線性制品教育資料

1、一、 制品技術(shù)背景知識(shí)1. 晶體管的種類（1）雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor）雙極型晶體管又叫晶體三極管，簡(jiǎn)稱晶體管。圖1 為NPN型晶體管的結(jié)構(gòu)，它由1個(gè)高摻雜的N+型e區(qū)、很薄且雜質(zhì)濃度很低的P型b區(qū)、及與b區(qū)有很大結(jié)面積的N型c區(qū)組成。雙極型三極管在一定條件的外界電壓下，通過(guò)內(nèi)部電流分配原理，可以實(shí)現(xiàn)IbIc間的近似線性放大，故它是電流放大器件。雙極型三極管的導(dǎo)電成分中，既有多子，又有少子。N+NPebbc圖1. NPN管平面結(jié)構(gòu)圖ceb圖2. NPN管的表示符號(hào)壓降方向壓降方向壓降方向（2）場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor）

2、場(chǎng)效應(yīng)管是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的半導(dǎo)體器件，其特點(diǎn)是控制端基本上不需要電流，且受溫度、輻射等外界條件影響小，便于集成。它又分為結(jié)型（JunctionFET）和絕緣柵型（Metal-Oxide-Semiconductor）兩大類。相對(duì)于雙極型晶體管既利用多子、又利用少子導(dǎo)電的特點(diǎn)，場(chǎng)效應(yīng)管是利用半導(dǎo)體中的多子來(lái)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電的，所以又稱單極型晶體管。DSG圖4. 表示符號(hào)壓降方向壓降方向N+PPS圖3. N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)N+NGD結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（N溝道）的結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖3，它也有三極，分別使用兩個(gè)N+高摻雜區(qū)作為源（S）和漏（D），及1個(gè)P摻雜區(qū)作柵（G），D、S之間的N型區(qū)域作為載流子流經(jīng)的通道

3、，稱為導(dǎo)電溝道。正常使用時(shí)結(jié)型N溝道管的外加電壓見(jiàn)圖4，它的特點(diǎn)是：兩個(gè)PN結(jié)全部處于反向，導(dǎo)致耗盡層變寬，N溝道變窄，從而減小了流過(guò)N溝道電流大小。這樣，通過(guò)改變外加電壓的大小就可以控制耗盡層的寬度，從而進(jìn)一步影響N溝道電流大小。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（N溝道）的結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖5，在P型襯底上擴(kuò)散有兩個(gè)高摻雜的N+阱，分別接源極和漏極，而柵極與襯底之間有SiO2絕緣層。正常使用時(shí)G極接正電壓，這導(dǎo)致P型襯底的多子空穴遠(yuǎn)離G極，少子電子則被吸附在G極下面SiO2絕緣層表面，形成反型層N溝道。與結(jié)型FET類似，在D、S間電壓的影響下，這個(gè)溝道也能起到導(dǎo)電作用，而且GS、DS間的電壓也與溝道寬度有關(guān)系，從而進(jìn)

4、一步影響到溝道電流的大小。N+N+PS圖5. N溝道增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)GD耗盡層BDSG圖6. 表示符號(hào)壓降方向壓降方向B壓降方向NMOS管與PMOS管組成的互補(bǔ)電路稱為CMOS電路，CMOS電路具有功耗低，抗干擾能力強(qiáng)、輸入電流小、便于集成等特點(diǎn)，是目前最常用的集成電路之一。（3）晶體管與場(chǎng)效應(yīng)管的比較晶體管場(chǎng)效應(yīng)管多子+少子導(dǎo)電，易受溫度、輻射等的影響多子導(dǎo)電，適于在惡劣環(huán)境下使用噪聲系數(shù)相對(duì)較大噪聲系數(shù)小，適于作低噪聲放大器的前級(jí)電壓放大倍數(shù)較大，適于作中放電壓放大倍數(shù)相對(duì)小輸入電阻相對(duì)小輸入電阻大，適于作測(cè)量?jī)x器的輸入端。集極要取一定量電流柵極基本不取電流三極固定源漏極可互換，靈活性高

5、可集成性相對(duì)不好便于集成2. 半導(dǎo)體封裝概述（1）封裝的作用主要作用有：使元器件能與外部電路連接；使元器件不受外部環(huán)境污染；易于安裝、運(yùn)輸；使元器件使用時(shí)能正常散熱。（2）主要封裝形式簡(jiǎn)稱全稱中文名稱SSIPSlim Single In-line Package細(xì)型單列直插DIPDual In-line Package雙列直插ZIPZigzag In-line PackageZ字形直插封裝SOPSmall Outline Package小外型封裝TSOPThin Small Outline Package薄型SOPQFPQuad Flat Package四列扁平封裝SOJSmall Outli

6、ne J-leaded Pkg小外型J管腿封裝QFJQuad Flat J-leaded Package四列扁平J型管腿PGAPin Grid Array針柵陣列封裝BGABall Grid Array球陣列封裝CSPChip Scale Package芯片級(jí)封裝黑體字的封裝形式表示SGNEC曾經(jīng)生產(chǎn)過(guò)的品種；QFJ又叫PLCC（Plastic Leaded Chip Carrier）；CSP已成為今后一段時(shí)間半導(dǎo)體封裝的發(fā)展方向。（3）封裝主要流程主工序小工序作用劃片貼膜將UV膜貼在園片底部劃片將園片上的chip彼此分開(kāi)UV照射降低UV膜的粘度劃片外觀標(biāo)記劃片等原因造成的不良粘片粘片將chi

7、p粘在LF上粘片外觀檢查粘片情況好壞銀漿固化用高溫將銀漿固化鍵合鍵合用金線將chip和LF管腿連接起來(lái)鍵合外觀檢查鍵合情況，剔除不良品封入封入用樹(shù)脂將chip包起來(lái)樹(shù)脂固化樹(shù)脂強(qiáng)度增加封入外觀檢查封入情況，標(biāo)記不良品電鍍電鍍將LF鍍一層鉛鎳合金，防止LF氧化，增加可焊性電鍍外觀檢查電鍍情況，標(biāo)記不良品打印打印打印品名、批號(hào)打印外觀檢查打印情況，標(biāo)記不良品成形管腳加工將LF上的IC分離，并進(jìn)行管腳成形成形外觀檢查成形情況，剔除不良選別DC測(cè)試剔除直流測(cè)試不良品AC測(cè)試剔除交流測(cè)試不良品全檢全數(shù)外觀修正或剔除外觀不良品入檢抽樣檢查特性和外觀抽檢、判斷合否包裝入庫(kù)保障儲(chǔ)存、運(yùn)輸安全便利3. NEC半

8、導(dǎo)體器件命名及分類NEC半導(dǎo)體器件品名一般由3部分構(gòu)成：uPC4570HA構(gòu)造機(jī)能 制品序列號(hào) 封裝形式構(gòu)造機(jī)能及封裝形式定義如下：機(jī)能含義PKG含義uPA復(fù)合管電路HASSIPuPB雙極型數(shù)字電路GS300mil SOPuPC雙極型模擬電路GT375mil SOPuPDMOS電路GB10mm QFPuPGGaAs集成電路LA300mil SOJLE400mil SOJCX300mil DIP二、 線性電路概述1. 線性集成電路的定義線性集成電路原指輸入輸出呈線性關(guān)系的集成電路，目前常用來(lái)泛指數(shù)字電路以外的集成電路，比如運(yùn)算放大器、比較器、穩(wěn)壓器、乘法器、壓控振蕩器、調(diào)制解調(diào)電路等等，種類繁多

9、。2. SGNEC的線性集成電路目前SGNEC正式生產(chǎn)的線性集成電路有24個(gè)品種，49種型名，封裝形式全部是SSIP（7、8、9Pin）。除少部分國(guó)內(nèi)銷售外，絕大多數(shù)是返銷日本。SGNEC線性產(chǎn)品品名、功能見(jiàn)附表1。近年來(lái)，為適應(yīng)市場(chǎng)發(fā)展的需要，線性集成電路也開(kāi)展了Foundry業(yè)務(wù)。主要有友旺SSIP組裝加工業(yè)務(wù)、DIP電表電路組裝測(cè)試業(yè)務(wù)等。三、 代表制品介紹1. 通用雙運(yùn)放KC4570HAKC4570HA是低噪聲、高速、寬通帶雙運(yùn)放，適用于音頻前置放大器、均衡器、有源濾波器等。結(jié)構(gòu)框圖如下：345678921-+out-+outV+V-V+圖7. KC4570HA內(nèi)部電路框圖運(yùn)放的主要特

10、性參數(shù)有：*入力offset電壓：使輸出為0時(shí)輸入端所加的補(bǔ)償電壓。*入力offset電流：輸出為0時(shí)流入兩輸入端的電流差。*入力bias電流：輸出為0時(shí)流入兩輸入端的電流和平均值。*同相信號(hào)去除比：差模電壓增益與共模電壓增益之比，一般dB表示。*電源變動(dòng)去除比：電源電壓的單位變化所引起的Vio的變化率，一般dB表示。*電壓放大倍數(shù)：開(kāi)環(huán)時(shí)直流電壓的放大倍數(shù)，一般用dB表示。*增益帶寬積：衡量運(yùn)放頻率特性好壞的重要參數(shù)，是放大倍數(shù)與信號(hào)頻率的乘積。*輸出轉(zhuǎn)換速率：輸入端在施加規(guī)定的大信號(hào)階躍脈沖時(shí)，輸出電壓隨時(shí)間的最大變化率。以上參數(shù)都已列入國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，并使用專用標(biāo)準(zhǔn)電路進(jìn)行測(cè)試，按標(biāo)準(zhǔn)公式進(jìn)行

11、計(jì)算。KC4570HA的主要電氣參數(shù)如下：項(xiàng)目略號(hào)MINTYPMAX單位工作電壓Vcc±4±12±16V工作電流Icc58mA入力offset電壓Vio±0.3±5mV入力offset電流Iio±10±100nA入力bias電流Ib100400nA同相信號(hào)去除比CMR80100dB電源變動(dòng)去除比SVR80100dB電壓放大倍數(shù)Av90110dB增益帶寬積GBW1015MHz輸出轉(zhuǎn)換速率SR57V/usKC4570HA一般只進(jìn)行1次DC測(cè)試，當(dāng)客戶有特別要求時(shí)，可以進(jìn)行NL（Noise Level）測(cè)試。DC測(cè)試盒線路圖見(jiàn)附圖

12、1。2. 音頻衰減器KC1406HA圖8. KC1406HA電路框圖衰減器1423衰減器2687穩(wěn)壓器159輸入1輸入2Vcc=12V輸出1出2KC1406HA是雙路衰減器，適合于在遙控器中控制音量使用。結(jié)構(gòu)框圖如下：KC1406HA自帶了一個(gè)穩(wěn)壓源，可以方便的提供穩(wěn)定的電壓輸出。通過(guò)調(diào)節(jié)Pin2、Pin8端電壓的大小，可以控制兩個(gè)衰減器的衰減度?？刂齐妷号c衰減度的關(guān)系如下圖所示：0dB-30dB-60dB1V5VVcont衰減度圖9. KC1406HA控制電壓與衰減度特性曲線KC1406HA主要電氣特性參數(shù)如下：項(xiàng)目略號(hào)MINTYPMAX單位工作電壓Vcc8.012.014.4V工作電流Ic

13、c6.08.513.5mA最大輸出的衰減度Av-202dB最大輸出的失真率THD0.51.0%通道分離度Sep64.070.0dB衰減度1ATT1-1.501.0dB衰減度2ATT2-34-30-26dB衰減度3ATT3-77-71dB以上參數(shù)大部分都是對(duì)交流信號(hào)而言的，故KC1406HA不但要進(jìn)行DC測(cè)試外，還要進(jìn)行AC測(cè)試。AC測(cè)試盒線路圖見(jiàn)附圖2。四、 線性產(chǎn)品測(cè)試概述1. 線性測(cè)試系統(tǒng)的構(gòu)成線性產(chǎn)品的測(cè)試系統(tǒng)由硬件和軟件兩部分構(gòu)成，硬件包括測(cè)試臺(tái)、分選器、測(cè)試盒、電纜等；軟件則包括系統(tǒng)軟件和測(cè)試程序兩部分。測(cè)試臺(tái)、分選器以及系統(tǒng)軟件提供一個(gè)測(cè)試平臺(tái)，是通用的；而測(cè)試盒、測(cè)試程序則是針對(duì)

14、某一種器件，是專用的。測(cè)試盒近似于被測(cè)器件實(shí)際應(yīng)用時(shí)的線路，測(cè)試程序則指定了測(cè)試條件與測(cè)試規(guī)格，是器件測(cè)試的核心。測(cè)試系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)見(jiàn)下圖。CPU及控制單元測(cè)試程序測(cè)試盒被測(cè)器件判定回路分選器控制測(cè)定單元驅(qū)動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)單元條件設(shè)定測(cè)定單元條件設(shè)定判定條件測(cè)定結(jié)果 良否、級(jí)別分選器良否、級(jí)別 開(kāi)始、結(jié)束測(cè)試電纜通信電纜測(cè)試臺(tái)及系統(tǒng)軟件圖10.線性產(chǎn)品測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)成2. 線性產(chǎn)品的測(cè)試種類選別測(cè)試的目的是為了正確剔除因設(shè)計(jì)、擴(kuò)散、組裝等原因造成的特性不良品。依據(jù)測(cè)試時(shí)的條件及目的不同，線性測(cè)試主要又可分為DC測(cè)試、AC測(cè)試、NL測(cè)試、CC測(cè)試、實(shí)裝測(cè)試等幾種形式。DC測(cè)試又叫靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，主要是為了檢驗(yàn)I

15、C的直流電特性，比如Vcc、Icc、Vo等，同時(shí)也具有剔除組立不良的功能。AC測(cè)試又叫動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，主要是測(cè)試IC在接近于實(shí)用的狀態(tài)下，對(duì)交流信號(hào)的響應(yīng)，比如帶寬、衰減度、失真度等。NL測(cè)試是靜態(tài)噪聲測(cè)試，即測(cè)試IC在無(wú)信號(hào)輸入時(shí)，輸出信號(hào)（噪聲）的最大值及平均值，該測(cè)試主要是針對(duì)有要求的音頻電路的。CC測(cè)試（電容充放電）是通過(guò)充電電容對(duì)IC各管腿的放電，以老化IC，剔除某種模式的初期不良品，如組立鋁觸須等。實(shí)裝測(cè)試是在完全實(shí)用狀態(tài)下對(duì)IC進(jìn)行的測(cè)試，目的是剔除實(shí)用狀態(tài)下可能出現(xiàn)的顯性不良。以前生產(chǎn)的彩電電路就要進(jìn)行實(shí)裝測(cè)試。各測(cè)試工序所用測(cè)試臺(tái)型號(hào)見(jiàn)下表測(cè)試類別測(cè)試臺(tái)制造商DC測(cè)試UIC50

16、40、MH190ANDOAC測(cè)試WL123G、WL123QSIBASOKUNL測(cè)試TA183ENECCC測(cè)試C-CHARGE BOXRYOWA上述測(cè)試工序一般按CCDCNLRDCAC的順序執(zhí)行。事實(shí)上，大部分產(chǎn)品只實(shí)施上述測(cè)試中的12種。目前SGNEC生產(chǎn)的各線性產(chǎn)品測(cè)試流程見(jiàn)附表1。另外，一些產(chǎn)品可以通過(guò)在DC測(cè)試盒外追加AC信號(hào)源，或者在DC測(cè)試盒內(nèi)部追加AC信號(hào)發(fā)生電路的方式，來(lái)實(shí)現(xiàn)DC、AC同時(shí)測(cè)試，這叫做DC化AC測(cè)試，如KC1330HA、KC1490HA的DC測(cè)試就屬此類。3. 線性測(cè)試的特點(diǎn)（1）測(cè)試不穩(wěn)定這是相對(duì)于數(shù)字器件測(cè)試而言的。線性產(chǎn)品的器件結(jié)構(gòu)一般是雙極型，信號(hào)一般是模

17、擬的；測(cè)試盒提供的測(cè)試周邊電路也是模擬的，所以線性測(cè)試易受到溫度、電磁環(huán)境、電纜的電容效應(yīng)及設(shè)備穩(wěn)定性的影響，相對(duì)較不穩(wěn)定。（2）測(cè)試周邊電路相對(duì)復(fù)雜線性電路在應(yīng)用中常要追加一些電容、電感、大電阻、甚至一些可調(diào)器件，由于這些器件集成化相對(duì)較困難，所以一般放置在外接周邊電路中，所以測(cè)試盒內(nèi)阻容器件也就較多；再加上一個(gè)測(cè)試盒要針對(duì)幾十個(gè)甚至上百個(gè)測(cè)試項(xiàng)目，要保證每個(gè)項(xiàng)目的測(cè)試條件都得到滿足，并且項(xiàng)目與項(xiàng)目之間電路切換正常，就不可避免的增加了測(cè)試盒電路的復(fù)雜程度。尤其是DC化AC測(cè)試。（3）測(cè)試程序與測(cè)試盒緊密相連在線性測(cè)試中，測(cè)試盒與測(cè)試程序都是專門(mén)針對(duì)某一種器件的。測(cè)試程序指定的條件，必須先經(jīng)過(guò)

18、測(cè)試盒電路的處理，才能送到被測(cè)器件上；而測(cè)試臺(tái)測(cè)到的輸出值，也是經(jīng)測(cè)試盒電路處理后的測(cè)試值，所以二者是密不可分的。測(cè)試盒就相當(dāng)于測(cè)試程序與被測(cè)器件之間的硬件接口。五、 DC測(cè)試臺(tái)與測(cè)試程序1. DC測(cè)試臺(tái)簡(jiǎn)介目前SGNEC線性DC測(cè)試臺(tái)有UIC5040與MH190兩種，前者可看成后者的升級(jí)版。UIC5040可測(cè)48Pin以內(nèi)的雙極、MOS等電路的直流參數(shù)，測(cè)試電壓范圍為±120V，電流范圍為±1A。它以Z80為CPU，具有操作簡(jiǎn)單，體積小，可靠性高等特點(diǎn)；它的測(cè)試程序用CMOS保存，不易丟失；主要測(cè)試模式有VM、VFM、IFM、VMD、S&H等；同時(shí)還可進(jìn)行條件遞增

19、/遞減測(cè)試、平均值測(cè)試、絕對(duì)值測(cè)試、內(nèi)部測(cè)試、采樣/保持、結(jié)果計(jì)算等特殊測(cè)試。2. DC測(cè)試程序解讀UIC5040使用會(huì)話式的機(jī)器碼語(yǔ)言，每一個(gè)語(yǔ)句都由5字節(jié)組成，其中第1個(gè)字節(jié)為Word名，它決定了該語(yǔ)句的作用，常用Word語(yǔ)句如下：Word名含義01、02、07、09DPS電源設(shè)定04、05、06外部線設(shè)定10、15PIN接續(xù)設(shè)定20Control Bit設(shè)定21、22DC測(cè)定模式設(shè)定24、25測(cè)試規(guī)格上下限設(shè)定2C測(cè)定時(shí)間、BIN、S&H設(shè)定2D、2ADPS上下電時(shí)序設(shè)定2B跳轉(zhuǎn)語(yǔ)句跳出點(diǎn)設(shè)定2E跳轉(zhuǎn)語(yǔ)句跳入點(diǎn)及TNo設(shè)定30遞增/遞減及平均值測(cè)試模式設(shè)定另外，將Word名轉(zhuǎn)化為

20、二進(jìn)制，最高2 bit還決定了是否實(shí)施測(cè)試及是否進(jìn)行數(shù)據(jù)輸出。例如：語(yǔ)句Word名含義2100100001Test不實(shí)行, Data Log不施行, 21A110100001Test實(shí)行, Data Log施行, 21AC10101100Test實(shí)行, Data Log施行, 2C6501100101Test實(shí)行, Data Log不施行, 25對(duì)產(chǎn)品測(cè)試程序的解讀，應(yīng)與測(cè)試盒線路圖、制品功能圖結(jié)合在一起使用?，F(xiàn)以KC4570HA一段DC測(cè)試程序?yàn)槔忉屓缦拢篘o.語(yǔ)句含義T301015007100211500710080020061021402008202D1000001020400000

21、0010AA80213011000000002510900720AC0501D000DPS1=15.00V Clamp電流100mADPS2=-15.00V Clamp電流100mADPS8=0.200V Clamp電流100mAIFM=020.0mA Clamp電壓20VML1電源Delay 1msEXT BIT2 ON地.地.DPS8.空.DPS2.DPS1.ML1.空空.空.空.空.空.空.空.空MAX<-09.00VTest+Log,5ms,cat1/DT4A020000000Test+Log,EXT BIT3 ON,其他不變結(jié)合測(cè)試盒線路圖及產(chǎn)品框圖，可知T3的測(cè)試機(jī)理是：KC

22、4570 AMP1的負(fù)輸入端通過(guò)100歐電阻接0.2V電壓，正輸入端接地，而輸出端接IFM=20mA。正常情況下，輸出端電壓應(yīng)-15V與I*Rc的和，但當(dāng)AMP因組立或其他因素導(dǎo)致功能喪失，則輸出端將表現(xiàn)為正電壓，測(cè)試FAIL。而T4是測(cè)試AMP2的。六、 AC測(cè)試臺(tái)與測(cè)試程序1. AC測(cè)試臺(tái)簡(jiǎn)介目前使用的AC測(cè)試臺(tái)有兩種：WL123G與WL123Q，都是模塊化結(jié)構(gòu)，有豐富的信號(hào)源模塊及測(cè)定模塊可供選擇，比如AF、RF、FM/AM信號(hào)源、測(cè)試儀等。2. AC測(cè)試程序解讀WL12也是使用會(huì)話式的機(jī)器碼程序語(yǔ)言，語(yǔ)長(zhǎng)固定，每一個(gè)STEP語(yǔ)句都由40個(gè)字節(jié)組成；頭兩個(gè)字節(jié)決定了該語(yǔ)句的測(cè)試模式，WL

23、12提供的測(cè)試模式主要有：測(cè)試模式含義1:TEST正常測(cè)試、判定P/F2:CHECK只測(cè)試、不判定9:SEND條件送出、不測(cè)試、不判定-2:CAL只計(jì)算、不判定-1:CAL+CMP計(jì)算判定3:CMP根據(jù)上一步測(cè)試結(jié)果判定0:SKIP不測(cè)試，直接轉(zhuǎn)到下一步13:WAT+CMP重復(fù)測(cè)試+判定（規(guī)格、回?cái)?shù)）14:WAIT重復(fù)測(cè)試、不判定P/F7:JUMP跳轉(zhuǎn)語(yǔ)句5:SWEEP測(cè)試條件變化測(cè)試結(jié)果變化-3:THD失真度測(cè)試子程序，類似SWEEP6:BIN依據(jù)DATA及LMT分級(jí)0-178:SORTBIN根據(jù)測(cè)試結(jié)果分級(jí)1-611:SORTBIN根據(jù)測(cè)試結(jié)果分級(jí)1-31其中TEST是最常用的測(cè)試模式。與

24、DC類似，對(duì)制品程序的解讀也要結(jié)合測(cè)試盒線路圖及制品框圖。現(xiàn)以KC1406HA AC測(cè)試程序T4為例，解釋如下：字節(jié)內(nèi)容含義0.11指定本Step為T(mén)EST測(cè)試模式2.370與32、33、38、39字節(jié)一起確定Low Limit=0.70mVrms4.5450與32、33、38、39字節(jié)一起確定High Limit=4.50mVrms6.7900測(cè)試延時(shí)時(shí)間900ms8.93Fail BIN為310.11$0880Cont Bit 5, 9置高電平(K5,K9動(dòng)作)12.13$0000Cont Bit17-32置低14.15$0002Cont Bit33-40置低,電壓施加ON16.17$00

25、00Vcc設(shè)定，沿用最初的12.00V18.19$0000FM/AM調(diào)制解調(diào)，未使用20.21$0000程控輸出電壓D/A=0V(Vcont=0V)22.23$0000未使用24.25$0001程控輸出電壓源D/A選擇為1號(hào)26-29$0000未使用30.31$0000通用板功能設(shè)定，無(wú)32.33$40A1AF電表1,帶寬20KH,量程40mV34.35$0960AF ATT 16dB, 實(shí)質(zhì)輸出約500mV36.37$3E00OSC 1KHz，DVM量程8V38.39$2424Data Log ON, 單位.00mVrms結(jié)合AC測(cè)試盒線路圖及產(chǎn)品框圖可知，本STEP是測(cè)試KC1406的AT

26、T2，當(dāng)控制電壓為0V，輸入信號(hào)為500mV/1KHz時(shí)，測(cè)輸出量的大?。ㄝ敵鱿纫?jīng)過(guò)一個(gè)50倍的放大）。七、 不良解析方法1. 不良多發(fā)的原因分析造成線性測(cè)試不良多發(fā)的因素有很多，但可歸結(jié)為3大類：環(huán)境因素、設(shè)備因素、產(chǎn)品因素。在環(huán)境控制較好的情況下，后兩者就是主要原因。（1）常見(jiàn)的設(shè)備因素類別起因表現(xiàn)分選器沖程不夠位置偏移振動(dòng)過(guò)大屏蔽問(wèn)題故障多發(fā)不良品手動(dòng)測(cè)試PASS，且同一種產(chǎn)品其他分選器測(cè)試無(wú)問(wèn)題；常常還伴有IC管腳彎曲的發(fā)生。測(cè)試盒器件損壞器件老化斷線共地不良設(shè)計(jì)缺陷一般良品、不良品手動(dòng)都經(jīng)常FAIL，但更換測(cè)試盒后測(cè)試PASS。插座磨損嚴(yán)重固定不緊位置偏移接觸電容一般目視能發(fā)現(xiàn)；測(cè)試臺(tái)器件損壞器件老化PM不過(guò)；其他測(cè)試臺(tái)測(cè)同一種產(chǎn)品無(wú)問(wèn)題。電纜斷線未插緊浮游電容干擾一般良品、不良品手動(dòng)測(cè)試都FAIL，但其他設(shè)備PASS。（2）常見(jiàn)的產(chǎn)品因素類別起因表現(xiàn)組立組立、封入等造成的芯片或金線損壞不良品手動(dòng)FAIL，項(xiàng)目較多，且與設(shè)備不相關(guān)