第五章 場(chǎng)效應(yīng)管_第1頁(yè)
第五章 場(chǎng)效應(yīng)管_第2頁(yè)
第五章 場(chǎng)效應(yīng)管_第3頁(yè)
第五章 場(chǎng)效應(yīng)管_第4頁(yè)
第五章 場(chǎng)效應(yīng)管_第5頁(yè)
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1、場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管不同,它是多子導(dǎo)電,輸入阻抗場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管不同,它是多子導(dǎo)電,輸入阻抗高,溫度穩(wěn)定性好。高,溫度穩(wěn)定性好。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩種場(chǎng)效應(yīng)管有兩種:N溝道溝道P溝道溝道耗盡型耗盡型增強(qiáng)型增強(qiáng)型耗盡型耗盡型增強(qiáng)型增強(qiáng)型N溝道溝道P溝道溝道5 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路G(柵極柵極)S源極源極D漏極漏極1、結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)5.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)擴(kuò)散情況:NPNNNPP基底基底 :N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體兩邊是兩邊是P區(qū)區(qū)導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道NPP5.1.1 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理的結(jié)構(gòu)和工作原理N

2、PPG(柵極柵極)S源極源極D漏極漏極N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管DGS符號(hào)符號(hào)柵極上的箭頭表示柵極電流的方向(由P區(qū)指向N區(qū))。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管代表符號(hào)中柵極上的箭頭方向,可以確認(rèn)溝道的類型。PNNG(柵極柵極)S源極源極D漏極漏極P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管DGS符號(hào)符號(hào)2、工作原理(以、工作原理(以N溝道為例)溝道為例)vDS=0V時(shí)時(shí)vGSNGSDvDSNNPPiDPN結(jié)反偏,結(jié)反偏,vGS越大則耗盡區(qū)越越大則耗盡區(qū)越寬,導(dǎo)電溝道越寬,導(dǎo)電溝道越窄。窄。vGS0V(1)vGS對(duì)導(dǎo)電溝道及對(duì)導(dǎo)電溝道及iD的控制的控制vDS=0V時(shí)時(shí)NGSDvDSvGSNNiDPPvGS越大耗盡區(qū)

3、越寬,越大耗盡區(qū)越寬,溝道越窄,電阻越大。溝道越窄,電阻越大。但當(dāng)?shù)?dāng)vGS較小時(shí),耗盡較小時(shí),耗盡區(qū)寬度有限,存在導(dǎo)區(qū)寬度有限,存在導(dǎo)電溝道。電溝道。DS間相當(dāng)于間相當(dāng)于線性電阻。線性電阻。VDS=0時(shí)時(shí)NGSDVDSVGSPPIDVGS達(dá)到一定值時(shí)達(dá)到一定值時(shí)(夾斷電壓夾斷電壓VP),耗耗盡區(qū)碰到一起,盡區(qū)碰到一起,DS間被夾斷,這時(shí),即間被夾斷,這時(shí),即使使vDS 0V,漏極電,漏極電流流iD=0A。vGS0、vGD=vGS-vDSVP時(shí)時(shí)耗盡區(qū)的形狀耗盡區(qū)的形狀NGSDvDSvGSPPiD越靠近漏端,越靠近漏端,PN結(jié)反壓越大結(jié)反壓越大6V6V0V2V4V 導(dǎo)電溝道中電位分布情況 (1

4、)vDS對(duì)對(duì)iD的影響的影響vGSVp且且vDS較大時(shí)較大時(shí)vGDVP時(shí)時(shí)耗盡區(qū)的形狀耗盡區(qū)的形狀NGSDvDSvGSPPiD溝道中仍是電阻溝道中仍是電阻特性,但是是非特性,但是是非線性電阻。線性電阻。vGSVp vGD=VP時(shí)時(shí)vDS增大則被夾斷增大則被夾斷區(qū)向下延伸。區(qū)向下延伸。NGSDvDSvGSPPiD漏端的溝道被夾斷,漏端的溝道被夾斷,稱為稱為予夾斷。予夾斷。vGS0時(shí)時(shí)vGS足夠大時(shí)足夠大時(shí)(vGSVT)感應(yīng))感應(yīng)出足夠多電子,出足夠多電子,這里出現(xiàn)以電子這里出現(xiàn)以電子導(dǎo)電為主的導(dǎo)電為主的N型型導(dǎo)電溝道。導(dǎo)電溝道。感應(yīng)出電子感應(yīng)出電子VT稱為開啟電壓稱為開啟電壓vGS較小時(shí),導(dǎo)電較

5、小時(shí),導(dǎo)電溝道相當(dāng)于電阻溝道相當(dāng)于電阻將將D-S連接起來,連接起來,vGS越大此電阻越越大此電阻越小。小。PNNGSDvDSvGSPNNGSDvDSvGS當(dāng)當(dāng)vDS不太大不太大時(shí),導(dǎo)電溝時(shí),導(dǎo)電溝道在兩個(gè)道在兩個(gè)N區(qū)區(qū)間是均勻的。間是均勻的。當(dāng)當(dāng)vDS較大時(shí),較大時(shí),靠近靠近D區(qū)的區(qū)的導(dǎo)電溝道變導(dǎo)電溝道變窄。窄。PNNGSDvDSvGS夾斷后,即夾斷后,即使使vDS 繼續(xù)增繼續(xù)增加,加,ID仍呈仍呈恒流特性恒流特性。iDvDS增加,增加,vGD=VT 時(shí),時(shí),靠近靠近D端的溝道被夾斷,端的溝道被夾斷,稱為予夾斷。稱為予夾斷。三、增強(qiáng)型三、增強(qiáng)型N溝道溝道MOS管的特性曲線管的特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲

6、線轉(zhuǎn)移特性曲線0iDvGSVT輸出特性曲線輸出特性曲線iDv DS0iGS0四、耗盡型四、耗盡型N溝道溝道MOS管的特性曲線管的特性曲線耗盡型的耗盡型的MOS管管vGS=0時(shí)就有導(dǎo)電溝道,加反向時(shí)就有導(dǎo)電溝道,加反向電壓才能夾斷。電壓才能夾斷。轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線0iDvGSVT輸出特性曲線輸出特性曲線iDvDS0vGS=0vGS0五、說明:五、說明:(1)MOS管由四種基本類型;(2)MOS管的特性與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性類似;(3)增強(qiáng)型的MOS管的vGS必須超過一定的值以使溝道形成; 耗盡型的MOS管使形成溝道的vGS可正可負(fù);(4)MOS管的輸入阻抗特別高(5)衡量場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力用

7、跨導(dǎo) 單位:msDSGSDmVVIgGGSDCGSIVR)(六、六、MOS管的有關(guān)問題管的有關(guān)問題(2)交流參數(shù)低頻跨導(dǎo):極間電容:柵源電容CGS,柵漏電容CGD,漏源電容CDS(3)極限參數(shù) 最大漏極電流IDM,最大耗散功率P0M,漏源擊穿電壓V(BR)DS柵源擊穿電壓VBR)GS1、主要參數(shù)(1)直流參數(shù)開啟電壓VT指增強(qiáng)型的MOS管夾斷電壓VP指耗盡型的MOS管零柵壓漏極電流IDSS直流輸入電阻: 通常很大10101015左右三三 極極 管管場(chǎng)場(chǎng) 效效 應(yīng)應(yīng) 管管導(dǎo)電機(jī)構(gòu)雙極性器件單極性器件導(dǎo)電方式載流子的擴(kuò)散與漂移漂移控制方式電流控制電壓控制類 型NPN 型、PNP 型P、N 溝道,增

8、強(qiáng)、耗盡型放大參數(shù)=30100gm=16ms輸入電阻1021041071015抗輻射能力差好噪 聲大小熱穩(wěn)定性差好制造工藝復(fù)雜簡(jiǎn)單、成本低;便于集成靈活性C、E 不能互換D、S 可以互換六、六、MOS管的有關(guān)問題管的有關(guān)問題2、場(chǎng)效應(yīng)管與三極管的比較六、六、MOS管的有關(guān)問題管的有關(guān)問題3、使用注意事項(xiàng)(1)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能接反,但可在開路狀態(tài)下保存;(2)MOS管在不使用時(shí),須將各個(gè)電極短接;(3)焊接時(shí),電烙鐵必須有外接地線,最好是斷電后再焊接;(4)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管可用萬(wàn)用表定性檢測(cè)管子的質(zhì)量,而MOS管必須用專門的儀器來檢測(cè);(5)若用四引線的場(chǎng)效應(yīng)管,其襯底引線應(yīng)正確連接;vG

9、SiD0vDS:N溝道加正壓 P溝道加負(fù)壓各種場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性對(duì)比 (a)轉(zhuǎn)移特性IDSSVPIDSSN溝道JFETN溝道增強(qiáng)MOSVTN溝道耗盡MOSP溝道耗盡MOSP溝道增強(qiáng)MOSVTP溝道JFETIDSSVPVPVP各種場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性對(duì)比 (b)輸出特性結(jié)型vGS和vDS相反增強(qiáng)型vGS同vDS同極性耗盡型vGS任意 極 性放大區(qū)條件vDSN溝道管:正極性(vDS0)vDSvGSVP0P溝道管:負(fù)極性(vDS0)vDSVGSVPVP(或VT)P溝道管:vGSVP(或VT)FET放大偏置時(shí)vDS與vGS應(yīng)滿足的關(guān)系 5.4場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路(1) 靜

10、態(tài):適當(dāng)?shù)撵o態(tài)工作點(diǎn),使場(chǎng)效應(yīng)管工作在恒流靜態(tài):適當(dāng)?shù)撵o態(tài)工作點(diǎn),使場(chǎng)效應(yīng)管工作在恒流區(qū),場(chǎng)效應(yīng)管的偏置電路相對(duì)簡(jiǎn)單。區(qū),場(chǎng)效應(yīng)管的偏置電路相對(duì)簡(jiǎn)單。 (2) 動(dòng)態(tài):能為交流信號(hào)提供通路。動(dòng)態(tài):能為交流信號(hào)提供通路。組成原則:組成原則:靜態(tài)分析:靜態(tài)分析:估算法、圖解法。估算法、圖解法。動(dòng)態(tài)分析:動(dòng)態(tài)分析:微變等效電路法。微變等效電路法。分析方法:分析方法: 場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件。它利用柵源電壓來控制漏極電流的變化。它的放大作用以跨導(dǎo)來體現(xiàn),在場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性的水平部分,漏極電流iD的值主要取決于vGS,而幾乎與vDS無(wú)關(guān)。1、自偏壓電路、自偏壓電路2、分壓式自偏壓電路、分壓式自偏壓電路S

11、V GSVGVDDg2g1g2VRRR RID Rg:使g與地的直流電位幾乎相同(因上無(wú)電流)。R:當(dāng)IS流過R時(shí)產(chǎn)生直流壓降ISR,使S對(duì)地有一定的電壓:VGS=ISR=IDR05.4.1場(chǎng)效應(yīng)管的直流偏置電路及靜態(tài)分析場(chǎng)效應(yīng)管的直流偏置電路及靜態(tài)分析1. 直流偏置電路直流偏置電路VDDRdR-Rg+vGSiD-viC1+CSC2-+RLvoVDD=18VRCRg1RdRg3Rg22M47k10M30k2kT+Cb2Cb147u4.7u0.01uQ點(diǎn):點(diǎn): VGS 、 ID 、 VDSVGS =2PGSDSSD)1 (VVIIVDS =已知已知VP ,由,由VDD- ID (Rd + R )

12、- IDR可解出可解出Q點(diǎn)的點(diǎn)的VGS 、 ID 、 VDS 靜態(tài)工作點(diǎn)靜態(tài)工作點(diǎn)以自偏壓電路為例(1) 近似估算法近似估算法 Cb10.01u4.7uCb2VDD=18VRCRdRg10M30k2kT+47u+-gsdvivo2PGSDSSD)1 (VVIIVDS = VDD- ID (Rd + R )RIRRVRVDggDDgGS212VP=-1V IDSS=0.5mAID=0.5mA(1+0.4-2ID)2ID=(0.95+0.64, 0.95-0.64)mAIDVGS則:則:VG VS而:而:IG=0所以:所以:voVDD=20VRSviCSR1RDRGR2RL150k50k1M10k

13、10kGDS10kV5212DDGVRRRVmA5 . 0SGSSDRVRVIV10)(DSDDDDSRRIVV例例5.1VDD=20VvoRSviCSR1RDRGR2RL150k50k1M10k10kGDS10k二、動(dòng)態(tài)分析二、動(dòng)態(tài)分析微變等效電路微變等效電路gsivv )/(LDgsmoRRvgvLmiovRgvvA21/ RRRRGiM0375.1Ro=RD=10kR2R1RGvi+-sggsvdgsmvgRLRLRDvo-+VDD=20VvoRSviR1RDRGR2RL150k50k1M10k10kGDS10kCS微變等效電路微變等效電路SgsmgsiRvgvv)/(LDgsmoRRv

14、gvSgsmgsLgsmiovRvgvRvgvvA21/ RRRRGiM0375.1Ro=RD=10kR2R1RGvi+-sggsvdgsmvgRLRLRDvo-+RSSmLmRgRg1共漏極放大器共漏極放大器源極輸出器源極輸出器vo+VDDRSviC1R1RGR2RL150k50k1M10kDSC2G一、靜態(tài)分析一、靜態(tài)分析VSVGmA5 . 0SGSSDRVRVIVDS=VDD- VS =20-5=15VV5211DDGVRRRVvo+VDDRSviC1R1RGR2RL150k50k1M10kDSC2GLgsmgsLgsmiovRvgvRvgvvA11LmLmRgRg二、動(dòng)態(tài)分析二、動(dòng)態(tài)分

15、析21/RRRRGiM0375. 1RiRo Ro gR2R1RGsdRLRS微變等效電路微變等效電路輸出電阻輸出電阻 Ro加壓求流法加壓求流法mgsmgsdogvgvivRT1SooRRR/TvTidigd微變等效電路微變等效電路Ro Ro R2R1RGsRSgsvgsmvg微變等效電路共柵放大器共柵放大器動(dòng)態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析EDRESRdRLuigmugsgduiRdRLsRI總IiRgRIVmii1RgRIVRmiii11 、電壓放大倍數(shù)Vo=Id=gmVgsLRVi=VgsLR Av=Vo/Vi =gm2、輸入電阻 Vi=I總R=(Ii+gmVgs)R =(IigmUi)R得3、輸出電阻

16、Ro= RdCE / CB / CCCE / CB / CC CS / CG / CDCS / CG / CDRi CS:Rg1 / Rg2CD:Rg+ (Rg1 / Rg2 )CG:R/(1/gm)/(1Re/r:CB R)1 (r/R:CCr/R:CEbeLbebbebRo cs/bbeecR CB1RR+r/R CCRCE:CS:RdCD:R/(1/gm)CG:RdbeLvLbeLvbeLvrRA:CBR)1 (rR)1 (A:CCrRA:CELmvLmLmvLmvRgA:CGRg1RgA:CDRgA:CSvA場(chǎng)效應(yīng)管放大電路小結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管放大電路小結(jié)(1) 場(chǎng)效應(yīng)管放大器輸入電阻很大。場(chǎng)效應(yīng)管放大器輸入電阻很大。(2) 場(chǎng)效應(yīng)管共源極放大器場(chǎng)效應(yīng)管共源極放大器(漏極輸出漏極輸出

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