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文檔簡介
1、開關(guān)電源電磁干擾(EMI)機理及新的抑制方法 摘要:開關(guān)電源的電磁干擾對電子設(shè)備的性能影響很大,因此,各種標(biāo)準(zhǔn)對抑制電源設(shè)備電磁干擾的要求已越來越高。對開關(guān)電源中電磁干擾的產(chǎn)生機理做了簡要的描述,著重總結(jié)了幾種近年提出的新的抑制電磁干擾的方法,并對其原理、應(yīng)用做了簡單介紹。關(guān)鍵詞:開關(guān)電源;電磁干擾;抑制Mechanism of Electromagnetic Interference (EMI) in SwitchingPower Supply and Several New Suppression MethodsLI Yi, LIN Long-
2、feng, YIN Hua-jie Abstract:Because the electromagnetic interference (EMI) in the switching power supply has great effects on electronics equipments,the standards and requirements on suppressing EMI in power supply are more and more strict. A brief introduction about the mechanism of EMI in swit
3、ching power supply is given at first, and then the new EMI suppression methods are overviewed and summarized. Keywords:Switching power supply; Electromagnetic interference; Suppression1 引言 隨著電子設(shè)備的大量應(yīng)用,電源在這些設(shè)備中的地位越來越重要,而開關(guān)變換器由于體積小、重量輕、效率高等特點,在電源中占的比重越來越大。開關(guān)電源大多工作在高頻情況下,在開
4、關(guān)器件的開關(guān)過程中,寄生元件(如寄生電容、寄生電感等)中能量的高頻變化產(chǎn)生了大量的電磁干擾(Electromagnetic Interference,EMI)。 EMI信號占有很寬的頻率范圍,又有一定的幅度,經(jīng)過在電路、空間中的傳導(dǎo)和輻射,污染了周圍的電磁環(huán)境,影響了與其它電子設(shè)備的電磁兼容(Electromagnetic Compatibility)性。隨著近年來各國對電子設(shè)備的電磁干擾和電磁兼容性能要求的不斷提高,對電磁干擾以及新的抑制方法的研究已成為開關(guān)電源研究中的熱點。 本文對電磁干擾產(chǎn)生、傳播的機理進行了簡要的介
5、紹,重點總結(jié)了幾種近年來提出的抑制開關(guān)電源電磁干擾產(chǎn)生及傳播的新方法。2 電磁干擾的產(chǎn)生和傳播方式 開關(guān)電源中的電磁干擾分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。通常傳導(dǎo)干擾比較好分析,可以將電路理論和數(shù)學(xué)知識結(jié)合起來,對電磁干擾中各種元器件的特性進行研究;但對輻射干擾而言,由于電路中存在不同干擾源的綜合作用,又涉及到電磁場理論,分析起來比較困難。下面將對這兩種干擾的機理作一簡要的介紹。2.1 傳導(dǎo)干擾的產(chǎn)生和傳播 傳導(dǎo)干擾可分為共模(Common Mode-CM)干擾和差模(Differential Mode-
6、DM)干擾。由于寄生參數(shù)的存在以及開關(guān)電源中開關(guān)器件的高頻開通與關(guān)斷,使得開關(guān)電源在其輸入端(即交流電網(wǎng)側(cè))產(chǎn)生較大的共模干擾和差模干擾。2.1.1 共模(CM)干擾 變換器工作在高頻情況時,由于dv/dt很高,激發(fā)變壓器線圈間、以及開關(guān)管與散熱片間的寄生電容,從而產(chǎn)生了共模干擾。如圖1所示,共模干擾電流從具有高dv/dt的開關(guān)管出發(fā)流經(jīng)接地散熱片和地線,再由高頻LISN網(wǎng)絡(luò)(由兩個50電阻等效)流回輸入線路。圖1 典型開關(guān)變換器中共模、差模干擾的傳播路徑 根據(jù)共模干擾產(chǎn)生的原理,實際應(yīng)用時常采用以
7、下幾種抑制方法: 1)優(yōu)化電路器件布置,盡量減少寄生、耦合電容。 2)延緩開關(guān)的開通、關(guān)斷時間。但是這與開關(guān)電源高頻化的趨勢不符。 3)應(yīng)用緩沖電路,減緩dv/dt的變化率。2.2.2 差模(DM)干擾 開關(guān)變換器中的電流在高頻情況下作開關(guān)變化,從而在輸入、輸出的濾波電容上產(chǎn)生很高的di/dt,即在濾波電容的等效電感或阻抗上感應(yīng)了干擾電壓。這時就會產(chǎn)生差模干擾。故選用高質(zhì)量的濾波電容(等效電感或阻抗很低)可以降低差模干擾。2.2
8、 輻射干擾的產(chǎn)生和傳播 輻射干擾又可分為近場干擾測量點與場源距離</6(為干擾電磁波波長)和遠場干擾(測量點與場源距離>/6)。由麥克斯韋電磁場理論可知,導(dǎo)體中變化的電流會在其周圍空間中產(chǎn)生變化的磁場,而變化的磁場又產(chǎn)生變化的電場,兩者都遵循麥克斯韋方程式。而這一變化電流的幅值和頻率決定了產(chǎn)生的電磁場的大小以及其作用范圍。在輻射研究中天線是電磁輻射源,在開關(guān)電源電路中,主電路中的元器件、連線等都可認(rèn)為是天線,可以應(yīng)用電偶極子和磁偶極子理論來分析。分析時,二極管、開關(guān)管、電容等可看成電偶極子;電感線圈可以認(rèn)為是磁偶極子,再以相關(guān)的電磁場理論進行綜合
9、分析就可以了。 圖2是一個Boost電路的空間分布圖,把元器件看成電偶極子或磁偶極子,應(yīng)用相關(guān)電磁場理論進行分析,可以得出各元器件在空間的輻射電磁干擾,將這些干擾量迭加,就可以得到整個電路在空間產(chǎn)生的輻射干擾。關(guān)于電偶極子、磁偶極子,可參考相關(guān)的電磁場書籍,此處不再論述。圖2 Bosst電路在三維空間的分布 需要注意的是,不同支路的電流相位不一定相同,在磁場計算時這一點尤其重要。相位不同一是因為干擾從干擾源傳播到測量點存在時延作用(也稱遲滯效應(yīng));再一個原因是元器件本身的特性導(dǎo)致相位不同。如電感中電流相位比其它
10、元器件要滯后。遲滯效應(yīng)引起的相位滯后是信號頻率作用的結(jié)果,僅在頻率很高時作用才較明顯(如GHz級或更高);對于功率電子器件而言,頻率相對較低,故遲滯效應(yīng)作用不是很大。3 幾種新的電磁干擾抑制方法 在開關(guān)電源產(chǎn)生的兩類干擾中,傳導(dǎo)干擾由于經(jīng)電網(wǎng)傳播,會對其它電子設(shè)備產(chǎn)生嚴(yán)重的干擾,往往引起更嚴(yán)重的問題。常用的抑制方法有:緩沖器法,減少耦合路徑法,減少寄生元件法等。近年來,隨著對電子設(shè)備電磁干擾的限制越來越嚴(yán)格,又出現(xiàn)了一些新的抑制方法,主要集中在新的控制方法與新的無源緩沖電路的設(shè)計等幾個方面。下面分別予以介紹。3.1 新的控制方法調(diào)制頻
11、率控制 干擾是根據(jù)開關(guān)頻率變化的,干擾的能量集中在這些離散的開關(guān)頻率點上,所以很難滿足抑制EMI的要求。通過將開關(guān)信號的能量調(diào)制分布在一個很寬的頻帶上,產(chǎn)生一系列的分立邊頻帶,則干擾頻譜可以展開,干擾能量被分成小份分布在這些分立頻段上,從而更容易達到EMI的標(biāo)準(zhǔn)。調(diào)制頻率(Modulated Frequency)控制就是根據(jù)這種原理實現(xiàn)對開關(guān)電源電磁干擾的抑制。 最初人們采用隨機頻率(Randomized Frequency)控制1,其主要思想是,在控制電路中加入一個隨機擾動分量,使開關(guān)間隔進行不規(guī)則變化,則開關(guān)噪聲頻譜由原來離散的尖峰脈沖噪聲變成連續(xù)分布噪聲,其 峰 值
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