模擬電子電路習(xí)題課

1、模擬電子電路習(xí)題課模擬電子電路習(xí)題課 主講教師： 玄玉波 畫出二極管輸出電路波形？畫出二極管輸出電路波形？1.根據(jù)輸入信號大小，判斷二極管導(dǎo)通與截止。假設(shè)電路中二極管全部開路，分析二極管兩端電位（當(dāng)電路存在多個二極管時，存在優(yōu)先導(dǎo)通權(quán)，正偏電壓最大的管子優(yōu)先導(dǎo)通）2.找出 與 的關(guān)系。3.畫輸出信號波形。P6(三）P8六1.OViV二極管估算法二極管估算法1.判斷二極管導(dǎo)通與截止。假設(shè)電路中二極管全部開路，分析二極管兩端電位（當(dāng)電路存在多個二極管時，存在優(yōu)先導(dǎo)通權(quán)，正偏電壓最大的管子優(yōu)先導(dǎo)通），分為理想和實際二極管兩種。2.利用上述分析方法將截止的二極管開路，3.畫輸出信號波形。P書28 例2

2、確定二極管的工作狀態(tài)。確定二極管的工作狀態(tài)。P7(四）四）1、確定二極管的工作狀態(tài)。確定二極管的工作狀態(tài)。P7(四）四）1、雙極性三極管，放大狀態(tài)，用直雙極性三極管，放大狀態(tài)，用直流電壓表測得各三極管的各極電流電壓表測得各三極管的各極電位（對地）。試判斷三極管的電位（對地）。試判斷三極管的電極、管型及所用材料？極、管型及所用材料？p131.判斷電極：基極電位 居中。對NPN管 對PNP管 。發(fā)射極和基極電位差絕對值硅管0.7V左右，鍺管0.2V左右，據(jù)此可找出發(fā)射極e,并判斷管子材料。最后剩下的電極便為集電極c。2.判斷管型。NPN型管 ,PNP管 。3.判斷材料。硅管的 ,鍺管的 。BVCB

3、EVVVCBEVVVEBVV EBVV VVBE7 . 0VVBE2 . 0PNP三極管特點：三極管特點： 發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電結(jié)放大區(qū)正 VBE=-0.7反 (電源VCC為負值）飽和區(qū)正 VBE=-0.7 正 VBC=-0.4 VCE=-0.3截止區(qū)反反PPN2.10.41.81.40.7EBCP15 2.1(4)三極管直流分析三極管直流分析,估算法估算法1.設(shè)晶體管處于線性放大狀態(tài)。2.分析線性電路， ， 。3.確定晶體管工作狀態(tài)。 ONBEBEVVBCIINPNPNP放大VBE0.7V;VCE0.3-VBE0.7V;-VCE0.3飽和VBE0.7V;VCE0.7V;-VCE0.3截止V

4、BE0.3-VBE0.7V;-VCE0.3復(fù)合管復(fù)合管P書92 2-13結(jié)論：21P書92 2-19RB1RB2RCREVCC(-9V)P16 2.6(b）假設(shè)工作在放大模式mAIIEC2.621mARIEE65. 27 . 06mAIIICEB03. 0P書93 2-19 mAIVVVCECCE74.247 . 0126滿足-VCE0,ID流入管子漏極。 P溝道：VDS0,ID自管子漏極流出。（2）VGS極性取決于工作方式及溝道類型 JFET:VGS與VDS極性相反。 取值任意耗盡型：極性相同與增強型：GSDSGSVVVMOSFETP書131 3-13場效應(yīng)管估算法場效應(yīng)管估算法無論P還是N

5、溝道，都先假設(shè)工作在飽和區(qū)。（1）由直流通路寫出管外電路VGS與ID之間的關(guān)系式。（2）根據(jù)FET的類型，選擇合適的數(shù)學(xué)模型。 （3）聯(lián)立求解上述方程。在得到的兩組解中，根據(jù)FET選取合適（VGS）的一組。 （4）判斷電路工作模式： thGSGSVV DSV場效應(yīng)管飽和區(qū)電流場效應(yīng)管飽和區(qū)電流MOS JFET P作業(yè)本21 3.3 2D2IthGSGSoxnVVlWC2D1IoffGSGSDSSVVIp書書129 3-6溝道長度調(diào)制效應(yīng)忽略不計，00GQI VIRIRRVDQSGGGS4-RVDQG21DD2設(shè)MOS管工作在飽和區(qū)，則 mAVVVlWCthGSGSoxn2GSQ2D5 . 108. 02I聯(lián)立求解上述方程：VVmAIGSQDQ63. 337. 0舍去VVmAIGSQDQ14.1314.17由