第三章基本電子器件ppt課件

1、第三章 基 本 電 子 器 件 昨夜西鳳凋碧樹,獨(dú)上高樓,望盡天涯路。 晏殊基本內(nèi)容：半導(dǎo)體的類型及導(dǎo)電，PN結(jié)與半導(dǎo)體二極管，半導(dǎo)體三極管及特性。教學(xué)要求：掌握半導(dǎo)體的類型、PN結(jié)、二極管三極管的構(gòu)成、原理。本章重點(diǎn)：PN結(jié)與半導(dǎo)體二極管，半導(dǎo)體三極管及特性。本章難點(diǎn)：半導(dǎo)體三極管及特性。第一節(jié)第一節(jié) 半導(dǎo)體的類型及導(dǎo)電性半導(dǎo)體的類型及導(dǎo)電性第二節(jié)第二節(jié) PN結(jié)與半導(dǎo)體二極管結(jié)與半導(dǎo)體二極管第三節(jié)第三節(jié) 半導(dǎo)體三極管及特性半導(dǎo)體三極管及特性第一節(jié)第一節(jié) 半導(dǎo)體的類型及導(dǎo)電性半導(dǎo)體的類型及導(dǎo)電性 根據(jù)物體導(dǎo)電能力根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率電阻率)的不同，來劃分導(dǎo)的不同，來劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體

2、。體、絕緣體和半導(dǎo)體。 半導(dǎo)體的電阻率為半導(dǎo)體的電阻率為 cm。典型的半。典型的半導(dǎo)體有硅導(dǎo)體有硅Si和鍺和鍺Ge以及砷化鎵以及砷化鎵GaAs等。等。 (1)本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體晶體?；瘜W(xué)成分純凈的半導(dǎo)體晶體。 制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到99.9999999%，常稱為，常稱為“九個(gè)九個(gè)9”。它在物理結(jié)。它在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。310910 硅和鍺是四價(jià)元素，在原子最外層軌道上的四個(gè)電子稱為價(jià)電子。它們分別與周圍的四個(gè)原子的價(jià)電子形成共價(jià)鍵。共價(jià)鍵中的價(jià)電子為這些原子所共有，并為它們

3、所束縛，在空間形成排列有序的晶體。這種結(jié)構(gòu)的立體和平面示意圖如下：這種結(jié)構(gòu)的立體和平面示意圖如下： 硅原子空間排列及共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)平面示意圖硅原子空間排列及共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)平面示意圖 (c) (a) 硅晶體的空間排列硅晶體的空間排列 (b) 共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)平面示意圖共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)平面示意圖 （2電子空穴對(duì)電子空穴對(duì) 當(dāng)導(dǎo)體處于熱力學(xué)溫度當(dāng)導(dǎo)體處于熱力學(xué)溫度0K時(shí)，導(dǎo)體中沒有時(shí)，導(dǎo)體中沒有自由電子。當(dāng)溫度升高或受到光的照射時(shí)，價(jià)電自由電子。當(dāng)溫度升高或受到光的照射時(shí)，價(jià)電子能量增高，有的價(jià)電子可以掙脫原子核的束縛子能量增高，有的價(jià)電子可以掙脫原子核的束縛，而參與導(dǎo)電，成為自由電子。，而參與導(dǎo)電，成為自由電子。 自

4、由電子產(chǎn)生的同時(shí)，在其原來的共價(jià)鍵中自由電子產(chǎn)生的同時(shí)，在其原來的共價(jià)鍵中就出現(xiàn)了一個(gè)空位，原子的電中性被破壞，呈現(xiàn)就出現(xiàn)了一個(gè)空位，原子的電中性被破壞，呈現(xiàn)出正電性，其正電量與電子的負(fù)電量相等，人們出正電性，其正電量與電子的負(fù)電量相等，人們常稱呈現(xiàn)正電性的這個(gè)空位為空穴。常稱呈現(xiàn)正電性的這個(gè)空位為空穴。 這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)，也稱熱激發(fā)。這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)，也稱熱激發(fā)。 可見因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時(shí)成可見因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)的，稱為電子空穴對(duì)。游離的部分自由電子也對(duì)出現(xiàn)的，稱為電子空穴對(duì)。游離的部分自由電子也可能回到空穴中去，稱為復(fù)合，如下圖所示?？赡芑?/p>

5、到空穴中去，稱為復(fù)合，如下圖所示。本征激發(fā)和復(fù)合在一定溫度下會(huì)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。本征激發(fā)和復(fù)合在一定溫度下會(huì)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。本征激發(fā)和復(fù)合的過程本征激發(fā)和復(fù)合的過程 (3) 空穴的移動(dòng)空穴的移動(dòng) 自由電子的定向運(yùn)動(dòng)形成了電子自由電子的定向運(yùn)動(dòng)形成了電子電流，空穴的定向運(yùn)動(dòng)也可形成空穴電流，空穴的定向運(yùn)動(dòng)也可形成空穴電流，它們的方向相反。只不過空穴電流，它們的方向相反。只不過空穴的運(yùn)動(dòng)是靠相鄰共價(jià)鍵中的價(jià)電子依的運(yùn)動(dòng)是靠相鄰共價(jià)鍵中的價(jià)電子依次充填空穴來實(shí)現(xiàn)的，因而，空穴的次充填空穴來實(shí)現(xiàn)的，因而，空穴的導(dǎo)電能力不如自由電子見右圖）導(dǎo)電能力不如自由電子見右圖）空穴在晶格中的移動(dòng)空穴在晶格中的移動(dòng) （4

6、N型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量元素作為雜質(zhì)，可使半在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量元素作為雜質(zhì)，可使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性發(fā)生顯著變化。摻入的雜質(zhì)主要是三價(jià)或五導(dǎo)體的導(dǎo)電性發(fā)生顯著變化。摻入的雜質(zhì)主要是三價(jià)或五價(jià)元素。摻入雜質(zhì)后的本征半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。價(jià)元素。摻入雜質(zhì)后的本征半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。 在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)雜質(zhì)元素，例如磷，可形在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)雜質(zhì)元素，例如磷，可形成成 N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體,也稱電子型半導(dǎo)體。也稱電子型半導(dǎo)體。 因五價(jià)雜質(zhì)原子中只有四個(gè)價(jià)電子能與周圍四個(gè)半導(dǎo)體原子中的價(jià)電子形成共因五價(jià)雜質(zhì)原子中只有四個(gè)價(jià)電子能與周圍四個(gè)半導(dǎo)體原子

7、中的價(jià)電子形成共價(jià)鍵，而多余的一個(gè)價(jià)電子因無共價(jià)鍵束縛而很容易形成自由電子。價(jià)鍵，而多余的一個(gè)價(jià)電子因無共價(jià)鍵束縛而很容易形成自由電子。 在在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子,它主要由雜質(zhì)它主要由雜質(zhì)原子提供；空穴是少數(shù)載流子原子提供；空穴是少數(shù)載流子, 由熱激發(fā)形成。由熱激發(fā)形成。 提供自由電子的五價(jià)雜質(zhì)原子因自由電子脫離而帶正提供自由電子的五價(jià)雜質(zhì)原子因自由電子脫離而帶正電荷成為正離子，因而，五價(jià)雜質(zhì)原子也被稱為施主雜質(zhì)電荷成為正離子，因而，五價(jià)雜質(zhì)原子也被稱為施主雜質(zhì)。N型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖如下圖所示。型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖如下圖所示。 N型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖

8、本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)雜質(zhì)元素，如硼、鎵、銦等本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)雜質(zhì)元素，如硼、鎵、銦等形成形成 P型半導(dǎo)體，也稱為空穴型半導(dǎo)體。因三價(jià)雜質(zhì)原型半導(dǎo)體，也稱為空穴型半導(dǎo)體。因三價(jià)雜質(zhì)原子與硅原子形成共價(jià)鍵時(shí)，缺少一個(gè)價(jià)電子而在共價(jià)鍵子與硅原子形成共價(jià)鍵時(shí)，缺少一個(gè)價(jià)電子而在共價(jià)鍵中留下一個(gè)空穴。中留下一個(gè)空穴。 P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子，主要由摻雜形成；電載流子，主要由摻雜形成；電子是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形子是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成。成。 空穴很容易俘獲電子，使雜空穴很容易俘獲電子，使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子。三價(jià)雜質(zhì)因質(zhì)原子成為負(fù)離子。三價(jià)雜質(zhì)因而也稱為受主雜質(zhì)。而也稱為

9、受主雜質(zhì)。P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 的結(jié)構(gòu)示意圖如右圖所示。的結(jié)構(gòu)示意圖如右圖所示。 P型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖 第二節(jié)第二節(jié) PN結(jié)與半導(dǎo)體二極管結(jié)與半導(dǎo)體二極管1 PN結(jié)的形成結(jié)的形成 在一塊本征半導(dǎo)體兩側(cè)通過擴(kuò)散不同的雜質(zhì)在一塊本征半導(dǎo)體兩側(cè)通過擴(kuò)散不同的雜質(zhì),分別形成分別形成 N 型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和 P 型半型半導(dǎo)體。此時(shí)將在導(dǎo)體。此時(shí)將在N型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體的結(jié)合面上形成如下物理過程型半導(dǎo)體的結(jié)合面上形成如下物理過程: 因濃度差因濃度差 多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)由雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)由雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū) 空間電荷區(qū)形成空間電荷區(qū)形成 內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng) 內(nèi)電場(chǎng)促使少子漂移

10、內(nèi)電場(chǎng)促使少子漂移 內(nèi)電場(chǎng)阻止多子擴(kuò)散內(nèi)電場(chǎng)阻止多子擴(kuò)散 最后多子擴(kuò)散和少子的漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。對(duì)最后多子擴(kuò)散和少子的漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。對(duì)于于P型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合面，離子薄層形成的型半導(dǎo)體結(jié)合面，離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱為空間電荷區(qū)稱為 P N 結(jié)結(jié) , 在空間在空間電荷區(qū)，由于缺電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也少多子，所以也稱耗盡層。稱耗盡層。 PN結(jié)的形成過程結(jié)的形成過程 PN 結(jié)形成結(jié)形成的過 程 可 參 閱的過 程 可 參 閱右圖。右圖。 如果外加電壓使如果外加電壓使PNPN結(jié)中：結(jié)中：P P區(qū)的電位高于區(qū)的電位高于 N N 區(qū)的電區(qū)的電位，稱為加正向電壓，簡(jiǎn)稱正偏；位，

11、稱為加正向電壓，簡(jiǎn)稱正偏； PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?，若外加電壓使電流從結(jié)具有單向?qū)щ娦?，若外加電壓使電流?P 區(qū)流區(qū)流到到 N 區(qū)，區(qū)， PN結(jié)呈低阻性，所以電流大；反之是高阻性，結(jié)呈低阻性，所以電流大；反之是高阻性，電流小。電流小。 P 區(qū)的電位低于區(qū)的電位低于 N 區(qū)的電位，稱為加反向電壓，簡(jiǎn)區(qū)的電位，稱為加反向電壓，簡(jiǎn)稱反偏。稱反偏。 外加的正向電壓有一部分降落在外加的正向電壓有一部分降落在 PN 結(jié)區(qū)，方向與結(jié)區(qū)，方向與PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相反，削弱了內(nèi)電場(chǎng)。內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相反，削弱了內(nèi)電場(chǎng)。內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙減弱，擴(kuò)散電流加大。擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移運(yùn)動(dòng)的阻礙減弱，擴(kuò)散

12、電流加大。擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響電流，可忽略漂移電流的影響, PN 結(jié)呈現(xiàn)低阻性。結(jié)呈現(xiàn)低阻性。 PN結(jié)加正向電結(jié)加正向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況壓時(shí)的導(dǎo)電情況如右圖如右圖 PN PN結(jié)加正向電壓結(jié)加正向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況時(shí)的導(dǎo)電情況PN結(jié)加反向電結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況壓時(shí)的導(dǎo)電情況如右圖所示。如右圖所示。PN 結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況 外加的反向電壓有一部分降落在外加的反向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū)，方向與結(jié)區(qū)，方向與PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相同，加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)。內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散運(yùn)結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相同，加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)。內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙增強(qiáng)，擴(kuò)散電流大大減小。此時(shí)

13、動(dòng)的阻礙增強(qiáng)，擴(kuò)散電流大大減小。此時(shí)PN結(jié)區(qū)的少子結(jié)區(qū)的少子在內(nèi)電場(chǎng)的作用在內(nèi)電場(chǎng)的作用下形成的漂移電流大于擴(kuò)下形成的漂移電流大于擴(kuò)散電流，可忽略擴(kuò)散電流散電流，可忽略擴(kuò)散電流，由于漂移電流本身就很，由于漂移電流本身就很小，小，PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性。結(jié)呈現(xiàn)高阻性。 在一定溫度條件下，在一定溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大本上與所加反向電壓的大小無關(guān)，這個(gè)電流也稱為小無關(guān)，這個(gè)電流也稱為反向飽和電流。反向飽和電流。 PN PN結(jié)外加正向電壓結(jié)外加正向電壓時(shí)，呈現(xiàn)低電阻

14、，具有時(shí)，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴(kuò)散電流；較大的正向擴(kuò)散電流；PNPN結(jié)加反向電壓時(shí)，呈結(jié)加反向電壓時(shí)，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。由此可反向漂移電流。由此可以得出結(jié)論：以得出結(jié)論：PNPN結(jié)具有結(jié)具有單向?qū)щ娦?。單向?qū)щ娦浴?PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況 2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管 接在二極管接在二極管P區(qū)的引出線稱二極管的陽(yáng)極，接在區(qū)的引出線稱二極管的陽(yáng)極，接在N區(qū)的引出線稱二極管的陰極。區(qū)的引出線稱二極管的陰極。 二極管有許多類型。從工藝上分，有點(diǎn)接觸型和面接二極管有許多類型。從工藝上分，有點(diǎn)接觸型和面接觸型；觸型； 按用途分，有

15、整流管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、按用途分，有整流管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、光電二極管和開關(guān)二極管等。光電二極管和開關(guān)二極管等。3最大反向電流最大反向電流 是指二極管在常溫下承受最高反向工作電壓是指二極管在常溫下承受最高反向工作電壓 時(shí)的反向漏電流，時(shí)的反向漏電流，一般很小，但其受溫度影響較大。一般很小，但其受溫度影響較大。 當(dāng)溫度升高時(shí)，當(dāng)溫度升高時(shí)， 顯著增大。顯著增大。FIBRUBRURMIRMIBRU 3 二極管的參數(shù)二極管的參數(shù)1最大整流電流最大整流電流IFM 是指二極管長(zhǎng)期工作時(shí)允許通過的最大正向平均電流值。工作時(shí)，是指二極管長(zhǎng)期工作時(shí)允許通過的最大正向平均電流值。工作時(shí)，管子通過

16、的電流不應(yīng)超過這個(gè)數(shù)值，否則將導(dǎo)致管子過熱而損壞。管子通過的電流不應(yīng)超過這個(gè)數(shù)值，否則將導(dǎo)致管子過熱而損壞。2最高反向工作電壓最高反向工作電壓 是指二極管不擊穿所允許加的最高反向電壓。超過此值二極管就是指二極管不擊穿所允許加的最高反向電壓。超過此值二極管就有被反向擊穿的危險(xiǎn)。有被反向擊穿的危險(xiǎn)。 通常為反向擊穿電壓的通常為反向擊穿電壓的1/22/3，以確保二極管，以確保二極管安全工作。安全工作。 4最高工作頻率 是指保持二極管單向?qū)ㄐ阅軙r(shí)，外加電壓允許的最高頻率。二極管工作頻率與PN結(jié)的極間電容大小有關(guān)，容量越小， 工作頻率越高。 4 幾種常見的的特殊二極管 1、硅穩(wěn)壓管 2、發(fā)光二極管 3

17、、光敏二極管MfMf 第三節(jié)第三節(jié) 半導(dǎo)體三極管及特性半導(dǎo)體三極管及特性 一、半導(dǎo)體三極管的工作原理一、半導(dǎo)體三極管的工作原理 三極管是由兩個(gè)三極管是由兩個(gè)PN結(jié)、結(jié)、3個(gè)雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)域個(gè)雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)域組成的，組成的， 因雜質(zhì)半導(dǎo)體有因雜質(zhì)半導(dǎo)體有P、N型兩種，所以三極型兩種，所以三極管的組成形式有管的組成形式有NPN型和型和PNP型兩種。型兩種。三極管基區(qū)很薄，一般僅有三極管基區(qū)很薄，一般僅有1微米至幾十微米厚，發(fā)射區(qū)微米至幾十微米厚，發(fā)射區(qū)濃度很高，集電結(jié)截面積大濃度很高，集電結(jié)截面積大于發(fā)射結(jié)截面積。于發(fā)射結(jié)截面積。 u 使用中要注意電源的極性，確保發(fā)射結(jié)永遠(yuǎn)加正向偏置使用中要注意電源的

18、極性，確保發(fā)射結(jié)永遠(yuǎn)加正向偏置電壓，三極管才能正常工作。電壓，三極管才能正常工作。1) 三極管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律三極管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律 三極管電流之間為什么具有這樣的關(guān)系呢？三極管電流之間為什么具有這樣的關(guān)系呢？ 這可這可以通過在三極管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律來解釋。以通過在三極管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律來解釋。 a. 發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子。 電源UBB經(jīng)過電阻Rb加在發(fā)射結(jié)上， 發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子自由電子不斷地越過發(fā)射結(jié)而進(jìn)入基區(qū)，形成發(fā)射極電流IE。同時(shí)，基區(qū)多數(shù)載流子也向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散，但由于基區(qū)很薄，可以不考慮這個(gè)電流。因而， 可以認(rèn)為三極管發(fā)射結(jié)電流主要是電子流。 BECNNP

19、EBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO ICEIBEb. 基區(qū)中的電子進(jìn)行擴(kuò)散與復(fù)合?；鶇^(qū)中的電子進(jìn)行擴(kuò)散與復(fù)合。 電子進(jìn)入基區(qū)后，先在靠近發(fā)射結(jié)的附近密集，漸漸形成電子濃電子進(jìn)入基區(qū)后，先在靠近發(fā)射結(jié)的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區(qū)中向集電結(jié)擴(kuò)散，度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區(qū)中向集電結(jié)擴(kuò)散， 被集被集電結(jié)電場(chǎng)拉入集電區(qū)，形成集電結(jié)電流電結(jié)電場(chǎng)拉入集電區(qū)，形成集電結(jié)電流IC。也有很小一部分電子與基。也有很小一部分電子與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成復(fù)合電子流。擴(kuò)散的電子流與復(fù)合電子流的比例區(qū)的空穴復(fù)合，形成復(fù)合電子流。擴(kuò)散的電子流與復(fù)合電子流的

20、比例決定了三極管的放大能力。決定了三極管的放大能力。BECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO ICEIBEc. 集電區(qū)收集電子。集電區(qū)收集電子。 由于集電結(jié)外加反向電壓很大，這個(gè)反向電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)力由于集電結(jié)外加反向電壓很大，這個(gè)反向電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)力將阻止集電區(qū)電子向基區(qū)擴(kuò)散，同時(shí)將擴(kuò)散到集電結(jié)附近的電子將阻止集電區(qū)電子向基區(qū)擴(kuò)散，同時(shí)將擴(kuò)散到集電結(jié)附近的電子拉入集電區(qū)而形成集電結(jié)主電流拉入集電區(qū)而形成集電結(jié)主電流ICN。 另外集電區(qū)的少數(shù)載流子另外集電區(qū)的少數(shù)載流子空穴也會(huì)產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng)，流向空穴也會(huì)產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng)，流向基區(qū)，形成反向飽和電流基區(qū)，形成反向飽和電流ICBO

21、，其數(shù)值很小，但對(duì)溫度卻非常，其數(shù)值很小，但對(duì)溫度卻非常敏感。敏感。 BECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO ICEIBE發(fā)發(fā)射射極極注注入入電電流流傳傳輸輸?shù)降郊婋姌O極的的電電流流 定義定義ECBOCEnCIIIII 通常通常 IC ICBO則有則有ECII 所以所以 為共基極電流放大系數(shù)，它為共基極電流放大系數(shù)，它只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)，與外加電壓無關(guān)。一般關(guān)，與外加電壓無關(guān)。一般 = 0.9 0.99硅硅: 0.1A鍺鍺: 10A IE與與IC的關(guān)系：的關(guān)系： BECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+I

22、CBO ICEIBEIB=IBE-ICBOIBE vI = 20mV iE = -1mARLecb1kVEEVCCIBIEICVEB+vEB放大電路放大電路+iEii+- vI+iC+iB vO+-io = 0.98 iC = iE vO = - iC RL vO = 0.98 V)1(/ESEBE TVveIi非線性非線性 iC = -0.98mA iB = -20 A電壓放大倍數(shù)電壓放大倍數(shù)4920mVV98. 0IOV vvARi= vI / iE =20輸入電阻輸入電阻共基極放大電路共基極放大電路 二、半導(dǎo)體三極管的特性曲線vCE = vCE = 0V0V+ +- -b bc ce e共射極放大電路共射極放大電路VBBVBBVCCVCCvBEvBEiCiCi iB B+ +- -vCEvCE iB=f(vBE) iB=f(vBE) vCE= vCE=常數(shù)常數(shù)(2) (2) 當(dāng)當(dāng)vCE1VvCE1V時(shí)，時(shí)， vCB= vCE