基于MTKLCDTE現(xiàn)象相關(guān)問題總結(jié)_第1頁
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1、每周問題總結(jié)-LCD TE1、 切屏原因:BB寫圖像數(shù)據(jù)的速率和LCD刷屏的速率不一致引起(后者快于前者引起)。LCD的BW可以達(dá)到5MHz,但是外部SRAM卻不行。刷屏率是指LCM刷新的速度,這個值一般在LCM的初始化Code中會設(shè)定好,對于ILI9486的這個LCD驅(qū)動設(shè)定寄存器0xB1來設(shè)定刷屏率(刷屏頻率太低會導(dǎo)致出現(xiàn)橫紋,一般都在60Hz以上,同樣的太高的話也會導(dǎo)致出現(xiàn)橫紋,故只有找到一個合適的值才能保證既不出現(xiàn)橫條紋也要減少TE現(xiàn)象)。BB芯片F(xiàn)ig.1 BB-LCMBB寫速度和CS:這兩個PIN對于每一個LCM都具備,兩者工作的頻率是一致的。BB每寫一幀數(shù)據(jù)會有一個片選信號,同時

2、對應(yīng)一個WR的寫有效信號。BB寫頻率的變化是由工作狀態(tài)決定的,比如攝像時,拍攝動態(tài)物體的寫速度就快于拍攝靜態(tài)物體的顯示寫速度。FMARK引腳:FMARK用來與BB同步,當(dāng)F發(fā)出一個信號時,BB才發(fā)出一幀數(shù)據(jù),這樣可以保證兩邊同步。要使能FMARK就要保證BB與LCM的引腳連接正確,其次LCM的初始化要使能LCD的F功能,保證LCM周期性發(fā)信號給BB,同時使能BB的F引腳,保證BB每接到一個F信號才寫一幀數(shù)據(jù)。LCM的FMARK有兩個參數(shù)可以配置:一是刷多少次屏輸出一次FMARK信號,不一定每刷一幀發(fā)出一個信號;二是FMARK的位置參數(shù),可以讓FMARK遲滯幾條線輸出,目的是讓BB晚點(diǎn)寫數(shù)據(jù)到G

3、RAM,避免TE。FMARK周期與CS周期:究其出現(xiàn)TE的根本原因,是兩邊速度不一致導(dǎo)致,是LCM的刷新速度要快于BB的速度。只要保證CS的周期在兩個TE周期之間即可,也就是CS的寫頻率不能低于TE讀頻率的1/2,因為TE出現(xiàn)就是因為讀寫有交叉。通常是寫GRAM的速度(WR)小于LCD刷屏速度,只要刷屏的位置不超過寫GRAM的位置就不會有切屏現(xiàn)象。比如CS比兩個TE周期小一點(diǎn),要刷兩幀數(shù)據(jù),首先第一幀刷屏開始了,表示讀GRAM開始,它的速度比較快,讀的是老舊數(shù)據(jù);接著BB開始寫GRAM數(shù)據(jù),由于寫的速度比較慢,大概寫到GRAM一半時第一幀已經(jīng)刷完。然后開始刷第二幀,這是從GRAM的上部開始讀數(shù)

4、據(jù)并刷屏,此時讀入的數(shù)據(jù)是剛剛寫入的數(shù)據(jù),在寫完GRAM之前,即讀的步驟永遠(yuǎn)跟不上寫的步驟,就不會出現(xiàn)TE。故而,CS的讀寫頻率不低于TE的1/2,即不會出現(xiàn)TE。2、如何操作才能規(guī)避TE的分析過程:根據(jù)上面介紹的TE產(chǎn)生的原因,對于如何規(guī)避TE,普遍的做法有兩步驟:在硬件支持并且軟件使能FMARK的情況下(一般在Make文件并且查看BB的F-Pin的Mode是否為TE模式),一是修改LCD的讀寫時序,二是通過修改切線的位置和來消除TE現(xiàn)象。此二者必須協(xié)同工作才能保證TE被規(guī)避掉,下面主要對此做出詳細(xì)陳述:下圖所示的代碼即為LCD的讀寫時序配置:Fig.2 LCD-sequece From S

5、pec上面顯示的配置時序為Spec中的時序,我們對比其寄存器設(shè)置如下作出解釋Fig.3 Regiter of LCD_PCNF0 Definarion From Spec下圖為LCD IC資料(此處假設(shè)取ILI9486的spec)中要求的時序配置:Fig.4 LCD Timing Sequence From IC Spec結(jié)合上面三張圖片,我們對這個重要的時序做出如下解釋:C2WS:即對應(yīng)代碼中的CE2WR_SETUP_TIME,對應(yīng)LCD_PCNF0寄存器中的最高兩位(30-31),這個值得代表了RS選通到WR有效和CS拉低到WR有效這兩段時間中較大者(MTK平臺中RS和CS是同步的,但是L

6、CM中確不一定同步,具體請參看上圖IC上面時序)。對應(yīng)IC Spec中的tast,其基本要求為最小持續(xù)時間大于零。C2WH:即對應(yīng)代碼中的CE2WR_HOLD_TIME,對應(yīng)LCD_PCNF0寄存器中的次高兩位(28-29),指的是WR上拉后RS需要保持的有效時間和WR上拉后到DB需要保持的有效的時間,這兩個中的較大者,對應(yīng)IC中that和twrh中的較大者,其判別條件請參考上表有兩種標(biāo)準(zhǔn),即最小為0和最小為15。WST:對應(yīng)代碼中的WRITE_WAIT_STATE,對應(yīng)LCD_PCNF0寄存器中8-12位。指的是RS選通到WR拉過持續(xù)的時間。一般情況下,在實(shí)際操作的過程中如果出現(xiàn)TE,根據(jù)兩份spec的時序進(jìn)行相關(guān)配置,如果還有TE,則根據(jù)IC中相關(guān)的寄存器(ILI9468中為Write Tear Sc

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