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1、LED散熱基板介紹及技術發(fā)展趨勢分析 時間:2012/2/22隨著全球環(huán)保的意識抬頭,節(jié)能省電已成為當今的趨勢。LED產業(yè)是近年來最受矚目的產業(yè)之一。發(fā)展至今,LED產品已具有節(jié)能、省電、高效率、反應時間快、壽命周期長、且不含汞,具有環(huán)保效益;等優(yōu)點。然而通常LED高功率產品輸入功率約為20%能轉換成光,剩下80%的電能均轉換為熱能。 一般而言,LED發(fā)光時所產生的熱能若無法導出,將會使LED結面溫度過高,進而影響產品生命周期、發(fā)光效率、穩(wěn)定性,而LED結面溫度、發(fā)光效率及壽命之間的關系,以下將利用關系圖作進一步說明。 1、LED散熱途徑 依據(jù)不同的封裝技術,其散熱方法亦有所不同,而LED各種
2、散熱途徑方法約略可以下示意之: 散熱途徑說明: (1).從空氣中散熱 (2).熱能直接由Systemcircuitboard導出 (3).經(jīng)由金線將熱能導出 (4).若為共晶及Flipchip制程,熱能將經(jīng)由通孔至系統(tǒng)電路板而導出 一般而言,LED晶粒(Die)以打金線、共晶或覆晶方式連結于其基板上(SubstrateofLED Die)而形成一LED晶片(chip),而后再將LED晶片固定于系統(tǒng)的電路板上(Systemcircuit board)。因此,LED可能的散熱途徑為直接從空氣中散熱,或經(jīng)由LED晶粒基板至系統(tǒng)電路板再到大氣環(huán)境。而散熱由系統(tǒng)電路板至大氣環(huán)境的速率取決于整個發(fā)光燈具或
3、系統(tǒng)之設計。 然而,現(xiàn)階段的整個系統(tǒng)之散熱瓶頸,多數(shù)發(fā)生在將熱量從LED晶粒傳導至其基板再到系統(tǒng)電路板為主。此部分的可能散熱途徑:其一為直接藉由晶粒基板散熱至系統(tǒng)電路板,在此散熱途徑里,其LED晶?;宀牧系臒嵘⒛芰礊橄喈斨匾膮?shù)。另一方面,LED所產生的熱亦會經(jīng)由電極金屬導線而至系統(tǒng)電路板,一般而言,利用金線方式做電極接合下,散熱受金屬線本身較細長之幾何形狀而受限;因此,近來即有共晶(Eutectic)或覆晶(Flipchip)接合方式,此設計大幅減少導線長度,并大幅增加導線截面積,如此一來,藉由LED電極導線至系統(tǒng)電路板之散熱效率將有效提升。 經(jīng)由以上散熱途徑解釋,可得知散熱基板材料的
4、選擇與其LED晶粒的封裝方式于LED熱散管理上占了極重要的一環(huán),后段將針對LED散熱基板做概略說明。 2、LED散熱基板 LED散熱基板主要是利用其散熱基板材料本身具有較佳的熱傳導性,將熱源從LED晶粒導出。因此,我們從LED散熱途徑敘述中,可將LED散熱基板細分兩大類別,分別為LED晶?;迮c系統(tǒng)電路板,此兩種不同的散熱基板分別乘載著LED晶粒與LED晶片將LED晶粒發(fā)光時所產生的熱能,經(jīng)由LED晶粒散熱基板至系統(tǒng)電路板,而后由大氣環(huán)境吸收,以達到熱散之效果。 2.1系統(tǒng)電路板 系統(tǒng)電路板主要是作為LED散熱系統(tǒng)中,最后將熱能導至散熱鰭片、外殼或大氣中的材料。近年來印刷電路板(PCB)的生產
5、技術已非常純熟,早期LED產品的系統(tǒng)電路板多以PCB為主,但隨著高功率LED的需求增加,PCB之材料散熱能力有限,使其無法應用于其高功率產品,為了改善高功率LED散熱問題,近期已發(fā)展出高熱導系數(shù)鋁基板(MCPCB),利用金屬材料散熱特性較佳的特色,已達到高功率產品散熱的目的。然而隨著LED亮度與效能要求的持續(xù)發(fā)展,盡管系統(tǒng)電路板能將LED晶片所產生的熱有效的散熱到大氣環(huán)境,但是LED晶粒所產生的熱能卻無法有效的從晶粒傳導至系統(tǒng)電路板,異言之,當LED功率往更高效提升時,整個LED的散熱瓶頸將出現(xiàn)在LED晶粒散熱基板。 2.2LED晶?;?LED晶?;逯饕亲鳛長ED晶粒與系統(tǒng)電路板之間熱能
6、導出的媒介,藉由打線、共晶或覆晶的制程與LED晶粒結合。而基于散熱考量,目前市面上LED晶粒基板主要以陶瓷基板為主,以線路備制方法不同約略可區(qū)分為:厚膜陶瓷基板、低溫共燒多層陶瓷、以及薄膜陶瓷基板三種,在傳統(tǒng)高功率LED元件,多以厚膜或低溫共燒陶瓷基板作為晶粒散熱基板,再以打金線方式將LED晶粒與陶瓷基板結合。 如前言所述,此金線連結限制了熱量沿電極接點散失之效能。因此,近年來,國內外大廠無不朝向解決此問題而努力。其解決方式有二,其一為尋找高散熱系數(shù)之基板材料,以取代氧化鋁,包含了矽基板、碳化矽基板、陽極化鋁基板或氮化鋁基板,其中矽及碳化矽基板之材料半導體特性,使其現(xiàn)階段遇到較嚴苛的考驗,而陽
7、極化鋁基板則因其陽極化氧化層強度不足而容易因碎裂導致導通,使其在實際應用上受限,因而,現(xiàn)階段較成熟且普通接受度較高的即為以氮化鋁作為散熱基板;然而,目前受限于氮化鋁基板不適用傳統(tǒng)厚膜制程(材料在銀膠印刷后須經(jīng)850大氣熱處理,使其出現(xiàn)材料信賴性問題),因此,氮化鋁基板線路需以薄膜制程備制。 以薄膜制程備制之氮化鋁基板大幅加速了熱量從LED晶粒經(jīng)由基板材料至系統(tǒng)電路板的效能,因此大幅降低熱量由LED晶粒經(jīng)由金屬線至系統(tǒng)電路板的負擔,進而達到高熱散的效果。 另一種熱散的解決方案為將LED晶粒與其基板以共晶或覆晶的方式連結,如此一來,大幅增加經(jīng)由電極導線至系統(tǒng)電路板之散熱效率。然而此制程對于基板的布
8、線精確度與基板線路表面平整度要求極高,這使得厚膜及低溫共燒陶瓷基板的精準度受制程網(wǎng)版張網(wǎng)問題及燒結收縮比例問題而不敷使用。現(xiàn)階段多以導入薄膜陶瓷基板,以解決此問題。薄膜陶瓷基板以黃光微影方式備制電路,輔以電鍍或化學鍍方式增加線路厚度,使得其產品具有高線路精準度與高平整度的特性。共晶/覆晶制程輔以薄膜陶瓷散熱基板勢必將大幅提升LED的發(fā)光功率與產品壽命。 近年來,由于鋁基板的開發(fā),使得系統(tǒng)電路板的散熱問題逐漸獲得改善,甚而逐漸往可撓曲之軟式電路板開發(fā)。另一方面,LED晶?;逡嘀鸩匠蚪档推錈嶙璺较蚺?。3、LED陶瓷散熱基板介紹 如何降低LED晶粒陶瓷散熱基板的熱阻為目前提升LED發(fā)光效率最主
9、要的課題之一,若依其線路制作方法可區(qū)分為厚膜陶瓷基板、低溫共燒多層陶瓷、以及薄膜陶瓷基板三種,分別說明如下: 3.1厚膜陶瓷基板 厚膜陶瓷基板乃采用網(wǎng)印技術生產,藉由刮刀將材料印制于基板上,經(jīng)過干燥、燒結、雷射等步驟而成,目前國內厚膜陶瓷基板主要制造商為禾伸堂、九豪等公司。一般而言,網(wǎng)印方式制作的線路因為網(wǎng)版張網(wǎng)問題,容易產生線路粗糙、對位不精準的現(xiàn)象。因此,對于未來尺寸要求越來越小,線路越來越精細的高功率LED產品,亦或是要求對位準確的共晶或覆晶制程生產的LED產品而言,厚膜陶瓷基板的精確度已逐漸不敷使用。 3.2低溫共燒多層陶瓷 低溫共燒多層陶瓷技術,以陶瓷作為基板材料,將線路利用網(wǎng)印方式
10、印刷于基板上,再整合多層的陶瓷基板,最后透過低溫燒結而成,而其國內主要制造商有璟德電子、鋐鑫等公司。而低溫共燒多層陶瓷基板之金屬線路層亦是利用網(wǎng)印制程制成,同樣有可能因張網(wǎng)問題造成對位誤差,此外,多層陶瓷疊壓燒結后,還會考量其收縮比例的問題。因此,若將低溫共燒多層陶瓷使用于要求線路對位精準的共晶/覆晶LED產品,將更顯嚴苛。 3.3薄膜陶瓷基板 為了改善厚膜制程張網(wǎng)問題,以及多層疊壓燒結后收縮比例問題,近來發(fā)展出薄膜陶瓷基板作為LED晶粒的散熱基板。薄膜散熱基板乃運用濺鍍、電/電化學沉積、以及黃光微影制程制作而成,具備: (1)低溫制程(300以下),避免了高溫材料破壞或尺寸變異的可能性; (
11、2)使用黃光微影制程,讓基板上的線路更加精確; (3)金屬線路不易脫落等特點,因此薄膜陶瓷基板適用于高功率、小尺寸、高亮度的LED,以及要求對位精確性高的共晶/覆晶封裝制程。而目前國內主要以璦司柏電子與同欣電等公司,具備了專業(yè)薄膜陶瓷基板生產能力。 4、國際大廠LED產品發(fā)展趨勢 目前LED燈具發(fā)展的趨勢,可從LED各封裝大廠近期所發(fā)表的LED產品功率和尺寸觀察得知,高功率、小尺寸的產品為目前LED產業(yè)的發(fā)展重點,且均使用陶瓷散熱基板作為其LED晶粒散熱的途徑。因此,陶瓷散熱基板在高功率,小尺寸的LED產品結構上,已成為相當重要的一環(huán),以下表二即為國內外主要之LED產品發(fā)展近況與產品類別作簡單的匯整。 5、結論 要提升LED發(fā)光效率與使用壽命,解決LED產品散熱問題即為現(xiàn)階段最重要的課題之一,LED產業(yè)的發(fā)展亦是以高功率、高亮度、小尺寸LED產品為其發(fā)展重點,因此,提供具有其高散熱性,精密尺寸的散熱基板
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