學習線電講義陸廣華ch

1、University of Sciennd Technology of China§4.4場效應管的交流小信號模型lugh2012年11月3日提綱n 1. 低頻交流小信號模型n 2. 高交小信號模型2§4.4 場效應管的交流小信號模型1. 低頻交流小信號模型n 交流小信號模型¨ FET處于飽和狀態(tài)時，可用作交流小信號放大，其工 作特性可用線性等效電路來表示，稱為FET的交流小 信號模型IDì低頻小信號模型íî高頻小信號模型VDS3§4.4 場效應管的交流小信號模型1. 低頻交流小信號模型n 說明¨ 不同類型FET，

2、只要它們都偏置在飽和電流區(qū)，則在交流小信號激勵下，其交流小信號模型相同，區(qū)別僅 在于模型參數(shù)與具體器件參數(shù)相關4§4.4 場效應管的交流小信號模型1. 低頻交流小信號模型n 電路結構VDDRG1RDC2C1RLVoViRG 2CSRS5§4.4 場效應管的交流小信號模型1. 低頻交流小信號模型n 基本思路¨ 將FET看作雙端口網(wǎng)絡，利用端口網(wǎng)絡的Y參數(shù)方程來 描述FET，求解模型參數(shù)igf (v)idìi=, vïggsdsívgs vdsf (vgs , vds )ïîid=n 說明¨ 對FET而言，i

3、g= 0，rgs= ¥,故僅需討論輸出端模型參數(shù)6§4.4 場效應管的交流小信號模型1. 低頻交流小信號模型ID = f (VGS ,VDS)ìï= gmvgs+ gdsvdsïidï¶I¶I¶IÞ ïgiÞ dI=+ D dV= D dV D d íïïDGSDSmv= 0¶V¶V¶VVvDSdsGSDSGSgs¶Iiïg= D d ïv= 0ds¶VVvîgsDS

4、GSds7§4.4 場效應管的交流小信號模型1. 低頻交流小信號模型n 低頻小信號模型ìgm:跨導vgsígmvgsrds vdsîgds:交流輸出導納n 說明¨ 該低頻小信號模型適用于各 FET器件8§4.4 場效應管的交流小信號模型1. 低頻交流小信號模型n N-JFET小信號模型參數(shù)ö2æVI= Iç1+GS ÷ÞDDSSVèP 0 øæö¶IDV1g= 2I1+GSç÷ VmDSS¶VQVè

5、;2øP 0GSP 0IDQ= 2IDSS=IIDSSDQVIVP0DSSP09§4.4 場效應管的交流小信號模型1. 低頻交流小信號模型n 說明¨ 不同的直流工作點對應不同的跨導參數(shù)，這一點與晶 體三極管交流發(fā)射結電阻相似，因此對于FET基本放大電路，仍然必須先做直流分析，再做交流分析10§4.4 場效應管的交流小信號模型2. 高頻交流小信號模型n 高頻小信號模型¨ 在低頻小信號模型的基礎上，引入三個電極之間的電FET的高頻小信號模型容，¨ 各極間電容大小為pF量級CgdgmvgsvgsCgsgdsCdsvds11§4.4 場效應管的交流小信號模型2. 高頻交流小信號模型n 模型特點¨ 與BJT的高頻小信號模型有所區(qū)別，F(xiàn)ET的高頻小信號 模型中包含三個