發(fā)現(xiàn)，在570 kV/cm外電場下，村料的鐵電剩余極化(2Pr)和矯頑場(Ec)分別達到35.5C/cm2和171kV/cm。剩余極化在285 kV/cm外場下經(jīng)過5.2×109反轉后降為66，BFTO和SBTi材料在Raman，譜和鐵電響應方面進行了對比分析。漏電流機制的研究發(fā)現(xiàn)，在50 kv/cm到200 kV/cm的外場范圍內主要是Schottky發(fā)射機制起主導作用，在高于200 kV/cm的外場時，漏

29、電流機制可能是多種混合機制共同起作用。 制備了基于傳統(tǒng)固相燒結工藝制備的Bi5Fe0.5Co0.5Ti3O15(BFCT)陶瓷，XRD和HRTEM顯示其層狀鈣鈦礦Aurivillius相已經(jīng)形成。其在230kV/cm電場下的電滯回線顯示樣品的2Pr約為13C/cm2，矯頑場約為140 kV/cm。這可能是局域Fe-O-Co基團的形成從而導致了它們之間的鐵磁耦合相互作用形成了BFCT較強的磁性能。這樣一種局域鐵磁耦合也是材料中出現(xiàn)自旋玻璃態(tài)的原因之一。鉍系層狀鈣鈦礦結構的鐵電材料在非易失性鐵電存儲器和高溫壓電陶瓷方面具有潛在的應用前景。這種材料反轉速度快，抗疲勞性能好，具有較高的鐵電居里溫度(T

30、c)和不含鉛污染的優(yōu)點。然而，由于自發(fā)極化被限制在ab平面內，典型的鉍層狀材料如B4Ti3O12(BIT,2Pr=15C/cm2)和SrBi4Ti4O15(SBTi，2Pr=6.2-13.0C/cm2)存在著剩余極化小、壓電活性低等不足，尚不能取代目前工業(yè)上廣泛使用的PZT來滿足工業(yè)化生產(chǎn)高密度存儲器和壓電傳感器的需要。為了改善鉍層狀材料的性能，人們想出來許多辦法來改善它的性能。本論文主要工作是基于鉍層狀材料的改性研究，包括共生摻雜和磁性離子基團植入兩大部分，具體說來可以分為下面幾個部分： (1) A位Nd離子摻雜：我們用傳統(tǒng)固相反應法制備了系列Nd摻雜BIT-SBTi陶瓷樣品，并研究了其相應

31、的鐵電、壓電、介電行為。借助于XRD和Raman散射，研究了Nd摻雜對其晶體結構和離子占位的影響。研究顯示，當Nd離子摻雜量為0.5時，材料的剩余極化和壓電系數(shù)同步達到最大值，分別為33.2C/cm2和14 pC/N。同比不摻雜的BIT-SBTi陶瓷，其增幅分別達到1.7倍和75，進一步增加Nd摻雜量，材料的性能出現(xiàn)下降趨勢。借助于材料的復阻抗譜，發(fā)現(xiàn)材料的傳導激活能隨摻雜量的增加而而增加，這可以被看成是材料中氧空位濃度下降的直接證據(jù)。介電常數(shù)和介電損耗的溫度譜顯示，隨Nd摻雜量的增加，介電峰出現(xiàn)介電彌散的現(xiàn)象，但是在損耗的溫度譜中沒有能發(fā)現(xiàn)明顯的介電馳豫峰。和La摻雜相比，Nd摻雜并沒有引起

32、所謂的馳豫鐵電體的特征，并初步給出了解釋。 (2)B位高價摻雜：本章研究了Nb、V和W摻雜Bi4Ti3O12-MBi4Ti4O15(BIT-MBTi，M=Ca, Sr)陶瓷材料的電性能。研究結果顯示，這樣的高價施主摻雜顯著增強了BIT-MBTi材料的鐵電剩余極化和壓電系數(shù)。其中W摻雜對BIT-SBTi材料的鐵電剩余極化提升最大，而Nb摻雜BIT-SBTi材料的壓電性能提升最為明顯。Nb摻雜同樣也提升了BIT-CBTi的剩余極化和壓電系數(shù)，但沒有對BIT-SBTi的影響來得顯著。BIT-CBTi薄膜也表現(xiàn)出了較高的鐵電剩余極化值39C/cm2。電性能的增強是由于材料內部氧空位濃度的降低和動性的減

33、弱所引起。材料內部傳導激活能隨摻雜量的增加直接給出了氧空位濃度減低的證據(jù)。在V摻雜BIT-SBTi的研究中發(fā)現(xiàn)了剩余極化的最大值和壓電系數(shù)的最大值不出現(xiàn)在同一摻雜量上，這被認為是V摻雜對材料內部疇壁的結構和密度的影響要比對氧空位濃度的影響來得更為顯著所致。BIT-CBTi的變溫介電譜出現(xiàn)了雙介電峰，分別位于658和728。對應于低溫的介電峰可能和材料中BIT組元的規(guī)整化有關，而高溫的介電峰則于材料的鐵電順電相變有關。 (3)用濕化學方法制備了含磁性離子基團的鉍層狀材料Bi5FeTi3O15(BFTO)。用XRD譜和Raman譜分析了其晶體結構。用AFM和FESEM觀察了其表面和斷面形貌。研究發(fā)

34、現(xiàn)，在570 kV/cm外電場下，村料的鐵電剩余極化(2Pr)和矯頑場(Ec)分別達到35.5C/cm2和171kV/cm。剩余極化在285 kV/cm外場下經(jīng)過5.2×109反轉后降為66，BFTO和SBTi材料在Raman，譜和鐵電響應方面進行了對比分析。漏電流機制的研究發(fā)現(xiàn)，在50 kv/cm到200 kV/cm的外場范圍內主要是Schottky發(fā)射機制起主導作用，在高于200 kV/cm的外場時，漏電流機制可能是多種混合機制共同起作用。 制備了基于傳統(tǒng)固相燒結工藝制備的Bi5Fe0.5Co0.5Ti3O15(BFCT)陶瓷，XRD和HRTEM顯示其層狀鈣鈦礦Aurivilli

35、us相已經(jīng)形成。其在230kV/cm電場下的電滯回線顯示樣品的2Pr約為13C/cm2，矯頑場約為140 kV/cm。這可能是局域Fe-O-Co基團的形成從而導致了它們之間的鐵磁耦合相互作用形成了BFCT較強的磁性能。這樣一種局域鐵磁耦合也是材料中出現(xiàn)自旋玻璃態(tài)的原因之一。鉍系層狀鈣鈦礦結構的鐵電材料在非易失性鐵電存儲器和高溫壓電陶瓷方面具有潛在的應用前景。這種材料反轉速度快，抗疲勞性能好，具有較高的鐵電居里溫度(Tc)和不含鉛污染的優(yōu)點。然而，由于自發(fā)極化被限制在ab平面內，典型的鉍層狀材料如B4Ti3O12(BIT,2Pr=15C/cm2)和SrBi4Ti4O15(SBTi，2Pr=6.2

36、-13.0C/cm2)存在著剩余極化小、壓電活性低等不足，尚不能取代目前工業(yè)上廣泛使用的PZT來滿足工業(yè)化生產(chǎn)高密度存儲器和壓電傳感器的需要。為了改善鉍層狀材料的性能，人們想出來許多辦法來改善它的性能。本論文主要工作是基于鉍層狀材料的改性研究，包括共生摻雜和磁性離子基團植入兩大部分，具體說來可以分為下面幾個部分： (1) A位Nd離子摻雜：我們用傳統(tǒng)固相反應法制備了系列Nd摻雜BIT-SBTi陶瓷樣品，并研究了其相應的鐵電、壓電、介電行為。借助于XRD和Raman散射，研究了Nd摻雜對其晶體結構和離子占位的影響。研究顯示，當Nd離子摻雜量為0.5時，材料的剩余極化和壓電系數(shù)同步達到最大值，分別

37、為33.2C/cm2和14 pC/N。同比不摻雜的BIT-SBTi陶瓷，其增幅分別達到1.7倍和75，進一步增加Nd摻雜量，材料的性能出現(xiàn)下降趨勢。借助于材料的復阻抗譜，發(fā)現(xiàn)材料的傳導激活能隨摻雜量的增加而而增加，這可以被看成是材料中氧空位濃度下降的直接證據(jù)。介電常數(shù)和介電損耗的溫度譜顯示，隨Nd摻雜量的增加，介電峰出現(xiàn)介電彌散的現(xiàn)象，但是在損耗的溫度譜中沒有能發(fā)現(xiàn)明顯的介電馳豫峰。和La摻雜相比，Nd摻雜并沒有引起所謂的馳豫鐵電體的特征，并初步給出了解釋。 (2)B位高價摻雜：本章研究了Nb、V和W摻雜Bi4Ti3O12-MBi4Ti4O15(BIT-MBTi，M=Ca, Sr)陶瓷材料的電

38、性能。研究結果顯示，這樣的高價施主摻雜顯著增強了BIT-MBTi材料的鐵電剩余極化和壓電系數(shù)。其中W摻雜對BIT-SBTi材料的鐵電剩余極化提升最大，而Nb摻雜BIT-SBTi材料的壓電性能提升最為明顯。Nb摻雜同樣也提升了BIT-CBTi的剩余極化和壓電系數(shù)，但沒有對BIT-SBTi的影響來得顯著。BIT-CBTi薄膜也表現(xiàn)出了較高的鐵電剩余極化值39C/cm2。電性能的增強是由于材料內部氧空位濃度的降低和動性的減弱所引起。材料內部傳導激活能隨摻雜量的增加直接給出了氧空位濃度減低的證據(jù)。在V摻雜BIT-SBTi的研究中發(fā)現(xiàn)了剩余極化的最大值和壓電系數(shù)的最大值不出現(xiàn)在同一摻雜量上，這被認為是V

39、摻雜對材料內部疇壁的結構和密度的影響要比對氧空位濃度的影響來得更為顯著所致。BIT-CBTi的變溫介電譜出現(xiàn)了雙介電峰，分別位于658和728。對應于低溫的介電峰可能和材料中BIT組元的規(guī)整化有關，而高溫的介電峰則于材料的鐵電順電相變有關。 (3)用濕化學方法制備了含磁性離子基團的鉍層狀材料Bi5FeTi3O15(BFTO)。用XRD譜和Raman譜分析了其晶體結構。用AFM和FESEM觀察了其表面和斷面形貌。研究發(fā)現(xiàn)，在570 kV/cm外電場下，村料的鐵電剩余極化(2Pr)和矯頑場(Ec)分別達到35.5C/cm2和171kV/cm。剩余極化在285 kV/cm外場下經(jīng)過5.2×

40、109反轉后降為66，BFTO和SBTi材料在Raman，譜和鐵電響應方面進行了對比分析。漏電流機制的研究發(fā)現(xiàn)，在50 kv/cm到200 kV/cm的外場范圍內主要是Schottky發(fā)射機制起主導作用，在高于200 kV/cm的外場時，漏電流機制可能是多種混合機制共同起作用。 制備了基于傳統(tǒng)固相燒結工藝制備的Bi5Fe0.5Co0.5Ti3O15(BFCT)陶瓷，XRD和HRTEM顯示其層狀鈣鈦礦Aurivillius相已經(jīng)形成。其在230kV/cm電場下的電滯回線顯示樣品的2Pr約為13C/cm2，矯頑場約為140 kV/cm。這可能是局域Fe-O-Co基團的形成從而導致了它們之間的鐵磁耦

41、合相互作用形成了BFCT較強的磁性能。這樣一種局域鐵磁耦合也是材料中出現(xiàn)自旋玻璃態(tài)的原因之一。鉍系層狀鈣鈦礦結構的鐵電材料在非易失性鐵電存儲器和高溫壓電陶瓷方面具有潛在的應用前景。這種材料反轉速度快，抗疲勞性能好，具有較高的鐵電居里溫度(Tc)和不含鉛污染的優(yōu)點。然而，由于自發(fā)極化被限制在ab平面內，典型的鉍層狀材料如B4Ti3O12(BIT,2Pr=15C/cm2)和SrBi4Ti4O15(SBTi，2Pr=6.2-13.0C/cm2)存在著剩余極化小、壓電活性低等不足，尚不能取代目前工業(yè)上廣泛使用的PZT來滿足工業(yè)化生產(chǎn)高密度存儲器和壓電傳感器的需要。為了改善鉍層狀材料的性能，人們想出來許

42、多辦法來改善它的性能。本論文主要工作是基于鉍層狀材料的改性研究，包括共生摻雜和磁性離子基團植入兩大部分，具體說來可以分為下面幾個部分： (1) A位Nd離子摻雜：我們用傳統(tǒng)固相反應法制備了系列Nd摻雜BIT-SBTi陶瓷樣品，并研究了其相應的鐵電、壓電、介電行為。借助于XRD和Raman散射，研究了Nd摻雜對其晶體結構和離子占位的影響。研究顯示，當Nd離子摻雜量為0.5時，材料的剩余極化和壓電系數(shù)同步達到最大值，分別為33.2C/cm2和14 pC/N。同比不摻雜的BIT-SBTi陶瓷，其增幅分別達到1.7倍和75，進一步增加Nd摻雜量，材料的性能出現(xiàn)下降趨勢。借助于材料的復阻抗譜，發(fā)現(xiàn)材料的

43、傳導激活能隨摻雜量的增加而而增加，這可以被看成是材料中氧空位濃度下降的直接證據(jù)。介電常數(shù)和介電損耗的溫度譜顯示，隨Nd摻雜量的增加，介電峰出現(xiàn)介電彌散的現(xiàn)象，但是在損耗的溫度譜中沒有能發(fā)現(xiàn)明顯的介電馳豫峰。和La摻雜相比，Nd摻雜并沒有引起所謂的馳豫鐵電體的特征，并初步給出了解釋。 (2)B位高價摻雜：本章研究了Nb、V和W摻雜Bi4Ti3O12-MBi4Ti4O15(BIT-MBTi，M=Ca, Sr)陶瓷材料的電性能。研究結果顯示，這樣的高價施主摻雜顯著增強了BIT-MBTi材料的鐵電剩余極化和壓電系數(shù)。其中W摻雜對BIT-SBTi材料的鐵電剩余極化提升最大，而Nb摻雜BIT-SBTi材料

44、的壓電性能提升最為明顯。Nb摻雜同樣也提升了BIT-CBTi的剩余極化和壓電系數(shù)，但沒有對BIT-SBTi的影響來得顯著。BIT-CBTi薄膜也表現(xiàn)出了較高的鐵電剩余極化值39C/cm2。電性能的增強是由于材料內部氧空位濃度的降低和動性的減弱所引起。材料內部傳導激活能隨摻雜量的增加直接給出了氧空位濃度減低的證據(jù)。在V摻雜BIT-SBTi的研究中發(fā)現(xiàn)了剩余極化的最大值和壓電系數(shù)的最大值不出現(xiàn)在同一摻雜量上，這被認為是V摻雜對材料內部疇壁的結構和密度的影響要比對氧空位濃度的影響來得更為顯著所致。BIT-CBTi的變溫介電譜出現(xiàn)了雙介電峰，分別位于658和728。對應于低溫的介電峰可能和材料中BIT

45、組元的規(guī)整化有關，而高溫的介電峰則于材料的鐵電順電相變有關。 (3)用濕化學方法制備了含磁性離子基團的鉍層狀材料Bi5FeTi3O15(BFTO)。用XRD譜和Raman譜分析了其晶體結構。用AFM和FESEM觀察了其表面和斷面形貌。研究發(fā)現(xiàn)，在570 kV/cm外電場下，村料的鐵電剩余極化(2Pr)和矯頑場(Ec)分別達到35.5C/cm2和171kV/cm。剩余極化在285 kV/cm外場下經(jīng)過5.2×109反轉后降為66，BFTO和SBTi材料在Raman，譜和鐵電響應方面進行了對比分析。漏電流機制的研究發(fā)現(xiàn)，在50 kv/cm到200 kV/cm的外場范圍內主要是Schott

46、ky發(fā)射機制起主導作用，在高于200 kV/cm的外場時，漏電流機制可能是多種混合機制共同起作用。 制備了基于傳統(tǒng)固相燒結工藝制備的Bi5Fe0.5Co0.5Ti3O15(BFCT)陶瓷，XRD和HRTEM顯示其層狀鈣鈦礦Aurivillius相已經(jīng)形成。其在230kV/cm電場下的電滯回線顯示樣品的2Pr約為13C/cm2，矯頑場約為140 kV/cm。這可能是局域Fe-O-Co基團的形成從而導致了它們之間的鐵磁耦合相互作用形成了BFCT較強的磁性能。這樣一種局域鐵磁耦合也是材料中出現(xiàn)自旋玻璃態(tài)的原因之一。鉍系層狀鈣鈦礦結構的鐵電材料在非易失性鐵電存儲器和高溫壓電陶瓷方面具有潛在的應用前景。

47、這種材料反轉速度快，抗疲勞性能好，具有較高的鐵電居里溫度(Tc)和不含鉛污染的優(yōu)點。然而，由于自發(fā)極化被限制在ab平面內，典型的鉍層狀材料如B4Ti3O12(BIT,2Pr=15C/cm2)和SrBi4Ti4O15(SBTi，2Pr=6.2-13.0C/cm2)存在著剩余極化小、壓電活性低等不足，尚不能取代目前工業(yè)上廣泛使用的PZT來滿足工業(yè)化生產(chǎn)高密度存儲器和壓電傳感器的需要。為了改善鉍層狀材料的性能，人們想出來許多辦法來改善它的性能。本論文主要工作是基于鉍層狀材料的改性研究，包括共生摻雜和磁性離子基團植入兩大部分，具體說來可以分為下面幾個部分： (1) A位Nd離子摻雜：我們用傳統(tǒng)固相反應

48、法制備了系列Nd摻雜BIT-SBTi陶瓷樣品，并研究了其相應的鐵電、壓電、介電行為。借助于XRD和Raman散射，研究了Nd摻雜對其晶體結構和離子占位的影響。研究顯示，當Nd離子摻雜量為0.5時，材料的剩余極化和壓電系數(shù)同步達到最大值，分別為33.2C/cm2和14 pC/N。同比不摻雜的BIT-SBTi陶瓷，其增幅分別達到1.7倍和75，進一步增加Nd摻雜量，材料的性能出現(xiàn)下降趨勢。借助于材料的復阻抗譜，發(fā)現(xiàn)材料的傳導激活能隨摻雜量的增加而而增加，這可以被看成是材料中氧空位濃度下降的直接證據(jù)。介電常數(shù)和介電損耗的溫度譜顯示，隨Nd摻雜量的增加，介電峰出現(xiàn)介電彌散的現(xiàn)象，但是在損耗的溫度譜中沒

49、有能發(fā)現(xiàn)明顯的介電馳豫峰。和La摻雜相比，Nd摻雜并沒有引起所謂的馳豫鐵電體的特征，并初步給出了解釋。 (2)B位高價摻雜：本章研究了Nb、V和W摻雜Bi4Ti3O12-MBi4Ti4O15(BIT-MBTi，M=Ca, Sr)陶瓷材料的電性能。研究結果顯示，這樣的高價施主摻雜顯著增強了BIT-MBTi材料的鐵電剩余極化和壓電系數(shù)。其中W摻雜對BIT-SBTi材料的鐵電剩余極化提升最大，而Nb摻雜BIT-SBTi材料的壓電性能提升最為明顯。Nb摻雜同樣也提升了BIT-CBTi的剩余極化和壓電系數(shù)，但沒有對BIT-SBTi的影響來得顯著。BIT-CBTi薄膜也表現(xiàn)出了較高的鐵電剩余極化值39C/

50、cm2。電性能的增強是由于材料內部氧空位濃度的降低和動性的減弱所引起。材料內部傳導激活能隨摻雜量的增加直接給出了氧空位濃度減低的證據(jù)。在V摻雜BIT-SBTi的研究中發(fā)現(xiàn)了剩余極化的最大值和壓電系數(shù)的最大值不出現(xiàn)在同一摻雜量上，這被認為是V摻雜對材料內部疇壁的結構和密度的影響要比對氧空位濃度的影響來得更為顯著所致。BIT-CBTi的變溫介電譜出現(xiàn)了雙介電峰，分別位于658和728。對應于低溫的介電峰可能和材料中BIT組元的規(guī)整化有關，而高溫的介電峰則于材料的鐵電順電相變有關。 (3)用濕化學方法制備了含磁性離子基團的鉍層狀材料Bi5FeTi3O15(BFTO)。用XRD譜和Raman譜分析了其

51、晶體結構。用AFM和FESEM觀察了其表面和斷面形貌。研究發(fā)現(xiàn)，在570 kV/cm外電場下，村料的鐵電剩余極化(2Pr)和矯頑場(Ec)分別達到35.5C/cm2和171kV/cm。剩余極化在285 kV/cm外場下經(jīng)過5.2×109反轉后降為66，BFTO和SBTi材料在Raman，譜和鐵電響應方面進行了對比分析。漏電流機制的研究發(fā)現(xiàn)，在50 kv/cm到200 kV/cm的外場范圍內主要是Schottky發(fā)射機制起主導作用，在高于200 kV/cm的外場時，漏電流機制可能是多種混合機制共同起作用。 制備了基于傳統(tǒng)固相燒結工藝制備的Bi5Fe0.5Co0.5Ti3O15(BFCT

52、)陶瓷，XRD和HRTEM顯示其層狀鈣鈦礦Aurivillius相已經(jīng)形成。其在230kV/cm電場下的電滯回線顯示樣品的2Pr約為13C/cm2，矯頑場約為140 kV/cm。這可能是局域Fe-O-Co基團的形成從而導致了它們之間的鐵磁耦合相互作用形成了BFCT較強的磁性能。這樣一種局域鐵磁耦合也是材料中出現(xiàn)自旋玻璃態(tài)的原因之一。鉍系層狀鈣鈦礦結構的鐵電材料在非易失性鐵電存儲器和高溫壓電陶瓷方面具有潛在的應用前景。這種材料反轉速度快，抗疲勞性能好，具有較高的鐵電居里溫度(Tc)和不含鉛污染的優(yōu)點。然而，由于自發(fā)極化被限制在ab平面內，典型的鉍層狀材料如B4Ti3O12(BIT,2Pr=15C

53、/cm2)和SrBi4Ti4O15(SBTi，2Pr=6.2-13.0C/cm2)存在著剩余極化小、壓電活性低等不足，尚不能取代目前工業(yè)上廣泛使用的PZT來滿足工業(yè)化生產(chǎn)高密度存儲器和壓電傳感器的需要。為了改善鉍層狀材料的性能，人們想出來許多辦法來改善它的性能。本論文主要工作是基于鉍層狀材料的改性研究，包括共生摻雜和磁性離子基團植入兩大部分，具體說來可以分為下面幾個部分： (1) A位Nd離子摻雜：我們用傳統(tǒng)固相反應法制備了系列Nd摻雜BIT-SBTi陶瓷樣品，并研究了其相應的鐵電、壓電、介電行為。借助于XRD和Raman散射，研究了Nd摻雜對其晶體結構和離子占位的影響。研究顯示，當Nd離子摻

54、雜量為0.5時，材料的剩余極化和壓電系數(shù)同步達到最大值，分別為33.2C/cm2和14 pC/N。同比不摻雜的BIT-SBTi陶瓷，其增幅分別達到1.7倍和75，進一步增加Nd摻雜量，材料的性能出現(xiàn)下降趨勢。借助于材料的復阻抗譜，發(fā)現(xiàn)材料的傳導激活能隨摻雜量的增加而而增加，這可以被看成是材料中氧空位濃度下降的直接證據(jù)。介電常數(shù)和介電損耗的溫度譜顯示，隨Nd摻雜量的增加，介電峰出現(xiàn)介電彌散的現(xiàn)象，但是在損耗的溫度譜中沒有能發(fā)現(xiàn)明顯的介電馳豫峰。和La摻雜相比，Nd摻雜并沒有引起所謂的馳豫鐵電體的特征，并初步給出了解釋。 (2)B位高價摻雜：本章研究了Nb、V和W摻雜Bi4Ti3O12-MBi4T

55、i4O15(BIT-MBTi，M=Ca, Sr)陶瓷材料的電性能。研究結果顯示，這樣的高價施主摻雜顯著增強了BIT-MBTi材料的鐵電剩余極化和壓電系數(shù)。其中W摻雜對BIT-SBTi材料的鐵電剩余極化提升最大，而Nb摻雜BIT-SBTi材料的壓電性能提升最為明顯。Nb摻雜同樣也提升了BIT-CBTi的剩余極化和壓電系數(shù)，但沒有對BIT-SBTi的影響來得顯著。BIT-CBTi薄膜也表現(xiàn)出了較高的鐵電剩余極化值39C/cm2。電性能的增強是由于材料內部氧空位濃度的降低和動性的減弱所引起。材料內部傳導激活能隨摻雜量的增加直接給出了氧空位濃度減低的證據(jù)。在V摻雜BIT-SBTi的研究中發(fā)現(xiàn)了剩余極化

56、的最大值和壓電系數(shù)的最大值不出現(xiàn)在同一摻雜量上，這被認為是V摻雜對材料內部疇壁的結構和密度的影響要比對氧空位濃度的影響來得更為顯著所致。BIT-CBTi的變溫介電譜出現(xiàn)了雙介電峰，分別位于658和728。對應于低溫的介電峰可能和材料中BIT組元的規(guī)整化有關，而高溫的介電峰則于材料的鐵電順電相變有關。 (3)用濕化學方法制備了含磁性離子基團的鉍層狀材料Bi5FeTi3O15(BFTO)。用XRD譜和Raman譜分析了其晶體結構。用AFM和FESEM觀察了其表面和斷面形貌。研究發(fā)現(xiàn)，在570 kV/cm外電場下，村料的鐵電剩余極化(2Pr)和矯頑場(Ec)分別達到35.5C/cm2和171kV/c

57、m。剩余極化在285 kV/cm外場下經(jīng)過5.2×109反轉后降為66，BFTO和SBTi材料在Raman，譜和鐵電響應方面進行了對比分析。漏電流機制的研究發(fā)現(xiàn)，在50 kv/cm到200 kV/cm的外場范圍內主要是Schottky發(fā)射機制起主導作用，在高于200 kV/cm的外場時，漏電流機制可能是多種混合機制共同起作用。 制備了基于傳統(tǒng)固相燒結工藝制備的Bi5Fe0.5Co0.5Ti3O15(BFCT)陶瓷，XRD和HRTEM顯示其層狀鈣鈦礦Aurivillius相已經(jīng)形成。其在230kV/cm電場下的電滯回線顯示樣品的2Pr約為13C/cm2，矯頑場約為140 kV/cm。這

58、可能是局域Fe-O-Co基團的形成從而導致了它們之間的鐵磁耦合相互作用形成了BFCT較強的磁性能。這樣一種局域鐵磁耦合也是材料中出現(xiàn)自旋玻璃態(tài)的原因之一。鉍系層狀鈣鈦礦結構的鐵電材料在非易失性鐵電存儲器和高溫壓電陶瓷方面具有潛在的應用前景。這種材料反轉速度快，抗疲勞性能好，具有較高的鐵電居里溫度(Tc)和不含鉛污染的優(yōu)點。然而，由于自發(fā)極化被限制在ab平面內，典型的鉍層狀材料如B4Ti3O12(BIT,2Pr=15C/cm2)和SrBi4Ti4O15(SBTi，2Pr=6.2-13.0C/cm2)存在著剩余極化小、壓電活性低等不足，尚不能取代目前工業(yè)上廣泛使用的PZT來滿足工業(yè)化生產(chǎn)高密度存儲器和壓電傳感器的需要。為了改善鉍層狀材料的性能，人們想出來許多辦法來改善它的性能。本論文主要工作是基于鉍層狀材料的改性研究，包括共生摻雜和磁性離子基團植入兩大部分，具體說來可