專利三性判斷基礎(chǔ)理論

1、1新穎性基礎(chǔ)理論材料工程部閆娜Tel:62084772二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組2課程設(shè)置第一節(jié) 專利法第22條第2款第二節(jié) 新穎性的審查第三節(jié) 關(guān)于專利法第9條第1款的適用二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組3第一節(jié) 專利法第22條第2款一、立法宗旨防止將已經(jīng)進入公有領(lǐng)域的技術(shù)批準為專利 ；貫徹先申請原則和避免重復(fù)授權(quán)。二、法律條款 授予專利權(quán)的發(fā)明和實用新型，應(yīng)當具備新穎性、創(chuàng)造性和實用性。二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組4 新穎性，是指該發(fā)明或者實用新型不屬于現(xiàn)有技術(shù)；也沒有任何單位或者個人就同樣的發(fā)明或者實用新型在申請日之前向國務(wù)院專利行政部門提出過申請，并且記載在申請日以后公布的專

2、利申請文件或者公告的專利文件中。 現(xiàn)有技術(shù)，是指申請日以前在國內(nèi)外為公眾所知的技術(shù)。二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組5若干基本概念： 1.申請日：專利法第28條規(guī)定，國務(wù)院專利行政部門收到專利申請文件之日為申請日。如果申請文件是郵寄的，以寄出的郵戳日為申請日。 二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組62.現(xiàn)有技術(shù)專利法第22條第5款規(guī)定： 本法所稱現(xiàn)有技術(shù)，是指申請日以前在國內(nèi)外為公眾所知的技術(shù)。二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組7公開的含義技術(shù)的實質(zhì)內(nèi)容處于能夠被公眾獲得的狀態(tài)。公眾想要了解即能得知，想要獲取即能得到，并不要求公眾必須已經(jīng)得知、或者必須已經(jīng)獲得，也不要求公眾中每一個人必須都已經(jīng)得知。

3、 例如：公共圖書館登記上架的技術(shù)書籍。二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組8 特定人公眾非特定人負有保密義務(wù)，應(yīng)當并且能夠保密 二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組93.抵觸申請在申請日以前也沒有任何單位或者個人就同樣的發(fā)明或者實用新型向國務(wù)院專利行政部門提出過申請，并且記載在申請日以后（含申請日）公布的專利申請文件或者公告的專利文件中。4.發(fā)明或者實用新型專利法第22條第2款所說的發(fā)明或者實用新型是指專利申請權(quán)利要求要保護的技術(shù)方案。 二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組10二、專利法第22條第2款的基本含義（一）對比判斷 實質(zhì)在于通過比較判斷1.對比對象對比發(fā)明創(chuàng)造 現(xiàn)有技術(shù) （權(quán)利要求） 抵觸申請二

4、零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組112.對比的執(zhí)行者對比發(fā)明創(chuàng)造 現(xiàn)有技術(shù) （權(quán)利要求） 抵觸申請執(zhí)行者所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組12（二）現(xiàn)有技術(shù)的認定 時間界限，以申請日為準，有優(yōu)先權(quán)的以優(yōu)先權(quán)日為準。 公開方式：出版物公開 使用公開 其它方式公知(兜底條款) 二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組13專利法意義上的出版物：記載有技術(shù)或設(shè)計內(nèi)容的獨立存在的傳播載體，應(yīng)當標明或者有其他證據(jù)證明其公開發(fā)表或者出版時間。 包括：印刷的、打字的紙件，例如專利文獻、科技雜志、教科書等；視聽資料，例如錄像帶、光盤等；互聯(lián)網(wǎng)或在線數(shù)據(jù)庫形式存在的文件等。 “內(nèi)部資料”二零零七至二零零

5、九年半脫產(chǎn)教研組14公開內(nèi)容的要求 現(xiàn)有技術(shù)公開的內(nèi)容以對比文件公開的技術(shù)內(nèi)容為準。 注意隱含公開隱含公開，不得隨意將對比文件的內(nèi)容擴大或縮小。 對比文件公開的全部內(nèi)容均可使用。注意對比文件中附圖公開內(nèi)容的合理使用。 二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組15隱含公開： 隱含的且可直接地、毫無疑義地確定的技術(shù)內(nèi)容。 例如： 自行車 車輪二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組16（三）抵觸申請乙申請申請日 甲申請申請日 甲申請公布日 同樣的發(fā)明同樣的發(fā)明1.形式判斷要素： 申請日在先，公布日在后； 中國專利申請。二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組172.內(nèi)容判斷 只有形式上符合并且內(nèi)容相同才能確定為抵觸申請。

6、 3.使用限制 抵觸申請不屬于現(xiàn)有技術(shù)，只能用于新穎性判斷。注意的兩個問題： 可以使用抵觸申請的說明書、權(quán)利要求書和附圖，但不可以使用摘要。 二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組18一、審查的對象 第二節(jié) 新穎性的審查二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組19二、審查原則“同樣的發(fā)明或者實用新型”判斷原則技術(shù)方案技術(shù)領(lǐng)域、解決的技術(shù)問題和技術(shù)效果實質(zhì)上相同實質(zhì)上相同二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組20二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組21權(quán)利要求書對比文件權(quán)利要求技術(shù)特征A、B、C、D新穎性新穎性結(jié)論結(jié)論二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組22四、典型情形的判斷規(guī)則技術(shù)內(nèi)容完全相同完全相同直接地、毫無疑義地確

7、定直接地、毫無疑義地確定的內(nèi)容 簡單的文字變換文字變換二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組23專利申請的權(quán)利要求：一種負溫度系數(shù)熱敏電阻器,具有由氧化錳、氧化銅和氧化鈦組成的基體,且所述基體上有鍍銀電極層。對比文件公開：一種基本上由基體和基體上鍍銀電極層構(gòu)成的負溫度系數(shù)熱敏電阻器 ，其中基體由氧化錳、氧化銅和氧化鈦組成。二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組24專利申請的權(quán)利要求：一種手機，包括揚聲器、鍵盤、麥克風(fēng)、控制器和天線。 對比文件公開：一種手機，包括揚聲器、鍵盤、麥克風(fēng)、控制器。 二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組25專利申請的權(quán)利要求：一種治療貧血的藥物，包括人參和文無。 對比文件公開：一種治

8、療貧血的藥物，包括人參和當歸。 二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組26（二）上位概念與下位概念 上位概念 下位概念 例如：金、銀、銅、鐵 二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組27專利申請的權(quán)利要求：一種帶護套掛鎖，金屬鎖體上套有護套。對比文件公開：一種帶護套掛鎖，黃銅鎖體上套有黑色乙烯基樹脂護套。 二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組28（三）慣用手段的直接置換 例如：二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組29二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組30二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組31例1：專利申請的權(quán)利要求： 一種鈦合金，由0.6-0.7重量的鎳（Ni）、0.2-0.4重量的鉬（Mo）和余量鈦組成。對比文件公開

9、： 一種鈦合金，組成為0.65重量 Ni、0.3重量 Mo，余量為鈦。二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組32例2：專利申請的權(quán)利要求： 一種熱處理臺車窯爐，其拱襯厚度為100-400100-400毫米。對比文件公開： 拱襯厚度為180-250毫米的相同熱處理臺車窯爐。100100180180 250250400400二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組33例3：專利申請的權(quán)利要求：一種氮化硅陶瓷的生產(chǎn)方法，其燒成時間為1-10小時。對比文件公開：氮化硅陶瓷的生產(chǎn)方法中的燒成時間為4-12小時。例3：專利申請的權(quán)利要求：一種氮化硅陶瓷的生產(chǎn)方法，其燒成時間為1-10小時。對比文件公開：氮化硅陶瓷的生產(chǎn)

10、方法中的燒成時間為4-12小時。141012二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組34例4：專利申請的權(quán)利要求： 一種二氧化鈦光催化劑的制備方法，其干燥溫度為40、58、75、100。對比文件公開： 干燥溫度為40100的二氧化鈦光催化劑的制備方法。401005875二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組35例5：專利申請的權(quán)利要求：一種內(nèi)燃機用活塞環(huán)，其活塞環(huán)的圓環(huán)直徑為95毫米。對比文件公開：圓環(huán)直徑為70105毫米的內(nèi)燃機用活塞環(huán)。7010595二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組36例6：專利申請的權(quán)利要求：一種乙烯丙烯共聚物，其聚合度為100200。對比文件公開：聚合度為50400的乙烯丙烯共聚物。

11、10020050400二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組37（六）案例釹鐵硼永久磁體申請日：1995.5.10 優(yōu)先權(quán)日：1994.5.12 申請人：日本XX株工式會社申請文件權(quán)利要求：1.一種永久磁體，其特征在于組成：12-17原子%的稀土元素，5-10原子%的硼，20原子%以下的鈷，余量為鐵。2.根據(jù)權(quán)利要求1的永久磁體，其特征在于所述的稀土元素是釹。3.根據(jù)權(quán)利要求1的永久磁體，其特征在于鈷含量為12原子%。 二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組38對比文件申請日：1993.6.20 公開日：1995.1.9 申請人：美國XXX公司一種稀土永久磁體，其組成為：釹、鐠、鈰中的至少一種元素，含量是

12、8-30原子%；硼含量是2-20原子%；余量是鐵。 實施例：一種具體的磁體組成，Nd15B8Fe77。 二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組39第三節(jié) 關(guān)于專利法第9條第1款的適用專利法第9條第1款：同樣的發(fā)明創(chuàng)造只能授予一項專利權(quán)。 一、立法宗旨： 避免重復(fù)授權(quán)。二、適用條件： 對比文件不屬于現(xiàn)有技術(shù)和抵觸申請，不能依據(jù)專利法22條審查。二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組40三、判斷原則同樣的發(fā)明創(chuàng)造： 兩件或兩件以上申請（或?qū)＠┲写嬖诒Ｗo范圍相同的權(quán)利要求，即兩者權(quán)利要求請求保護了相同的技術(shù)方案。 限于不同申請的權(quán)利要求之間的對比。兩件專利申請說明書的內(nèi)容相同，但其權(quán)利要求保護范圍不同。二零零

13、七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組41 注意！注意！ 如果一項權(quán)利要求請求保護了多個如果一項權(quán)利要求請求保護了多個并列技術(shù)方案，則應(yīng)當以各個技術(shù)并列技術(shù)方案，則應(yīng)當以各個技術(shù)方案為基準分別判斷其是否屬于同方案為基準分別判斷其是否屬于同樣的發(fā)明創(chuàng)造樣的發(fā)明創(chuàng)造 二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組42申請申請1 1的權(quán)利要求的權(quán)利要求1 1：一種托盤，由托板：一種托盤，由托板和支撐立柱組成，托板為夾層板，其表面和支撐立柱組成，托板為夾層板，其表面為薄木板或玻璃板，中間夾層為蜂窩芯。為薄木板或玻璃板，中間夾層為蜂窩芯。申請申請2 2的權(quán)利要求的權(quán)利要求1 1：一種托盤，由托板：一種托盤，由托板和支撐立柱組成，托板為夾層板，其表面和支撐立柱組成，托板為夾層板，其表面為玻璃板，中間夾層為蜂窩芯。為玻璃板，中間夾層為蜂窩芯。問題：兩申請是否為重復(fù)授權(quán)？問題：兩申請是否為重復(fù)授權(quán)？ 二零零七至二零零九年半脫產(chǎn)教研組43注意！注意！權(quán)利要求涉及連續(xù)數(shù)值范圍的，應(yīng)當將權(quán)利要求涉及連續(xù)數(shù)值范圍的，