晶閘管的結(jié)構(gòu)以及工作原理

1、一、晶閘管的基本結(jié)構(gòu)晶閘管（SemiconductorControlledRectifier簡(jiǎn)稱SCR）是一種四層結(jié)構(gòu)（PNPN）的大功率半導(dǎo)體器件，它同時(shí)又被稱作可控整流器或可控硅元件。它有三個(gè)引出電極，即陽(yáng)極（A）、陰極（K）和門極（G）。其符號(hào)表示法和器件剖面圖如圖1所示。陽(yáng)椽坤”圖1符號(hào)表示法和器件剖面圖普通品閘管是在N型硅片中雙向擴(kuò)散P型雜質(zhì)（鋁或硼），形成RN1P2結(jié)構(gòu),然后在P2的大部分區(qū)域擴(kuò)散N型雜質(zhì)（磷或睇）形成陰極，同時(shí)在P2上引出門極，在Pi區(qū)域形成歐姆接觸作為陽(yáng)極。圖2、晶閘管載流子分布二、晶閘管的伏安特性品閘管導(dǎo)通與關(guān)斷兩個(gè)狀態(tài)是由陽(yáng)極電壓、陽(yáng)極電流和門極電流共同決定

2、的。通常用伏安特性曲線來(lái)描述它們之間的關(guān)系，如圖3所示。阻新區(qū)卜）圖3晶閘管的伏安特性曲線當(dāng)品閘管Vak加正向電壓時(shí)，Ji和J3正偏，人反偏，外加電壓幾乎全部降落在J2結(jié)上，J2結(jié)起到阻斷電流的作用。隨著Vak的增大，只要Vak<Vb0,通過(guò)陽(yáng)極電流IA都很小，因而稱此區(qū)域?yàn)檎蜃钄酄顟B(tài)。當(dāng)Vak增大超過(guò)Vbo以后,陽(yáng)極電流突然增大，特性曲線過(guò)負(fù)阻過(guò)程瞬間變到低電壓、大電流狀態(tài)。晶閘管流過(guò)由負(fù)載決定的通態(tài)電流It,器件壓降為1V左右，特性曲線CD段對(duì)應(yīng)的狀態(tài)稱為導(dǎo)通狀態(tài)。通常將Vb。及其所對(duì)應(yīng)的Ibo稱之為正向轉(zhuǎn)折電壓和轉(zhuǎn)折電流。品閘管導(dǎo)通后能自身維持同態(tài)，從通態(tài)轉(zhuǎn)換到斷態(tài)，通常是不用門

3、極信號(hào)而是由外部電路控制，即只有當(dāng)電流小到稱為維持電流Ih的某一臨界值以下，器件才能被關(guān)斷。當(dāng)品閘管處于斷態(tài)（Vak<Vb°）時(shí)，如果使得門極相對(duì)于陰極為正，給門極通以電流Ig,那么晶閘管將在較低的電壓下轉(zhuǎn)折導(dǎo)通。轉(zhuǎn)折電壓Vb。以及轉(zhuǎn)折電流Ibo都是Ig的函數(shù)，Ig越大，Vbo越小。如圖3所示，晶閘管一旦導(dǎo)通后，即使去除門極信號(hào)，器件仍然然導(dǎo)通。當(dāng)品閘管的陽(yáng)極相對(duì)于陰極為負(fù)，只要Vak<Vr0,Ia很小，且與Ig基本無(wú)關(guān)。但反向電壓很大時(shí)（Vak定Vr°）,通過(guò)晶閘管的反向漏電流急劇增大，表現(xiàn)出品閘管擊穿，因此稱Vro為反向轉(zhuǎn)折電壓和轉(zhuǎn)折電流。三、晶閘管的靜態(tài)特

4、性品閘管共有3個(gè)PN結(jié)，特性曲線可劃分為（01）阻斷區(qū)、（12）轉(zhuǎn)折區(qū)、（23）負(fù)阻區(qū)及（34）導(dǎo)通區(qū)。如圖5所示。（一）正向工作區(qū)1、正向阻斷區(qū)（01）區(qū)域當(dāng)AK之間加正向電壓時(shí)，Ji和J3結(jié)承受正向電壓，而J2結(jié)承受反向電壓，外加電壓幾乎全部落在J2結(jié)身上。反偏J2結(jié)起到阻斷電流的作用，這時(shí)品閘管是不導(dǎo)通。2、雪崩區(qū)（12也稱轉(zhuǎn)折區(qū)）當(dāng)外加電壓上升接近J2結(jié)的雪崩擊穿電壓VBJ2時(shí)，反偏J2結(jié)空間電荷區(qū)寬度擴(kuò)展的同時(shí)，內(nèi)電場(chǎng)也大大增強(qiáng)，從而引起倍增效應(yīng)加強(qiáng)。于是，通過(guò)J?結(jié)的電流突然增大，并使得流過(guò)器件的電流也增大。此時(shí)，通過(guò)J2結(jié)的電流，由原來(lái)的反向電流轉(zhuǎn)變?yōu)橹饕蒍i和J3結(jié)注入的載流

5、子經(jīng)過(guò)基區(qū)衰減而在J2結(jié)空間電荷區(qū)倍增了的電流，這就是電壓增加，電流急劇增加的雪崩區(qū)。因此區(qū)域發(fā)生特性曲線轉(zhuǎn)折，故稱轉(zhuǎn)折區(qū)。3、負(fù)載區(qū)（23）當(dāng)外加電壓大于轉(zhuǎn)折電壓時(shí)候，J2結(jié)空間電荷區(qū)雪崩倍增所產(chǎn)生大量的電子一空穴對(duì)，受到反向電場(chǎng)的抽取作用，電子進(jìn)入Ni區(qū)，空穴進(jìn)入P2區(qū)，由于不能很快的復(fù)合，所以造成J2結(jié)兩側(cè)附近發(fā)生載流子積累：空穴在P2區(qū)、電子在Ni區(qū)，補(bǔ)償離化雜質(zhì)電荷，使得空間電荷區(qū)變窄。由此使得P2區(qū)電位升高、Ni區(qū)電位下降，起了抵消外電場(chǎng)作用。隨著J2結(jié)上外加電壓下降，雪崩倍增效效應(yīng)也隨之減弱。另一方面3和J3結(jié)的正向電壓卻有所增強(qiáng)，注入增加，造成通過(guò)J2結(jié)的電流增大，于是出現(xiàn)了電

6、流增加電壓減小的負(fù)阻現(xiàn)象。4、低阻通態(tài)區(qū)（34）如上所述，倍增效應(yīng)使得J?結(jié)兩側(cè)形成電子和空穴的積累，造成J2結(jié)反偏電壓減??；同時(shí)又使得Ji和J3結(jié)注入增強(qiáng)，電路增大，因而J2結(jié)兩側(cè)繼續(xù)有電荷積累，結(jié)電壓不斷下降。當(dāng)電壓下降到雪崩倍增停止以后，結(jié)電壓全部被抵銷后，J2結(jié)兩側(cè)仍有空穴和電子積累，J?結(jié)變?yōu)檎?。此時(shí)Ji、J?和J3結(jié)全部正偏，器件可以通過(guò)大電流，因?yàn)樘幱诘妥柰☉B(tài)區(qū)。完全導(dǎo)通時(shí)，其伏安特性曲線與整流元件相似。（二）反向工作區(qū)（05）器件工作在反向時(shí)候，Ji和J3結(jié)反偏，由于重?fù)诫s的J3結(jié)擊穿電壓很低，Ji結(jié)承受了幾乎全部的外加電壓。器件伏安特性就為反偏二極管的伏安特性曲線。因此，P

7、NPN晶閘管存在反向阻斷區(qū)，而當(dāng)電壓增大到Ji結(jié)擊穿電壓以上，由于雪崩倍增效應(yīng)，電流急劇增大，此時(shí)品閘管被擊穿。he圖4晶閘管的門極電流對(duì)電流一電壓特性曲線的影響四、晶閘管的特性方程一個(gè)PNPN四層結(jié)構(gòu)的兩端器件，可以看成電流放大系數(shù)分別為巴和的PiNiP2和NF2N2晶體管，其中J2結(jié)為共用集電結(jié)，如圖6所示。當(dāng)器件加正向電壓時(shí)。正偏Ji結(jié)注入空穴經(jīng)過(guò)N區(qū)的輸運(yùn)，到達(dá)集電極結(jié)（J2）空穴電流為豆iIa；而正偏的J3結(jié)注入電子，經(jīng)過(guò)P2區(qū)的輸運(yùn)到達(dá)J2結(jié)的電流為汽2lK。由于COJ2結(jié)處于反向，通過(guò)，結(jié)的電流還包括自身的反向飽和電流由圖6可知，通過(guò)J2結(jié)的電流為上述三者之和，即(1)假定發(fā)射效

8、率工=飛2=1，根據(jù)電流連續(xù)性原理IJ2=IA=K,所以公式（D變成:Ia1CO(2)公式說(shuō)明，當(dāng)正向電壓小于J2結(jié)的雪崩擊穿電壓Vb,倍增效應(yīng)很小，注入電流也很小，所以0tl和豆2也很小，故有%+京2<1（3）此時(shí)的ICO也很小。所以J1和J3結(jié)正偏，所以增加Vak只能使J2結(jié)反偏壓增大，并不能使ICO及IA增加很多，因而器件始終處于阻斷狀態(tài)，流過(guò)器件的電流與ICO同一數(shù)量級(jí)。因此將公式（3）稱為阻斷條件。當(dāng)Vak增加使得J2結(jié)反偏壓增大而發(fā)生雪崩倍增時(shí)候，假定倍增因子Mn=Mp=M，則ICO、出和5都將增大M倍，故（2）變成(4)二MICO1一M(二1；。2)此時(shí)分母變小，Ia將隨V

9、ak的增長(zhǎng)而迅速增加，所以當(dāng)M（二1一：工2）=1(5)便達(dá)到雪崩穩(wěn)定狀態(tài)極限（Vak=Vbo）,電流將趨于無(wú)窮大，因此（5）式稱為正向轉(zhuǎn)折條件。準(zhǔn)確的轉(zhuǎn)折點(diǎn)條件，是根據(jù)特性曲線下降段的起點(diǎn)來(lái)標(biāo)志轉(zhuǎn)折點(diǎn)。在這點(diǎn).2.dVakdVak000dIadIa現(xiàn)在利用這個(gè)特點(diǎn)，由特性曲線方程式（4）推導(dǎo)轉(zhuǎn)折點(diǎn)條件。因?yàn)?和匕是電流的函數(shù)，M是Vj2的函數(shù)，可近似用M（Vj2）=M（Vak）,ICO為常數(shù)，對(duì)（4）dVAKdlA1dndVAKd:1d二21-M(:1-Ia-)-M(：-2Ia-)dIAdIAdM(：1IaIaIco)dVAK(6)由于轉(zhuǎn)折電壓低于擊穿電壓，故“為一恒定值。分母也為恒定值,d

10、Vakj=0,分子也必須為零，可得到dIAd二1d二)M(11IA)M(:-2IA)=1d1AdIA根據(jù)晶體管直流電壓放大系數(shù)的定義,-JEE1CBO(8)即可得到小信號(hào)電流放大系數(shù)dIca=dIed;二IE一dIe(9)利用公式（9）可把公式（7）變?yōu)镸(1人22)=1(10)即在轉(zhuǎn)折點(diǎn)，倍增因子與小信號(hào)口之和的乘積剛好為1。PNPN結(jié)構(gòu)只要滿足上式，便具有開(kāi)關(guān)特性，即可以從斷態(tài)轉(zhuǎn)變成通態(tài)。由于口是隨著電流Ie變化的，當(dāng)Ia增大，田和豆2都隨之增大。由此可知，求導(dǎo)d1A，計(jì)算結(jié)果是dVAK在電流較大時(shí)，滿足(6)的M值反而可以減小。這說(shuō)明Ia增大，Vak相應(yīng)減小，這正是圖5中曲線(23)所示

11、的負(fù)阻段。a既是電流的函數(shù)名同時(shí)也是集電結(jié)電壓的函數(shù)，當(dāng)支一定時(shí)電流增大則相應(yīng)的集電結(jié)反偏壓減小。當(dāng)電流很大，會(huì)出現(xiàn)c(i+«2>1(6)根據(jù)方程(2),J2結(jié)提供一個(gè)通態(tài)電流(ICO<0)。因此J2結(jié)必須正偏，于是Ji、J2和J3結(jié)全部正偏，器件處于導(dǎo)通。這便是圖5中的低壓大電流段。器件有斷態(tài)變?yōu)橥☉B(tài)，關(guān)鍵在于J2結(jié)必須由反偏轉(zhuǎn)為正偏。J2結(jié)反向?qū)檎虻臈l件是P2區(qū)、Ni區(qū)分別應(yīng)有空穴和電子積累。從圖(6)可以看出，P2區(qū)有空穴積累的條件是，Ji結(jié)注入并且被J2收集到P2區(qū)的空穴量gla要大于同(1%)Ik通過(guò)復(fù)合而消失的空穴量，即C(1Ia>(1-a2)Ik因

12、為Ia=Ik,所以得到5+%>1。只要條件成立，P2區(qū)的空穴積累同樣，N1區(qū)電子積累條件為G21AA(1-%)Ik(8)故%+o(2>1(9)可見(jiàn)當(dāng)%+%>1條件滿足時(shí)候，P2區(qū)電位為正，W區(qū)電位為負(fù)。J2結(jié)變?yōu)檎?，器件處于?dǎo)通狀態(tài)，所以%+%:>1稱為導(dǎo)通條件。五、門極觸發(fā)原理如圖5-7所示，斷態(tài)時(shí),晶閘管的3和J3結(jié)處于輕微的正偏，J2結(jié)處于反偏，承受幾乎全部斷態(tài)電壓。由于受反向J2結(jié)所限，器件只能流過(guò)很小的漏電流。若在門極相對(duì)于陰極加正向電壓Vg,便會(huì)有一股與陽(yáng)極電流同方向的門極電流Ig通過(guò)J3結(jié)，于是通過(guò)J3結(jié)的電流便不再受反偏J2結(jié)限制。只要改變加在J3結(jié)上

13、的電壓，便可以控制J3結(jié)的電流大小。%增大時(shí)，通過(guò)J3結(jié)的電流的電流也隨著增大，由此引起N2區(qū)向P2區(qū)注入大量的電子。注入P2區(qū)的電子，一部分與空穴復(fù)合，形成門極電流的一部分，另一部分電子在P2區(qū)通過(guò)擴(kuò)散到達(dá)J2結(jié)被收集到Ni區(qū)，由此引起通過(guò)J2結(jié)電子電流增加，。2隨之增大。電子被收集到M區(qū)使得該地區(qū)電位下降，從而使得Ji結(jié)更加正偏，注入空穴電流增大，于是通過(guò)P1N1P2N2結(jié)構(gòu)的電流IA也增大。而cti和0(2都是電流的函數(shù)，它將隨著電流IA增大而變大。這樣，當(dāng)門極電流Ig足夠大時(shí)候，就會(huì)使得通過(guò)器件的電流增大，使得%>1條件成立。所以，當(dāng)加門極信號(hào)時(shí)候，器件可以在較小的電壓下觸發(fā)導(dǎo)通

14、。Ig越大，導(dǎo)通時(shí)候的轉(zhuǎn)折電壓就越低，如圖4所示。對(duì)于三端晶閘管，如圖所示7,通過(guò)J2結(jié)的各電流分量之和仍然等于總電流Ia,即1C1=%1A(1)1c2=21A(2)Ik-IgIa(3)Ia=IciIc2Ico(4)將(1)和(3)分別代入(4)有Ia=LIa.'Ik.Ico(5)當(dāng)考慮倍增效應(yīng)情況下，各電流分量經(jīng)過(guò)J2結(jié)空間電荷區(qū)后都要增大M倍,因此=M>IAM：21KMICO1A2KCO(8)(9)IA二1 -（乙二，2）(當(dāng)M=1)(10)這就是晶閘管的特性方程，它表明晶閘管加正向電壓時(shí)，陽(yáng)極電流與為和匕以及1G和1co的關(guān)系。當(dāng)Ig=0時(shí)特性曲線就變成PNPNW端器件的特

15、性方程1COIA二1-（：工2）在沒(méi)有結(jié)作用（0tl=0（2=0）情況下IA-ICO當(dāng)口1、口2。，而“1十以2<1情況下，IG=。條件下，電流IA只比ICO稍微大一些，因此同樣說(shuō)明阻斷特性。故將%十%<1稱為阻斷條件。（二）當(dāng)0tl+口2=1時(shí)當(dāng)%+口2=1時(shí)，IcO必須為零，它是電流連續(xù)性的必要條件，意味著J2結(jié)電壓V2=0,因?yàn)橹挥写藭r(shí)J2結(jié)本身對(duì)電流沒(méi)有作用，電流特性曲線發(fā)生轉(zhuǎn)折。（三）當(dāng)Ig#0時(shí)心是（Ia十%）的函數(shù)，口1是Ia的函數(shù)。對(duì)于同樣的外加電壓（即M）相同，Ig#0時(shí)的漏電流比Ig=0時(shí)的漏電流大。表現(xiàn)在阻斷特性上就是Ig越大，曲線越向大電流方向移動(dòng)。另一方面

16、，當(dāng)M（%+ct2）T1時(shí)，IAT8,器件發(fā)生轉(zhuǎn)折。如果電壓保持不變（即M相同），那么可以通過(guò)加大門極電流IG使得32（IA+IG）變大，直到M（s+g）T1發(fā)生轉(zhuǎn)折。只要所加的Ig足夠大，在電壓Va很低的情況下，同樣可以達(dá)到轉(zhuǎn)折條件，甚至可以使得阻斷曲線完全消失（見(jiàn)圖4中的Ig3那條曲線）。M（8+口2）T1,IATg,這點(diǎn)標(biāo)志正向阻斷狀態(tài)的結(jié)束，同時(shí)又是導(dǎo)通的開(kāi)始。所以整=0處為轉(zhuǎn)折點(diǎn)。dla（四）當(dāng)（豆1十立2）>1時(shí)，根據(jù)（19）,J2結(jié)提供了一個(gè)通態(tài)電流（lco<0）此時(shí),由于Vak=V1-V2I+V3<V1+V3,器件的正向壓降小于J1和J3結(jié)的壓降之和。五、晶閘

17、管的特點(diǎn)從圖5我們可以看出品閘管具有以下特點(diǎn)：品閘管的基本結(jié)構(gòu)是PNPN結(jié)構(gòu)，四層結(jié)構(gòu)的物理模型是晶閘管工作原理的物理基礎(chǔ)。主要特征是，在伏安特性曲線的第一象限內(nèi)，都具有負(fù)阻特性。品閘管在正向（第一象限內(nèi)）工作時(shí)，具有穩(wěn)定的斷態(tài)和通態(tài)，而且可以在斷態(tài)與通態(tài)之間互相轉(zhuǎn)換，它是晶閘管族系的共同特點(diǎn)。處于斷態(tài)的晶閘管，當(dāng)加上足夠大的觸發(fā)電流1G時(shí)（幾號(hào)安幾百毫安），器件便會(huì)提前轉(zhuǎn)折而導(dǎo)通。器件可以通過(guò)（11000A）以上的大電流，正向壓降很小，晶閘管導(dǎo)通后，撤去門極電流1G,器件仍能維持導(dǎo)通狀態(tài)，直到陽(yáng)極電流1A下降到低于|h,器件才會(huì)重新回到阻斷狀態(tài)。所以晶閘管和一般的整流管不同，它具有“可控”整

18、流的特點(diǎn)。晶閘管由斷態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)橥☉B(tài)的觸發(fā)方式，即可以采用電壓轉(zhuǎn)折，也可以用電信號(hào)、光信號(hào)以及溫度變化等方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。因而可利用不同的觸發(fā)方式制造出使用各種用途的派生器件。在反向工作區(qū)（第三象限），除了具有阻斷能力外們也可以通過(guò)適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使之也能從斷態(tài)轉(zhuǎn)化通態(tài)或反向?qū)?，?shí)現(xiàn)反方向也能導(dǎo)電，如雙向、逆導(dǎo)管。與功率開(kāi)關(guān)晶體管相比，品閘管具有特殊的優(yōu)點(diǎn)。品閘管工作時(shí)，主電流流通的全過(guò)程，控制信號(hào)（基極電流）必須維持，使得控制回路消耗較多的功率。而且品閘管則不同，一旦導(dǎo)通，撤去控制信號(hào)，使得控制回路大為簡(jiǎn)化。由于品閘管只能工作在大電流、低電壓的通態(tài)或者高電壓、小電流的正向或反向阻斷狀態(tài)。在這兩種情況

19、下，器件本身消耗的功率與器件以開(kāi)關(guān)方式進(jìn)行轉(zhuǎn)換的功率相比是微不足道的。六、晶閘管的主要參數(shù)及意義1、門極觸發(fā)電流（Igt）使晶閘管從阻斷到完全導(dǎo)通所必須的最小門極電流。2、極觸發(fā)電壓（Vgt）對(duì)應(yīng)于門極觸發(fā)電流的門極電壓。3、維持電流（Ih）門極斷路，在室溫條件下，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通后，為維持導(dǎo)通所必需的最小電流。4、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（Vdrm）門極斷路、并在一定結(jié)溫下，允許重復(fù)加在器件上的正向峰值電壓。（重復(fù)頻率為每秒50次，每次持續(xù)時(shí)間小于10ms）5、反向重復(fù)峰值電壓門極斷路、并在一定結(jié)溫下，允許重復(fù)加在器件上的反向峰值電壓。（重復(fù)頻率為每秒50次，每次持續(xù)時(shí)間小于10ms）6、斷態(tài)電壓臨

20、界上升率在額定結(jié)溫下，實(shí)驗(yàn)題目：晶閘管綜合參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn)?zāi)康模豪斫饩чl管的基本理論，了解晶閘管參數(shù)的物理意義（晶閘管觸發(fā)電壓Vgt、觸發(fā)電流Igt和維持電流Ih三項(xiàng)參數(shù)1概述本儀器是晶閘管觸發(fā)電壓流口觸發(fā)電流Igt和維持電流Ih三項(xiàng)參數(shù)的專用測(cè)試設(shè)備。適用于各種反向阻斷晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管及雙向晶閘管的參數(shù)測(cè)試。本測(cè)試儀設(shè)計(jì)先進(jìn)，結(jié)構(gòu)合理，操作簡(jiǎn)便。并具有數(shù)字顯示，自動(dòng)測(cè)試等功能。其技術(shù)指標(biāo)符合GB4024-83標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，是電力半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠和使用單位最為理想的檢測(cè)設(shè)備。2技術(shù)參數(shù)A（T2）、K（Ti）間的斷態(tài)電壓：DC12V（內(nèi)部限流電阻6.8Q）。觸發(fā)電流、維持電流測(cè)量范圍：1-450mA

21、觸發(fā)電壓測(cè)量范圍：0-7V測(cè)量時(shí)間：小于2s工作條件電源:AC220V±10%50HZ溫度：0-40C整機(jī)功耗：小于75VA整機(jī)重量：約10Kg整機(jī)尺寸：440X440X150mm3結(jié)構(gòu)特征本儀器為箱式結(jié)構(gòu)，數(shù)字顯示，讀數(shù)直觀方便。前部是面板，裝有控制鍵、數(shù)字顯示表和接線端子等。后蓋板上裝有三芯電源插座和保險(xiǎn)絲盒（保險(xiǎn)絲為0.5A/250V）0三線電源插頭的地端要可靠接地，以確保測(cè)試人員的安全和測(cè)試精度。4使用方法面板說(shuō)明（參見(jiàn)面板圖）“電源”開(kāi)關(guān)此開(kāi)關(guān)擲向開(kāi)時(shí)，內(nèi)藏指示燈亮，電源接通DBC-031VaD測(cè)試儀%I+1GHLIH電流(mA)電壓(V)復(fù)位測(cè)試沈陽(yáng)信達(dá)電力電子有限公司圖4.1面板圖“A(T2)、K(Ti)、G接線端子被測(cè)器件接線端子"mA電流顯示表顯示被測(cè)器件的觸發(fā)(維持)電流，單位毫安。7電壓顯示表顯示被測(cè)器件的觸發(fā)電壓，單位伏特。“IgI+”觸發(fā)象限選擇鍵按動(dòng)此鍵，內(nèi)藏指示燈亮，主回路A(T2)接正、K(T1)接負(fù)、G接正，儀器處于觸發(fā)電流待測(cè)狀態(tài)?！癐gI-”觸發(fā)象限選擇鍵按動(dòng)此鍵，內(nèi)藏指示燈亮，主回路A(T2)接正、K(T1)接負(fù)、G接負(fù)，儀器處于觸發(fā)電流待測(cè)狀態(tài)。"IgIH-"觸發(fā)象限選擇鍵按動(dòng)此鍵，內(nèi)藏指示