微影制程簡(jiǎn)介

1、投板酸洗水洗微蝕微蝕水洗酸洗水洗烘干送壓膜每段作用每段作用n投板 input 2片檢測(cè)系統(tǒng)n酸洗acid water rinse 清潔,去脂n水洗water rinse 防止藥水污染n微蝕微蝕 microetching 粗化粗化n酸洗acid water rinse 去除氧化層n水洗water rinse 防止藥水污染n烘乾dry (80度) 乾燥板面粗化后銅表面粗化后銅表面品質(zhì)判定品質(zhì)判定:水破試驗(yàn)水破試驗(yàn)（Water Break） 測(cè)試前處理後板面清潔的程度。通常板子從水中拿起，直立時(shí)可保持完整的水膜約30sec以上. 不破；平放時(shí)可維持1030sec不破。為一種粗略的試驗(yàn)。但對(duì)於測(cè)試板面

2、清潔的程度是一種很重要的措施.5.1擇取測(cè)試裸板三片(長(zhǎng)15cm、寬10cm、雙面)。 5.2使用#600砂紙將板邊四周之銅屑磨平，以避免掉屑造成 量測(cè)上之誤差。5.3烘乾(120、30min), 置乾燥器冷卻至室溫, 秤重並記錄A (g)。5.4將測(cè)試板依正常流程微蝕處理。5.5烘乾(120、30min) , 置乾燥器冷卻至室溫, 秤重並記錄B(g)。5.6計(jì)算E.A.(Etching Amount)值。 5.1擇取測(cè)試裸板三片(長(zhǎng)15cm、寬10cm、雙面)。 設(shè)備能力檢核設(shè)備能力檢核 A：微蝕前烘乾後重g 8.932：銅的比重g/cm3 B：微蝕後烘乾後重g 2.54*10-6：?jiǎn)挝粨Q算

3、in/cm 2：一片基板有雙面 15*10：基板尺寸 cm2 61054. 2932. 810152BA計(jì)算公式計(jì)算公式:預(yù)熱壓膜前整列壓膜翻板冷卻送曝光120度&4kg/cm2 壓膜品質(zhì)判定壓膜品質(zhì)判定壓膜品質(zhì) 發(fā)生原因1.壓膜氣泡 A.滾輪破洞 B.板面水氣2.壓膜膜皺 A.乾膜上異常 B.滾輪異常3.壓膜掉膜 A.壓條溫度異常 B.壓條不潔4.壓膜銅屑 A.粘塵不乾淨(jìng). B.前處理烘乾段過(guò)髒基板設(shè)定底片清潔底片設(shè)定底片設(shè)定底片及底片框清潔曝光撕Mylar送DES2.PE值PCB對(duì)底片CCD連線中心距離之差異(P-A)/2+機(jī)臺(tái)對(duì)位誤差： 40um3.ME值(底片CCD變化量)：5

4、0um4.JE值(PCB與底片CCD單孔中心偏移量)：7um P A曝光對(duì)位曝光對(duì)位顯影水洗蝕刻水洗去膜水洗酸洗水洗烘干送AOI顯影水溶性干膜的顯影液為l一2的無(wú)水碳酸鈉溶液，液溫3040。 顯影機(jī)理是感光膜中未曝光部分的活性基團(tuán)與稀堿溶液反應(yīng)生成可溶性物質(zhì)而溶解下 來(lái)，顯影時(shí)活性基團(tuán)羧基一COOH與無(wú)水碳酸鈉溶液中的Na+作用，生成親水性集團(tuán)一 COONa。從而把未曝光的部分溶解下來(lái)，而曝光部分的干膜不被溶脹。顯影操作一般在顯影機(jī)中進(jìn)行，控制好顯影液的溫度，傳送速度，噴淋壓力等顯影參數(shù)，能夠得到好的顯影效果。 DES線顯影段的原理線顯影段的原理正確的顯影時(shí)間通過(guò)顯出點(diǎn)(沒(méi)有曝光的干膜從印制板

5、上被顯掉之點(diǎn))來(lái)確定，顯出點(diǎn)必 須保持在顯影段總長(zhǎng)度的一個(gè)恒定百分比上。如果顯出點(diǎn)離顯影段出口太近，未聚合的抗蝕膜 得不到充分的清潔顯影，抗蝕劑的殘余可能留在板面上。如果顯出點(diǎn)離顯影段的入口太近，已 聚合的于膜由于與顯影液過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的接觸，可能被浸蝕而變得發(fā)毛，失去光澤。通常顯出點(diǎn)控 制在顯影段總長(zhǎng)度的40一60之內(nèi)。使用顯影機(jī)由于溶液不斷地噴淋攪動(dòng)，會(huì)出現(xiàn)大量泡沫，因此必須加入適量的消泡劑。如 正丁醇、食品及醫(yī)藥用的消泡劑、印制板專用消泡劑AF一3等。消泡劑DES線顯影段的原理線顯影段的原理起始的加入量為0.1 左右，隨著顯影液溶進(jìn)干膜，泡沫又會(huì)增加，可繼續(xù)分次補(bǔ)加。顯影后要確保板面上無(wú)余膠，

6、以 保證基體金屬與電鍍金屬之間有良好的結(jié)合力。顯影后板面是否有余膠，肉眼很難看出，可用1甲基紫酒精水溶液或l一2的硫化鈉 或硫化鉀溶液檢查，染十甲基紫顏色和浸入硫化物后沒(méi)有顏色改變說(shuō)明有余膠。DES線顯影段的原理線顯影段的原理由於乾膜光阻本身的平均厚度在1.01.5mil之間，對(duì)水平輸送式蝕刻線上之板面而言，會(huì)造成細(xì)密線區(qū)的水溝效應(yīng)（Puddle Effect），使得所噴射新鮮蝕刻液的強(qiáng)力水點(diǎn)，打不到待蝕的銅面，而且連空氣中的氧氣也被阻隔。此氧氣的角色是協(xié)同將金屬銅（Cu0）氧化成可水溶的銅離子（Cu+），是一種不可或缺的氧化劑。氧化力減弱蝕刻不足將造成線底兩側(cè)之殘足，成為細(xì)線工程的一大隱憂。

7、至於另一種半氧化的Cu+則很難水溶，常附著在線路腰部流速較低的側(cè)壁上，可當(dāng)成護(hù)岸劑（Banking Agent），而使側(cè)蝕（Undercut）得以減低。Cu0 蝕刻液 O2 Cu+ 難水溶的中間物，可當(dāng)成護(hù)岸劑 DES線蝕刻段的原理線蝕刻段的原理Cu0 蝕刻液 O2 Cu+ 蝕刻液 O2 Cu+ .成為可水溶的銅離子 為了降低水溝效應(yīng)減少側(cè)蝕與殘足起見(jiàn)，5mil以下的細(xì)線應(yīng)盡可能將待蝕刻的銅層逼薄，同時(shí)也還應(yīng)將抗蝕阻劑逼薄。如此一來(lái)除可避免積水而方便氧氣進(jìn)入外，還可加速新鮮藥液更換的頻率，有效的排除廢銅液，逼薄Z方向待蝕銅面上擴(kuò)散層（Diffusion layer）的厚度，以增快正蝕減緩側(cè)蝕，

8、使細(xì)線密線的品質(zhì)更好。DES線蝕刻段的原理線蝕刻段的原理1.試驗(yàn)板2/2OZ 2024，板厚6mil(含)以上。2.用MRX-4000先量測(cè)一片基板兩面各120點(diǎn)之銅厚值，並記錄於表E內(nèi)。3.蝕刻：蝕銅厚平均值需控制在1.01.3mil。4.蝕刻試驗(yàn)板三片，已量測(cè)板放中間。5. 蝕刻後取中間一片先至前處理酸洗，再量測(cè)Data。6.量測(cè)方法：於板邊留3cm的邊，長(zhǎng)邊取12點(diǎn)，短邊取10點(diǎn)，共120點(diǎn)設(shè)備能力檢核設(shè)備能力檢核計(jì)算公式計(jì)算公式&DATA記錄記錄% R/2X 100% ( X: 蝕銅後蝕銅平均值，: 最大蝕銅值最小蝕銅值)a Data記錄：1. 需分別記錄Top side 、Bottom side 每一點(diǎn)量測(cè)值2. Top side、 Bottom side、 Both side 之uniformity均需計(jì)算3. 定義： Top side % = 100 Bottom side = 100% Both side % = 100% 1.蝕刻因子蝕刻因子（Etch Factor） Etch Factor即為蝕刻品質(zhì)的一種指標(biāo)。需製作Microsection微切片，針對(duì)影像中線路之狀況代入 V/X之公式計(jì)算出蝕刻因子即可。Etch Factor必須要大於2.5。 2. 蝕刻速率蝕刻速率（Etch Rate） 用以測(cè)試板子經(jīng)過(guò)微蝕段時(shí)，銅面被微蝕劑所咬蝕的程度?？蓪?/p>