近代材料分析答案

1、第一章：電子光學(xué)基礎(chǔ)1 Ariy斑如何形成？Airy斑：物體上的點(diǎn)通過(guò)透鏡成像時(shí)，在像平面上得到的是一個(gè)中心最亮、周圍帶有明暗相間同心圓環(huán)的圓斑，即所謂Airy斑2 簡(jiǎn)述產(chǎn)生像差的三種原因。像差 可分為幾何像差和色差，而幾何像差主要指球差和像散球差：由于電磁透鏡的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域?qū)﹄娮拥恼凵淠芰Σ煌斐?，離開透鏡主軸較遠(yuǎn)的電子比主軸附近的電子被折射程度大。像散：由透鏡磁場(chǎng)的非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱而引起的，使其在不同方向上的聚集能力不同。 極靴內(nèi)孔不圓、上下極靴的軸線錯(cuò)位、制作極靴的材料材質(zhì)不均勻以及極靴孔周圍局部污染等原因，都會(huì)使電磁透鏡的磁場(chǎng)產(chǎn)生橢圓度。非旋轉(zhuǎn)性對(duì)稱，會(huì)使它在不同方向上的聚焦能力出現(xiàn)差

2、別，結(jié)果使成像物點(diǎn)p通過(guò)透鏡后不能在像平面上聚焦成一點(diǎn)。色差：由于入射電子波長(zhǎng)(或能量)的非單一性所造成的，能量大的電子在距透鏡光心比較遠(yuǎn)的地方聚焦，能量低的電子在較近的地方聚焦。 3 何為電磁透鏡的焦長(zhǎng)及景深，有何用途？焦長(zhǎng)：當(dāng)物平面固定時(shí)，像平面前后移動(dòng)成清晰像時(shí)允許移動(dòng)的最大距離。（當(dāng)透鏡焦距和物距一定時(shí)，像平面在一定的軸向距離內(nèi)移動(dòng)，也會(huì)引起失焦。如果失焦引起的失焦斑尺寸不超過(guò)透鏡因衍射和像差引起的散焦斑大小，那么像平面在一定的軸向距離內(nèi)移動(dòng)，對(duì)透鏡像的分辨率沒(méi)有影響。我們把透鏡像平面允許的軸向偏差定義為透鏡的焦長(zhǎng)，）用DL表示用途：底片移動(dòng)范圍在焦長(zhǎng)范圍內(nèi)都可呈清晰像。 景深：當(dāng)像平

3、面固定時(shí)，物平面前后移動(dòng)能呈清晰像時(shí)所允許的最大移動(dòng)范圍。用Df來(lái)表示用途：如果樣品厚度適合，那么在透鏡景深范圍之內(nèi)，可以移動(dòng)物平面，從而使樣品各部位的細(xì)節(jié)都能得到清晰的圖像4 對(duì)比光學(xué)顯微鏡與電磁顯微鏡分辨率。光學(xué)顯微鏡：r0=0.61/n*sin；=39007600 Å，孔徑半角=7075°，n=1.5，得r0=2000 Å電磁顯微鏡：分辨本領(lǐng)由衍射效應(yīng)和球面像差來(lái)決定。當(dāng)衍射效應(yīng)Airy斑和球差散焦斑尺寸大小相等時(shí)r0=A*3/4 Cs1/4, A=0.4-0.55，=0.0251 Å，得r0=2 Å可見(jiàn)電磁透鏡比光學(xué)顯微鏡分辨率要高至少

4、103的數(shù)量級(jí)補(bǔ)充題：光學(xué)顯微鏡與透射電鏡成像區(qū)別 波長(zhǎng)分辨率聚焦優(yōu) 點(diǎn) 缺點(diǎn)光學(xué)顯微鏡39007600Å2000Å直線聚焦簡(jiǎn)單，直觀 只能觀察表面形態(tài)，不能做微區(qū)成份分析。C射線衍射儀0.1100 Å 無(wú)法聚焦相組成分析，簡(jiǎn)單，精確 無(wú)法觀察形貌電子顯微分析0.0251 Å(200kV)1.8 Å螺旋聚焦組織分析，物相分析（電子衍射)，成分分析（能譜，波譜，電子能量損失譜 ） 價(jià)格昂貴不直觀操作復(fù)雜；樣品制備復(fù)雜。第二章：透射電子顯微鏡6 畫出電鏡結(jié)構(gòu)原理圖，簡(jiǎn)述每個(gè)部件的作用。7

5、何謂點(diǎn)分辨率、晶格分辨率、放大倍數(shù)，其測(cè)定方法？點(diǎn)分辨率：能分清兩個(gè)獨(dú)立粒子之間的最小間距。方法：碳膜噴金（將金屬用真空蒸發(fā)的方法得到粒度為5-10 Å，間距為2-10 Å的粒子，將其均勻分布在碳支持膜上，在高放大倍數(shù)下拍攝這些粒子像）Au真空蒸發(fā)鍍膜晶格分辨率：能分清兩晶面的最小間距。方法：利用定向單晶薄膜做標(biāo)樣，利用晶格衍襯像測(cè)定。放大倍數(shù)：像平面與物平面距離之比。方法：利用光柵測(cè)定。用衍射光柵作為標(biāo)樣，在一定條件下拍攝標(biāo)樣的放大像，然后從底片上測(cè)量光柵條紋像的平面間距，與實(shí)際條紋相比，即可得到放大倍數(shù)。第三章：復(fù)型技術(shù)8 簡(jiǎn)述塑料一級(jí)復(fù)型、碳一級(jí)復(fù)型、塑料碳噴鉻二級(jí)復(fù)

6、型制作步驟，對(duì)比各有何特點(diǎn)。塑料一級(jí)復(fù)型：材料：塑料，厚100200nmA、配塑料溶液 B、滴溶液與樣品上 C、取下薄膜 d、剪切（3mm小方塊）特點(diǎn)：易分解、燒損，分辨率20nm。碳一級(jí)復(fù)型：材料：碳，厚10nmA、真空垂直噴碳 B、分割（對(duì)角線小于3mm小方塊）、電解腐蝕溶下 C、烘干。特點(diǎn)：破壞試樣表面，膜易碎，分辨率2-5nm，襯度差塑料碳噴鉻二級(jí)復(fù)型：材料：塑料，碳，鉻A、做塑料一級(jí)復(fù)型B、在塑料一級(jí)復(fù)型上做碳一級(jí)復(fù)型C、真空傾斜噴鉻 d、溶解塑料 特點(diǎn)：襯度好，不破壞樣品。穩(wěn)定，不易分解，分辨率與塑料一級(jí)復(fù)型相同9 簡(jiǎn)述質(zhì)后襯度成像原理。對(duì)于非晶薄膜樣品，入射電子透過(guò)樣品時(shí)碰到的原

7、子數(shù)目越多(或樣品越厚)，樣品原子核庫(kù)侖電場(chǎng)越強(qiáng)(或樣品原子序數(shù)越大或密度越大)，被散射到物鏡光闌外的電子就越多，而通過(guò)物鏡光闌參與成像的電子強(qiáng)度也就越低。即強(qiáng)度為I0的入射電子穿透樣品后，參與成像的電子強(qiáng)度I隨總散射面積Q和樣品厚度t的乘積呈指數(shù)衰減，I= I0*e-Qt10 計(jì)算2種復(fù)型樣品相對(duì)襯度（見(jiàn)書）。若復(fù)型是同種材料制成，以IB為像背景強(qiáng)度，則強(qiáng)度差I(lǐng)A=IB-IA 當(dāng)Qt遠(yuǎn)小于1時(shí)，如果復(fù)型是由兩種材料組成，假定凸起部分（多出的第二種材料）總散射截面為，則IA=I0*e-(QAt+QBtb),當(dāng)遠(yuǎn)小于1時(shí)，第四章 電子衍射11 簡(jiǎn)述透射電鏡的主要用途。（1）衍射花樣像（單晶、多晶

8、結(jié)構(gòu)分析）（用中間鏡的物平面與物鏡背焦面重合）（2）組織形貌像（復(fù)型薄膜）（用中間鏡的物平面與物鏡像平面重合）12 寫出勞埃方程，簡(jiǎn)述其用途。a(cos-cos0) = H 當(dāng)相鄰原子的散射X射線光程差等于入射X射線波長(zhǎng)整數(shù)倍時(shí)發(fā)生衍射（一維）設(shè)空間點(diǎn)陣的三個(gè)平移向量為a ,b和c,入射的X射線與它們的交角分別為0，0和0。衍射方向與它們的交角分別為，和 。根據(jù)上述討論可知，衍射角，和在x, y, z三個(gè)軸上應(yīng)滿足以下條件： a(cos-cos0) = H b(cos-cos0) = K c(cos-cos0) = L 用途：找到斑點(diǎn)位置13 寫出布拉格方程，簡(jiǎn)述其用途。qqqS S0 2ds

9、in=n（n=0,1,2）用途：（1）找到斑點(diǎn)的方向，說(shuō)明一組晶面對(duì)應(yīng)一個(gè)衍射斑點(diǎn)；（2）結(jié)構(gòu)分析：利用已知波長(zhǎng)的特征x射線，通過(guò)測(cè)量，可以計(jì)算出晶面間距；（3）x射線光譜學(xué)：利用已知晶面間距d的晶體，通過(guò)測(cè)量，計(jì)算位置x射線的波長(zhǎng)14 已知簡(jiǎn)單立方晶體晶格常數(shù)為3A°，分別在正空間和倒易空間中畫出(101)、(210)、(111)晶面及倒易點(diǎn)，并計(jì)算出晶面的面間距和倒易失量的大小。15 畫出面心立方及體心立方011晶帶軸的標(biāo)準(zhǔn)電子衍射花樣，標(biāo)出最近的三個(gè)斑點(diǎn)指數(shù)及夾角。16 畫出愛(ài)瓦爾德球簡(jiǎn)述其用途。在倒易空間中，畫出衍射晶體的倒易點(diǎn)陣，以倒易原點(diǎn)O*為端點(diǎn)作入射波的波矢量k(矢量

10、OO* )，該矢量平行于入射束方向，長(zhǎng)度等于波長(zhǎng)的倒數(shù)，即1/。以O(shè)為中心，1/ 為半徑作一個(gè)球，這就是愛(ài)瓦爾德球。用途：找到倒易點(diǎn)與衍射斑點(diǎn)的關(guān)系17 體心立方和簡(jiǎn)單立方晶體的消光條件簡(jiǎn)單立方：Fhkl 恒不等于零，無(wú)消光現(xiàn)象。 面心立方：h、k、L為異性數(shù)時(shí)，F(xiàn)hkl=0體心立方：h+K+L=奇數(shù)時(shí)，F(xiàn)hkl=018 何謂標(biāo)準(zhǔn)電子衍射花樣。定義：各種晶體點(diǎn)陣主要晶帶的倒易截面，即零層倒易面 (uvw)*0的比例像。19 為何不精確滿足布拉格方程時(shí)，也會(huì)在底片上出現(xiàn)衍射斑點(diǎn)。因?yàn)閷?shí)際的樣品晶體都有確定的形狀和有限的尺寸，因而它們的倒易陣點(diǎn)不是一個(gè)幾何意義上的“點(diǎn)”，而是沿著晶體尺寸較小的方向

11、發(fā)生擴(kuò)展，擴(kuò)展量為該方向上實(shí)際尺寸的倒數(shù)的2倍，成為桿狀，即倒易桿，從而增加了與愛(ài)瓦爾德球相交的機(jī)會(huì)，結(jié)果使不精確滿足布拉格方程時(shí)，也會(huì)有衍射斑點(diǎn)出現(xiàn)20 為何入射電子束嚴(yán)格平行uvw時(shí)，底片上也有衍射斑點(diǎn)出現(xiàn)。（1）薄晶體衍射，倒易點(diǎn)變?yōu)榈挂讞U，增加與愛(ài)瓦爾德球相交幾率（2）2小于1°時(shí)，對(duì)應(yīng)球面可近似看作平面，增加與愛(ài)瓦爾德球相交幾率（3）加速電壓不穩(wěn)定，造成愛(ài)瓦爾德球有一定厚度，操作時(shí)不可能完全重合，也增加了相交幾率補(bǔ)充題：電子衍射基本公式：d=k/R21 繪出面心/體心立方012晶帶軸的標(biāo)準(zhǔn)電子衍射花樣，并寫明步驟。（10分）22 已知相機(jī)常數(shù)K、晶體結(jié)構(gòu)及單晶、多晶衍射花樣

12、，簡(jiǎn)述單晶多晶衍射花樣標(biāo)定步驟。（10分）補(bǔ)充題：花樣像和形貌像如何成像23 何謂磁偏角。電子束通過(guò)物鏡背焦面到物鏡像平面所轉(zhuǎn)過(guò)的角度，即磁轉(zhuǎn)角0。24 選區(qū)衍射操作與選區(qū)衍射成像操作有何不同。為了分析樣品上的一個(gè)微小區(qū)域，通常在物鏡像平面位置放置選區(qū)光圈，選擇所需分析的微區(qū)，對(duì)這個(gè)微區(qū)進(jìn)行衍射分析叫做選區(qū)衍射操作。在選區(qū)衍射過(guò)程中，中間鏡物平面與物鏡像平面重合時(shí)呈形貌像，中間鏡物平面與物鏡背焦面重合時(shí)呈花樣像，這種成像操作叫做選區(qū)衍射成像操作25 孿晶衍射花樣有何特點(diǎn)，原因是什么其衍射花樣是兩套不同晶帶單晶衍射斑點(diǎn)的疊加，而這兩套斑點(diǎn)的相對(duì)位向反映了基體和孿晶之間存在著的對(duì)稱取向關(guān)系補(bǔ)充題：

13、 如何得到體心立方，面心立方孿晶花樣26 高階勞愛(ài)斑點(diǎn)如何得到，用途是什么。點(diǎn)陣常數(shù)較大的晶體，倒易空間中倒易面間距較小。如果晶體很薄，則倒易桿較長(zhǎng)，因此與愛(ài)瓦爾德球面相接觸的并不只是零倒易截面，上層或下層的倒易平面上的倒易桿均有可能和愛(ài)瓦爾德球面相接觸，從而形成所謂高階勞愛(ài)斑點(diǎn)。用途：A.確定晶帶軸單位矢量長(zhǎng)度。B. 確定薄膜晶體厚度。補(bǔ)充題： 超點(diǎn)陣斑點(diǎn)形成的原因和用途當(dāng)晶體內(nèi)部的原子或離子產(chǎn)生有規(guī)律的位移或不同種原子產(chǎn)生有序排列時(shí)，將引起其電子衍射結(jié)果的變化，即可以使本來(lái)消光的斑點(diǎn)出現(xiàn)，這種額外的斑點(diǎn)稱為超點(diǎn)陣斑點(diǎn)27 如何確定有序固溶體有序固溶體中會(huì)出現(xiàn)按消光條件應(yīng)該消光，卻在衍射花樣

14、中出現(xiàn)的斑點(diǎn)，即超點(diǎn)陣斑點(diǎn)28 何謂菊池線花樣。如果樣品晶體比較厚(約在最大可穿透厚度的一半以上)、樣品內(nèi)缺陷的密度較低，則在其衍射花樣中，除了規(guī)則的斑點(diǎn)以外，還常常出現(xiàn)一些亮、暗成對(duì)的平行線條，這就是所謂菊池線或菊池衍射花樣。29 何謂二次衍射斑點(diǎn)和用途。一次衍射束和晶面組之間再次產(chǎn)生衍射時(shí)形成的斑點(diǎn)為二次衍射斑點(diǎn)。30 簡(jiǎn)述薄晶體樣品制作步驟，以及要求第一：從實(shí)物或大塊試樣上切割厚度為0.30.5mm厚的薄片。方法：電火花線切割。第二： 預(yù)先減薄至厚度小于1mm方法：即機(jī)械法（70100m）(研磨) 化學(xué)法（2050m）（腐蝕）。第三：最終減薄。方法：雙噴離子減薄法（用離子束在樣品的兩側(cè)以

15、一定的傾角(5°30°)轟擊樣品）；雙噴電解拋光法要求：A、保留原結(jié)構(gòu)； B、透明；C、一定強(qiáng)度和剛度；E、不氧化和腐蝕31 多晶衍射花樣標(biāo)定步驟。32 薄晶體成像原理與復(fù)型成像原理有何異同點(diǎn)。質(zhì)厚襯度原理（復(fù)型）衍襯成像（薄晶體）樣品非晶，不等厚晶體，等厚用途觀察表面形貌觀察內(nèi)部形貌，缺陷，第二相等I= I= I0*e-Qt成明暗場(chǎng)像都作為透鏡中樣品的成像原理33 畫出薄晶體衍襯成明場(chǎng)像、暗場(chǎng)像的光路圖，并加以說(shuō)明。34 螺型位錯(cuò)和刃型位錯(cuò)衍襯成像特征。為何？刃型位錯(cuò)：線狀 螺型位錯(cuò)：鋸齒狀 因?yàn)榛儏^(qū)有衍射束存在35 厚度消光、彎曲消光條紋產(chǎn)生原因。厚度消光條紋：衍射強(qiáng)

16、度隨樣品厚度的變化呈周期性震蕩，若一薄晶體一端是楔形斜面，則斜面上晶體厚度是連續(xù)變化的，有電子束通過(guò)時(shí)，衍射強(qiáng)度因厚度不同而發(fā)生連續(xù)變化，在衍射圖像上楔形邊緣將會(huì)得到數(shù)列明暗相間的條紋。彎曲消光條紋：晶體內(nèi)不同部位的衍射晶面因彎曲而使其和入射束之間存在不同程度的偏離，當(dāng)正好滿足衍射條件時(shí)，彎曲的部分會(huì)形成條紋明場(chǎng)像。36 孿晶、層錯(cuò)典型特征。孿晶：明暗相間，不等長(zhǎng)度，不等寬度的條紋層錯(cuò)：等長(zhǎng)度明暗相間條紋補(bǔ)充題： 網(wǎng)狀位錯(cuò)和第二相粒子的形貌特征補(bǔ)充題： 對(duì)比質(zhì)厚襯度和衍襯成像原理的區(qū)別37 掃描電鏡的主要用途。主要用于觀察試樣表面形貌，進(jìn)行微區(qū)成分分析和晶體結(jié)構(gòu)分析利用細(xì)聚焦電子束在樣品表面掃

17、描時(shí)激發(fā)出的各種物理信號(hào)來(lái)調(diào)制成像，主要用來(lái)觀察表面形貌，配以電子探針還可以進(jìn)行成分分析。38 掃描電鏡中能成形貌像、成分像的信號(hào)各有哪些？各是什么襯度？形貌像：二次電子（形貌襯度質(zhì)厚襯度），背散射電子（原子序數(shù)襯度成分襯度），成分像：特稱X射線，俄歇電子，背散射電子（原子序數(shù)襯度成分襯度）（定性），吸收電子（原子序數(shù)襯度成分襯度）（定性），透射電子39 如圖所示，晶粒為鋁、晶粒為鐵，畫出、探頭的 收集背散射電子的信號(hào)，及形貌、成分信號(hào)。40 對(duì)比二次電子、背散電子成像襯度。二次電子成像襯度原理：質(zhì)厚襯度用途：二次電子信號(hào)主要用于分析樣品的表面形貌。特點(diǎn)：二次電子數(shù)量和原子序數(shù)無(wú)關(guān)；對(duì)表面幾何

18、形狀十分敏感；表面層深510 nm；背散電子成像襯度原理：原子序數(shù)襯度用途：形貌像、成分像2種像。特點(diǎn)：Z40，背散電子產(chǎn)額對(duì)原子序數(shù)十分敏感；表面層深1001000 nm；補(bǔ)充題：各電子以及特征X射線的定義背散射電子：被固體樣品中的原子核反彈回來(lái)的一部分入射電子，其中包括彈性背散射電子和非彈性背散射電子。彈性背散射電子是指被樣品中原子核反彈回來(lái)的。二次電子： 在人射電子束作用下被轟擊出來(lái)并離開樣品表面的樣品的核外電子叫做二次電子。這些自由電子中90是來(lái)自樣品原子外層的價(jià)電子。吸收電子：入射電子進(jìn)入樣品后，經(jīng)多次非彈性散射能量損失殆盡，最后被樣品吸收的電子。透射電子：樣品很薄時(shí)，一部分入射電子

19、穿過(guò)薄樣品而成為透射電子。俄歇電子：在入射電子激發(fā)樣品的特征X射線過(guò)程中，如果在原子內(nèi)層電子能級(jí)躍遷過(guò)程中釋放出來(lái)的能量并不以X射線的形式發(fā)射出去，而是用這部分能量把空位層內(nèi)的另一個(gè)電子發(fā)射出去(或使空位層的外層電子發(fā)射出去)，這個(gè)被電離出來(lái)的電子稱為俄歇電子。特征X射線：樣品原子的內(nèi)層電子被入射電子激發(fā)或電離時(shí)，原子就會(huì)處于能量較高的激發(fā)狀態(tài)，此時(shí)外層電子將向內(nèi)層躍遷以填補(bǔ)內(nèi)層電子的空缺，從而使具有特征能量的X射線。補(bǔ)充題：作用體積圖以及分辨率41 特征x射線可成哪種像，有何特征。用途：成分像特點(diǎn)：每次只能用一種元素的特征X射線成像；表面層深1001000 nm；42 簡(jiǎn)述能譜儀與波譜儀工作

20、原理，應(yīng)用范圍和區(qū)別波譜儀工作原理：電子束照射樣品，相互作用下產(chǎn)生特征x射線，當(dāng)符合布拉格定律時(shí)產(chǎn)生強(qiáng)烈衍射，將不同角度的特征值記錄下來(lái)，用于成分分析。（由布拉格定律，從試樣中發(fā)出的特征X射線，經(jīng)一定晶面間距的晶體分光，波長(zhǎng)不同的特征X射線將有不同的衍射角。連續(xù)改變q，在與X射線入射方向呈2 q的位置上測(cè)到不同波長(zhǎng)的特征X射線信號(hào)。由莫塞萊定律可確定被測(cè)物質(zhì)所含元素 。）能譜儀工作原理：電子束照射樣品，將相互作用產(chǎn)生的特征x射線的特征能量記錄下來(lái)，用于成分分析。（利用固態(tài)檢測(cè)器（鋰漂移硅）習(xí)慣記Si(Li)探測(cè)器測(cè)量每個(gè)x射線光子的能量，X射線光子進(jìn)入Si晶體內(nèi)，產(chǎn)生電子空穴對(duì)，在100K左右

21、溫度時(shí)，每產(chǎn)生一個(gè)電子空穴對(duì)消耗的平均能量為3.8eV。能量為E的X射線光子所激發(fā)的電子空穴對(duì)數(shù)N為 NEe。入射X射線光子E不同，激發(fā)的N不同，探測(cè)器輸出電壓脈沖高度由N決定。并按E大小展譜。得到以能量為橫坐標(biāo)、強(qiáng)度為縱坐標(biāo)的x射線能量色散譜，顯示于熒光屏上。）比較項(xiàng)目WDSEDS元素分析范圍元素分析方法能量辨率/eV靈敏度檢測(cè)效率定量分析精度儀器特殊性4Be92U分光晶體逐個(gè)元素分析高（3510）低低，隨波長(zhǎng)而變化好多個(gè)分光晶體11Na92U固態(tài)檢測(cè)器元素同時(shí)檢測(cè)低（160135）高高，一定條件下是常數(shù)差探頭液氮冷卻補(bǔ)充題：電子探針的典型分析方法(1)可進(jìn)行定性或定量分析定性分析：記錄樣品

22、發(fā)射的特征x射線。對(duì)比單元素特征譜線波長(zhǎng)，確定樣品中的元素。定量分析：記錄樣品發(fā)射的特征x射線和I。每種元素選擇一根譜線與已知成分純?cè)貥?biāo)樣的同根譜線進(jìn)行比較，確定元素含量。(2)可進(jìn)行點(diǎn)線面的分析點(diǎn)分析（微區(qū)成分分析 1立方微米）線掃描分析:聚焦電子束在試樣沿一直線慢掃描，同時(shí)檢測(cè)某一指定特征x射線的瞬時(shí)I，得到特征x射線I沿試樣掃描線的分布（元素的濃度分布）。面掃描分析:電子束在試樣表面進(jìn)行面掃描，譜儀只檢測(cè)某一元素的特征x射線位置，得到由許多亮點(diǎn)組成的圖像。亮點(diǎn)為元素的所在處，根據(jù)亮點(diǎn)的疏密程度可確定元素在試樣表面的分布情況。(線掃描、面掃描只作定性分析，不作定量分析)43 試述原子散射

23、因子f和結(jié)構(gòu)因子FHKL2的物理意義，結(jié)構(gòu)因子與哪些因素有關(guān)？原子散射因子f物理意義：某原子散射波的振幅與一個(gè)假設(shè)位于原子核處的電子的散射波振幅之比。結(jié)構(gòu)因子的物理意義：晶胞內(nèi)所有原子的散射波，在所考慮的方向上的振幅與一個(gè)位于晶胞內(nèi)原點(diǎn)處的電子的散射波振幅之比。結(jié)構(gòu)因子的影響因素：散射方向，晶胞內(nèi)原子的排列情況，晶胞內(nèi)不同原子的散射因子44 畫出X射線衍射分析光路圖，說(shuō)明測(cè)角儀的工作原理。（8分） 各類控制單元 前置放大器 線性放大器 脈沖分析器 記錄分析系統(tǒng) XRD曲線 測(cè)角儀 試樣 X 射線管 計(jì)數(shù)器 測(cè)角儀內(nèi)外圓可分別繞中心軸轉(zhuǎn)動(dòng)；測(cè)試過(guò)程樣品臺(tái)固定于測(cè)角儀內(nèi)圓，通過(guò)圓周轉(zhuǎn)動(dòng)改變?nèi)肷渚€的入射角；計(jì)數(shù)器固定于外圓，與樣品轉(zhuǎn)動(dòng)同步測(cè)定對(duì)應(yīng)角度上的衍射強(qiáng)度。 補(bǔ)充題：X射線衍射分析儀的結(jié)構(gòu)和用途X射線衍射儀由X 射線發(fā)生器、衍射測(cè)角儀、輻射探測(cè)器、測(cè)量電路及記錄分析系統(tǒng)等組成。 用途：相結(jié)構(gòu)分析45 簡(jiǎn)述用X射線衍射方法定性分析未知材料的步驟。(1)制備待分析物質(zhì)樣品，用衍射儀法獲得樣品的衍射花樣；(2)找出八強(qiáng)線；(3)檢索PDF卡片。按照檢索法排出四組順序，按照順序核對(duì)八強(qiáng)線，當(dāng)八強(qiáng)