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文檔簡介

檢驗原理 熱探針和N型半導體接觸時，傳導電子將流 向溫度較低的區(qū)域，使得熱探針處電子缺 少，因而其電勢相對于同一材料上的室溫 觸點而言將是正的。 同樣道理，P型半導體熱探針觸點相對于室 溫觸點而言將是負的。 此電勢差可以用簡單的微伏表測量。 熱探針的結構可以是將小的熱線圈繞在一 個探針的周圍，也可以用小型的電烙鐵。 16 檢驗操作及判斷 1. 2. 3. 確認萬用表工作正常，量程置于200mV。 冷探針連接電壓表的正電極，熱探針與電壓表的負極相 連。 用冷、熱探針接觸硅片一個邊沿不相連的兩個點，電壓 表顯示這兩點間的電壓為正值，說明導電類型為p型， 刻蝕合格。相同的方法檢測另外三個邊沿的導電類型是 否為p型。 如果經過檢驗，任何一個邊沿沒有刻蝕合格，則這一批 硅片需要重新裝片，進行刻蝕。 17 4.

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