CP晶圓檢驗(yàn)準(zhǔn)則

1、文件名稱晶圓檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件編號：制定單位：品經(jīng)部修訂履歷生效日期版次修訂人修訂內(nèi)容2016-8-202016-10-202016-12-22A0A1黃良漢王濤畢明明首版發(fā)行1.追加第4條標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容：針對XW的產(chǎn)品邊緣晶圓外4圈區(qū)域（不完整DIE不算一圈）的PAD變色，不做管控，做允收判定2.變更公司LOGO增加HD護(hù)層不良、線路不良菅控要求1. A2目的為CP外觀檢驗(yàn)提供依據(jù)。2. 適用范圍本公司內(nèi)晶圓的檢驗(yàn)。職責(zé)品經(jīng)部：負(fù)責(zé)檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)之制定及修改，并依本標(biāo)準(zhǔn)對產(chǎn)品進(jìn)行抽檢其他部門：依本標(biāo)準(zhǔn)對晶圓產(chǎn)品進(jìn)行品質(zhì)判定。4.標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)參考圖形污染E移動的異物不得存在PAD上。晶粒上不允許有水

2、珠和油污及光阻殘留。晶背不可有目視可見污染，如果存在局低差（即凹凸爪半）且無法去除時，拒收護(hù)層、良除PA"窗外，所有護(hù)層不可有破損護(hù)層上有龜裂-拒收光阻剝落或顯影不良造成圖形異?；虺尸F(xiàn)鋸齒狀.HD如右圖護(hù)層不良，檢驗(yàn)不管控NGOKHD如右圖線路不良，檢驗(yàn)不管控PAD®化、腐蝕或變黃色、咖啡色、黑褐色或有七彩色；針對XW的產(chǎn)品邊緣晶圓外4圈區(qū)域（不完整DIE不算一圈）的PA疫色,不做管控，做允收判定。氧化/鋁腐蝕/焊變在50倍的目鏡，鋁路不可發(fā)生氧化，鋁變色腐蝕，焊變。顯微鏡下觀察pad上有荷葉狀或蝴蝶狀圖案，觀察其顏色偏黃或偏灰且邊界明顯，線路表面不允許有。針痕和因針痕造成

3、的鋁屑都不允許超出PAD勺邊框。針痕不應(yīng)該造成PA側(cè)產(chǎn)生裂痕，破損或變形,需確保邊框的完好。A, PAD十痕數(shù)目：1) 普通產(chǎn)品3次2) OT陀品：CPU2次，CPM3次3) CPIK4次在50倍的目鏡PADk之探針痕露底材針痕不良的面積：普通產(chǎn)品不得大于針痕的1/5OTP產(chǎn)品不得大于針痕的1/4所有產(chǎn)品針痕面積V1/4PAD面積針痕偏移突出焊墊橋接鋁路或鄰近焊墊，拒收；當(dāng)WAFER：PADW雙框現(xiàn)象時，針痕扎偏不可覆蓋到PAD#圍線。圖一圖二圖一為拒收；圖二可允收，但需改善鋁路上刮/壓傷有以下兩種情況：A）造成鋁路或焊墊間短路及橋接-拒收B）有曝露底部氧化層-拒收C）刮壓傷造成鋁路路間隙減少

4、1/2或鋁路寬度（線寬）減少1/2拒收刮壓傷背面刮痕：背面呈白色條狀，為背面刮痕，不能傷及電性和露底層，可接受，但需在流程卡及檢驗(yàn)報(bào)表上記錄。刮痕呈黑色條形狀（裂痕），拒受。圖略PAD上舌IJ/壓傷不得位于中央焊線區(qū)，總面積不得大于20%1、PADFF窗位移橋接鄰近焊墊，開窗面積未超過1/4者允收，造成橋接拒收（如圖一：PAD已向左邊偏移）PAW窗不良2、PAC±護(hù)層開窗不良而蓋住PAD®積1/4以上者-拒收（且不得位丁中央焊線區(qū)）3、因開窗蝕刻錯位，使其超過PAD外圍上的N、P擴(kuò)散線-拒收4、開窗不足：開窗面積<PAD3/4-拒收>PAD3/4-接收PAD不良

5、PAD損超過原來面積的10%CVDC積不良1、護(hù)層CVDM積不良造成之麻點(diǎn)或紋路，麻點(diǎn)或紋路密度足以影響底層判定者-拒收2、二次蝕刻不完全者造成晶粒上稀疏之斑點(diǎn)和紋路異常一允收QSAW169系列型號發(fā)現(xiàn)有麻點(diǎn)都需要反饋客戶,其他型號產(chǎn)品按照右圖標(biāo)準(zhǔn)判定，后續(xù)如果發(fā)現(xiàn)有與標(biāo)準(zhǔn)圖片不一致的無法抉擇判定的可與客戶溝通后添加到標(biāo)準(zhǔn)中。1、INK大小訂為約46個PADSize之間或按Die的大小管控標(biāo)準(zhǔn)（最小要肉眼可見）2.0mm以下標(biāo)準(zhǔn)為350m100m2.0-4.0mm2標(biāo)準(zhǔn)為400頭m150m4.0mm2標(biāo)準(zhǔn)為400小n150mINK高度在20Hm以下目視有異常時請測量。A、B、C、2、INK以上

6、麻點(diǎn)不可接20pm以下INK中空區(qū)域不可超過INK包圍面積的50%墨跡1)2)墨跡（點(diǎn)）覆蓋丁晶粒表面上呈分散狀，不可崩散殘留在良品晶粒上超過1個PAC®積（以總濺墨點(diǎn)合計(jì),不含PACE域）。晶粒表面上之墨點(diǎn)（跡），且有規(guī)則之外形，類似圓型或橢圓型狀總面積大丁1/4PADH積一拒收（不含PAD區(qū)域）。墨跡殘留在PADff窗區(qū)域內(nèi)不可超過PADFF窗區(qū)域的25%S不得位丁中央焊線區(qū)。氣泡/突起物PAD和鋁路上不得有氣泡和突起物。1,線路空洞（破損）一閂,抵2,空洞（破損）1/2線寬，拒收仝洞（破3,空洞（破損）W1/2線寬，接收5, 損）4,PAC&洞（破損）空洞（破損）1/10PAD面積，拒收6,