第五章嵌入式系統(tǒng)的片外存儲(chǔ)系統(tǒng)

1、嵌入式微處理器系統(tǒng)及應(yīng)用嵌入式微處理器系統(tǒng)及應(yīng)用第五章第五章 嵌入式系統(tǒng)的片外存儲(chǔ)系統(tǒng)嵌入式系統(tǒng)的片外存儲(chǔ)系統(tǒng)概述概述 片外存儲(chǔ)器片外存儲(chǔ)器ROM-NOR Flash,Nand Flash,EEPROMRAM-RAM,SDRAM,DDR SDRAM電子存儲(chǔ)器電子存儲(chǔ)器-SD,MMC,xD,CF,MS微硬盤(pán)微硬盤(pán)主要內(nèi)容主要內(nèi)容 RAMRAM的分類及特點(diǎn)的分類及特點(diǎn) ROMROM的分類及特點(diǎn)的分類及特點(diǎn) 電子存儲(chǔ)器介紹電子存儲(chǔ)器介紹 微硬盤(pán)介紹微硬盤(pán)介紹 RAM SRAMSRAM 工作原理 T1T4組成一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器。Q=0（或=1）這一穩(wěn)定狀態(tài)表示二進(jìn)制“0”，另一穩(wěn)定狀態(tài)Q=1（或=0）表

2、示二進(jìn)制“1”。T5、T6：行選通門(mén)(每個(gè)存儲(chǔ)單元一對(duì)選通門(mén))，受地址譯碼信號(hào)控制的；T7、T8：列選通門(mén)(每列存儲(chǔ)單元一對(duì)選通門(mén))，受列選信號(hào)控制。存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)通過(guò)數(shù)據(jù)線T5/T6、D/-D和T7/T8傳輸?shù)酵獠恳€I/O和-I/O，D和-D稱為位線，I/O和-I/O稱為數(shù)據(jù)線 Vcc（+5V）行選線XT4T3T5T1T2T7T8QQD位線位線D列選線YI/OI/OT6 RAM SRAMSRAM 組成結(jié)構(gòu)X X地址譯碼器輸出端提供地址譯碼器輸出端提供X0X63X0X63共共6464條行選線，每一行條行選線，每一行選線接在同一行中的選線接在同一行中的6464個(gè)存儲(chǔ)個(gè)存儲(chǔ)電路的行選端，為該行電路的

3、行選端，為該行6464個(gè)行個(gè)行選端提供行選信號(hào)；選端提供行選信號(hào)；Y Y地址譯碼器輸出端提供地址譯碼器輸出端提供Y0Y63Y0Y63共共6464條列選線，同一列條列選線，同一列的的6464個(gè)存儲(chǔ)電路共用一條位線，個(gè)存儲(chǔ)電路共用一條位線，由列選線控制該位線與由列選線控制該位線與I/OI/O數(shù)數(shù)據(jù)線的連通據(jù)線的連通 RAM SRAMSRAM 特點(diǎn) SRAM的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)電路，只要寫(xiě)電路不工作，電路就保持現(xiàn)狀，不存在刷新的問(wèn)題，一個(gè)SRAM基本單元包括6個(gè)晶體管和2個(gè)電阻。它不是通過(guò)利用電容充放電的特性來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而是利用設(shè)置晶體管的狀態(tài)來(lái)決定邏輯狀態(tài)同微處理器中的邏輯狀態(tài)一樣。讀取操作對(duì)于

4、SRAM不是破壞性的，所以SRAM不存在刷新的問(wèn)題，存取速度快 RAM SRAMSRAM 芯片結(jié)構(gòu)-W2465 RAM SRAMSRAM 用途 因?yàn)閮r(jià)格比較昂貴，而且容量很小，所以SRAM一般作為系統(tǒng)內(nèi)部的高速緩存或者某些處理器的外部擴(kuò)展存儲(chǔ)器 RAMDRAMDRAM工作原理工作原理讀操作讀操作 行地址譯碼選中某一行，該行上所有基本行地址譯碼選中某一行，該行上所有基本存儲(chǔ)電路中的管子存儲(chǔ)電路中的管子T全導(dǎo)通，于是連在每全導(dǎo)通，于是連在每一列上的刷新放大器讀取該行上各列電容一列上的刷新放大器讀取該行上各列電容C的電壓；的電壓； 刷新放大器靈敏度高，將讀得的電壓放大刷新放大器靈敏度高，將讀得的電壓

5、放大整形成邏輯整形成邏輯“0”或或“1”的電平；的電平； 對(duì)列地址進(jìn)行譯碼產(chǎn)生列選信號(hào)，列選信對(duì)列地址進(jìn)行譯碼產(chǎn)生列選信號(hào)，列選信號(hào)將被選行中該列的基本存儲(chǔ)電路內(nèi)容讀號(hào)將被選行中該列的基本存儲(chǔ)電路內(nèi)容讀出送到芯片的數(shù)據(jù)出送到芯片的數(shù)據(jù)I/O線上。線上。寫(xiě)操作寫(xiě)操作相應(yīng)行、列選擇線為相應(yīng)行、列選擇線為“1”，數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)I/O線上的信息線上的信息經(jīng)刷新放大器驅(qū)動(dòng)后再通過(guò)經(jīng)刷新放大器驅(qū)動(dòng)后再通過(guò)T管加到電容管加到電容C上。上。刷新刷新在讀寫(xiě)過(guò)程中，某條行選線為在讀寫(xiě)過(guò)程中，某條行選線為“1”，該行，該行上所有基本存儲(chǔ)電路都被選通，由刷新放上所有基本存儲(chǔ)電路都被選通，由刷新放大器讀取電容大器讀取電容C

6、上電壓；上電壓；對(duì)非寫(xiě)的存儲(chǔ)電路，刷新放大器讀出、放大、對(duì)非寫(xiě)的存儲(chǔ)電路，刷新放大器讀出、放大、驅(qū)動(dòng)之后又立即對(duì)之重寫(xiě)，進(jìn)行刷新驅(qū)動(dòng)之后又立即對(duì)之重寫(xiě)，進(jìn)行刷新(又稱又稱再生再生)，維持電容，維持電容C上的電荷，保持該存儲(chǔ)上的電荷，保持該存儲(chǔ)電路中的內(nèi)容（即狀態(tài)）不變；電路中的內(nèi)容（即狀態(tài)）不變；電容電容C是是MOS管的極間電容，容量很小，讀出管的極間電容，容量很小，讀出時(shí)電容時(shí)電容C上的電荷被寄生的分布電容分泄，因此上的電荷被寄生的分布電容分泄，因此讀出后原來(lái)讀出后原來(lái)C上的電壓變得極小，是破壞性讀出，上的電壓變得極小，是破壞性讀出，讀后必須重寫(xiě)讀后必須重寫(xiě) RAM DRAMDRAM 結(jié)構(gòu)

7、由單管存儲(chǔ)元件組成的DRAM存儲(chǔ)矩陣簡(jiǎn)圖，共有16384個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元只有一個(gè)存儲(chǔ)元件，故存儲(chǔ)容量為16K1。它需要14位地址碼。分成X地址碼（7位）和Y地址譯碼（7位）來(lái)共同選擇所需的存儲(chǔ)單元 RAM DRAMDRAM 特點(diǎn) DRAM的速度比SRAM慢，但是由于結(jié)構(gòu)比SRAM簡(jiǎn)單，所以相同容量的DRAM體積比SRAM小，所以價(jià)格便宜。一個(gè)DRAM 單元由一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容組成。晶體管通過(guò)小電容的電壓來(lái)保持?jǐn)嚅_(kāi)、接通狀態(tài)。當(dāng)小電容有電時(shí)，晶體管接通表示l；當(dāng)小電容沒(méi)電時(shí)，晶體管斷開(kāi)表示0。所以DRAM 中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)需要不斷地刷新。存取速度相對(duì)SRAM較慢。 RAM DRAMDRA

8、M 用途早期主要用于顯卡，聲卡，硬盤(pán)等作為緩存，也用于PC系統(tǒng)作為主內(nèi)存，由于速度和容量的原因，現(xiàn)在已經(jīng)淘汰。 RAM SDRAMSDRAM 特點(diǎn) SDRAM(Synchronous DRAMSDRAM(Synchronous DRAM：同步：同步DRAM)DRAM)是廣泛應(yīng)用是廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)中的高速大容量存儲(chǔ)器，在相當(dāng)長(zhǎng)時(shí)期內(nèi)是存于計(jì)算機(jī)中的高速大容量存儲(chǔ)器，在相當(dāng)長(zhǎng)時(shí)期內(nèi)是存儲(chǔ)器市場(chǎng)的主流。儲(chǔ)器市場(chǎng)的主流。 前述的前述的DRAMDRAM是非同步存取存儲(chǔ)器，在存取數(shù)據(jù)時(shí)必是非同步存取存儲(chǔ)器，在存取數(shù)據(jù)時(shí)必須等待若干時(shí)鐘周期才能接受和發(fā)送數(shù)據(jù)，如須等待若干時(shí)鐘周期才能接受和發(fā)送數(shù)據(jù)，如FPM

9、 DRAMFPM DRAM和和EDO DRAMEDO DRAM須分別等待須分別等待3 3個(gè)和個(gè)和2 2個(gè)時(shí)鐘周期。這種等待限個(gè)時(shí)鐘周期。這種等待限制了存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)傳輸速率，制了存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)傳輸速率，DRAMDRAM的速率不能超過(guò)的速率不能超過(guò)66MHz66MHz。 SDRAMSDRAM在同步脈沖控制下工作，和微處理器共享一在同步脈沖控制下工作，和微處理器共享一個(gè)時(shí)鐘周期，在理論上可與微處理器外頻同步。多數(shù)個(gè)時(shí)鐘周期，在理論上可與微處理器外頻同步。多數(shù)SDRAMSDRAM搭配運(yùn)行的時(shí)鐘頻率為搭配運(yùn)行的時(shí)鐘頻率為66MHz66MHz133MHz133MHz，存取時(shí)間，存取時(shí)間為為15ns15ns7

10、ns 7ns RAM SDRAMSDRAM W981216芯片結(jié)構(gòu) 4組存儲(chǔ)體，每組為2Mx16，因此128Mb呈現(xiàn)2M16位4組的形式 RAM SDRAMSDRAM 用途 SDRAM以前也曾經(jīng)作為PC系統(tǒng)的主內(nèi)存和顯卡、聲卡等的緩存，現(xiàn)在也同樣因?yàn)樗俣取挼炔荒軡M足需要而逐步被PC系統(tǒng)淘汰。但是在嵌入式系統(tǒng)中目前應(yīng)用非常廣泛，是目前嵌入式系統(tǒng)的首選存儲(chǔ)類型。 RAM DDR SDRAMDDR SDRAM 特點(diǎn)DDR DDR 從它的英文名稱從它的英文名稱Double Data RateDouble Data Rate上面就能看出他上面就能看出他的含義，簡(jiǎn)單的說(shuō)就是雙倍傳輸速率的的含義，簡(jiǎn)單的

11、說(shuō)就是雙倍傳輸速率的SDRAMSDRAM。普通。普通SDRAMSDRAM內(nèi)內(nèi)存的工作方式是在一個(gè)時(shí)鐘周期的上升沿觸發(fā)進(jìn)行工作。也存的工作方式是在一個(gè)時(shí)鐘周期的上升沿觸發(fā)進(jìn)行工作。也就是說(shuō)在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，內(nèi)存將工作一次。而就是說(shuō)在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，內(nèi)存將工作一次。而DDRDDR的技術(shù)使的技術(shù)使得內(nèi)存可以在每一個(gè)時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿分別觸發(fā)一得內(nèi)存可以在每一個(gè)時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿分別觸發(fā)一次，這樣就使得在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)內(nèi)存可以工作兩次，這樣次，這樣就使得在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)內(nèi)存可以工作兩次，這樣就使得就使得DDRDDR內(nèi)存在相同的時(shí)間內(nèi)能夠完成普通內(nèi)存兩倍的工作內(nèi)存在相同的時(shí)間內(nèi)能夠完成普通內(nèi)

12、存兩倍的工作量。量。利用時(shí)鐘的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)（一般的利用時(shí)鐘的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)（一般的SDRAMSDRAM僅允許在上升沿傳輸數(shù)據(jù)），這樣僅允許在上升沿傳輸數(shù)據(jù)），這樣DDR SDRAM DDR SDRAM 就可以在就可以在一個(gè)時(shí)鐘周期傳輸兩次數(shù)據(jù)，所以理論上具有一個(gè)時(shí)鐘周期傳輸兩次數(shù)據(jù)，所以理論上具有 SDRAM SDRAM 內(nèi)存兩內(nèi)存兩倍的帶寬。實(shí)際工作時(shí)，倍的帶寬。實(shí)際工作時(shí)，DDR DDR 并不會(huì)比并不會(huì)比SDRAM SDRAM 快整整兩倍。快整整兩倍。在現(xiàn)階段的系統(tǒng)條件下，在現(xiàn)階段的系統(tǒng)條件下，DDR DDR 內(nèi)存通常比內(nèi)存通常比SDRAM SDRAM 內(nèi)存快

13、內(nèi)存快5 5，而在一些與內(nèi)存帶寬密切相關(guān)的軟件應(yīng)用中而在一些與內(nèi)存帶寬密切相關(guān)的軟件應(yīng)用中DDR DDR 才能夠發(fā)揮才能夠發(fā)揮作用，增加的效能可能達(dá)到作用，增加的效能可能達(dá)到3030之多之多 RAM DDR SDRAMDDR SDRAM 芯片結(jié)構(gòu) RAM DDR SDRAMDDR SDRAM 用途DDR SDRAMDDR SDRAM目前已經(jīng)普遍用于桌面目前已經(jīng)普遍用于桌面PCPC系統(tǒng)作為系統(tǒng)作為主要內(nèi)存使用，對(duì)速度和性能要求較高的嵌入式主要內(nèi)存使用，對(duì)速度和性能要求較高的嵌入式系統(tǒng)也開(kāi)始采用系統(tǒng)也開(kāi)始采用DDR SDRAMDDR SDRAM作為內(nèi)存。比如網(wǎng)絡(luò)設(shè)作為內(nèi)存。比如網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，音視頻處理

14、設(shè)備等。備，音視頻處理設(shè)備等。 RAMRAMRAM芯片的選型和組合應(yīng)用芯片的選型和組合應(yīng)用 RAM的選型 需要根據(jù)處理器支持的類型和軟件需要的空間來(lái)確定內(nèi)存芯片需要根據(jù)處理器支持的類型和軟件需要的空間來(lái)確定內(nèi)存芯片具體參數(shù)。一般主要考慮以下幾方面：具體參數(shù)。一般主要考慮以下幾方面：確定處理器支持哪些類型的確定處理器支持哪些類型的RAMRAM，比如飛利浦的很多處理器只能，比如飛利浦的很多處理器只能支持外接支持外接SRAMSRAM作為內(nèi)存，而三星公司的一般都可以支持作為內(nèi)存，而三星公司的一般都可以支持SRAMSRAM、SDRAMSDRAM等類型。如果應(yīng)用程序很小，可以選擇可外接等類型。如果應(yīng)用程序

15、很小，可以選擇可外接SRAMSRAM的處理器，的處理器，從而簡(jiǎn)化硬件設(shè)計(jì)。而如果應(yīng)用程序很大，需要很多的內(nèi)存，則從而簡(jiǎn)化硬件設(shè)計(jì)。而如果應(yīng)用程序很大，需要很多的內(nèi)存，則采用采用SRAMSRAM的成本就很高，此種情況就需要采用可外接的成本就很高，此種情況就需要采用可外接SDRAMSDRAM或或DDR DDR SDRAMSDRAM的處理器和內(nèi)存芯片。的處理器和內(nèi)存芯片。確定系統(tǒng)總線的數(shù)據(jù)位數(shù)。根據(jù)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理能力，確定系統(tǒng)總線的數(shù)據(jù)位數(shù)。根據(jù)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理能力，PCBPCB空間空間和成本進(jìn)行綜合考慮。如果對(duì)系統(tǒng)運(yùn)行速度要求不高，可以采用和成本進(jìn)行綜合考慮。如果對(duì)系統(tǒng)運(yùn)行速度要求不高，可以采用16

16、16位接口的單片芯片來(lái)完成（相對(duì)于位接口的單片芯片來(lái)完成（相對(duì)于3232位的處理器），這樣可以位的處理器），這樣可以節(jié)約大量的節(jié)約大量的PCBPCB空間用于其他用途。如果系統(tǒng)對(duì)性能要求很高，則空間用于其他用途。如果系統(tǒng)對(duì)性能要求很高，則可以選擇可以選擇3232位接口芯片或采用兩片位接口芯片或采用兩片1616位芯片進(jìn)行組合。位芯片進(jìn)行組合。確定所需的確定所需的RAMRAM容量。根據(jù)程序運(yùn)行的空間需求進(jìn)行選擇，比如容量。根據(jù)程序運(yùn)行的空間需求進(jìn)行選擇，比如2MB2MB，4MB4MB，8MB8MB等。等。 RAMRAMRAM芯片的選型和組合應(yīng)用芯片的選型和組合應(yīng)用 RAM的組合應(yīng)用單片16位SRAM

17、組成16位數(shù)據(jù)寬度 RAMRAMRAM芯片的選型和組合應(yīng)用芯片的選型和組合應(yīng)用 RAM的組合應(yīng)用兩片16位SRAM組成32位數(shù)據(jù)寬度 RAMRAMRAM芯片的選型和組合應(yīng)用芯片的選型和組合應(yīng)用 RAM的組合應(yīng)用單片16位SDRAM組成16位數(shù)據(jù)寬度 RAMRAMRAM芯片的選型和組合應(yīng)用芯片的選型和組合應(yīng)用 RAM的組合應(yīng)用兩片16位SDRAM組成32位數(shù)據(jù)寬度 主要內(nèi)容主要內(nèi)容 RAMRAM的分類及特點(diǎn)的分類及特點(diǎn) ROMROM的分類及特點(diǎn)的分類及特點(diǎn) 電子存儲(chǔ)器介紹電子存儲(chǔ)器介紹 微硬盤(pán)介紹微硬盤(pán)介紹ROM NOR FlashNOR Flash 工作原理ROM NOR FlashNOR F

18、lash 特點(diǎn)NOR flashNOR flash不需要改變電壓就可以進(jìn)行擦除，通常通不需要改變電壓就可以進(jìn)行擦除，通常通過(guò)過(guò)WPWP（Write protectWrite protect，寫(xiě)保護(hù)）信號(hào)進(jìn)行操作。具有，寫(xiě)保護(hù)）信號(hào)進(jìn)行操作。具有EEPROMEEPROM和和RAMRAM的特點(diǎn)，讀寫(xiě)速度快，寫(xiě)入數(shù)據(jù)后斷電不丟的特點(diǎn)，讀寫(xiě)速度快，寫(xiě)入數(shù)據(jù)后斷電不丟失。失。ROM NOR FlashNOR Flash 芯片結(jié)構(gòu)ROM NOR FlashNOR Flash 應(yīng)用NOR flashNOR flash因?yàn)榭梢灾苯訄?zhí)行代碼，而且存取速度很因?yàn)榭梢灾苯訄?zhí)行代碼，而且存取速度很快，一般用于嵌入式系

19、統(tǒng)中存放引導(dǎo)程序和應(yīng)用程序?？?，一般用于嵌入式系統(tǒng)中存放引導(dǎo)程序和應(yīng)用程序。NOR flashNOR flash的組合應(yīng)用與的組合應(yīng)用與RAMRAM類似，也可以根據(jù)系統(tǒng)需類似，也可以根據(jù)系統(tǒng)需要，將要，將8 8位的位的flashflash組合為組合為1616位或者位或者3232位使用。位使用。ROM NAND FlashNAND Flash 內(nèi)部結(jié)構(gòu)ROM NAND FlashNAND Flash 特點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)：硬件接口簡(jiǎn)單，總共只需要優(yōu)點(diǎn)：硬件接口簡(jiǎn)單，總共只需要1010幾根信號(hào)線，容幾根信號(hào)線，容量大，目前單片可以達(dá)到幾個(gè)量大，目前單片可以達(dá)到幾個(gè)GbGb，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)NOR flash

20、NOR flash，價(jià)格便宜，讀寫(xiě)速度快。價(jià)格便宜，讀寫(xiě)速度快。缺點(diǎn)：必須處理器的專用接口才能作為引導(dǎo)器件，存缺點(diǎn)：必須處理器的專用接口才能作為引導(dǎo)器件，存取方式相對(duì)復(fù)雜，芯片容易存在缺陷，一般需要采用取方式相對(duì)復(fù)雜，芯片容易存在缺陷，一般需要采用ECCECC算法進(jìn)行校驗(yàn)。算法進(jìn)行校驗(yàn)。 ROM NAND FlashNAND Flash 讀操作在初始上電時(shí)，器件進(jìn)入缺省的在初始上電時(shí)，器件進(jìn)入缺省的“讀方式讀方式1 1模式模式”。在這一模式下，頁(yè)讀操作通過(guò)將在這一模式下，頁(yè)讀操作通過(guò)將00h00h指令寫(xiě)入指令寄存器，指令寫(xiě)入指令寄存器，接著寫(xiě)入接著寫(xiě)入3 3個(gè)地址個(gè)地址(1(1個(gè)列地址，個(gè)列地

21、址，2 2個(gè)行地址個(gè)行地址) )來(lái)啟動(dòng)。一旦來(lái)啟動(dòng)。一旦頁(yè)讀指令被器件鎖存，下面的頁(yè)讀操作就不需要再重復(fù)寫(xiě)頁(yè)讀指令被器件鎖存，下面的頁(yè)讀操作就不需要再重復(fù)寫(xiě)入指令了。入指令了。寫(xiě)入指令和地址后，處理器可以通過(guò)對(duì)信號(hào)線寫(xiě)入指令和地址后，處理器可以通過(guò)對(duì)信號(hào)線R/BR/B的的分析來(lái)判斷該操作是否完成。如果信號(hào)為低電平，表示器分析來(lái)判斷該操作是否完成。如果信號(hào)為低電平，表示器件正件正“忙忙”; ;為高電平，說(shuō)明器件內(nèi)部操作完成，要讀取為高電平，說(shuō)明器件內(nèi)部操作完成，要讀取的數(shù)據(jù)被送入了數(shù)據(jù)寄存器。外部控制器可以在以的數(shù)據(jù)被送入了數(shù)據(jù)寄存器。外部控制器可以在以50ns50ns為為周期的連續(xù)周期的連續(xù)R

22、ERE脈沖信號(hào)的控制下，從脈沖信號(hào)的控制下，從I/OI/O口依次讀出數(shù)據(jù)。口依次讀出數(shù)據(jù)。連續(xù)頁(yè)讀操作中，輸出的數(shù)據(jù)是從指定的列地址開(kāi)始，直連續(xù)頁(yè)讀操作中，輸出的數(shù)據(jù)是從指定的列地址開(kāi)始，直到該頁(yè)的最后到該頁(yè)的最后- -個(gè)列地址的數(shù)據(jù)為止。個(gè)列地址的數(shù)據(jù)為止。 ROMNAND FlashNAND Flash寫(xiě)操作K9F1208UOBK9F1208UOB的寫(xiě)入操作也以頁(yè)為單位。寫(xiě)入必須在擦除之后，否則寫(xiě)入的寫(xiě)入操作也以頁(yè)為單位。寫(xiě)入必須在擦除之后，否則寫(xiě)入將出錯(cuò)。將出錯(cuò)。頁(yè)寫(xiě)入周期總共包括頁(yè)寫(xiě)入周期總共包括3 3個(gè)步驟：寫(xiě)入串行數(shù)據(jù)輸入指令個(gè)步驟：寫(xiě)入串行數(shù)據(jù)輸入指令(80h)(80h)，然后寫(xiě)

23、入，然后寫(xiě)入3 3個(gè)字節(jié)的地址信息，最后串行寫(xiě)入數(shù)據(jù)。串行寫(xiě)入的數(shù)據(jù)最多為個(gè)字節(jié)的地址信息，最后串行寫(xiě)入數(shù)據(jù)。串行寫(xiě)入的數(shù)據(jù)最多為528528字節(jié)，它字節(jié)，它們首先被寫(xiě)入器件內(nèi)的頁(yè)寄存器，接著器件進(jìn)入一個(gè)內(nèi)部寫(xiě)入過(guò)程，將數(shù)據(jù)們首先被寫(xiě)入器件內(nèi)的頁(yè)寄存器，接著器件進(jìn)入一個(gè)內(nèi)部寫(xiě)入過(guò)程，將數(shù)據(jù)從頁(yè)寄存器寫(xiě)入存儲(chǔ)宏單元。從頁(yè)寄存器寫(xiě)入存儲(chǔ)宏單元。串行數(shù)據(jù)寫(xiě)入完成后，需要寫(xiě)入串行數(shù)據(jù)寫(xiě)入完成后，需要寫(xiě)入“頁(yè)寫(xiě)入確認(rèn)頁(yè)寫(xiě)入確認(rèn)”指令指令10h10h，這條指令將初，這條指令將初始化器件的內(nèi)部寫(xiě)入操作。如果單獨(dú)寫(xiě)入始化器件的內(nèi)部寫(xiě)入操作。如果單獨(dú)寫(xiě)入10h10h而沒(méi)有前面的步驟，則而沒(méi)有前面的步驟，則10h

24、10h不起不起作用。作用。10h10h寫(xiě)入之后，寫(xiě)入之后，K9F1208UOBK9F1208UOB的內(nèi)部寫(xiě)控制器將自動(dòng)執(zhí)行內(nèi)部寫(xiě)入和校驗(yàn)的內(nèi)部寫(xiě)控制器將自動(dòng)執(zhí)行內(nèi)部寫(xiě)入和校驗(yàn)中必要的算法和時(shí)序，這時(shí)系統(tǒng)控制器就可以去做其他的事了。中必要的算法和時(shí)序，這時(shí)系統(tǒng)控制器就可以去做其他的事了。內(nèi)部寫(xiě)入操作開(kāi)始后，器件自動(dòng)進(jìn)入內(nèi)部寫(xiě)入操作開(kāi)始后，器件自動(dòng)進(jìn)入“讀狀態(tài)寄存器讀狀態(tài)寄存器”模式。在這一模模式。在這一模式下，當(dāng)式下，當(dāng)RERE和和CECE為低電平時(shí)，系統(tǒng)可以讀取狀態(tài)寄存器。可以通過(guò)檢測(cè)為低電平時(shí)，系統(tǒng)可以讀取狀態(tài)寄存器?？梢酝ㄟ^(guò)檢測(cè)R/BR/B的的輸出，或讀狀態(tài)寄存器的狀態(tài)位輸出，或讀狀態(tài)寄存

25、器的狀態(tài)位(I/O 6)(I/O 6)來(lái)判斷內(nèi)部寫(xiě)入是否結(jié)束。在器件進(jìn)來(lái)判斷內(nèi)部寫(xiě)入是否結(jié)束。在器件進(jìn)行內(nèi)部寫(xiě)入操作時(shí)，只有讀狀態(tài)寄存器指令和復(fù)位指令會(huì)被響應(yīng)。當(dāng)頁(yè)寫(xiě)入行內(nèi)部寫(xiě)入操作時(shí)，只有讀狀態(tài)寄存器指令和復(fù)位指令會(huì)被響應(yīng)。當(dāng)頁(yè)寫(xiě)入操作完成，應(yīng)該檢測(cè)寫(xiě)狀態(tài)位操作完成，應(yīng)該檢測(cè)寫(xiě)狀態(tài)位(I/O 0)(I/O 0)的電平。的電平。內(nèi)部寫(xiě)校驗(yàn)只對(duì)沒(méi)有成功地寫(xiě)為內(nèi)部寫(xiě)校驗(yàn)只對(duì)沒(méi)有成功地寫(xiě)為0 0的情況進(jìn)行檢測(cè)。指令寄存器始終保持的情況進(jìn)行檢測(cè)。指令寄存器始終保持著讀狀態(tài)寄存器模式，直到其他有效的指令寫(xiě)入指令寄存器為止。著讀狀態(tài)寄存器模式，直到其他有效的指令寫(xiě)入指令寄存器為止。 ROM NAND Fl

26、ashNAND Flash 塊擦除擦除操作是以塊為單位進(jìn)行的。擦除的啟動(dòng)指令為擦除操作是以塊為單位進(jìn)行的。擦除的啟動(dòng)指令為60h60h，塊地址的輸入通過(guò)兩個(gè)時(shí)鐘周期完成。這時(shí)只有地，塊地址的輸入通過(guò)兩個(gè)時(shí)鐘周期完成。這時(shí)只有地址位址位A14A14到到A24A24是有效的，是有效的，A9A9到到A13A13則被忽略。塊地址載入則被忽略。塊地址載入之后執(zhí)行擦除確認(rèn)指令之后執(zhí)行擦除確認(rèn)指令D0hD0h，它用來(lái)初始化內(nèi)部擦除操作。，它用來(lái)初始化內(nèi)部擦除操作。擦除確認(rèn)命令還用來(lái)防止外部干擾產(chǎn)生擦除操作的意外情擦除確認(rèn)命令還用來(lái)防止外部干擾產(chǎn)生擦除操作的意外情況。器件檢測(cè)到擦除確認(rèn)命令輸入后，在況。器件檢

27、測(cè)到擦除確認(rèn)命令輸入后，在WEWE的上升沿啟動(dòng)的上升沿啟動(dòng)內(nèi)部寫(xiě)控制器開(kāi)始執(zhí)行擦除和擦除校驗(yàn)。內(nèi)部擦除操作完內(nèi)部寫(xiě)控制器開(kāi)始執(zhí)行擦除和擦除校驗(yàn)。內(nèi)部擦除操作完成后，檢測(cè)寫(xiě)狀態(tài)位成后，檢測(cè)寫(xiě)狀態(tài)位(I/O 0)(I/O 0)，從而了解擦除操作是否有，從而了解擦除操作是否有錯(cuò)誤發(fā)生。錯(cuò)誤發(fā)生。 ROM NAND FlashNAND Flash 讀狀態(tài)寄存器K9F1208UOBK9F1208UOB包含一個(gè)狀態(tài)寄存器，該寄存器反應(yīng)了寫(xiě)包含一個(gè)狀態(tài)寄存器，該寄存器反應(yīng)了寫(xiě)入或擦除操作是否完成，或?qū)懭牒筒脸僮魇欠駸o(wú)錯(cuò)。寫(xiě)入或擦除操作是否完成，或?qū)懭牒筒脸僮魇欠駸o(wú)錯(cuò)。寫(xiě)入入70h70h指令，啟動(dòng)讀狀態(tài)寄

28、存器周期。狀態(tài)寄存器的內(nèi)容指令，啟動(dòng)讀狀態(tài)寄存器周期。狀態(tài)寄存器的內(nèi)容將在將在CECE或或RERE的下降沿處送出至的下降沿處送出至I/OI/O端口。端口。器件一旦接收到讀狀態(tài)寄存器的指令，它就將保持狀器件一旦接收到讀狀態(tài)寄存器的指令，它就將保持狀態(tài)寄存器在讀狀態(tài)，直到有其他的指令輸入。因此，如果態(tài)寄存器在讀狀態(tài)，直到有其他的指令輸入。因此，如果在任意讀操作中采用了狀態(tài)寄存器讀操作，則在連續(xù)頁(yè)讀在任意讀操作中采用了狀態(tài)寄存器讀操作，則在連續(xù)頁(yè)讀的過(guò)程中，必須重發(fā)的過(guò)程中，必須重發(fā)00h00h或或50h50h指令。指令。ROM NAND FlashNAND Flash 讀器件IDK9F1208UO

29、BK9F1208UOB器件具有一個(gè)產(chǎn)品鑒定識(shí)別碼器件具有一個(gè)產(chǎn)品鑒定識(shí)別碼(ID)(ID)，系統(tǒng)控制器可以讀出這個(gè)，系統(tǒng)控制器可以讀出這個(gè)IDID，從而起到識(shí)，從而起到識(shí)別器件的作用。讀別器件的作用。讀IDID的步驟是：寫(xiě)入的步驟是：寫(xiě)入90h90h指令，然指令，然后寫(xiě)入一個(gè)地址后寫(xiě)入一個(gè)地址00h00h。在兩個(gè)讀周期下，廠商代碼。在兩個(gè)讀周期下，廠商代碼和器件代碼將被連續(xù)輸出至和器件代碼將被連續(xù)輸出至I/OI/O口?？?。同樣，一旦進(jìn)入這種命令模式，器件將保持同樣，一旦進(jìn)入這種命令模式，器件將保持這種命令狀態(tài)，直到接收到其他的指令為止。這種命令狀態(tài)，直到接收到其他的指令為止。 ROM NAND

30、 FlashNAND Flash 復(fù)位器件提供一個(gè)復(fù)位器件提供一個(gè)復(fù)位(RESET)(RESET)指令，通過(guò)向指令寄存器指令，通過(guò)向指令寄存器寫(xiě)入寫(xiě)入FFhFFh來(lái)完成對(duì)器件的復(fù)位。當(dāng)器件處于任意讀模式、來(lái)完成對(duì)器件的復(fù)位。當(dāng)器件處于任意讀模式、寫(xiě)入或擦除模式的忙狀態(tài)時(shí)，發(fā)送復(fù)位指令可以使器件中寫(xiě)入或擦除模式的忙狀態(tài)時(shí)，發(fā)送復(fù)位指令可以使器件中止當(dāng)前的操作，正在被修改的存儲(chǔ)器宏單元的內(nèi)容不再有止當(dāng)前的操作，正在被修改的存儲(chǔ)器宏單元的內(nèi)容不再有效，指令寄存器被清零并等待下一條指令的到來(lái)。當(dāng)效，指令寄存器被清零并等待下一條指令的到來(lái)。當(dāng)WPWP為為高時(shí)，狀態(tài)寄存器被清為高時(shí)，狀態(tài)寄存器被清為C0h

31、C0h。 ROM NAND FlashNAND Flash 應(yīng)用NAND flashNAND flash因?yàn)槠淙萘看?，成本低，目前已廣泛用于因?yàn)槠淙萘看?，成本低，目前已廣泛用于嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的巧的U U盤(pán)、以及固態(tài)硬盤(pán)等產(chǎn)品中。盤(pán)、以及固態(tài)硬盤(pán)等產(chǎn)品中。ROM NAND flashNAND flash和和NOR flashNOR flash的性能、可靠性對(duì)比的性能、可靠性對(duì)比ROM NOR FlashNOR Flash的原理及特點(diǎn)的原理及特點(diǎn) NAND FlashNAND Flash的原理及特點(diǎn)的原理及

32、特點(diǎn) EPROMEPROM原理及特點(diǎn)原理及特點(diǎn) EEPROMEEPROM原理及特點(diǎn)原理及特點(diǎn) FRAMFRAM原理及特點(diǎn)原理及特點(diǎn) ROM EPROMEPROM 內(nèi)部結(jié)構(gòu)輸入的地址信號(hào)在芯片內(nèi)部被分為輸入的地址信號(hào)在芯片內(nèi)部被分為X X，Y Y兩塊，分別對(duì)兩塊，分別對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)矩陣的行和列，用于選中唯一的一個(gè)地址單元，然應(yīng)存儲(chǔ)矩陣的行和列，用于選中唯一的一個(gè)地址單元，然后在后在CECE和和OEOE的驅(qū)動(dòng)下從的驅(qū)動(dòng)下從O0-O7O0-O7輸出相應(yīng)數(shù)據(jù)。輸出相應(yīng)數(shù)據(jù)。ROM EPROMEPROM 特點(diǎn)EPROMEPROM（Erasable Programmable ROMErasable Progra

33、mmable ROM，可擦除可編程，可擦除可編程ROMROM）芯片可重復(fù)擦除和寫(xiě)入，解決了）芯片可重復(fù)擦除和寫(xiě)入，解決了PROMPROM芯片只能寫(xiě)入芯片只能寫(xiě)入一次的弊端。一次的弊端。EPROMEPROM芯片有一個(gè)很明顯的特征，在其正面芯片有一個(gè)很明顯的特征，在其正面的陶瓷封裝上，的陶瓷封裝上， 開(kāi)有一個(gè)玻璃窗口，透過(guò)該窗口，可以開(kāi)有一個(gè)玻璃窗口，透過(guò)該窗口，可以看到其內(nèi)部的集成電路，紫外線透過(guò)該孔照射內(nèi)部芯片就看到其內(nèi)部的集成電路，紫外線透過(guò)該孔照射內(nèi)部芯片就可以擦除其內(nèi)的數(shù)據(jù)，完成芯片擦除的操作要用到可以擦除其內(nèi)的數(shù)據(jù)，完成芯片擦除的操作要用到EPROMEPROM擦除器。擦除器。EPROM

34、EPROM內(nèi)資料的寫(xiě)入要用專用的編程器，并且往內(nèi)資料的寫(xiě)入要用專用的編程器，并且往芯片中寫(xiě)內(nèi)容時(shí)必須要加一定的編程電壓（芯片中寫(xiě)內(nèi)容時(shí)必須要加一定的編程電壓（VPP=12VPP=1224V24V，隨不同的芯片型號(hào)而定）。隨不同的芯片型號(hào)而定）。ROM EPROMEPROM 應(yīng)用EPROMEPROM早期主要作為處理器的外部擴(kuò)展存儲(chǔ)器以及早期主要作為處理器的外部擴(kuò)展存儲(chǔ)器以及PCPC上的上的BIOSBIOS存儲(chǔ)器，但是因?yàn)橐米贤饩€通過(guò)特殊設(shè)備才能存儲(chǔ)器，但是因?yàn)橐米贤饩€通過(guò)特殊設(shè)備才能擦除，所以后續(xù)逐漸被擦除，所以后續(xù)逐漸被EEPROMEEPROM所取代。所取代。ROM EEPROMEEPRO

35、M 工作原理EEPROMEEPROM的寫(xiě)入過(guò)程是利用了隧的寫(xiě)入過(guò)程是利用了隧道效應(yīng)，即能量小于能量勢(shì)壘的電道效應(yīng)，即能量小于能量勢(shì)壘的電子能夠穿越勢(shì)壘到達(dá)另一邊。量子子能夠穿越勢(shì)壘到達(dá)另一邊。量子力學(xué)認(rèn)為物理尺寸與電子自由程相力學(xué)認(rèn)為物理尺寸與電子自由程相當(dāng)時(shí)，電子將呈現(xiàn)波動(dòng)性，這里就當(dāng)時(shí)，電子將呈現(xiàn)波動(dòng)性，這里就是表明物體要足夠的小。就是表明物體要足夠的小。就pnpn結(jié)來(lái)結(jié)來(lái)看，當(dāng)看，當(dāng)p p和和n n的雜質(zhì)濃度達(dá)到一定水的雜質(zhì)濃度達(dá)到一定水平時(shí)，并且空間電荷極少時(shí)，電子平時(shí)，并且空間電荷極少時(shí)，電子就會(huì)因隧道效應(yīng)向?qū)нw移。電子就會(huì)因隧道效應(yīng)向?qū)нw移。電子的能量處于某個(gè)級(jí)別允許級(jí)別的范的

36、能量處于某個(gè)級(jí)別允許級(jí)別的范圍稱為圍稱為“帶帶”，較低的能帶稱為價(jià)，較低的能帶稱為價(jià)帶，較高的能帶稱為導(dǎo)帶。帶，較高的能帶稱為導(dǎo)帶。 ROM EEPROMEEPROM 特點(diǎn)EEPROMEEPROM可以在系統(tǒng)進(jìn)行編程，也可以根據(jù)需要進(jìn)行多可以在系統(tǒng)進(jìn)行編程，也可以根據(jù)需要進(jìn)行多次擦除和修改，數(shù)據(jù)寫(xiě)入之后即使斷電也不會(huì)丟失。一般次擦除和修改，數(shù)據(jù)寫(xiě)入之后即使斷電也不會(huì)丟失。一般可反復(fù)擦寫(xiě)可反復(fù)擦寫(xiě)1010萬(wàn)次左右。萬(wàn)次左右。ROM EEPROMEEPROM 應(yīng)用因?yàn)槿萘坎皇呛艽螅砸驗(yàn)槿萘坎皇呛艽?，所以EEPROMEEPROM主要用于系統(tǒng)中存放主要用于系統(tǒng)中存放引導(dǎo)程序、配置參數(shù)、需要修改的數(shù)據(jù)

37、等。引導(dǎo)程序、配置參數(shù)、需要修改的數(shù)據(jù)等。ROM FRAMFRAM 工作原理鐵電存儲(chǔ)器（鐵電存儲(chǔ)器（FRAMFRAM）是近年來(lái)新出現(xiàn)的一種讀寫(xiě)速度）是近年來(lái)新出現(xiàn)的一種讀寫(xiě)速度非?？斓拇鎯?chǔ)器，它可以兼容非?？斓拇鎯?chǔ)器，它可以兼容RAMRAM的一切功能，并且和的一切功能，并且和ROMROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。當(dāng)一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體時(shí)，中心原子順著電場(chǎng)的當(dāng)一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體時(shí)，中心原子順著電場(chǎng)的方向在晶體里移動(dòng)。當(dāng)原子移動(dòng)時(shí)，它通過(guò)一個(gè)能量壁壘，方向在晶體里移動(dòng)。當(dāng)原子移動(dòng)時(shí)，它通過(guò)一個(gè)能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置存

38、儲(chǔ)從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置存儲(chǔ)器。移去電場(chǎng)后，中心原子保持不動(dòng)，存儲(chǔ)器的狀態(tài)也得器。移去電場(chǎng)后，中心原子保持不動(dòng)，存儲(chǔ)器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲(chǔ)器不需要定時(shí)更新，掉電后數(shù)據(jù)能夠繼以保存。鐵電存儲(chǔ)器不需要定時(shí)更新，掉電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存，速度快而且不容易寫(xiě)壞。續(xù)保存，速度快而且不容易寫(xiě)壞。ROM FRAMFRAM 芯片結(jié)構(gòu)128x32FRAM 陣列陣列數(shù)據(jù)鎖存器數(shù)據(jù)鎖存器地址鎖存器地址鎖存器計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)器串并轉(zhuǎn)換器串并轉(zhuǎn)換器控制邏輯控制邏輯8SDASCLWPA1A2ROM FRAMFRAM 特點(diǎn)鐵電存儲(chǔ)器能兼容鐵電存儲(chǔ)器能兼容RAMRAM的一切功能，并且和的一切功能，并且和

39、ROMROM技術(shù)一技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁-一種非易失性的一種非易失性的RAMRAM。鐵電存儲(chǔ)器在性能方面與鐵電存儲(chǔ)器在性能方面與EEPRONEEPRON和和FlashFlash相比有三點(diǎn)優(yōu)勢(shì)相比有三點(diǎn)優(yōu)勢(shì)之處：之處：首先，鐵電存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)速度更快。與其它存儲(chǔ)器相首先，鐵電存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)速度更快。與其它存儲(chǔ)器相比，鐵電存儲(chǔ)器寫(xiě)入時(shí)幾乎不需要等待時(shí)間，而比，鐵電存儲(chǔ)器寫(xiě)入時(shí)幾乎不需要等待時(shí)間，而EEPROMEEPROM一一般需要幾毫秒。讀的速度同樣也很快，和

40、寫(xiě)操作在速度上般需要幾毫秒。讀的速度同樣也很快，和寫(xiě)操作在速度上幾乎沒(méi)有太大的區(qū)別。幾乎沒(méi)有太大的區(qū)別。其次，其次，F(xiàn)RAMFRAM存儲(chǔ)器幾乎可以無(wú)限次擦寫(xiě)，而存儲(chǔ)器幾乎可以無(wú)限次擦寫(xiě)，而EEPROMEEPROM則則一般只能進(jìn)行幾十萬(wàn)次到一般只能進(jìn)行幾十萬(wàn)次到100100萬(wàn)次的擦寫(xiě)。萬(wàn)次的擦寫(xiě)。 ROM FRAMFRAM 應(yīng)用FRAMFRAM主要用于對(duì)反復(fù)擦寫(xiě)次數(shù)要求高，讀寫(xiě)速度快的主要用于對(duì)反復(fù)擦寫(xiě)次數(shù)要求高，讀寫(xiě)速度快的場(chǎng)合。應(yīng)用領(lǐng)域也越來(lái)越廣泛，比如儀器儀表、汽車(chē)、場(chǎng)合。應(yīng)用領(lǐng)域也越來(lái)越廣泛，比如儀器儀表、汽車(chē)、通信等。通信等。主要內(nèi)容主要內(nèi)容 RAMRAM的分類及特點(diǎn)的分類及特點(diǎn) RO

41、MROM的分類及特點(diǎn)的分類及特點(diǎn) 電子存儲(chǔ)器介紹電子存儲(chǔ)器介紹 微硬盤(pán)介紹微硬盤(pán)介紹電子存儲(chǔ)器電子存儲(chǔ)器 CFCF卡介紹卡介紹Compact FlashCompact Flash的誕生比較早，由最大的誕生比較早，由最大的的Flash MemoryFlash Memory卡廠商之一美國(guó)的卡廠商之一美國(guó)的SanDiskSanDisk于于19941994年首次推出。年首次推出。Compact FlashCompact Flash的大小的大小僅為僅為43mm 43mm 36mm 36mm 3.3mm 3.3mm（火柴盒般大（火柴盒般大?。?，體積只有?。w積只有PCMCIAPCMCIA卡的卡的1/41

42、/4，看起來(lái)就，看起來(lái)就像是像是PCMCIAPCMCIA卡的縮小版?？ǖ目s小版。CompactFlashCompactFlash提供了完整的提供了完整的PCMCIA-ATAPCMCIA-ATA功能而且通過(guò)功能而且通過(guò)ATA/ATAPI-4ATA/ATAPI-4兼容兼容TrueIDETrueIDE。和和6868針接口的針接口的PCMCIAPCMCIA卡不同，同樣遵從卡不同，同樣遵從ATAATA協(xié)議的協(xié)議的CompactFlashCompactFlash的接口只有的接口只有5050針針目前目前CFCF的最大容量是的最大容量是32GB32GB，最高傳輸速，最高傳輸速率為率為20MB/s20MB/s。

43、 電子存儲(chǔ)器電子存儲(chǔ)器 CFCF卡缺點(diǎn)卡缺點(diǎn)由于由于CFCF采用采用IDEIDE接口，信號(hào)引腳多，體積大（有火柴接口，信號(hào)引腳多，體積大（有火柴盒大?。?，所以限制了其在小型設(shè)備上，如盒大?。?，所以限制了其在小型設(shè)備上，如mp3mp3，手機(jī)，手機(jī)，相機(jī)等的使用。相機(jī)等的使用。電子存儲(chǔ)器電子存儲(chǔ)器 MMCMMC卡介紹卡介紹 MMCMMC（MultiMedia CardMultiMedia Card）卡由西門(mén)子公司和首推）卡由西門(mén)子公司和首推CFCF的的SanDiskSanDisk于于19971997年推出。年推出。19981998年年1 1月十四家公司聯(lián)月十四家公司聯(lián)合成立了合成立了MMCMMC協(xié)

44、會(huì)（協(xié)會(huì)（MultiMedia Card AssociationMultiMedia Card Association簡(jiǎn)簡(jiǎn)稱稱MMCAMMCA），現(xiàn)在會(huì)員已經(jīng)有超過(guò)），現(xiàn)在會(huì)員已經(jīng)有超過(guò)210210家，主要包括了家，主要包括了主機(jī)系統(tǒng)、卡、部件和連接器等的制造商。其會(huì)員分主機(jī)系統(tǒng)、卡、部件和連接器等的制造商。其會(huì)員分為兩大類：執(zhí)行會(huì)員為兩大類：執(zhí)行會(huì)員( (具有投票表決的權(quán)利具有投票表決的權(quán)利) )和普通會(huì)和普通會(huì)員。員。MMCMMC的發(fā)展目標(biāo)主要是針對(duì)數(shù)碼影像、音樂(lè)、手的發(fā)展目標(biāo)主要是針對(duì)數(shù)碼影像、音樂(lè)、手機(jī)、機(jī)、PDAPDA、電子書(shū)、玩具等產(chǎn)品，以前、電子書(shū)、玩具等產(chǎn)品，以前MMCMMC卡

45、號(hào)稱是目卡號(hào)稱是目前世界上最小的前世界上最小的Flash MemoryFlash Memory存貯卡，尺寸只有存貯卡，尺寸只有32mm 32mm x 24mm x 1.4mmx 24mm x 1.4mm。雖然比。雖然比SmartMediaSmartMedia厚，但整體體積厚，但整體體積卻比卻比SmartMediaSmartMedia小，而且也比小，而且也比SmartMediaSmartMedia輕，只有輕，只有1.51.5克?？恕MCMMC也是把存貯單元和控制器一同做到了卡上，也是把存貯單元和控制器一同做到了卡上，智能的控制器使得智能的控制器使得MMCMMC保證兼容性和靈活性保證兼容性和靈活

46、性 目前目前MMCMMC卡的最大容量為卡的最大容量為4GB4GB，傳輸速率最高為，傳輸速率最高為6MB/s6MB/s電子存儲(chǔ)器電子存儲(chǔ)器 SDSD卡介紹卡介紹SDSD（Secure DigitalSecure Digital）卡由松下電器、東芝和）卡由松下電器、東芝和SanDiskSanDisk聯(lián)合推出，聯(lián)合推出，19991999年年8 8月被首次發(fā)布。月被首次發(fā)布。20002000年年2 2月月1 1日成立了日成立了SDSD協(xié)會(huì)（協(xié)會(huì)（SDASDA），成員公司超過(guò)），成員公司超過(guò)9090個(gè)，其中包括個(gè)，其中包括Hewlett-PackardHewlett-Packard，IBMIBM，Mic

47、rosoftMicrosoft，MotorolaMotorola，NECNEC、Samsung ElectronicsSamsung Electronics，Toyota Toyota MotorMotor等國(guó)際知名的半導(dǎo)體廠商。等國(guó)際知名的半導(dǎo)體廠商。 電子存儲(chǔ)器電子存儲(chǔ)器 SDSD卡特點(diǎn)卡特點(diǎn)目前目前SDSD卡的容量最大為卡的容量最大為32GB32GB，最高，最高傳輸速率為傳輸速率為20MB/s20MB/sSD卡卡miniSD卡卡microSD卡卡電子存儲(chǔ)器電子存儲(chǔ)器 SDSD卡應(yīng)用卡應(yīng)用SDSD卡最大的特點(diǎn)就是通過(guò)加密功能，保證數(shù)據(jù)卡最大的特點(diǎn)就是通過(guò)加密功能，保證數(shù)據(jù)資料的安全保密。資

48、料的安全保密。SDSD卡在售價(jià)方面要高于同容量卡在售價(jià)方面要高于同容量的的MMCMMC卡。卡。SDSD卡多用于卡多用于MP3MP3隨身聽(tīng)、數(shù)碼攝像機(jī)、數(shù)碼相隨身聽(tīng)、數(shù)碼攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等，由于機(jī)等，由于SDSD卡的體積要比卡的體積要比CFCF卡小很多，并且它卡小很多，并且它在容量、性能和價(jià)格上和在容量、性能和價(jià)格上和CFCF卡的差距越來(lái)越小，卡的差距越來(lái)越小，目前正迅速在上述市場(chǎng)領(lǐng)域獲得很大的普及。目前正迅速在上述市場(chǎng)領(lǐng)域獲得很大的普及。 電子存儲(chǔ)器電子存儲(chǔ)器SMSM卡介紹卡介紹SMSM（Smart MediaSmart Media）卡是由東芝公司）卡是由東芝公司Toshiba America

49、 Toshiba America Electronic ComponentsElectronic Components（TAECTAEC）在）在19951995年年1111月發(fā)布的月發(fā)布的Flash MemoryFlash Memory存儲(chǔ)卡，三星公司在存儲(chǔ)卡，三星公司在19961996年購(gòu)買(mǎi)了生產(chǎn)和銷(xiāo)售許可，這兩家公司成為年購(gòu)買(mǎi)了生產(chǎn)和銷(xiāo)售許可，這兩家公司成為主要的主要的SmartMediaSmartMedia廠商。廠商。為了推動(dòng)為了推動(dòng)SmartMediaSmartMedia成為工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，19961996年年4 4月成立了月成立了SSFDCSSFDC論論壇（壇（SSFDCSS

50、FDC即即Solid State Floppy Disk CardSolid State Floppy Disk Card，實(shí)際上最開(kāi)始時(shí)，實(shí)際上最開(kāi)始時(shí)SmartMediaSmartMedia被稱為被稱為SSFDCSSFDC，19961996年年6 6月改名為月改名為SmartMediaSmartMedia，并成為東芝，并成為東芝的注冊(cè)商標(biāo)）。的注冊(cè)商標(biāo)）。SSFDCSSFDC論壇有超過(guò)論壇有超過(guò)150150個(gè)成員，同樣包括不少大廠商，個(gè)成員，同樣包括不少大廠商，如如SonySony、SharpSharp、JVCJVC、PhilipsPhilips、NECNEC、SanDiskSanDisk

51、等廠商。等廠商。SmartMediaSmartMedia卡也是市場(chǎng)上常見(jiàn)的微存儲(chǔ)卡，一度在卡也是市場(chǎng)上常見(jiàn)的微存儲(chǔ)卡，一度在MP3MP3播放器上非常地流行播放器上非常地流行電子存儲(chǔ)器電子存儲(chǔ)器 SMSM卡缺點(diǎn)卡缺點(diǎn)由于由于SMSM卡的控制電路是集成在數(shù)碼產(chǎn)品當(dāng)中，卡的控制電路是集成在數(shù)碼產(chǎn)品當(dāng)中，這使得產(chǎn)品的兼容性容易受到影響，所以目前新這使得產(chǎn)品的兼容性容易受到影響，所以目前新推出的數(shù)碼相機(jī)中都已經(jīng)沒(méi)有采用推出的數(shù)碼相機(jī)中都已經(jīng)沒(méi)有采用SMSM存儲(chǔ)卡的產(chǎn)存儲(chǔ)卡的產(chǎn)品了。品了。 電子存儲(chǔ)器電子存儲(chǔ)器 xDxD卡介紹卡介紹xDxD卡全稱為卡全稱為XD-PICTURE CARDXD-PICTURE

52、 CARD，是由富士和奧，是由富士和奧林巴斯聯(lián)合推出的專為數(shù)碼相機(jī)使用的小型存儲(chǔ)林巴斯聯(lián)合推出的專為數(shù)碼相機(jī)使用的小型存儲(chǔ)卡?？?。xDxD取自于取自于“Extreme DigitalExtreme Digital”，是，是“極限數(shù)極限數(shù)字字”的意思的意思 電子存儲(chǔ)器電子存儲(chǔ)器 xDxD卡特點(diǎn)卡特點(diǎn) 袖珍的外形尺寸，為20mm25mm1.7mm，約為2克重 優(yōu)秀的兼容性，采用單面18針接口，配合各式的讀卡器，可以方便地與個(gè)人電腦連接 存儲(chǔ)容量大，其理論的最大容量可達(dá)8GB電子存儲(chǔ)器電子存儲(chǔ)器xDxD卡缺點(diǎn)卡缺點(diǎn) 奧林巴斯雖然在數(shù)碼單反機(jī)型中支持奧林巴斯雖然在數(shù)碼單反機(jī)型中支持CFCF卡，但是卡，

53、但是DCDC產(chǎn)品中幾乎全系列采用產(chǎn)品中幾乎全系列采用xDxD卡。剛開(kāi)始卡。剛開(kāi)始xDxD卡具有一卡具有一定程度上的優(yōu)勢(shì)，但是隨著其它類型存儲(chǔ)卡的發(fā)展，定程度上的優(yōu)勢(shì)，但是隨著其它類型存儲(chǔ)卡的發(fā)展，在速度、容量以及價(jià)格的競(jìng)爭(zhēng)下，在速度、容量以及價(jià)格的競(jìng)爭(zhēng)下，xDxD卡已經(jīng)明顯沒(méi)卡已經(jīng)明顯沒(méi)有了優(yōu)勢(shì)，有時(shí)候甚至在市場(chǎng)上難以找到一個(gè)有了優(yōu)勢(shì)，有時(shí)候甚至在市場(chǎng)上難以找到一個(gè)xDxD卡卡的讀卡器。在這樣的情況下，消費(fèi)者在選擇相機(jī)時(shí)，的讀卡器。在這樣的情況下，消費(fèi)者在選擇相機(jī)時(shí)，必然會(huì)考慮存儲(chǔ)介質(zhì)的問(wèn)題。所以必然會(huì)考慮存儲(chǔ)介質(zhì)的問(wèn)題。所以xDxD卡目前也逐步卡目前也逐步淡出了存儲(chǔ)卡市場(chǎng)淡出了存儲(chǔ)卡市場(chǎng) 電子存儲(chǔ)器電子存儲(chǔ)器Memory stickMemory stick介紹介紹 19971997年年7 7月月SonySony宣布開(kāi)發(fā)宣布開(kāi)發(fā)Memory StickMemory Stick，即記憶，即記憶棒。棒。Memory StickMemory Stick被很多人稱