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1、三氧化二釔名稱:釔( Y)三氧化二釔,( Y2O3)使用電子槍蒸鍍,該材料性能隨膜厚而變化,在 500nm時(shí)折射率約為,用作鋁保護(hù)膜極其受歡迎,特別相對(duì)于800-12000nm區(qū)域高入射角而言,可用作眼鏡保護(hù)膜,且24 小時(shí)暴露于濕氣中,一般為顆粒狀和片狀。透光范圍 (nm)折射率 (N)500nm 蒸發(fā)溫度()蒸發(fā)源應(yīng)用 蒸氣成分250-8000 179 2300-2500電子槍防反膜,鋁保護(hù)膜二氧化鈰名稱:二氧化鈰( CeO2)使用高密度的鎢舟皿 ( 較早使用 ) 蒸發(fā),在 200的基板上蒸著二氧化鈰,得到一個(gè)約為的折射率,在大約3000nm有一吸收帶其折射率隨基板溫度的變化而發(fā)生顯著變化
2、,在300基板 500nm區(qū)域折射率為,在波長(zhǎng)短過(guò)400nm時(shí)有吸收,傳統(tǒng)方法蒸發(fā)缺乏緊密性, 用氧離子助鍍可取得n=(500nm)的低吸收性薄膜, 一般為顆粒狀 , 還可用一增透膜和濾光片等。 透光范圍 (nm) 折射率 (N) 500nm 蒸發(fā)溫度() 蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣排放量 400-16000 約 2000 電子槍 防反膜, 多 名稱:氧化鎂 (MgO) 必須使用電子槍蒸發(fā)因該材料升華,堅(jiān)硬耐久且有良好的紫外線 (UV)穿透性, 250nm時(shí) n=,190nm時(shí) n=, 166nm 時(shí) K 值為,n=??捎米髯贤饩€薄膜材料。 MGO/MGF2膜堆從 200nm-400nm 區(qū)域透過(guò)性良
3、好,但膜層被限制在 60 層以內(nèi) ( 由于膜應(yīng)力 )500nm時(shí)環(huán)境基板上得到 n=。由于大氣 CO2的干擾, MGO暴露表面形成一模糊的淺藍(lán)的散射表層,可成功使用傳統(tǒng)的MHL折射率 3 層 AR膜(MgO/CeO2/MgF2)。硫化鋅名稱:硫化鋅 (ZnS)折射率為 , 400-13000nm的透光范圍,具有良好的應(yīng)力和良好的環(huán)境耐久性, ZnS 在高溫蒸著時(shí)極易升華, 這樣在需要的膜層附著之前它先在基板上形成一無(wú)吸附性膜層,因此需要徹底清爐,并且在最高溫度下烘干,花數(shù)小時(shí)才能把鋅的不良效果消除 .HASS 等人稱紫外線 (UV) 對(duì) ZNS有較大的影響, 由于紫外線在大氣中導(dǎo)致 15-20
4、nm 厚的硫化鋅膜層完全轉(zhuǎn)變成氧化鋅 (ZNO)。 400-14000 1000-1100透光范圍 (nm) 折射率 (N) 550nm 蒸發(fā)溫度() 蒸發(fā)源 應(yīng)用 方式電子槍 , 鉭鉬舟 防反膜, 升華 應(yīng)有 : 分光膜 , 冷光膜 , 裝飾膜 , 濾光片, 高反膜 , 紅外膜 .二氧化鈦名稱 : 二氧化鈦 (TIO2)TIO2 由于它的高折射率和相對(duì)堅(jiān)固性, 人們喜歡把這種高折射率材料用于可見(jiàn)光和近紅外線區(qū)域, 但是它本身又難以得到一個(gè)穩(wěn)定的結(jié)果.TIO2, TI2O3.TIO, TI , 這些原材料氧 - 鈦原子的模擬比率分別為 :, , , , 0. 后發(fā)現(xiàn)比率為的材料比較穩(wěn)定并且大約
5、在 550nm生成一個(gè)重復(fù)性折射率為的堅(jiān)固的膜層 , 比率為 2 的材料第一層產(chǎn)生一個(gè)大約的折射率 , 后面的膜層折射率接近于 . 比率為的材料需要 7 個(gè)膜層將折射率降到 . 這幾種膜料都無(wú)吸收性 , 幾乎每一個(gè) TIO2 蒸著遵循一個(gè)原則 : 在可使用的光譜區(qū)內(nèi)取得可以忽略的 吸收性 , 這樣可以降低氧氣壓力的限制以及溫度和蒸著速度的限制.TIO2 需要使用 IAD 助鍍 , 氧氣輸入口在擋板下面.TI3O5比其它類型的氧化物貴一些, 可是很多人認(rèn)為這種材料不穩(wěn)定性的風(fēng)險(xiǎn)要小一些,PULKER等人指出 , 最后的折射率與無(wú)吸收性是隨著氧氣壓力和蒸著溫度而改變的, 基板溫度高則得到高的折射率
6、 . 例如 , 基板板溫度為 400時(shí)在 550 納米波長(zhǎng)得到的折射率為 , 可是由于別的原因 , 高溫蒸著通常是不受歡迎的 , 而離子助鍍已成為一個(gè)普遍采用的方法其在低溫甚至在室溫時(shí)就可以得到比較高的折射 , 通常需要提供足夠的氧氣以避免 ( 因?yàn)橛形談t降低透過(guò)率 ), 但是可能也需要降低吸收而增大鐳射損壞臨界值 (LDT).TIO2 的折射率與真空度和蒸發(fā)速度有很大的關(guān)系 , 但是經(jīng)過(guò)充分預(yù)熔和IAD 助鍍可以解決這一難題 , 所以在可見(jiàn)光和近紅外線光譜中 ,TIO2 很受到人們的歡迎 . 在 IAD 助鍍 TIO2 時(shí), 使用屏蔽柵式離子源蒸發(fā)則需要 200EV,而用無(wú)屏蔽柵式離子源蒸
7、發(fā)時(shí)則需要 333EV或者更少一些 , 在那里平均能量估計(jì)大約是驅(qū)動(dòng)電壓的 60%,如果離子能量超過(guò)以上數(shù)值 ,TIO2 將有吸收 . 而SIO2 有電子槍蒸發(fā)可以提供 600EV碰撞 ( 離子輻射 ) 能量而沒(méi)有什么不良效應(yīng) . TIO2/SIO2 制程中都使用 300EV的驅(qū)動(dòng)電壓 , 目的是在兩種材料中都使用無(wú)柵極離子源 , 這樣避免每一層都改變驅(qū)動(dòng)電壓 ,驅(qū)動(dòng)電壓高低的選擇取決于TIO2 所允許的范圍 , 而蒸著速度的高低取決于完全致密且無(wú)吸收膜所允許之范圍 . TIO2用于防反膜 , 分光膜 , 冷光膜 , 濾光片 , 高反膜 , 眼鏡膜 , 熱反射鏡等 , 黑色顆粒狀和白色片狀 ,
8、 熔點(diǎn) :1175 透光范圍 (nm) 折射率 (N)500nm 蒸發(fā)溫度() 蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣排放量400-120002000-2200電子槍 ,防反膜,增透 多TIO2 用于防反膜 , 裝飾膜 ,濾光片 ,高反膜TI2O3 用于防反膜濾光片高反膜 眼鏡膜氟化釷名稱 : 氟化釷( ThF4)260-12000nm以上的光譜區(qū)域, 是一種優(yōu)秀的低折射率材料,然而存在放射性,在可視光譜區(qū) N從 降到 (1000nm 區(qū)域 ) 在短波長(zhǎng)趨近于 , 蒸發(fā)溫度比 MGF2低一些 , 通常使用帶有凹罩的舟皿以免 THF4良性顆?;鹦秋w濺出去 , 而且形成的薄膜似乎比 MGF2薄膜更加堅(jiān)固 . 該膜在
9、IR 光譜區(qū) 300NM小水帶幾乎沒(méi)有吸收 , 這意味著有望得到一個(gè)低的光譜移位以及更大的整體堅(jiān)固性 , 在 8000 到 12000NM完全沒(méi)有材料可以替代 .二氧化硅名稱 :二氧化硅 (SIO2)經(jīng)驗(yàn)告訴我們,氧離子助鍍(IAD)SIO將是SIO2 薄膜可再現(xiàn)性問(wèn)題的一個(gè)解決方法, 并且能在生產(chǎn)環(huán)境中以一個(gè)可以接受的高速度蒸著薄膜.SIO2 薄膜如果壓力過(guò)大, 薄膜將有氣孔并且易碎, 相反壓力過(guò)低薄膜將有吸收并且折射率變大, 需要充分提供高能離子或氧離子以便得到合乎需要的速度和特性, 必要是需要氧氣和氬氣混合充氣, 但是這是熱鍍的情況, 冷鍍時(shí)這種性況不存在.SIO2 用于防反膜,冷光膜,
10、濾光片,絕緣膜,眼鏡膜,紫外膜 .透光范圍 (nm)折射率 (N)550nm 蒸發(fā)溫度()蒸發(fā)源應(yīng)用 雜氣排放量200-2000 1800-2200電子槍 ,防反膜,增透少, 升華無(wú)色顆粒狀 , 折射率穩(wěn)定 , 放氣量少 ,和 OS-10等高折射率材料組合制備截止膜, 濾光片等 .一氧化硅名稱 : 一氧化硅 (SIO)透光范圍 (nm)折射率 (N)550nm 蒸發(fā)溫度() 蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣排放量600-80001200-1600電子槍 ,鉭鉬舟 冷光膜裝飾膜保護(hù)膜 , 升華制程特性 : 棕褐色粉狀或細(xì)塊狀 .熔點(diǎn)較低 , 可用鉬舟或鈦舟蒸發(fā) , 但需要加蓋舟因?yàn)榇朔N材料受熱直接升華 .使用
11、電子槍加熱時(shí)不能將電子束直接打在材料上而采用間接加熱法 .制備塑料鏡片時(shí) , 一般第一層是 SIO, 可以增加膜的附著力 .名稱 :OH-5(TIO2+ZrO2)透光范圍 (nm) 折射率 (N)550nm 蒸發(fā)溫度() 蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣排放量300-8000約 2400電子槍 ,增透 一般蒸氣成分為 :ZRO,O2,TIO,TIO2呈褐色塊狀或柱狀尼康公司開(kāi)發(fā)之專門加TS- 系列抗反射材料 , 折射率受真空度 , 蒸發(fā)速率 , 氧氣壓力的影響很大 , 蒸鍍時(shí)不加氧或加氧不充分時(shí) , 制備薄膜會(huì)產(chǎn)生吸收現(xiàn)象 , 但是我們?cè)趯?shí)際應(yīng)用時(shí)沒(méi)有加氧也比較好用 .二氧化鎬名稱 : 二氧化鎬 (ZrO2
12、)ZrO2 具有堅(jiān)硬 , 結(jié)實(shí)及不均勻之特性, 該薄膜有是需要烘干以便除去它的吸收, 其材料的純度及為重要, 純度不夠薄膜通常缺乏整體致密性, 它得益于適當(dāng)使用 IAD 來(lái)增大它的折射率到疏松值以便克服它的不均勻性 . 目前純度達(dá)到 %基本上解決了以上的問(wèn)題 .SAINTY 等人成功地使用 ZRO2作為鋁膜和銀膜的保護(hù)膜 , 該膜層 ( 指 ZRO2)是在室溫基板上使用700EV氬離子助鍍而得到的 . 一般為白色柱狀或塊狀 , 蒸發(fā)分子為 ZRO,O2. 透光范圍 (nm) 折射率 (N) 550nm 蒸發(fā)溫度()蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣排放量 320-7000 約 2500 電子槍 , 增透 ,
13、加硬膜 眼鏡膜保護(hù)膜 一般 制程特性 : 白色顆粒 , 柱狀 , 或塊狀 , 粉狀材料使用鎢舟或鉬舟 . 顆粒狀 , 粉狀材料排雜氣量較多 , 柱狀或塊狀較少 . 真空度小于 2*10-5Torr 條件下蒸發(fā)可得到較穩(wěn)定的折射率,真空度大于 5*10-5Torr 時(shí)蒸發(fā),薄膜折射率逐漸變小。 蒸鍍時(shí)加入一定壓力的氧氣可以改善其材料之不均勻性。氟化鎂名稱 : 氟化鎂(MgF2) MGF2作為 1/4 波厚抗反射膜普遍使用來(lái)作玻璃光學(xué)薄膜, 它難以或者相對(duì)難以溶解,而且有大約 120NM真實(shí) 紫外線到大約 7000nm的中部紅外線區(qū)域里透過(guò)性能良好。OLSEN,MCBRIDE等人指出從至少 200
14、NM到 6000NM的區(qū)域里,厚的單晶體 MGF2是透明的 , 接著波長(zhǎng)越長(zhǎng)吸收性開(kāi)始增大 , 在 10000NM透過(guò)率降到大約 2%,雖然在 8000-12000NM區(qū)域作為厚膜具有較大的吸收性 , 但是可以在其頂部合用一薄膜作為保護(hù)層 . 不使用 IAD 助鍍 , 其膜的硬度 , 耐久性及密度隨基板的溫度的改變而改變的 . 在室溫中蒸鍍 ,MGF2膜層通常被手指擦傷 , 具有比較高的濕度變化 . 在真空中大約 N=,堆積密度 82%,使用 300()蒸鍍 , 其堆積密度將達(dá)到 98%,N=它的膜層能通過(guò)消除裝置的擦傷測(cè)試并且溫度變化低 , 在室溫與 300()之間 , 折射率與密度的變化幾
15、乎成正比例的 . 在玻璃上冷鍍 MGF2加以 IAD 助鍍可以得到 300()同等的薄膜 , 但是 125-150EV 能量蒸鍍可是最適合的 . 在塑料上使用 IAD 蒸鍍幾乎強(qiáng)制獲得合理的附著力與硬度 . 經(jīng)驗(yàn)是 MGF2不能與離子碰撞過(guò)于劇烈 .透光范圍 (nm) 折射率 (N)550nm 蒸發(fā)溫度() 蒸發(fā)源應(yīng)用 雜氣排放量2000-7000約 1100 電子槍 ,鉬鉭鎢舟增透 , 加硬膜眼鏡膜少,MGF2(MGF2)2制程特性 : 折射率穩(wěn)定 , 真空度和速率對(duì)其變化影響小預(yù)熔不充分或蒸發(fā)電流過(guò)大易產(chǎn)生飛濺 , 造成鏡片 " 木" 不良 . 在打開(kāi)檔板后蒸發(fā)電流不要
16、隨意加減, 易飛濺 . 基片須加熱到高的張應(yīng)力白色顆粒狀, 常用于抗反射膜, 易吸潮 . 購(gòu)買時(shí)應(yīng)考慮其純度.三氧化二鋁名稱 : 三氧化二鋁 (AL2O3)普遍用于中間材料 , 該材料有很好的堆積密度并且在 200-7000NM區(qū)域的透明帶 , 該制程是否需要加氧氣以試驗(yàn)分析來(lái)確定, 提高基板溫度可提高其折射率 , 在鍍膜程式不可理更改情況下 , 以調(diào)整蒸發(fā)速率和真空度來(lái)提高其折射率.透光范圍 (nm)折射率 (N)550nm 蒸發(fā)溫度() 蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣排放量200-70002050 電子槍 , 增透, 保護(hù)膜眼鏡膜 一般 ,AL,O,O2,ALO,AL2O,(ALO)2制程特性 : 白
17、色顆粒狀或塊狀 ,結(jié)晶顆粒狀等 .非結(jié)晶狀材料雜氣排放量高 , 結(jié)晶狀材料相對(duì)較少 .折射率受蒸著真空度和蒸發(fā)速率影響較大 , 真空不好即速率低則膜折射率變低; 真空度好蒸發(fā)速率較快時(shí) , 膜折射率相對(duì)增大, 接近AL2O3蒸發(fā)時(shí)會(huì)產(chǎn)生少量的 AL 分子造成膜吸收現(xiàn)象 , 加入適當(dāng)?shù)?O2時(shí), 可避免其吸收產(chǎn)生 . 但是加氧氣要注意不要影響到它的蒸發(fā)速率否則改變了它的折射率.名稱 :OS-10(TIO2+ZrO2)透光范圍 (nm) 折射率 (N)550nm 蒸發(fā)溫度() 蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣排放量250-70002050 電子槍 ,增透 , 濾光片 , 截止膜一般 ,制程特性 : 棕褐色顆粒狀
18、 . 雜氣排放較大 , 預(yù)熔不充分或真空度小于 5*10-5Torr 時(shí)蒸發(fā) , 其折射率會(huì)比小 , 幫必須充分預(yù)熔且蒸發(fā)真空度希望大于上述這數(shù)值 . 蒸發(fā)此種材料時(shí)宜控制衡定的蒸發(fā)速率 , 材料可添加重復(fù)使用 , 為減少雜氣排放量 , 盡量避免全數(shù)使用新材料.蒸氣中的 TI 和 TIO 和 O2反應(yīng)生成 TIO2常用于制備抗反射膜和SIO2 疊加制備各種規(guī)格的截止膜系和濾光片等.鍺名稱 : 鍺(Ge)稀有金屬 , 無(wú)毒無(wú)放射性 , 主要用于半導(dǎo)體工業(yè) , 塑料工業(yè) , 紅外光學(xué)器件 ,航天工業(yè) , 光纖通訊等 . 透光范圍 2000NM-14000NM,n=4甚至更大 ,937 ()時(shí)熔化并
19、且在電子槍中形成一種液體 , 然后在 1400()輕易蒸發(fā) . 用電子槍蒸發(fā)時(shí)它的密度比整體堆積密度低, 而用離子助鍍或者鐳射蒸鍍可以得到接近于松散密度 . 在鍺基板上與 THF4制備幾十層的 8000-12000NM 帶通濾光片 , 如果容室溫度太高吸收將有重大變化 , 在 240-280 ()范圍內(nèi) , 在從非晶體到晶體轉(zhuǎn)變的過(guò)程中 GE有一個(gè)臨界點(diǎn) .鍺化鋅 名稱 : 鍺化鋅 (ZnGe) 疏散的鍺化鋅具有一個(gè)比其相對(duì)較高的折射率N=,在可見(jiàn)光譜區(qū)以及 NM區(qū)域具有較少的吸收性并且疏散的鍺化鋅沒(méi)有其材質(zhì)那么硬, 在 500NM時(shí) . 使用鉭舟將其蒸發(fā)到 150的基板上制備SI/ZnGe
20、及 ZnGe/LaF3膜層試圖獲到長(zhǎng)波長(zhǎng)IR 漸低折射率的光學(xué)濾鏡 .氧化鉿名稱 : 氧化鉿 (HfO2)在 150的基板上有用電子槍蒸著, 折射率在左右, 用氧離子助鍍可能取和得穩(wěn)定的折射率, 在 8000-12000NM區(qū) HFO2用作鋁保護(hù)膜外層好過(guò)SIO2透光范圍(nm) 折射率 (N)550nm 蒸發(fā)溫度() 蒸發(fā)源應(yīng)用 雜氣排放量230-7000 2350電子槍 ,增透 , 高反膜紫外膜少無(wú)色圓盤狀或灰色顆粒狀和片狀.碲化鉛名稱 : 碲化鉛( PbTe)是一種具有高折射率的IR 材料,作為薄膜材料在3800-40000NM 是透明的,在紅外區(qū) N=,該材料升華 , 基板板溫度 25
21、0是有益的 , 健康預(yù)防是必要的 , 在高達(dá) 40000NM時(shí)使用效果很好 , 別的材料常常用在超過(guò)普通的 14000NM紅外線邊緣 .鋁氟化物名稱 : 鋁氟化物( ALF3)可以在鉬中升華,在 190-1000NM區(qū)域有透過(guò)性, N=,有些人聲稱已用在 EXIMER激光鏡 , 它無(wú)吸收性 , 在 250-1000NM區(qū)域透過(guò)性良好 .ALF3 是冰晶石 , 是 NaALF4的一個(gè)組成部分 , 且多年來(lái)一直在使用 , 但是在未加以保護(hù)層時(shí)其耐久性還未為人知 .鈰 (Ce) 氟化物名稱 : 鈰 (Ce) 氟化物Hass 等人研究 GeF3,他們使用高密度的鎢舟蒸發(fā)發(fā)現(xiàn)在500NM時(shí) N=,并且機(jī)
22、械強(qiáng)度和化學(xué)強(qiáng)度令人滿意, 他們指出在 234NM和 248NM的吸收最大 , 而在波長(zhǎng)大過(guò) 300NM時(shí)吸收可以忽略 .FUJIWARA用鉬舟蒸發(fā) CEF3和 CEO2混合物 , 得到一個(gè)的合乎需要的具有合理重復(fù)性的折射率 , 他指出該材料的機(jī)械強(qiáng)度和化學(xué)強(qiáng)度都令人滿意.透光范圍(nm)折射率 (N)500nm 蒸發(fā)溫度()蒸發(fā)源應(yīng)用 雜氣排放量300-5000約1500電子槍 ,鉬鉭鎢舟增透 ,眼鏡 少氟化鈣名稱 : 氟化鈣 (CaF2)CaF2是 Heavens 提出來(lái)的,它可以在10-4 以上的壓力下蒸發(fā)獲得一個(gè)約為的折射率??墒撬f(shuō)最終的膜層不那么令人滿意,在室溫下蒸著氟化鈣其堆積密
23、度大約為 , 這與 Ennos給出的疏散折射率相吻合 , 這說(shuō)明該材料不耐用并容易隨溫度變化而變化 . 原有的高拉應(yīng)力隨膜厚增大而降低 , 膜厚增大導(dǎo)致大量的可見(jiàn)光散射 . 可以用鎢鉭舟鉬舟蒸發(fā)而且會(huì)升華 , 在紅外線中其穿透性超過(guò) 12000nm,它沒(méi)有完全的致密性似乎是目前其利用受到限制的原因 , 隨著 IAD 蒸著氟化物條件的改善這種材料的使用前景更為廣闊 .氟化鋇 名稱 : 氟化鋇 (BaF2) 與氟化鈣具有相似的物理特性 , 在室溫下蒸鍍氟化鋇 , 使用較低的蒸著速度時(shí)材料的堆積密度為 , 并且密度變化與蒸著速度增大幾乎成正比 , 在速度為 20NM/S堆積密度高達(dá) , 它的局限性又
24、是它缺乏完全致密性 . 透過(guò)性在高溫時(shí)移到更長(zhǎng)的波長(zhǎng) , 所以目前它只能用在紅外膜 . 透光范圍 (nm) 折射率 (N) 500nm 蒸發(fā)溫度() 蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣排放量 250-15000 約 1500 電子槍 , 鉬鉭鎢舟 紅外膜 少氟化鉛名稱 : 氟化鉛 (PbF2)氟化鉛在 UV中可用作高折射率材料 , 在 300nm時(shí) N=,該材料與鉬鉭 , 鎢舟接觸時(shí)折射率將降低 , 因此需要用鉑或陶瓷皿 .Ennos 指出氟化鉛具有相對(duì)較低的應(yīng)力 , 開(kāi)始是壓力 , 隨著膜厚度的增加張力明顯增大 , 但這與蒸著速度無(wú)關(guān) .透光范圍(nm) 折射率 (N)500nm 蒸發(fā)溫度() 蒸發(fā)源 應(yīng)用
25、 雜氣排放量250-17000 700-1000電子槍 ,鉑舟,坩鍋 紅外膜 少鉻名稱 : 鉻 (Cr)鉻有時(shí)用在分光鏡上并且通常用作" 膠質(zhì)層 " 來(lái)增強(qiáng)附著力 ,膠質(zhì)層可能在5-50NM的范圍內(nèi) , 但在鋁鏡膜導(dǎo)下面 ,30NM是增強(qiáng)附著力的有效值 . 顆粒狀可用鎢舟蒸發(fā)而塊狀宜用電子槍來(lái)蒸發(fā), 該材料升華 , 但是表面氧化物可以防止它蒸發(fā)/ 升華 , 可以全用鉻電鍍鎢絲 . 可以用鉻作為膠質(zhì)層對(duì)金鏡化合物進(jìn)行韌性處理, 也可在塑料上使用鉻作為膠質(zhì)層. 也可使用一個(gè)螺旋狀的鎢絲蒸發(fā). 它應(yīng)該是所有材料中具有最高拉應(yīng)力的材料.透光范圍 (nm) 折射率 (N)500nm
26、蒸發(fā)溫度() 蒸發(fā)源 應(yīng)用雜氣排放量1300-1400電子槍 ,鉑舟 ,鎢舟 吸收膜分光膜導(dǎo)電膜加硬膜鋁名稱 : 鋁 (AL)不管是裝飾膜還是專業(yè)膜都是普遍用于蒸發(fā)/ 濺鍍鏡膜 , 常用鎢絲來(lái)蒸發(fā)鋁絲 , 在紫外域中它是普通金屬中反射性能最好的一種 , 在紅外域中不用 Cu, Ag, Au. 鋁原先有一個(gè)比較高的拉應(yīng)力 , 在不透明厚度時(shí) , 該 拉應(yīng)力降低到一個(gè)小的壓應(yīng)力 , 并且蒸著以后拉應(yīng)力進(jìn)一步降低 . 其膜的有效厚度為 50NM以上 .銀名稱 : 銀(Ag)如果蒸著速度足夠快并且基板溫度不很高時(shí), 銀和鋁一樣具有良好的反射性 , 這是在高速低溫下大量集結(jié)的結(jié)果 , 這一集結(jié)同時(shí)導(dǎo)致更
27、大的吸收 . 銀通常不浸濕鎢絲 , 但是往往形成具有高表面張力的液滴 , 它可以用一高緊密性的螺旋式鎢絲來(lái)蒸發(fā) , 從而避免液滴下掉 . 有人先在一個(gè) V型鎢絲上繞幾圈鉑絲接著繞上銀絲 , 銀絲可以浸濕鉑絲但沒(méi)有浸濕鎢絲 .金名稱 : 金 (Au)金在紅外線 1000nm波長(zhǎng)以上是已知材料中具有最高反射性的材料 , 作為一種貴重金屬 , 它具有較強(qiáng)的化學(xué)堅(jiān)硬性, 由于它的可塑性因而抗擦傷性能低,AU 可用鎢或氮化硼舟皿或者電子槍來(lái)蒸發(fā)( 不能與鉑舟蒸發(fā) , 它與鉑很快合金 ). 金對(duì)玻璃表面的附著力低 , 因而通常使用一層鉻作為膠質(zhì)層 . 也可用氧離子助鍍使金的附著力得到上百倍的改善 , 在不
28、透明性達(dá)到即中止 IAD, 并且最后的薄膜中不含有氧 , 摻氧將降低薄膜的反射率 .銦 - 錫氧化物名稱 : 銦- 錫氧化物和導(dǎo)電材料銦 - 錫氧化物 (ITO) 和 In3O5-SnO2有相對(duì)良好的導(dǎo)電性能和可見(jiàn)光穿性. 這樣的薄膜在數(shù)據(jù)顯示屏和抗熱防霜裝置等方面已有很大原需求.在建筑上可用作擇光窗和可控穿透窗.ITO n= at500nm熔化溫度約 1450.名稱 : 鋁 (AL)不管是裝飾膜還是專業(yè)膜都是普遍用于蒸發(fā) / 濺鍍鏡膜 , 常用鎢絲來(lái)蒸發(fā)鋁絲 , 在紫外域中它是普通金屬中反射性能最好的一種 , 在紅外域中不用 Cu, Ag, Au. 鋁原先有一個(gè)比較高的拉應(yīng)力 , 在不透明厚
29、度時(shí) , 該 拉應(yīng)力降低到一個(gè)小的壓應(yīng)力 , 并且蒸著以后拉應(yīng)力進(jìn)一步降低 . 其膜的有效厚度為50NM以上 . 名稱 : 銀(Ag) 如果蒸著速度足夠快并且基板溫度不很高時(shí) , 銀和鋁一樣具有良好的反射性 , 這是在高速低溫下大量集結(jié)的結(jié)果 , 這一集結(jié)同時(shí)導(dǎo)致更大的吸收 . 銀通常不浸濕鎢絲 , 但是往往形成具有高表面張力的液滴 , 它可以用一高緊密性的螺旋式鎢絲來(lái)蒸發(fā) , 從而避免液滴下掉 . 有人先在一個(gè) V型鎢絲上繞幾圈鉑絲接著繞上銀絲 , 銀絲可以浸濕鉑絲但沒(méi)有浸濕鎢絲 .名稱 : 金 (Au) 金在紅外線 1000nm波長(zhǎng)以上是已知材料中具有最高反射性的材料 , 作為一種貴重金屬
30、 , 它具有較強(qiáng)的化學(xué)堅(jiān)硬性 , 由于它的可塑性因而抗擦傷性能低 ,AU 可用鎢或氮化硼舟皿或者電子槍來(lái)蒸發(fā) ( 不能與鉑舟蒸發(fā) , 它與鉑很快合金 ). 金對(duì)玻璃表面的附著力低 , 因而通常使用一層鉻作為膠質(zhì)層 . 也可用氧離子助鍍使金的附著力得到上百倍的改善 , 在不透明性達(dá)到即中止 IAD, 并且最后的薄膜中不含有氧 , 摻氧將降低薄膜的反射率 .銦 - 錫氧化物名稱 : 銦- 錫氧化物和導(dǎo)電材料銦 - 錫氧化物 (ITO) 和 In3O5-SnO2有相對(duì)良好的導(dǎo)電性能和可見(jiàn)光穿性. 這樣的薄膜在數(shù)據(jù)顯示屏和抗熱防霜裝置等方面已有很大原需求.在建筑上可用作擇光窗和可控穿透窗.ITO n=
31、 at500nm 熔化溫度約 1450.名稱 :H1范圍 (nm) 折射率 (N)500nm 蒸發(fā)溫度()蒸發(fā)源應(yīng)用 雜氣排放量360-7000透光2200-2400 電子槍 ,增透,眼鏡膜 少名稱 :H2透光范圍 (nm) 折射率 (N)500nm 蒸發(fā)溫度()蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣排放量400-5000 2200 電子槍 ,增透, 眼鏡膜 少名稱 :H4透光范圍 (nm) 折射率 (N)500nm 蒸發(fā)溫度()蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣排放量360-7000 2200-2400 電子槍 ,增透 , 眼鏡膜濾光片 少名稱 :M1透光范圍 (nm) 折射率(N)500nm 蒸發(fā)溫度() 蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣
32、排放量300-9000 2200-2400電子槍, 增透, 偏光膜 少名稱 :M2透光范圍 (nm)折射率 (N)500nm 蒸發(fā)溫度() 蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣排放量210-100002100電子槍 ,增透 , 偏光膜分光膜 少名稱 :M3透光范圍 (nm)折射率 (N)500nm 蒸發(fā)溫度() 蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣排放量220-10000 2100電子槍 ,增透, 偏光膜 少名稱 :H5透光范圍 (nm)折射率 (N)500nm 蒸發(fā)溫度()蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣排放量210-10000 2100電子槍 ,增透, 濾光片 少名稱 : 氧化鉭(Ta2O5)透光范圍 (nm)折射率 (N)500nm 蒸發(fā)溫度() 蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣排放量400-0001900-2200電子槍 ,增透 , 干涉濾光片 少名稱 :WR-1透光范圍 (nm)折射率 (N)500nm 蒸發(fā)溫度() 蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣排放量380-700約 360-450 鉬舟 , 頂層膜眼鏡膜 少名稱 :WR-2透光范圍 (nm) 折射率 (N)500nm 蒸發(fā)溫度()蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣排放量380-700 約 360-450電子槍 ,
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