月份考試數(shù)字電子技術(shù)第二次作業(yè)

1、2013年9月份考試數(shù)字電子技術(shù)第二次作業(yè)一、填空題（本大題共10分，共 4 小題，每小題 2.5 分）1. 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器具有 _ 、 _ 和 _ 操作，掉電時(shí)數(shù)據(jù) _ 。2. 可編程只讀存儲(chǔ)器是利用疊柵MOS管的浮柵 _ 存儲(chǔ)0或1的。3. (11100111.001)2 = ( _ )10 = ( _ )164. 按取樣、 _ 、 _ 和編碼4個(gè)步驟實(shí)現(xiàn)模數(shù)轉(zhuǎn)換。在 _ 電路中完成取樣和保持，實(shí)現(xiàn)模擬量的時(shí)間離散化。在保持期內(nèi)完成 _ ，實(shí)現(xiàn)對(duì)模擬量的幅值離散化。二、判斷改錯(cuò)題（本大題共10分，共 2 小題，每小題 5 分）1. 一般TTL門電路的輸出端可以直接相連，實(shí)現(xiàn)線與。 2. 判

2、斷時(shí)序邏輯電路能否自啟動(dòng)可通過判斷該電路是否存在有效循環(huán)來實(shí)現(xiàn)。三、繪圖題（本大題共10分，共 2 小題，每小題 5 分）1. 畫出邏輯函數(shù)的實(shí)現(xiàn)電路。2. 在圖所示TTL門電路中，已知門電路輸出的高電平UOH=3V，輸出的低電平UOL=0.3V，輸入A、B、C的波形如圖（b）所示，試畫出Y的波形圖。四、計(jì)算題（本大題共30分，共 5 小題，每小題 6 分）1. 畫出由512字×4位RAM構(gòu)成的1024字×4位的存儲(chǔ)體。2. 一個(gè)4位R-2R倒T型電阻D/A轉(zhuǎn)換器，當(dāng)輸入數(shù)字量為0001時(shí)，對(duì)應(yīng)的輸出模擬電壓為0.02V，試計(jì)算當(dāng)數(shù)字量為1101時(shí)輸出電壓為多少伏？3. 若

3、A/D轉(zhuǎn)換器（包括取樣-保持電路）輸入模擬信號(hào)的最高變化頻率為10kHz，試說明取樣頻率的下限是多少。完成一次A/D轉(zhuǎn)換所用時(shí)間的上限應(yīng)為多少？4. 分析圖所示電路的功能。5. 用公式法將函數(shù)化簡為最簡與或表達(dá)式。五、簡答題（本大題共10分，共 4 小題，每小題 2.5 分）1. 為什么TTL非門的工作速度較快？2. 簡述PMOS的開關(guān)作用。3. 閃存是如何寫入數(shù)據(jù)的？4. 簡述組合邏輯電路的特點(diǎn)。六、分析題（本大題共20分，共 4 小題，每小題 5 分）1. 二極管ROM電路如下圖所示。已知A1A0取值為00、01、10、11時(shí)，地址譯碼器輸出W0W3分別出現(xiàn)高電平。根據(jù)電路結(jié)構(gòu)，說明內(nèi)存單

4、元03中的內(nèi)容是什么？圖中“·”表示如虛線框所示的二極管連接。2. 主從RS觸發(fā)器的邏輯符號(hào)和輸入波形如圖所示。設(shè)初始狀態(tài)Q0。畫出端的波形。3. 試分析題圖（a）、（b）所示電路的邏輯功能。寫出Y、Y2的邏輯表達(dá)式。圖中的門電路均為CMOS門電路，這種連接方式能否用于TTL門電路？4. 試畫出圖所示三態(tài)門和TG門的輸出電壓波形。七、設(shè)計(jì)題（本大題共10分，共 1 小題，每小題 10 分）設(shè)計(jì)一個(gè)電話機(jī)信號(hào)控制電路。電路有I0（火警）、I1（盜警）和I2（日常業(yè)務(wù)）三種輸入信號(hào)，通過排隊(duì)電路分別從Y0、Y1、Y2輸出，在同一時(shí)間只能有一個(gè)信號(hào)通過。如果同時(shí)有兩個(gè)以上信號(hào)出現(xiàn)時(shí)，應(yīng)首先

5、接通火警信號(hào)，其次為盜警信號(hào)，最后是日常業(yè)務(wù)信號(hào)。試按照上述輕重緩急設(shè)計(jì)該信號(hào)控制電路。要求用集成門電路7400（每片含4個(gè)2輸入端與非門）實(shí)現(xiàn)。答案：一、填空題（10分，共 4 題，每小題 2.5 分）1. 參考答案：讀；寫；刷新；丟失解題方案：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：2. 參考答案：有無電荷解題方案：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：3. 參考答案：231.125 ，E7.2解題方案：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：4. 參考答案：保持；量化；取樣和保持；量化和編碼解題方案：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：二、判斷改錯(cuò)題（10分，共 2 題，每小題 5 分）1. 參考答案：錯(cuò)解題方案：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：2. 參考答案：錯(cuò)解題方案：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：三、繪圖題（10分，共 2 題，每小題

6、 5 分）1. 參考答案：邏輯電路圖如下圖所示 解題方案：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：2. 參考答案：根據(jù)圖寫出輸出邏輯表達(dá)式： 解題方案：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：四、計(jì)算題（30分，共 5 題，每小題 6 分）1. 參考答案：電路如圖所示。 解題方案：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：2. 參考答案：當(dāng)數(shù)字量為1101時(shí)，輸出電壓為0.26V。解題方案：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：3. 參考答案：取樣頻率的下限：完成一次A/D轉(zhuǎn)換所用時(shí)間的上限解題方案：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：4. 參考答案：解題方案：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：5. 參考答案：解題方案：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：五、簡答題（10分，共 4 題，每小題 2.5 分）1. 參考答案：無論輸出低電平或是高電平，TTL非門的推拉輸出級(jí)輸出電

7、阻均很小，對(duì)負(fù)載電容的沖放電時(shí)間常數(shù)小，輸出電平轉(zhuǎn)換較快。解題方案：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：2. 參考答案：解題方案：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：3. 參考答案：在閃存中源極受編程電路的控制。讀寫時(shí)源極接地；擦除時(shí)源極接較高電壓。由于存儲(chǔ)陣列的閃存MOS管的源極全部連接在一起，利用隧道效應(yīng)，可以實(shí)現(xiàn)眾多存儲(chǔ)單元的批量擦除。閃存的數(shù)據(jù)改寫同樣遵循先擦除后寫入的原則。通常先批量擦除欲改寫的眾多存儲(chǔ)單元，然后以字為單位寫入數(shù)據(jù)。解題方案：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：4. 參考答案：組合邏輯電路具有下述特點(diǎn)： 組合電路是由邏輯門表示的數(shù)字器件和電子元件組成的電路，電路中沒有反饋，沒有記憶元件； 組合電路實(shí)現(xiàn)輸入輸出間的某種邏輯關(guān)系，任一時(shí)刻的輸出狀態(tài)僅取決于該時(shí)刻各輸入的狀態(tài)組合，而與時(shí)間變量無關(guān)。 解題方案：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：六、分析題（20分，共 4 題，每小題 5 分）1. 參考答案：0、1、2、3單元的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)分別是：1011，0110，1101，0111。解題方案：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：2. 參考答案：主從RS觸發(fā)器的觸發(fā)時(shí)刻時(shí)在CP的下降沿，其它的特性方程是： 其波形如圖所示：解題方案：評(píng)