實(shí)驗(yàn)二靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)1

1、南京理工大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)與工程學(xué)院實(shí)驗(yàn)報(bào)告課程名稱學(xué)號(hào)專業(yè)班級(jí)計(jì)算機(jī)組成原理實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)日期9121065502指導(dǎo)教師批改日期實(shí)驗(yàn)名稱3.2靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)、實(shí)驗(yàn)?zāi)康恼莆侦o態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM工作特性及數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)方法。、實(shí)驗(yàn)設(shè)備PC機(jī)一臺(tái)，TD-CMA實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)一套。、實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)所用的靜態(tài)存儲(chǔ)器由一片6116（2KX8bit）構(gòu)成（位于MEM單元），如圖2-1所示。6116有三個(gè)控制線：CS（片選線）、OE（讀線）、WE（寫(xiě)線），其功能如表2-1所示。當(dāng)片選有效（CS=0時(shí)，OE=0時(shí)進(jìn)行讀操作，WE=0時(shí)進(jìn)行寫(xiě)操作，本實(shí)驗(yàn)將CS常接地。VerAHADOEA10CSLO7LO6LOS10+10

2、3A7AJ5A5A4A3A2AlACLOOlOiLO2CKD圖2-1SRAM6116引腳圖由于存儲(chǔ)器（MEM最終是掛接到CPU上，所以其還需要一個(gè)讀寫(xiě)控制邏輯，使得CPU能控制MEM的讀寫(xiě)，實(shí)驗(yàn)中的讀寫(xiě)控制邏輯如圖2-2所示，由于T3的參與，可以保證MEM的寫(xiě)脈寬與T3一致，T3由時(shí)序單元的TS3給出°IOM用來(lái)選擇是對(duì)I/O還是對(duì)MEMS行讀寫(xiě)操作，RD=1時(shí)為讀，WR=1時(shí)為寫(xiě)。表2-1SRAM6116功能表實(shí)驗(yàn)原理圖如圖2-3所示，存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)線接至數(shù)據(jù)總、線,的內(nèi)容。地址線接至地址總線，地址總線上接有（74LS273,位于PC&AF單元）給出總線，分時(shí)給出地址和數(shù)據(jù)。地

3、址寄接地，所以其實(shí)際容量為256字節(jié)。數(shù)據(jù)開(kāi)關(guān)（位于.i器為8位，接入數(shù)據(jù)總線上接有8個(gè)LED燈顯示D7D08個(gè)7LED燈顯示A7-A0的內(nèi)容，地址由地址鎖存器_IN單元）經(jīng)一個(gè)三態(tài)門(mén)（74LS245）連至數(shù)據(jù).61北的地址A7-A0,6116的高三位地址A10A8圖2-3存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)原理圖OR實(shí)驗(yàn)箱中所有單元的時(shí)序都連接至?xí)r序與操作臺(tái)耳元，時(shí)T3由時(shí)序單元給出，其余，IOi由RDWR高有效，MR和MW低有效,CON單元的二進(jìn)制開(kāi)關(guān)CLR都連接至CON單元的CLR按鈕。實(shí)驗(yàn)墳給出，其中IOM應(yīng)為低（即MEM操作）,CS'WEOE'功能1XX不選擇010讀001寫(xiě)1勿外巧曇赤巳RD

4、四、實(shí)驗(yàn)步驟關(guān)閉實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)電源，按圖2-4連接實(shí)驗(yàn)電路，并檢查Hlihl卑紐OO-QOT2TFT-1TS1Cl.KG節(jié)忙卞ryiri-i衛(wèi)iX.%7-八X.M'!XI77-訴*7“亡I'LB-AK4心1-bAli:XMWHXMRDWHR9JICM111I.OAR111*111UKtfRHOTCMCOM護(hù)尤圖2-4實(shí)驗(yàn)接線圖將時(shí)序與操作臺(tái)單元的開(kāi)關(guān)nkk、卩3置為運(yùn)行檔、開(kāi)關(guān)(3)將CON單元的IOR開(kāi)關(guān)置為.1打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)即關(guān)閉電源，重新檢查接線，(4)給存儲(chǔ)器的00H、01卜前面的存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)原理圖2-3分時(shí)寫(xiě)入，先寫(xiě)地址，具體操作步綁為0步'檔垃競(jìng)爭(zhēng)現(xiàn)象立03Ch04H

5、，由于再寫(xiě)數(shù)據(jù)，具體操作步驟如下圖劃2-6。>由同w.iiERnnsrit'a!-說(shuō)明有圖2感寫(xiě)存儲(chǔ)器流程圖I那/I圖2-6讀存儲(chǔ)器流程圖I13H、14H、15H。由數(shù)據(jù)開(kāi)關(guān)給出，卅少因此數(shù)據(jù)和地址要T3實(shí)驗(yàn)箱和PC聯(lián)機(jī)操作，可通過(guò)軟件中的數(shù)據(jù)通路圖來(lái)觀測(cè)實(shí)驗(yàn)結(jié)果，方法是：打開(kāi)軟件，選擇聯(lián)機(jī)軟件的【實(shí)驗(yàn)】一【存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)】”打開(kāi)存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)通路圖。進(jìn)行上面的手動(dòng)操作，每按動(dòng)一次ST按鈕，數(shù)據(jù)通路圖會(huì)有數(shù)據(jù)的流動(dòng)，反映當(dāng)前存儲(chǔ)器所做的操作借助于數(shù)據(jù)通路圖，仔細(xì)分析SRAM的讀寫(xiě)過(guò)程。實(shí)驗(yàn)結(jié)果：?jiǎn)卧刂穼?xiě)入數(shù)據(jù)讀出數(shù)據(jù)第一部分地址00H11H11H01H12H12H02H13H13H03H14H14H04H15H15H第二部分地址15H11H11H56H:21H21HA2H22H22HD4H32H32HE1H41H41H1, 五、實(shí)驗(yàn)總結(jié)在讀出數(shù)據(jù)完成時(shí)，應(yīng)先關(guān)閉RD按鈕然后再關(guān)閉IOR按鈕，否則就會(huì)產(chǎn)生“滴”的聲音。2, 在插線的過(guò)程中注意不要把兩頭的線插錯(cuò)位或插反了，否則會(huì)影響試驗(yàn)結(jié)果?？梢圆灰来屋敵龃鎯?chǔ)單元的內(nèi)容，如在依次輸入第00、01、02、03、04號(hào)存儲(chǔ)單元內(nèi)容后，可以不按順序隨機(jī)輸出存儲(chǔ)單元的內(nèi)容，如，先輸出00號(hào)存儲(chǔ)單元，然后輸出04號(hào)存儲(chǔ)單元。4,數(shù)據(jù)通路圖會(huì)有數(shù)據(jù)的流動(dòng)，反映當(dāng)前存儲(chǔ)器所做的操作，即