在電焊機中的應(yīng)用學(xué)習(xí)教案

1、會計學(xué)1在電焊機中的應(yīng)用在電焊機中的應(yīng)用(yngyng)第一頁，共45頁。u電焊機簡介電焊機簡介(jin ji)u逆變焊機中逆變焊機中 IGBT 應(yīng)用特點應(yīng)用特點uIGBT的主要參數(shù)選擇的主要參數(shù)選擇uRT4模塊介紹及優(yōu)勢模塊介紹及優(yōu)勢內(nèi)容簡介第1頁/共45頁第二頁，共45頁。按焊接機理按焊接機理(j l)分類：分類：弧焊機手工電弧焊機氣體保護(hù)焊機氬弧焊機CO2氣體保護(hù)焊機埋弧焊機壓力焊機電阻點焊機摩擦焊機切割機第2頁/共45頁第三頁，共45頁。電焊機發(fā)展電焊機發(fā)展(fzhn)歷歷程：程：逆變逆變(n bin)直流電焊機發(fā)展歷程：直流電焊機發(fā)展歷程：晶閘管式逆變焊機晶體管式逆變焊機場效應(yīng)管式逆

2、變焊機IGBT逆變焊機變壓器型電源晶閘管整流電源逆變直流電源第3頁/共45頁第四頁，共45頁。種種類類CO2氣體保護(hù)氣體保護(hù)焊機（焊機（NBC系列）系列）手工電弧手工電弧焊（焊（ZX7系列）系列）鎢極氬弧鎢極氬弧焊（焊（WS系列）系列）脈沖鎢極氬弧脈沖鎢極氬弧焊（焊（WSM系系列）列）等離子切割等離子切割機（機（LGK系列）系列）埋弧焊（埋弧焊（MZ系列系列）型型號號20025035050063016020025031540050063014016020031540050020025031540040608010063080010001250種類種類(zhngli)和型號：和型號：第4頁/共4

3、5頁第五頁，共45頁。IGBT 應(yīng)用應(yīng)用(yngyng)特點特點第5頁/共45頁第六頁，共45頁。逆變(n bin)焊機80A - 250A中大功率逆變(n bin)焊機380V input小功率(gngl)逆變焊機220V input600VDiscrete IGBTMOSFET250A - 630A正激正激半橋半橋600V34mm600VDiscrete IGBTMOSFET1200V IGBT34mm62mm半橋半橋全橋全橋全橋全橋IGBT的應(yīng)用特點的應(yīng)用特點- 在焊機中的應(yīng)用在焊機中的應(yīng)用第6頁/共45頁第七頁，共45頁。IGBT的應(yīng)用特點的應(yīng)用特點- 焊機拓?fù)浜笝C拓?fù)?tu p)結(jié)構(gòu)

4、結(jié)構(gòu)焊機拓?fù)浜笝C拓?fù)?tu p)結(jié)構(gòu)：結(jié)構(gòu)：輸入輸入 一次整流一次整流 逆變逆變 隔離降壓隔離降壓 二次整流二次整流 輸出輸出 從圖中可以看出從圖中可以看出(kn ch)，IGBT主要應(yīng)用在逆變單元主要應(yīng)用在逆變單元第7頁/共45頁第八頁，共45頁。IGBT的應(yīng)用特點的應(yīng)用特點(tdin)- 逆變拓?fù)淠孀兺負(fù)浣Y(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)半橋拓?fù)浒霕蛲負(fù)淙珮蛲負(fù)淙珮蛲負(fù)溆查_關(guān)全橋拓?fù)溆查_關(guān)全橋拓?fù)滠涢_關(guān)全橋拓?fù)滠涢_關(guān)全橋拓?fù)淞汶妷很涢_關(guān)全橋拓?fù)淞汶妷很涢_關(guān)全橋拓?fù)淞汶娏鬈涢_關(guān)全橋拓?fù)淞汶娏鬈涢_關(guān)全橋拓?fù)浜笝C中常用的逆變拓?fù)浜笝C中常用的逆變拓?fù)?tu p)結(jié)結(jié)構(gòu)：構(gòu)：第8頁/共45頁第九頁，共45頁。硬開關(guān)硬開關(guān)(k

5、igun)開通開通過程過程硬開關(guān)硬開關(guān)(kigun)關(guān)斷過程關(guān)斷過程軟開關(guān)開通過程軟開關(guān)開通過程軟開關(guān)關(guān)斷過程軟開關(guān)關(guān)斷過程 從圖中可以看出，在硬開關(guān)時，從圖中可以看出，在硬開關(guān)時，IGBT開關(guān)時電流與電壓有交點，開關(guān)時電流與電壓有交點，IGBT損損耗交大，軟開關(guān)時，耗交大，軟開關(guān)時，IGBT的電流與電壓沒有交點，損耗為零。的電流與電壓沒有交點，損耗為零。 零電流（零電流（ZCS)：指：指IGBT開關(guān)時電流為零。開關(guān)時電流為零。 零電壓（零電壓（ZVS)：指：指IGBT開關(guān)時電壓為零開關(guān)時電壓為零第9頁/共45頁第十頁，共45頁。拓?fù)涮攸c：拓?fù)涮攸c： IGBT 開關(guān)損耗大；開關(guān)損耗大；IGBT

6、上承受的電流上承受的電流(dinli)為全橋時的兩為全橋時的兩倍。倍。建議：建議： 選用關(guān)斷損耗小的選用關(guān)斷損耗小的 IGBT。推薦：采用推薦：采用 INFINEON 開關(guān)損耗小的開關(guān)損耗小的KS4 芯片封裝的芯片封裝的100 300A/1200V 的的IGBT模塊。模塊。第10頁/共45頁第十一頁，共45頁。拓?fù)涮攸c：拓?fù)涮攸c： IGBT 開關(guān)時電壓、電流不為零，開關(guān)損耗開關(guān)時電壓、電流不為零，開關(guān)損耗(snho)大。大。建議：建議： 選用關(guān)斷損耗選用關(guān)斷損耗(snho)小的小的 IGBT。推薦：采用推薦：采用 INFINEON開關(guān)損耗開關(guān)損耗(snho)小小S4 芯片封裝的的芯片封裝的的I

7、GBT模塊。模塊。第11頁/共45頁第十二頁，共45頁。電路特點：電路特點： IGBT 導(dǎo)通時間長，損耗主要為通態(tài)損耗導(dǎo)通時間長，損耗主要為通態(tài)損耗建議：建議： 選擇通態(tài)損耗小的選擇通態(tài)損耗小的 IGBT。推薦：采用推薦：采用(ciyng) INFINEON 導(dǎo)通損耗小的導(dǎo)通損耗小的 DN2、T4芯片封裝的芯片封裝的 IGBT 模模塊。塊。第12頁/共45頁第十三頁，共45頁。電路特點電路特點(tdin)：超前臂實現(xiàn)超前臂實現(xiàn)ZVS，IGBT開關(guān)損耗小，導(dǎo)通損耗占總損耗比重大。開關(guān)損耗小，導(dǎo)通損耗占總損耗比重大。滯后臂實現(xiàn)滯后臂實現(xiàn)ZCS，IGBT導(dǎo)通時間長，通態(tài)損耗大。導(dǎo)通時間長，通態(tài)損耗大

8、。建議：建議： 選擇選擇IGBT通態(tài)損耗小的通態(tài)損耗小的IGBT，即低通態(tài)型，即低通態(tài)型IGBT模塊。模塊。推薦：采用推薦：采用 INFINEON 導(dǎo)通損耗小的導(dǎo)通損耗小的DN2、T4芯片封裝的芯片封裝的 IGBT 模塊。模塊。第13頁/共45頁第十四頁，共45頁。IGBT 主要參數(shù)選擇主要參數(shù)選擇(xunz)第14頁/共45頁第十五頁，共45頁。電壓電壓(diny)：三相交流輸入三相交流輸入(shr)經(jīng)過整流和濾波后，直流母線電壓的最大值：經(jīng)過整流和濾波后，直流母線電壓的最大值：VDC= ，IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍，可以選額定電壓值的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的

9、兩倍，可以選額定電壓值1200V。V51338023 電焊機主要參數(shù)：以一臺電焊機主要參數(shù)：以一臺500A的電焊機為例，輸入電壓：的電焊機為例，輸入電壓：380V AC,輸出電流為：輸出電流為：500A,頻率為頻率為20KHz，空載電壓為，空載電壓為70V。 500A焊機在滿負(fù)荷工作條件下，輸出濾波電感的電流的平均值為焊機在滿負(fù)荷工作條件下，輸出濾波電感的電流的平均值為500A，主變壓器，主變壓器變比變比K=513V/70V=7.3。 變壓器原邊平均電流為變壓器原邊平均電流為500A/7.3=68.5A，在選用耗散功率足夠的散熱，在選用耗散功率足夠的散熱器和良好的風(fēng)道設(shè)計的條件，選在器和良好的

10、風(fēng)道設(shè)計的條件，選在 IGBT 的的IC=100A。電流：電流：第15頁/共45頁第十六頁，共45頁。17u通 態(tài) 壓 降：低通態(tài)損耗，適用于軟開關(guān)。 u開 關(guān) 損 耗：低開關(guān)損耗，高頻或硬開關(guān)。u溫 度 系 數(shù)：正溫度(wnd)系數(shù)適合于多管芯并聯(lián)。u熱 阻：決定了IGBT的溫升。u功率循環(huán)周次：決定IGBT的壽命。u熱 循 環(huán) 周 次：決定IGBT的壽命。17主要參數(shù)選擇主要參數(shù)選擇-選型時應(yīng)注意選型時應(yīng)注意(zh y)的問的問題題選型時應(yīng)該主要選型時應(yīng)該主要(zhyo)的問的問題：題：第16頁/共45頁第十七頁，共45頁。主要參數(shù)選擇主要參數(shù)選擇(xunz)-推薦表推薦表裕能達(dá)推薦表裕能

11、達(dá)推薦表焊機規(guī)格焊機規(guī)格全橋電路全橋電路半橋電路半橋電路315A軟開關(guān)軟開關(guān)FF50R12RT4硬開關(guān)硬開關(guān)F4-50R12MS4/ F4-50R12KS4FF100R12KS4/FF150R12RT4400A軟開關(guān)軟開關(guān)FF75R12RT4硬開關(guān)硬開關(guān)F4-75R12MS4/ F4-75R12KS4FF150R12KS4500A軟開關(guān)軟開關(guān)FF100R12RT4硬開關(guān)硬開關(guān)FF100R12KS4/FF150R12RT4FF200R12KS4630A軟開關(guān)軟開關(guān)FF150R12RT4硬開關(guān)硬開關(guān)FF150R12KS4FF300R12KS4第17頁/共45頁第十八頁，共45頁。RT4芯片(xn

12、pin)介紹及優(yōu)勢第18頁/共45頁第十九頁，共45頁。n概念：在開關(guān)工作條件下，IGBT4模塊的最高允許結(jié)溫規(guī)格為 150C，比IGBT3/IGBT2模塊（1200V和1700V）的規(guī)格提高25C！n出發(fā)點：適應(yīng)芯片小型化n實現(xiàn)：IGBT4模塊內(nèi)部焊線工藝的改進(jìn)n可靠性因素：焊線工藝決定了模塊的可靠性指標(biāo)之一-功率循環(huán)（PC）次數(shù)。PC次數(shù)與結(jié)溫有關(guān)，在相同的結(jié)溫擺幅下，結(jié)溫越高，PC次數(shù)越低。要提高結(jié)溫規(guī)格，必須改進(jìn)焊線工藝，才能保證模塊用于更高的結(jié)溫時，其PC次數(shù)（使用壽命）不減。n結(jié)果： 1）IGBT4模塊的可靠性（PC次數(shù)）大幅增加n 2）IGBT4模塊的電流輸出(shch)能力增大

13、（應(yīng)用功率）n 3）以較小的封裝尺寸實現(xiàn)相同的電流規(guī)格（功率密度）RT4模塊(m kui)-優(yōu)點第19頁/共45頁第二十頁，共45頁。50A的的RT4和和DN2模塊的性能比較模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號BSM50GB120DN2FF50R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容，Ic50A(Tc=80)50A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)3.1V2.15VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off2215驅(qū)動電阻推薦值差別不是很大，驅(qū)動電路更改不大。Eo

14、n7mJ6.5mJRT4的性能稍好，開關(guān)損耗有所降低。Eoff4.5mJ4mjRjc(IGBT) 0.3K/W0.53K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode) 0.6K/W0.84K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論結(jié)論(jiln)：用：用RT4代替代替DN2只需更改驅(qū)動電路，替代容易！只需更改驅(qū)動電路，替代容易！RT4模塊-與INFINEON DN2系列(xli)模塊的比較第20頁/共45頁第二十一頁，共45頁。75A的的RT4和和DN2模塊的性能比較模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號BSM75G

15、B120DN2FF75R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic75A(Tc=80)75A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)3.1V2.15VRT4性能更好，導(dǎo)通損耗小。Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off152.2驅(qū)動電阻推薦值差別較大，驅(qū)動電路要做更改。Eon13mJ9.5mJRT4的性能更好，開關(guān)損耗小。Eoff8mJ6.5mjRjc(IGBT) 0.2K/W0.38K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量。Rjc(Diode) 0.5K/W0.58K/W并聯(lián)

16、二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。結(jié)論：用結(jié)論：用RT4代替代替DN2只需對驅(qū)動電路只需對驅(qū)動電路(dinl)進(jìn)行修改，代替起來比較容易。進(jìn)行修改，代替起來比較容易。RT4模塊(m kui)-與INFINEON DN2系列模塊(m kui)的比較第21頁/共45頁第二十二頁，共45頁。100A的的RT4和和DN2模塊的性能比較模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號BSM100GB120DN2KBSM100GB120DN2FF100R12RT4結(jié)論封裝34mm62mm34mmDN2K與RT4散熱器安裝尺寸完全兼容，DN2與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic10

17、0A(Tc=80)100A(Tc=80)100A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)3.1V3.1V2.05VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小Tj(度）150150175RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off6.86.81.6驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon17.5mJ17.5mJ9.5mJRT4的性能更好，開關(guān)損耗小Eoff11mJ11mJ9mjRjc(IGBT) 0.18K/W0.16K/W0.27K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode) 0.36K/W0.3K/W0.48K/W并

18、聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：結(jié)論：RT4代替代替DN2K只需對驅(qū)動電路只需對驅(qū)動電路(dinl)進(jìn)行修改，但代替進(jìn)行修改，但代替DN2還需對散熱器進(jìn)還需對散熱器進(jìn)行修改。行修改。RT4模塊-與INFINEON DN2系列(xli)模塊的比較第22頁/共45頁第二十三頁，共45頁。150A的的RT4和和DN2模塊的性能比較模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號BSM150GB120DN2FF150R12RT4結(jié)論封裝62mm34mmDN2與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic150A(Tc=80)150A(Tc=100)RT4性能更好，電流能

19、力更大Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,)3.1V2.05VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off9.11.1驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon17.5mJ13.5mJRT4的關(guān)斷損耗略高于ND2Eoff11mJ13.5mjRjc(IGBT) 0.1K/W0.19K/WRT4的熱阻比較大！Rjc(Diode) 0.25K/W0.31K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論結(jié)論(jiln)：150A的的RT4代替代替150A的的DN2比較困難！比較困難！RT4模塊(m kui)-與I

20、NFINEON DN2系列模塊(m kui)的比較第23頁/共45頁第二十四頁，共45頁。150A的的RT4和和100A的的KS4 的模塊的性能比較的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號FF100R12KS4FF150R12RT4結(jié)論封裝62mm34mmKS4與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic100A(Tc=80)150A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=80A,Vge=15v,)3.85V1.65VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off9.11.1驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon9.5mJ

21、9.5mJRT4的關(guān)斷損耗略高于KS4Eoff7.7mJ11 mJRjc(IGBT) 0.16K/W0.19K/WRT4的熱阻稍大！Rjc(Diode) 0.3K/W0.31K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：用結(jié)論：用150A的的RT4代替代替(dit)100A的的KS4,要根據(jù)實際電路來確定能否替代。要根據(jù)實際電路來確定能否替代。RT4模塊-與INFINEON KS4系列(xli)模塊的比較第24頁/共45頁第二十五頁，共45頁。 總的來說，總的來說，RT4系列產(chǎn)品的飽和壓降有大幅的降低，開關(guān)損耗系列產(chǎn)品的飽和壓降有大幅的降低，開關(guān)損耗也有所降低

22、，特別適合軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的焊機。但是也有所降低，特別適合軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的焊機。但是(dnsh)RT4系列產(chǎn)品的熱阻相當(dāng)于系列產(chǎn)品的熱阻相當(dāng)于DN2系列來說都要大一些。還有就是系列來說都要大一些。還有就是RT4系系列的推薦驅(qū)動電阻值都比較小，替換時要注意對驅(qū)動電路進(jìn)行修改。列的推薦驅(qū)動電阻值都比較小，替換時要注意對驅(qū)動電路進(jìn)行修改。RT4模塊(m kui)-與INFINEON 模塊(m kui)的比較第25頁/共45頁第二十六頁，共45頁。SEMIKRON 在焊機應(yīng)用上主要有以下幾款：在焊機應(yīng)用上主要有以下幾款：123系列：系列：SKM75GB123D SKM100GB123D SKM150GB

23、123D SKM200GB123D128系列：系列：SKM75GB128D SKM100GB128D SKM150GB128D SKM200GB128DT4系列：系列：SKM75GB12T4 SKM100GB12T4 SKM100GB12T4G SKM150GB12T4 SKM150GB12T4G SKM200GB12T4 SKM300GB12T4 （正在（正在(zhngzi)推廣）推廣）第26頁/共45頁第二十七頁，共45頁。50的的RT4和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號FF50R12RT4SKM75GB123DSKM50GB12

24、T4SKM75GB128D結(jié)論封裝34mm34mm34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic(Tc=100)50A49A52A59A電流能力相差不大。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)2.15V25V2.2V2.1V128D的導(dǎo)通損耗最小。Tj(度）175150175150T4芯片結(jié)溫較高。Rgon/off15228.26驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改。Eon6.5mJ8mJ5.5mJ6mJ123D的開關(guān)損耗較大。Eoff4mJ5mJ4.5mJ8mJRjc(IGBT) 0.53K/W0.27K/W0.53K/W0.3K/W123D的熱阻小。Rjc(Diode) 0.84K

25、/W0.5K/W0.84K/W0.6K/WVf(V)1.65V1.6V2.18V1.8V123D的反并二極管管壓降最低。結(jié)論：結(jié)論：RT4與與123D相比，在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻較大。與相比，在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻較大。與128D相相比開關(guān)損耗較低。與西門比開關(guān)損耗較低。與西門(Xmn)康最新的康最新的T4系列性能相差不大。系列性能相差不大。第27頁/共45頁第二十八頁，共45頁。75的的RT4和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號FF75R12RT4SKM100GB123DSKM75GB12T4S

26、KM100GB128D結(jié)論封裝34mm34mm34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic(Tc=100)75A81A75A85A128D的電流能力最大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)2.15V3.1V2.25V2.1VRT4和128D的性能較好,導(dǎo)通損耗小。Tj(度）175150175150T4芯片結(jié)溫高。Rgon/off2.21514.7驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon9.5mJ10mJ11mJ9mJRT4的開關(guān)損耗較小。Eoff6.5mj8mJ6.9mJ7.5mJRjc(IGBT) 0.38K/W0.18K/W0.38K/W0.21K/W123D的熱阻小！R

27、jc(Diode) 0.58K/W0.5K/W0.58K/W0.5K/WVf(V)1.65V1.8V2.11V1.8VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。結(jié)論結(jié)論(jiln)：RT4與與123D相比，在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱相比，在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻交大。與阻交大。與128D和西門康最新的和西門康最新的T4系列性能相差不大。系列性能相差不大。第28頁/共45頁第二十九頁，共45頁。100的的RT4和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號FF100R12RT4SKM150GB123DSKM100GB12T4S

28、KM150GB128D結(jié)論封裝34mm62mm62mm62mmRT4尺寸較小。Ic(Tc=100)100A100A100A108A電流能力相差不大。Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)2.05V2.5V2.2V2.1VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小。Tj(度）175150175150T4芯片結(jié)溫高Rgon/off1.66.88.28驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon9.5mJ13mJ16.1mJ10mJ123D的開關(guān)損耗較大！Eoff9mJ11mJ8.6mJ9mJRjc(IGBT) 0.27K/W0.15K/W0.29K/W0.15K/W123D的熱阻?。jc(Diode

29、) 0.48K/W0.3K/W0.49K/W0.3K/WVf(V)1.65V1.8V2.18V1.8VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。結(jié)論：結(jié)論：RT4與與123D相比，在開關(guān)損耗相比，在開關(guān)損耗(snho)和導(dǎo)通損耗和導(dǎo)通損耗(snho)上都在上都在有優(yōu)勢，只是熱阻交大。與有優(yōu)勢，只是熱阻交大。與128D相比，熱阻較大。和西門康最新的相比，熱阻較大。和西門康最新的T4系列系列相比，開關(guān)損耗相比，開關(guān)損耗(snho)較小。較小。第29頁/共45頁第三十頁，共45頁。150的的RT4和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號FF150R12RT

30、4SKM200GB123DSKM150GB12T4SKM200GB128D結(jié)論封裝34mm62mm62mm62mmRT4尺寸較小。Ic(Tc=100)150A145A150A180A電流能力相差不大。Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,)2.05V2.5V2.2V2.1VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小。Tj(度）175150175150T4芯片結(jié)溫高Rgon/off1.15.617驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon13.5mJ24mJ19.2mJ18mJ123D的開關(guān)損耗較大！Eoff13.5mj17mJ15.8mJ15mJRjc(IGBT) 0.19K/W0.09K/W0.

31、19K/W0.095K/W123D的熱阻?。jc(Diode) 0.31K/W0.18K/W0.31K/W0.25K/WVf(V)1.65V1.8V2.07V1.8VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。結(jié)論：結(jié)論：RT4與與123D相比，在開關(guān)損耗相比，在開關(guān)損耗(snho)和導(dǎo)通損耗和導(dǎo)通損耗(snho)上都上都在有優(yōu)勢，只是熱阻交大。與在有優(yōu)勢，只是熱阻交大。與128D相比，熱阻較大。和西門康最新的相比，熱阻較大。和西門康最新的T4系列相比，開關(guān)損耗系列相比，開關(guān)損耗(snho)較小。較小。第30頁/共45頁第三十一頁，共45頁。RT4模塊模塊斯達(dá)在焊機應(yīng)用上主要斯達(dá)在焊機應(yīng)用上主要(zhy

32、o)有以下幾款：有以下幾款：HFL系列系列(低損耗快速）：低損耗快速）：GD50HFL120C1S GD75HFL120C1S GD100HFL120C1S GD100HFL120C2S GD150HFL120C2S第31頁/共45頁第三十二頁，共45頁。50A的的RT4和斯達(dá)模塊的性能比較和斯達(dá)模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號GD50HFL120C1SFF50R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic50A(Tc=80)50A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)2.0V2.15V斯達(dá)模塊的導(dǎo)通損耗小。

33、Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off1815驅(qū)動電阻推薦值差別不是很大，驅(qū)動電路更改不大。Eon4.1mJ6.5mJ斯達(dá)模塊的性能更好，導(dǎo)通損耗小。Eoff4.7mJ4mjRjc(IGBT) 0.38K/W0.53K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode) 0.65K/W0.84K/W并聯(lián)二極管Vf(V)2.2V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好RT4模塊模塊結(jié)論：斯達(dá)模塊的飽和結(jié)論：斯達(dá)模塊的飽和(boh)壓降和開關(guān)損耗都比較低。壓降和開關(guān)損耗都比較低。第32頁/共45頁第三十三頁，共45頁。RT4模塊模塊75A的的

34、RT4和斯達(dá)模塊的性能比較和斯達(dá)模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號GD75HFL120C1SFF75R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic75A(Tc=80)75A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)2.0V2.15V斯達(dá)模塊的導(dǎo)通損耗略小。Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off152.2驅(qū)動電阻推薦值差別不是很大，驅(qū)動電路更改不大。Eon9.0mJ9.5mJ開關(guān)損耗相差不大。Eoff7.4mJ6.5mjRjc(IGBT) 0.19K/W0.38K/WRT4的熱阻稍微大些，

35、但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode) 0.48K/W0.58K/W并聯(lián)二極管Vf(V)2.0V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：結(jié)論：RT4模塊模塊(m kui)的熱阻較高，其他性能相差不大。的熱阻較高，其他性能相差不大。第33頁/共45頁第三十四頁，共45頁。100A的的RT4和斯達(dá)模塊的性能比較和斯達(dá)模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號GD100HFL120C1SGD75HFL120C2SFF100R12RT4結(jié)論封裝34mm62mm34mmRT4與C1尺寸兼容，與C2尺寸不兼容，需要修改散熱器。Ic100A(Tc=80)100A(Tc=80)100

36、A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)2.0V2.0V2.05V斯達(dá)模塊的性能略好。Tj(度）150150175RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off381.6驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon9.8mJ8.4mJ9.5mJ開關(guān)損耗相差不大。Eoff8.7mJ5.8mJ9mjRjc(IGBT) 0.16K/W0.15K/W0.27K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode) 0.34K/W0.29K/W0.48K/W并聯(lián)二極管Vf(V)2.2V2.2V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)

37、性能更好結(jié)論：結(jié)論：RT4與斯達(dá)模塊的飽和壓降和導(dǎo)通損耗相差與斯達(dá)模塊的飽和壓降和導(dǎo)通損耗相差(xin ch)不大，但是熱阻不大，但是熱阻較大。較大。第34頁/共45頁第三十五頁，共45頁。RT4模塊模塊150A的的RT4和斯達(dá)模塊的性能比較和斯達(dá)模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號GD150HFL120C2SFF150R12RT4結(jié)論封裝62mm34mmDN2與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic150A(Tc=80)150A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,)2.1V2.05VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗略小Tj(度）150175RT

38、4性能更好，熱余量更大Rgon/off6.81.1驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon16.7mJ13.5mJRT4的性能更好，開關(guān)損耗小。Eoff15.3mJ13.5mjRjc(IGBT) 0.09K/W0.19K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode) 0.24K/W0.31K/W并聯(lián)二極管Vf(V)2.2V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論結(jié)論(jiln)：RT4的導(dǎo)通損耗要比斯達(dá)的小，熱阻稍大。的導(dǎo)通損耗要比斯達(dá)的小，熱阻稍大。第35頁/共45頁第三十六頁，共45頁。 斯達(dá)斯達(dá)50、75、100A的模塊從飽和壓降和開關(guān)損耗、熱

39、阻等方面來說要高于我們的的模塊從飽和壓降和開關(guān)損耗、熱阻等方面來說要高于我們的RT4芯芯片片(xn pin)，但是在市場上客戶對他們的模塊的反應(yīng)并不是很好！這主要是因為他們的模塊穩(wěn)，但是在市場上客戶對他們的模塊的反應(yīng)并不是很好！這主要是因為他們的模塊穩(wěn)定性不好！這就涉及到了定性不好！這就涉及到了IGBT的另外一個性能的另外一個性能熱循環(huán)周次和功率循環(huán)周次。熱循環(huán)周次和功率循環(huán)周次。第36頁/共45頁第三十七頁，共45頁。n功率循環(huán)(xnhun)周次：綁定線，通過電流發(fā)熱后，會熱脹冷縮發(fā)生變形。在一定次數(shù)后就會出現(xiàn)裂紋，導(dǎo)致IGBT失效。第37頁/共45頁第三十八頁，共45頁。RT4模塊模塊宏微

40、在焊機應(yīng)用上主要宏微在焊機應(yīng)用上主要(zhyo)有以下幾款：有以下幾款：B系列系列(ABB芯片）：芯片）：MMG50S120B MMG75S120B MMG100S120B MMG100D120B MMG150D120B第38頁/共45頁第三十九頁，共45頁。50A的的RT4和宏微模塊的性能比較（如無特殊說明和宏微模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號MMG50S120BFF50R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic50A(Tc=80)50A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)2.0V2.15VRT4的導(dǎo)

41、通損耗略高于宏微模塊。Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off1815驅(qū)動電阻推薦值差別不是很大，驅(qū)動電路更改不大。Eon8.4mJ6.5mJRT4的性能好，開關(guān)損耗低。Eoff5.8mJ4mjRjc(IGBT) 0.3K/W0.53K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode) 0.6K/W0.84K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.9V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：結(jié)論：RT4的各項性能的各項性能(xngnng)幾乎都優(yōu)于宏微的模塊，用幾乎都優(yōu)于宏微的模塊，用RT4代替宏微的模塊只需代替宏微的模塊只需更改驅(qū)動電路，替代容

42、易！更改驅(qū)動電路，替代容易！第39頁/共45頁第四十頁，共45頁。75A的的RT4和宏微模塊的性能比較（如無特殊說明和宏微模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號MMG75S120BFF75R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic75A(Tc=80)75A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)2.0V2.15VRT4的導(dǎo)通損耗略高于宏微模塊。Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off152.2驅(qū)動電阻推薦值差別較大，驅(qū)動電路要做更改。Eon10.3mJ9.5mJRT4的性能更好，開關(guān)損耗小。Eoff7.8mJ6.5mjRjc(IGBT) 0.2K/W0.38K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量。Rjc(Diode