ALD原子層沉積綜述

1、匯報(bào)人：謝來(lái)軍ALD發(fā)展過程簡(jiǎn)介ALD反應(yīng)過程ALD的自限制性及其特點(diǎn)ALD的前驅(qū)體ALD 技術(shù)的發(fā)展ALD技術(shù)的應(yīng)用試驗(yàn)過程原子層淀積(ALD)是一種基于表面氣相化學(xué)反應(yīng)的薄膜淀積技術(shù)。也稱為原子層外延(ALE)技術(shù)。1960年代,前蘇聯(lián)科學(xué)W.B.Aleskowskii首次報(bào)道了利用TiCl4和GeCl4前軀體進(jìn)行ALD生長(zhǎng)的工藝。19世紀(jì) 70年代就由芬蘭人 T. Suntola 和 J. Anston 取得了該技術(shù)的專利。限制：復(fù)雜的表面化學(xué)反應(yīng) 生長(zhǎng)速率慢發(fā)展：90年代中期，集成電路尺寸向納米級(jí)發(fā)展 沉積速率慢逐步得到解決(1)第一種反應(yīng)前體以脈沖的方式進(jìn)入反應(yīng)腔并化學(xué)吸附在襯底表面

2、;(2) 待表面吸附飽和后, 用惰性氣體將多余的反應(yīng)前體吹洗出反應(yīng)腔; (3) 接著第二種反應(yīng)前體以脈沖的方式進(jìn)入反應(yīng)腔 ,并與上一次化學(xué)吸附在表面上的前體發(fā)生反應(yīng); (4) 待反應(yīng)完全后再用惰性氣體將多余的反應(yīng)前體及其副產(chǎn)物吹洗出反應(yīng)腔 ?；瘜W(xué)吸附自限制CS-ALD順次反應(yīng)自限制RS-ALD1較寬的溫度窗口2自飽和性3較大階梯覆蓋率4納米級(jí)膜層厚度5較低的生長(zhǎng)溫度6較慢的生長(zhǎng)速率反應(yīng)源的選擇對(duì)ALD生長(zhǎng)的薄膜質(zhì)量起著關(guān)鍵的作用。1反應(yīng)源必須要有足夠高的蒸汽壓以保證其能夠充分的覆蓋或填充基體材料的表面（反應(yīng)源的蒸汽壓大約在O.ltorr）2反應(yīng)源必須有足夠好的化學(xué)穩(wěn)定性,不能發(fā)生自分解,或腐燭

3、溶解襯底材料或淀積形成的薄膜。3反應(yīng)源還必須有一定的反應(yīng)活性,能夠迅速地在材料表面進(jìn)行化學(xué)吸附,保證較短的時(shí)間內(nèi)與材料表面達(dá)到飽和吸附或與材料表面基團(tuán)快速有效的反應(yīng)。ALD的反應(yīng)源主要可以分成兩大類:無(wú)機(jī)物和金屬有機(jī)物。無(wú)機(jī)物反應(yīng)源包括單質(zhì)和鹵化物等;金屬有機(jī)物反應(yīng)源包括金屬烷基,金屬環(huán)戊二烯基(cyclopentadienyls),金屬-2酮(3-二酮(P-diketonates 基),金屬酰胺,金屬脒基(amidinates)等化合物。ALD 技術(shù)的發(fā)展1 T-ALD熱處理原子層沉積法2 PE-ALD等離子體增強(qiáng)工藝是等離子體輔助和 ALD技術(shù)的結(jié)合3 EC-ALD將電化學(xué)沉積和ALD技術(shù)

4、相結(jié)合ALD 技術(shù)的發(fā)展PE-ALD在沉積溫度下互不發(fā)生反應(yīng)的互補(bǔ)反應(yīng)源在同一時(shí)間被引入到反應(yīng)室, 然后反應(yīng)源關(guān)閉并凈化反應(yīng)室, 接著施加一個(gè)直接的等離子脈沖, 這個(gè)等離子體環(huán)境產(chǎn)生高活性自由基并與吸附于襯底的反應(yīng)物反應(yīng)。關(guān)閉等離子可迅速清除活性自由基源,反應(yīng)室中一直流過的清潔氣體將清除過剩自由基和反應(yīng)副產(chǎn)物ALD 技術(shù)的發(fā)展( 1) 具有更快的沉積速率和較低的沉積時(shí)間( 2) 降低了薄膜生長(zhǎng)所需的溫度 。( 3) 單體可選擇性強(qiáng)（4) 可以生長(zhǎng)出優(yōu)異的金屬薄膜和金屬氮化物 ,例如 Ti ,Ta 和 TaN 等 ,而 T-ALD 很難做到 。ALD 技術(shù)的發(fā)展EC-ALD：將表面限制反應(yīng)推廣到

5、化合物中不同元素的單 ALD , 利用欠電位沉積形成化合物組分元素的原子層 ,再由組分元素的單原子層相繼交替沉積從而沉積形成化合物薄膜ALD技術(shù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用：1高k材料 2IC互連技術(shù)ALD 技術(shù)在納米材料方面的應(yīng)用中空納米管,納米孔道尺寸的控制 ,高的高寬比納米圖形,納米顆粒和納米管的涂層,量子點(diǎn)涂層 光子晶體等ALD 技術(shù)在光學(xué)薄膜方面的應(yīng)用：由于 ALD 精確控制膜厚的特性和大面積均勻性 ,可以使厚度變化在1 %以內(nèi) ,并且同一批基板特性相同, 這樣可以提高減反射效率和抗激光性能逐步掌握ALD儀器結(jié)構(gòu)、儀器操作、工作原理總結(jié)使用ALD儀器方法、注意事項(xiàng)在以上基礎(chǔ)上，在純銅片上原子層

6、沉積不同厚度氧化鋁，進(jìn)行抗腐蝕性能的測(cè)試為實(shí)驗(yàn)室?guī)熜謧兊臉悠愤M(jìn)行沉積氧化鋁，探究對(duì)其光電性能的影響銅片的預(yù)處理：純銅片依次用500/1000/2000目的砂紙打磨，打磨好后在拋光機(jī)上進(jìn)行拋光。銅片拋光后分別用乙醇、丙酮、乙醇、去離子水超聲500s。用氮?dú)獯蹈梢匀谆X和水為前驅(qū)體。在沉積溫度為150下在銅片上分別沉積循環(huán)次數(shù)為10/50/100/200/500/1000/5000的氧化鋁沉積結(jié)束，將沉積后的銅片用導(dǎo)電膠與導(dǎo)線連接，放入烘箱70，加熱2h。導(dǎo)電膠凝固后，用環(huán)氧樹脂封裝，凝固12h，準(zhǔn)備做極化、阻抗測(cè)試。極化、阻抗測(cè)試：用0.1mol/L的硫酸鈉溶液做電解質(zhì)。電化學(xué)工作站紅色連接工作電極，綠色連接對(duì)電極，白色連接參比電極。打開電化學(xué)工作站軟件，點(diǎn)擊程序