等離子體刻蝕

1、 潘華勇潘華勇1）介紹等離子體刻蝕在刻蝕方法中的位置）介紹等離子體刻蝕在刻蝕方法中的位置2）刻蝕參數(shù)）刻蝕參數(shù)3）刻蝕的微觀機(jī)理）刻蝕的微觀機(jī)理4）具體的儀器原理介紹（）具體的儀器原理介紹（RIE、ICP和和ECR）5）具體實(shí)驗(yàn)參數(shù)對(duì)刻蝕的影響）具體實(shí)驗(yàn)參數(shù)對(duì)刻蝕的影響6）本實(shí)驗(yàn)室刻蝕儀器的介紹（）本實(shí)驗(yàn)室刻蝕儀器的介紹（TRION TECHNOLOGY MINILOCK IIIICP）（1）外觀，結(jié)構(gòu)，實(shí)驗(yàn)參數(shù)，一些材料的刻蝕工藝參數(shù)，）外觀，結(jié)構(gòu)，實(shí)驗(yàn)參數(shù)，一些材料的刻蝕工藝參數(shù)，廠家提供的一些刻蝕材料的情況；（廠家提供的一些刻蝕材料的情況；（2）實(shí)驗(yàn)步驟；）實(shí)驗(yàn)步驟；7）作業(yè)）作業(yè)8)

2、參考文獻(xiàn)參考文獻(xiàn)1.干法刻蝕的定義：除濕法以外的刻蝕方法。濕法是指使用液體物質(zhì)刻蝕目標(biāo)。 狹義的干法： 等離子放電產(chǎn)生的物理和化學(xué)過(guò)程對(duì)材料的加工； 廣義的干法：除濕法以外的刻蝕方法，如等離子刻蝕、 激光加工、火花放電加工、化學(xué)蒸汽加工以及噴粉加工等。ICP MatchingNetworkRIE MatchingNetworkHelium Coolant InletVacuum PortChuckProcess Gas InletChamber BlockView Port WindowICP CeramicTube and CoilFigure 2. - Overall Process Ch

3、amber w/ICPPlaten PowerPlasma DensityICPRIEIon Density (x 1010 /cm3) versus coil power. Probe is located at the centre of the chamber. Pressure = 5 mTorr, Bias = 100V硅的高深寬比刻蝕成為可能的工藝的兩個(gè)技術(shù)，一個(gè)是ICP，另一個(gè)是 “Bosch”工藝。Bosch 工藝就是在反應(yīng)離子刻蝕過(guò)程中不斷在邊壁上沉積抗刻蝕層，或邊壁鈍化（side wall passivation）。刻蝕氣體是SF6，鈍化氣體為C4F8，C4F8在等離子體中能夠形成氟化碳類高分子聚合物，它沉積在硅表面能夠阻止氟離子與硅反應(yīng)?？涛g與鈍化5-15s轉(zhuǎn)換一個(gè)周期。各向同性刻蝕通過(guò)離子轟擊去除底部鈍化各向同性刻蝕最后形成的刻蝕剖面?zhèn)缺阝g化“Bosch” 工藝過(guò)程反應(yīng)室結(jié)構(gòu)圖反應(yīng)室結(jié)構(gòu)圖下面是廠家提供的一些材料的刻蝕情況 45464748 4950 Gases: CF/O2/He ICP / DC bias Etch rate: 800 2000 A/min Selectivity to PR: