影響沉淀純度的因素

1、影響沉淀純度的因素影響沉淀純度的因素 影響沉淀純凈度的因素影響沉淀純凈度的因素 在重量分析中，要求獲得的沉淀是純凈的。但是，沉淀從溶液中析出時，總會或多或少地夾雜溶液中的其它組分。因此必須了解影響沉淀純度的各種因素，找出減少雜質(zhì)混入的方法，以獲得符合重量分析要求的沉淀。影響沉淀純度的主要因素有共沉淀現(xiàn)象和繼沉淀現(xiàn)象。 1. 1.共沉淀共沉淀 當(dāng)沉淀從溶液中析出時，溶液中的某些可溶性組分也同時沉淀下來的現(xiàn)象稱為共沉淀。共沉淀是引起沉淀不純的主要原因，也是重量分析誤差的主要來源之一。共沉淀現(xiàn)象主要有以下三類。 （1）表面吸附 由于沉淀表面離子電荷的作用力未達(dá)到平衡，因而產(chǎn)生自由靜電力場。由于沉淀表

2、面靜電引力作用吸引了溶液中帶相反電荷的離子，使沉淀微粒帶有電荷，形成吸附層。帶電荷的微粒又吸引溶液中帶相反電荷的離子，構(gòu)成電中性的分子。因此，沉淀表面吸附了雜質(zhì)分子。 例如：加過量BaCl2到H2SO4的溶液中，生成BaSO4晶體沉淀。沉淀表面上的SO42-由于靜電引力強(qiáng)烈地吸引溶液中的Ba2+，形成第一吸附層，使沉淀表面帶正電荷。然后它又吸引溶液中帶負(fù)電荷的離子，如Cl-離子，構(gòu)成電中性的雙電層，如圖7-1所示。雙電層能隨顆粒一起下沉，因而使沉淀被污染。 顯然，沉淀的總表面積越大，吸附雜質(zhì)就越多；溶液中雜質(zhì)離子的濃度越高，價態(tài)越高，越易被吸附。由于吸附作用是一個放熱反應(yīng)，所以升高溶液的溫度，

3、可減少雜質(zhì)的吸附。Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-_-_晶格表 面Ba2+Ba2+- - - - -雙電 層Cl-Cl-圖圖3-1 3-1 品體表面吸附示意圖品體表面吸附示意圖 （2）吸留和包藏 吸留是被吸附的雜質(zhì)機(jī)械地嵌入沉淀中。包藏常指母液機(jī)械地包藏在沉淀中。這些現(xiàn)象的發(fā)生，是由于沉淀劑加入太快，使沉淀急速生長，沉淀表面吸附的雜質(zhì)來不及離開就被隨后生成的沉淀所覆蓋，使雜質(zhì)離子或母液被吸留或包藏在沉淀內(nèi)部。這類共沉淀不能用洗滌的方法將雜質(zhì)除去，可以借改變沉淀條件或重結(jié)晶的方法來減免

4、。 （3）混晶 當(dāng)溶液雜質(zhì)離子與構(gòu)晶離子半徑相近，晶體結(jié)構(gòu)相同時，雜質(zhì)離子將進(jìn)入晶核排列中形成混晶。例如Pb2+和Ba2+半徑相近，電荷相同，在用H2SO4沉淀Ba2+時，Pb2+能夠取代BaSO4中的Ba2+進(jìn)入晶核形成PbSO4與BaSO4的混晶共沉淀。又如AgCl和AgBr、MgNH4PO46H20和MgNH4AsO4等都易形成混晶。為了減免混晶的生成，最好在沉淀前先將雜質(zhì)分離出去。2.2.后沉淀后沉淀 在沉淀析出后，當(dāng)沉淀與母液一起放置時，溶液中某些雜質(zhì)離子可能慢慢地沉積到原沉淀上，放置時間越長，雜質(zhì)析出的量越多，這種現(xiàn)象稱為后沉淀。例如：Mg2+存在時以（NH4）2C2O4沉淀Ca2+，Mg2+易形成穩(wěn)定的草酸鹽過飽和溶液而不立即析出。如果把形成CaC2O4