華邦W25Q16存儲器顆粒SPI編程

1、華邦W25Q16存儲器顆粒SPI編程W25X16、W25X32 和 W25X64 系列 FLASH 存儲器可以為用戶提供存儲解決方案，具有“PCB 板占用空間少”、“引腳數(shù)量少”、“功耗低”等特點。與普通串行 FLASH 相比，使 用更靈活，性能更出色。它非常適合做代碼下載應用，例如存儲聲音，文本和數(shù)據(jù)。工作電 壓在 2.7V-3.6V 之間，正常工作狀態(tài)下電流消耗 0.5 毫安，掉電狀態(tài)下電流消耗 1 微安。所 有的封裝都是"節(jié)省空間"型的。W25X16、W25X32 和 W25X64 分別有 8192、16384 和 32768 可編程頁，每頁 256 字節(jié)。 用&qu

2、ot;頁編程指令"每次就可以編程256個字節(jié)。用"扇區(qū)(sector)擦除指令"每次可以擦除 16 頁，用“塊(block)擦除指令”每次可以擦除 256 頁，用“整片擦除指令”即可以擦除 整個芯片。W25X16、W25X32 和 W25X64 分別有 512、1024 和 2048 個可擦除"扇區(qū)"或 32、64 和 128 個可擦除“塊”。W25X16、W25X32 和 W25X64 支持標準的 SPI 接口，傳輸速率最大 75MHz。四線制:串行時鐘引腳 CLK;:芯片選擇引腳 CS;:串行數(shù)據(jù)輸出引腳 DO;:串行數(shù)據(jù)輸入輸出引腳 DI

3、O。(注意:第引腳“串行數(shù)據(jù)輸入輸出引腳 DIO”的解釋:在普通情況下，這根引腳是“串行輸入引腳(DI)，當使用了快讀雙輸出指令(Fast Read Dual Output instruction)時，這根引腳就變成了 DO 引腳，這種情況下，芯片就有了兩個 DO 引腳了，所以叫做雙輸出，這時，如果與芯片通信的速率相當于翻了一倍，所以傳輸速度更快。)另外，芯片還具有保持引腳(HOLD)、寫保護引腳(WP)、可編程寫保護位(位于狀 態(tài)寄存器 bit1)、頂部和底部塊的控制等特征，使得控制芯片更具靈活性。芯片支持 JEDEC 工業(yè)標準。引腳排布：原理圖：控制和狀態(tài)寄存器說明S7S6S5S4S3S2

4、S1S0SRP(Reservd)TBBP2BP1BP0WELBUSY通過"讀狀態(tài)寄存器指令"讀出的狀態(tài)數(shù)據(jù)可以知道芯片存儲器陣列是否可寫或不可寫，或是否處于寫保護狀態(tài)。通過"寫狀態(tài)寄存器指令"可以配置芯片寫保護特征。狀態(tài)寄存器：忙位(BUSY)BUSY 位是個只讀位，位于狀態(tài)寄存器中的 S0。當器件在執(zhí)行"頁編程"、"扇區(qū)擦除"、 "塊區(qū)擦除"、"芯片擦除"、"寫狀態(tài)寄存器"指令時，該位自動置 1。這時，除了"讀狀態(tài)寄 存器"指令，其它

5、指令部忽略。當編程、擦除和寫狀態(tài)寄存器指令執(zhí)行完畢之后，該位自動 變?yōu)?0，表示芯片可以接收其它指令了。寫保護位(WEL)WEL 位是個只讀位，位于狀態(tài)寄存器中的 S1。執(zhí)行完"寫使能"指令后，該位置 1。 當芯片處于"寫保護狀態(tài)"下，該位為0。在下面兩種情況下，會進入"寫保護狀態(tài)" 掉電后 執(zhí)行以下指令后寫禁能、頁編程、扇區(qū)擦除、塊區(qū)擦除、芯片擦除和寫狀態(tài)寄存器塊區(qū)保護位(BP2,BP1,BP0)BP2BP1BP0 位是可讀可寫位，分別位于狀態(tài)寄存器的 S4S3S2。可以用"寫狀態(tài)寄存器"命令置位這些塊區(qū)保護位。

6、在默認狀態(tài)下，這些位都為 0，即塊區(qū)處于未保護狀態(tài)下。 可以設置塊區(qū)沒有保護、部分保護或者是全部處于保護狀態(tài)下。當 SPR 位為 1 或/WP 引腳 為低的時候，這些位不可以被更改。底部和頂部塊區(qū)保護位(TB)TB 位是可讀可寫位，位于狀態(tài)寄存器的 S5。該位默認為 0，表明頂部和底部塊區(qū)處于未被保護狀態(tài)下?？梢杂?quot;寫狀態(tài)寄存器"命令置位該位。當 SPR 位為 1 或/WP 引腳為低 的時候，這些位不可以被更改。保留位狀態(tài)寄存器的 S6 為保留位，讀出狀態(tài)寄存器值時，該位為 0。建議讀狀態(tài)寄存器值用于測試時將該位屏蔽。狀態(tài)寄存器果護位（SRP）SRP 位是可讀可寫位，位于狀

7、態(tài)寄存器的 S7。該位結(jié)合/WP 引腳可以實現(xiàn)禁能寫狀態(tài)寄存器功能。該位默認值為 0。當 SRP 位=0 時，/WP 引腳不能控制狀態(tài)寄存器的"寫禁能"。當 SRP 位=1，/WP 引腳=0 時，"寫狀態(tài)寄存器"命令失效。當 SRP 位=1，/WP 引腳=1 時，可以執(zhí)行"寫狀態(tài)寄存器"命令。狀態(tài)寄存器存儲保護模塊：1、寫使能時序圖（指令:0x06）：“寫使能”指令將會使“狀態(tài)寄存器”WEL位置位。在執(zhí)行每個“頁編程”、“扇區(qū)擦除”、“塊區(qū)擦除”、“芯片擦除”、和“寫狀態(tài)寄存器”命令之前，都要先置位 WEL。/CS 引腳先拉低之后，“

8、寫使能”指令代碼06h 從DI引腳輸入，在CLK 上升沿采集，然后再拉高/CS 引腳 。程序設計流程：1、 使能片選位，拉低CS引腳；2、 CLK起始狀態(tài)或高電平或低平，配置數(shù)據(jù)采集從CLK第一個上升沿開始；3、 等待發(fā)送緩沖區(qū)是否為空，SPI_SR的TXE位；4、 將數(shù)據(jù)賦值給SPI_DR寄存器；5、 等待接收緩沖區(qū)是否為空，SPI_SR的RXNE位；6、 返回接收到的數(shù)據(jù)；7、 禁能片選位，拉高CS引腳。例程：unsigned char SPI_SendByte(unsigned char byte)while(!(SPI_SR&0x02);/等待發(fā)送緩沖區(qū)為空SPI_DR=byt

9、e;/送值到數(shù)據(jù)寄存器whlie(!(SPI_SR&0x01);/等待接收緩沖區(qū)為空return SPI_DR;/返回接收的內(nèi)容unsigned char SPI_WriteEnable()Flash_CS=0;/使能CS引腳SPI_SendByte(0x06)/寫使能指令Flash_CS=1;/禁能片選引腳2、寫禁能時序圖（指令:0x04）：“寫禁能”指令將會使WEL位變?yōu)?。/CS引腳拉低之后，把04h 從DIO引腳送到芯片之后，拉高/CS，就完成了這個指令。在執(zhí)行完“寫狀態(tài)寄存器”、“頁編程”、“ 扇區(qū)擦除”、“塊區(qū)擦除”、“芯片擦除”指令之后，WEL位就會自動變?yōu)?。程序設計流

10、程：1、 使能片選位，拉低CS引腳；2、 CLK起始狀態(tài)或高電平或低平，配置數(shù)據(jù)采集從CLK第一個上升沿開始；3、 等待發(fā)送緩沖區(qū)是否為空，SPI_SR的TXE位；4、 將數(shù)據(jù)賦值給SPI_DR寄存器；5、 等待接收緩沖區(qū)是否為空，SPI_SR的RXNE位；6、 返回接收到的數(shù)據(jù)；7、 禁能片選位，拉高CS引腳。例程：unsigned char SPI_SendByte(unsigned char byte)Flash_CS=0;/使能CS引腳while(!(SPI_SR&0x02);/等待發(fā)送緩沖區(qū)為空SPI_DR=byte;/送值到數(shù)據(jù)寄存器whlie(!(SPI_SR&0

11、x01);/等待接收緩沖區(qū)為空return SPI_DR;/返回接收的內(nèi)容Flash_CS=1;/禁能片選引腳unsigned char SPI_WriteEnable()Flash_CS=0;/使能CS引腳SPI_SendByte(0x04)/寫禁能指令Flash_CS=1;/禁能片選引腳3、讀狀態(tài)時序（指令：0x05）：當/CS 拉低之后，開始把 05h 從DIO引腳送到芯片，在 CLK 的上升沿數(shù)據(jù)被芯片采集，當芯片認出采集到的數(shù)據(jù)時05h 時，芯片就會把“狀態(tài)寄存器”的值從DO引腳輸出，數(shù)據(jù)在CLK 的下降沿輸出，高位在前?！白x狀態(tài)寄存器”指令在任何時候都可以用，甚至在編程、擦除和寫狀

12、態(tài)寄存器的過程中也可以用，這樣，就可以從狀態(tài)寄存器的BUSY位判斷編程、擦除和寫狀態(tài)寄存器周期有沒有結(jié)束，從而讓我們知道芯片是否可以接收下一條指令了。如果/CS 不被拉高，狀態(tài)寄存器的值將一直從DO引腳輸出。/CS 拉高之后，讀指令結(jié)束。程序設計流程：1、 使能片選，拉低CS引腳；2、 發(fā)送讀取指令0x04;3、 循環(huán)發(fā)送讀偽指令0xFF，等待非忙時跳出循環(huán);4、 禁能片選，拉高CS引腳。例程：void SPI_ReadStatus()unsigned char Flash_Status;FLASH_CS=0;/使能片選引腳SPI_SendByte(0x05);/發(fā)送讀狀態(tài)指令doFlash_

13、Status=SPI_SendByte(0xFF);/發(fā)送偽指令維持時鐘等待非空跳出循環(huán)，偽指令任意寫。while(!(Flash_Status&0x01);FLASH_CS=1;/禁能片選引腳4、寫狀態(tài)時序（指令：0x01）在執(zhí)行“寫狀態(tài)寄存器”指令之前，需要先執(zhí)行“寫使能”指令。先拉低/CS 引腳，然 后把 01h 從 DIO 引腳送到芯片，然后再把你想要設置的狀態(tài)寄存器值通過 DIO 引腳送到芯 片，拉高/CS 引腳，指令結(jié)束，如果此時沒有把/CS 引腳拉高，或者是拉的晚了，值將不會 被寫入，指令無效。只有“狀態(tài)寄存器”當中的“SRP、TB、BP2、BP1、BP0 位”可以被寫入

14、，其它“只讀位”值不會變。在該指令執(zhí)行的過程中，狀態(tài)寄存器中的 BUSY 位為 1，這時候可以用“讀狀態(tài)寄存器”指令讀出狀態(tài)寄存器的值判斷，當指令執(zhí)行完畢，BUSY 位將自動變?yōu)?0， WEL位也自動變?yōu)?0。通過對“TB”、“BP2”、“BP1”、“BP0”位寫 1，就可以實現(xiàn)將芯片的部分或全部存儲區(qū)域 設置為只讀。通過對“SRP 位”寫 1，再把/WP引腳拉低，就可以實現(xiàn)禁止寫入狀態(tài)寄存器的功能。程序設計流程：1、 使能片選，CS引腳拉低；2、 發(fā)送寫狀態(tài)指令0x01；3、 發(fā)送讀取指令0x044、 禁能片選，CS引腳拉高。例程：void SPI_FLASH_WriteStatus()FL

15、ASH_CS=0;/使能片選引腳SPI_SendByte(0x06);/寫使能指令SPI_SendByte(0x01);/寫狀態(tài)指令SPI_SendByte(0x00);/寫入狀態(tài)的數(shù)據(jù)FLASH_CS=1;/禁能片選引腳5、讀數(shù)據(jù)時序圖（指令：0x03）：“讀數(shù)據(jù)”指令允許讀出一個字節(jié)或一個以上的字節(jié)被讀出。先把/CS 引腳拉低，然后把03h通過DIO引腳送到芯片，之后再送入24位的地址，這些數(shù)據(jù)在CLK的上升沿被芯片采集。芯片接收完24位地址之后，就會把相應地址的數(shù)據(jù)在 CLK 引腳的下降沿從 DO 引腳送出去，高位在前。當讀完這個地址的數(shù)據(jù)之后，地址自動增加，然后通過DO引腳把下一個地址

16、的數(shù)據(jù)送出去，形成一個數(shù)據(jù)流。也就是說，只要時鐘在工作，通過一條讀指令，就可 以把整個芯片存儲區(qū)的數(shù)據(jù)讀出來。把/CS 引腳拉高，“讀數(shù)據(jù)”指令結(jié)束。當芯片在執(zhí)行編程、擦除和讀狀態(tài)寄存器指令的周期內(nèi)，“讀數(shù)據(jù)”指令不起作用。程序設計流程（指令：0x03）：1、 使能片選，拉低CS引腳；2、 發(fā)送讀數(shù)據(jù)指令0x03，緊接著發(fā)送24位地址； 3、 讀以SPI_DR寄存器數(shù)據(jù)4、 禁能片選，拉高CS引腳例程：void SPI_FLASH_BufferRead(unsigned char* pBuffer, unsigned int ReadAddr, unsigned long int NumByt

17、eToRead) FLASH_CS=0;/拉低片選線選中芯片 SPI_SendByte(READ);/發(fā)送讀數(shù)據(jù)命令 SPI_SendByte(ReadAddr & 0xFF0000)>>16);/發(fā)送24位FLASH地址,先發(fā)高8位 SPI_SendByte(ReadAddr & 0x00FF00)>>8);/再發(fā)中間8位 SPI_SendByte(ReadAddr &0x0000FF);/最后發(fā)低8位 while(NumByteToRead-)/計數(shù) *pBuffer = SPI_SendByte(Dummy_Byte);/讀一個字節(jié)的數(shù)據(jù)

18、pBuffer+;/指向下一個要讀取的數(shù)據(jù) FLASH_CS=1;/拉高片選線不選中芯片6、快讀時序圖（指令：0x0B）：“快讀”指令和“讀數(shù)據(jù)”指令很相似，不過，“快讀”指令可以運行在更高的傳輸速率下。先把/CS 引腳拉低，然后把 0Bh 通過引腳 DIO 送到芯片，然后把 24 位地址通過 DIO 引腳送到芯片，接著等待8個時鐘，之后數(shù)據(jù)將會從 DO 引腳送出去。程序設計流程（指令：0x0B）：1、 使能片選，拉低CS引腳；2、 發(fā)送快讀數(shù)據(jù)指令0x0B，緊接著發(fā)送24位地址； 3、 發(fā)送8個字節(jié)偽指令等待8個時鐘4、 讀以SPI_DR寄存器數(shù)據(jù)5、 禁能片選，拉高CS引腳例程：void

19、SPI_FLASH_BufferRead(unsigned char* pBuffer, unsigned int ReadAddr, unsigned long int NumByteToRead) FLASH_CS=0;/拉低片選線選中芯片 SPI_SendByte(READ);/發(fā)送讀數(shù)據(jù)命令 SPI_SendByte(ReadAddr & 0xFF0000)>>16);/發(fā)送24位FLASH地址,先發(fā)高8位 SPI_SendByte(ReadAddr & 0x00FF00)>>8);/再發(fā)中間8位 SPI_SendByte(ReadAddr &a

20、mp;0x0000FF);/最后發(fā)低8位SPI_SendByte(0xFF);/發(fā)送8個字節(jié)偽指令，等待8個時鐘。 while(NumByteToRead-)/計數(shù) *pBuffer = SPI_SendByte(Dummy_Byte);/發(fā)送偽指令讀出一個字節(jié)的數(shù)據(jù) pBuffer+;/指向下一個要讀取的數(shù)據(jù) FLASH_CS=1;/拉高片選線不選中芯片7、快速讀雙輸出（指令：0x3B）：“快讀雙輸出”指令和“快讀”指令很相似，不過，“快讀雙輸出”指令是從兩個引腳上輸出數(shù)據(jù)：DI和DIO。這樣，傳輸速率就相當于兩倍于標準的SP看傳輸速率了。這個指令特別適合于需要在一上電就把代碼從芯片下載到內(nèi)

21、存中的情況或者緩存代碼段到內(nèi)存中運行的情況。“快讀雙輸出”指令和“快讀”指令的時序差不多。先把/CS引腳拉低，然后把 3Bh通過引腳 DIO送到芯片，然后把 24 位地址通過 DIO 引腳送到芯片，接著等待8個時鐘，之后數(shù)據(jù)將會分別從DO 引腳和 DIO 引腳送出去，DIO 送偶數(shù)位，DO 送寄數(shù)位。程序設計流程：1、 使能片選，拉低CS引腳；2、 寫快讀雙輸出指令0x3B，緊接著寫24位地址；3、 寫1個字節(jié)的偽指令，等待8個時鐘；4、 讀取SPI_DR寄存器5、 禁能片選，拉高CS引腳例程（參考完整例程）：暫無。8、頁編程時序圖（指令：0x02）：執(zhí)行“頁編程”指令之前，需要先執(zhí)行“寫使能

22、”指令，而且要求待寫入的區(qū)域位都為1，也就是需要先把待寫入的區(qū)域擦除。先把/CS引腳拉低，然后把代碼02h通過DIO引腳送到芯片，然后再把24位地址送到芯片，然后接著送要寫的字節(jié)到芯片。在寫完數(shù)據(jù)之后，把/CS引腳拉高。寫完一頁(256個字節(jié))之后，必須把地址改為0，不然的話，如果時鐘還在繼續(xù)，地址將自動變?yōu)轫摰拈_始地址。在某些時候，需要寫入的字節(jié)不足256個字節(jié)的話，其它寫入的字節(jié)都是無意義的。如果寫入的字節(jié)大于了256個字節(jié)，多余的字節(jié)將會加上無用的字節(jié)覆蓋剛剛寫入的的256個字節(jié)。所以需要保證寫入的字節(jié)小于等于256個字節(jié)。在指令執(zhí)行過程中，用“讀狀態(tài)寄存器”可以發(fā)現(xiàn)BUSY位為1，當指

23、令執(zhí)行完畢，BUSY位自動變?yōu)?。如果需要寫入的地址處于“寫保護”狀態(tài)，“頁編程”指令無效。程序設計流程：1、 寫使能指令0x06，將芯片WEL位置0；2、 擦除芯片需要寫入的區(qū)域，可以用扇區(qū)、塊、芯片擦除指令； 3、 使能片選，拉低CS引腳 ；4、 發(fā)送“頁編程”指令0x02，接著發(fā)送24位地址、發(fā)送要寫入的數(shù)據(jù)；5、 發(fā)讀狀態(tài)指令0x05檢查芯片BUSY位操作是否結(jié)束6、 禁能片選，拉高CS引腳。例程：void SPI_FLASH_PageWrite(unsigned char* pBuffer, unsigned long int WriteAddr, unsigned int NumB

24、yteToWrite) SPI_FLASH_WriteEnable();/先使能對FLASH芯片的操作 FLASH_CS=0;/拉低片選線選中芯片 SPI_SendByte(WRITE);/發(fā)送頁寫命令 SPI_SendByte(WriteAddr&0xFF0000)>>16);/發(fā)送24位FLASH地址,先發(fā)高8位 SPI_SendByte(WriteAddr&0xFF00)>>8);/再發(fā)中間8位 SPI_SendByte(WriteAddr&0xFF);/最后發(fā)低8位 while(NumByteToWrite-)/發(fā)送地址后緊跟欲寫入數(shù)據(jù)

25、SPI_SendByte(*pBuffer);/發(fā)送欲寫入FLASH的數(shù)據(jù) pBuffer+;/指向下一個要寫入的數(shù)據(jù) FLASH_CS=1;/拉高片選線不選中芯片 SPI_FLASH_WaitForWriteEnd();/等待寫操作結(jié)束程序說明：* pBuffer是一個指針，是讀取數(shù)據(jù)后的存儲區(qū)，通常指向一個數(shù)組；WriteAddr是24位芯片地址，需要把數(shù)據(jù)寫到芯片什么位置就靠它了。NumByteToWrite是寫入字節(jié)的數(shù)量，例如需要寫入50個字節(jié)，這里就給50。寫入的數(shù)據(jù)不可以大于256Byte，否則頁地址會溢出，地址會從0開始，最前面寫入的數(shù)據(jù)會被破壞，寫入的數(shù)據(jù)大于256Byte時

26、，重新用下一頁的起始地址來寫剩余的數(shù)據(jù)（處理翻頁問題請在本章末尾查看完整例程）。頁編程完整流程圖：W25Q16總共有16Mbit空間，合計2MByte，共8192個頁，每頁256Byte。因為每頁是一個獨立的單元，所以在寫入數(shù)據(jù)時不支持自動翻頁，如果寫入的數(shù)據(jù)超出256Byte，那么頁地址就溢出歸零，數(shù)據(jù)又從零開始寫，也就是說最先寫入的數(shù)據(jù)會被破壞。數(shù)據(jù)寫入時可能碰到有幾種情況，一種情況是：頁地址對齊的情況，就是頁地址可以被256整除，且寫入的數(shù)據(jù)不夠256Byte，這種情況直接寫入即可，不需要考慮翻頁問題；第二種情況是：寫入的數(shù)據(jù)剛好是256Byte或者多一點點，這種情況寫完一整頁的數(shù)據(jù)后，

27、就要把頁地址加256跳到下一頁的開始位置寫剩余的數(shù)據(jù)；第三種情況是：頁地址不對齊情況，也就是頁地址不能被256整除，這種情況說明，某頁被用掉一部分，現(xiàn)在從剩余的空間繼續(xù)向下寫，如果空間夠?qū)懢椭苯訉懭?，不需要考慮翻頁問題，如果空間不夠?qū)懢鸵獙㈨摰刂芳由鲜Ｓ嗫臻g的數(shù)跳轉(zhuǎn)到下一頁寫剩余的數(shù)據(jù)，如果剩余的數(shù)據(jù)等于或大于256Byte，頁地址還需要 加256再向下進行翻頁。9、扇區(qū)擦除時序圖（指令：0x20）：“扇區(qū)擦除”指令將一個扇區(qū)C4K字節(jié))擦除，擦除后扇區(qū)位都為1，扇區(qū)字節(jié)都為FFh。在執(zhí)行“扇區(qū)擦除”指令之前，需要先執(zhí)行“寫使能”指令，保證WEL位為1。先拉低屬CS引腳，然后把指令代碼20h通

28、過DIO引腳送到芯片，然后接著把24位扇區(qū)地址送到芯片，然后拉高屬CS引腳。如果沒有及時把屬CS引腳拉高，指令將不會起作用。在指令執(zhí)行期間，BUSY位為1，可以通過“讀狀態(tài)寄存器”指令觀察。當指令執(zhí)行完畢，BUSY位變?yōu)?，WEL位也會變?yōu)?。如果需要擦除的地址處于只讀狀態(tài)，指令將不會起作用。程序設計流程：1、 先執(zhí)行寫使能指令；2、 使能片選，拉低CS引腳；3、 發(fā)送扇區(qū)擦除指令0x20，緊接著發(fā)送擦除的24位地址；4、 等待擦除指令結(jié)束，發(fā)送讀狀態(tài)指令查看BUSY位狀態(tài)是否為0；5、 禁能片選，拉高CS引腳。例程：void SPI_FLASH_BlockErase(unsigned lon

29、g int BlockAddr) SPI_FLASH_WriteEnable();/FLASH寫使能（該函數(shù)請查閱完整例程） FLASH_CS=0;/拉低片選線選中芯片 SPI_SendByte(0xD8);/發(fā)送塊或扇區(qū)（0x20）擦除命令 SPI_SendByte(BlockAddr&0xFF0000)>>16);/發(fā)送24位FLASH擦除地址,先發(fā)高8位 SPI_SendByte(BlockAddr&0x00FF00)>>8);/再發(fā)中間8位 SPI_SendByte(BlockAddr&0x0000FF);/最后發(fā)低8位 FLASH_CS

30、=1;/拉高片選線不選中芯片 SPI_FLASH_WaitForWriteEnd();/等待塊清除操作完成（該函數(shù)請查閱完整例程）10、芯片擦除時序圖（指令：0xC7）：“芯片擦除”指令將會使整個芯片的存儲區(qū)位都變?yōu)?1，即字節(jié)都變位 FFh。在執(zhí)行“芯片擦除”指令之前需要先執(zhí)行"寫使能"指令。先把/CS 引腳拉低，然后再把指令代碼 C7h 通過 DIO 引腳送到芯片，然后拉高/CS 引腳。 如果沒有及時拉高/CS 引腳，指令無效。在“芯片擦除”指令執(zhí)行周期內(nèi)，可以執(zhí)行“讀狀態(tài)寄存器”指令訪問 BUSY 位，這時 BUSY 位為 1，當“芯片擦除”指令執(zhí)行完畢，BUSY 變

31、為0，WEL位也變?yōu)?0。任何一個塊區(qū)處于保護狀態(tài)(BP2BP1BP0)，指令都會失效。程序設計流程：1、 發(fā)送0x06寫使能;2、 使能片選，拉低CS引腳；3、 發(fā)送擦除指令0xC7,緊接著發(fā)送24位擦除地址；4、 禁能片選，拉高CS引腳5、 等待操作完成。例程：void SPI_FLASH_ChipErase(void) SPI_FLASH_WriteEnable();/FLASH寫使能 FLASH_CS=0;/拉低片選線選中芯片 SPI_SendByte(Chip_E);/發(fā)送芯片擦除命令 FLASH_CS=1;/拉高片選線不選中芯片 SPI_FLASH_WaitForWriteEnd();/等待寫操作完成11、“釋放掉電/器件ID”指令（命令：0xAB）：這個指令有兩個作用。一個是“釋放掉電”，一個是讀出“器件ID”。 當只需要發(fā)揮“釋放掉電”用途時，指令時序是：先把/CS引腳拉低，然后把代碼“ABh”通過 DIO 引腳送到芯片，然后拉高/CS引腳。然后經(jīng)過tRES1時間間隔，芯片恢復正常工作狀態(tài)。在編程、擦除和寫狀態(tài)寄存器指令執(zhí)行周期內(nèi)，執(zhí)行該指令無效。程序設計流程：暫無例程：暫無12、掉電指令(指令：0xB9)：盡管在待機狀態(tài)下的電流消耗己經(jīng)很低了，但“掉電”指令可以使得待機電流消耗更低。這個指令很適合在電池供