哈工大51單片機(jī)存儲(chǔ)器擴(kuò)展8ppt課件

1、8.1 8.1 概述概述片內(nèi)的資源如不滿足需求，需外擴(kuò)存儲(chǔ)器和片內(nèi)的資源如不滿足需求，需外擴(kuò)存儲(chǔ)器和I/OI/O功能功能部件。部件。系統(tǒng)擴(kuò)展主要內(nèi)容有：系統(tǒng)擴(kuò)展主要內(nèi)容有：(1)(1)外部存儲(chǔ)器的擴(kuò)展外部外部存儲(chǔ)器的擴(kuò)展外部RAMRAM、ROMROM(2) I/O(2) I/O接口部件的擴(kuò)展。接口部件的擴(kuò)展。本章引見如何擴(kuò)展外部存儲(chǔ)器，本章引見如何擴(kuò)展外部存儲(chǔ)器，I/OI/O接口部件的擴(kuò)展下一章引見。接口部件的擴(kuò)展下一章引見。 前往8051/8751最小運(yùn)用系統(tǒng)最小運(yùn)用系統(tǒng)8.1.1 8.1.1 最小運(yùn)用系統(tǒng)最小運(yùn)用系統(tǒng)8031最小運(yùn)用系統(tǒng)最小運(yùn)用系統(tǒng)前往8.1.2 8.1.2 系統(tǒng)擴(kuò)展的三總

2、線構(gòu)造系統(tǒng)擴(kuò)展的三總線構(gòu)造8.1.2 8.1.2 系統(tǒng)擴(kuò)展的三總線構(gòu)造系統(tǒng)擴(kuò)展的三總線構(gòu)造MCS-51MCS-51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器構(gòu)造單片機(jī)外部存儲(chǔ)器構(gòu)造: :哈佛構(gòu)造哈佛構(gòu)造 。MCS-96MCS-96單片機(jī)存儲(chǔ)器構(gòu)造單片機(jī)存儲(chǔ)器構(gòu)造: :普林斯頓構(gòu)造。普林斯頓構(gòu)造。MCS-51 RAMMCS-51 RAM和和ROMROM的最大擴(kuò)展空間各為的最大擴(kuò)展空間各為64KB64KB。系統(tǒng)擴(kuò)展首先要構(gòu)造系統(tǒng)總線。系統(tǒng)擴(kuò)展首先要構(gòu)造系統(tǒng)總線。8.2 8.2 系統(tǒng)總線及總線構(gòu)造系統(tǒng)總線及總線構(gòu)造8.2.1 8.2.1 系統(tǒng)總線系統(tǒng)總線按功能把系統(tǒng)總線分為三組：按功能把系統(tǒng)總線分為三組： 1.1.地址總線地

3、址總線Adress Bus,Adress Bus,簡寫簡寫ABAB 2.2.數(shù)據(jù)總線數(shù)據(jù)總線 (Data Bus(Data Bus，簡寫，簡寫DB)DB) 3. 3.控制總線控制總線Control BusControl Bus，簡寫，簡寫CBCB 8.2.2 8.2.2 構(gòu)造系統(tǒng)總線構(gòu)造系統(tǒng)總線地址鎖存器地址鎖存器74LS37374LS373 1. 1. 以以P0P0口作為低口作為低8 8位地址位地址/ /數(shù)據(jù)總線。數(shù)據(jù)總線。 2 2以以P2P2口的口線作高位地址線?？诘目诰€作高位地址線。 3. 3.控制信號(hào)線?？刂菩盘?hào)線。* *ALE ALE 低低8 8位地址鎖存信號(hào)。位地址鎖存信號(hào)。* *

4、PSENPSEN* * 擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器讀選通訊號(hào)。擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器讀選通訊號(hào)。* *EAEA* * 內(nèi)外程序存儲(chǔ)器選擇信號(hào)。內(nèi)外程序存儲(chǔ)器選擇信號(hào)。* *RDRD* *和和WRWR* * 擴(kuò)展擴(kuò)展RAMRAM和和I/OI/O口的讀選通、口的讀選通、 寫選通訊號(hào)。寫選通訊號(hào)。 8.2.3 8.2.3 單片機(jī)系統(tǒng)的串行擴(kuò)展技術(shù)單片機(jī)系統(tǒng)的串行擴(kuò)展技術(shù) 優(yōu)點(diǎn)：串行接口器件體積小，與單片機(jī)接口時(shí)需求的優(yōu)點(diǎn)：串行接口器件體積小，與單片機(jī)接口時(shí)需求的I/OI/O口線口線少少, , 可靠性提高。可靠性提高。 缺陷缺陷: :串行接口器件速度較慢串行接口器件速度較慢在多數(shù)運(yùn)用場所，還是并行擴(kuò)展占主導(dǎo)位置。在多數(shù)運(yùn)

5、用場所，還是并行擴(kuò)展占主導(dǎo)位置。8.3 8.3 讀寫控制、地址空間分配和外部地址鎖存器讀寫控制、地址空間分配和外部地址鎖存器8.3.1 8.3.1 存儲(chǔ)器擴(kuò)展的讀寫控制存儲(chǔ)器擴(kuò)展的讀寫控制RAMRAM芯片：讀寫控制引腳芯片：讀寫控制引腳OEOE* *和和WEWE* * ，與，與RDRD* *和和WRWR* *相連。相連。EPROMEPROM芯片：只需讀出引腳，芯片：只需讀出引腳，OEOE* * ，與，與PSENPSEN* *相連。相連。 8.3.2 8.3.2 存儲(chǔ)器地址空間分配存儲(chǔ)器地址空間分配8031 373G27166116(2)6116(1)8155P0P2.2-P2.0PSENALE

6、WRRDABCG2AG2BG1P1.0A0A7A8A10D7D0D7D0D7D0 CECECSOEA0A7A8A10WEWEOEOEWERDALEAD0AD7CEY2Y1Y0+5VIO/ MPAPBPCP2.3P2.4P2.5P2.6P2.7 直接用系直接用系統(tǒng)的高位地址統(tǒng)的高位地址線作線作RAM芯芯片的片選信號(hào)。片的片選信號(hào)。例例:外擴(kuò)外擴(kuò)8KB EPROM2片片27324KB RAM2片片6116線選法和地址譯碼法線選法和地址譯碼法1. 線選法線選法 l 2732:4KB ROM 2732:4KB ROM，1212根地址線根地址線A0A0A11A11，1 1根片選線根片選線l 6116:2

7、KB RAM6116:2KB RAM，1111根地址線根地址線A0A0A10A10，1 1根片選線根片選線l 片選端低電平有效片選端低電平有效l 地址范圍：地址范圍： l 273227321 1的地址范圍：的地址范圍：7000H7000H7FFFH;7FFFH;l 2732 27322 2的地址范圍的地址范圍: B000H: B000HBFFFH; BFFFH; l 6116 61161 1的地址范圍：的地址范圍：E800HE800HEFFFH; EFFFH; l 6116 61162 2的地址范圍：的地址范圍：D800HD800HDFFFHDFFFH。l 線選法特點(diǎn)線選法特點(diǎn) l 優(yōu)點(diǎn)：電路

8、簡單，不需另外添加硬件電路，體積小，優(yōu)點(diǎn)：電路簡單，不需另外添加硬件電路，體積小，本錢低。本錢低。l 缺陷：可尋址的器件數(shù)目受限，地址空間不延續(xù)。缺陷：可尋址的器件數(shù)目受限，地址空間不延續(xù)。l 只適于外擴(kuò)芯片不多，規(guī)模不大的單片機(jī)系統(tǒng)只適于外擴(kuò)芯片不多，規(guī)模不大的單片機(jī)系統(tǒng)2. 2. 譯碼法譯碼法 常用譯碼器芯片：常用譯碼器芯片：74LS74LS3-83-8譯碼器譯碼器74LS74LS雙雙2-42-4譯碼器譯碼器74LS15474LS1544-164-16譯碼器譯碼器全譯碼：全部高位地址線都參與譯碼；全譯碼：全部高位地址線都參與譯碼；部分譯碼：僅部分高位地址線參與譯碼。部分譯碼：僅部分高位地址

9、線參與譯碼。 (1)74LS(1)74LS3 38 8譯碼器譯碼器 當(dāng)譯碼器的輸入為某一個(gè)固定編碼時(shí)，其輸出只需某當(dāng)譯碼器的輸入為某一個(gè)固定編碼時(shí)，其輸出只需某一個(gè)固定的引腳輸出為低電平，其他的為高電平。一個(gè)固定的引腳輸出為低電平，其他的為高電平。 74LS 74LS譯碼器真值表譯碼器真值表 輸輸 入入 輸輸 出出 G1 G2AG1 G2A* * G2B G2B* * C B A Y7 C B A Y7* * Y6 Y6* * Y5Y5* * Y4 Y4* * Y3 Y3* * Y2 Y2* * Y1 Y1* * Y0 Y0* * ( 2) 74LS雙雙2-4譯碼器譯碼器真值表如表真值表如表8

10、-2P168所示。所示。 采用全地址譯碼方式，單片機(jī)發(fā)地址碼時(shí)，每次只能選采用全地址譯碼方式，單片機(jī)發(fā)地址碼時(shí)，每次只能選中一個(gè)存儲(chǔ)單元。同類存儲(chǔ)器間不會(huì)產(chǎn)生地址重疊的問題。中一個(gè)存儲(chǔ)單元。同類存儲(chǔ)器間不會(huì)產(chǎn)生地址重疊的問題。例例: 要擴(kuò)要擴(kuò)8片片8KB的的RAM 6264，如何經(jīng)過，如何經(jīng)過74LS把把64KB空間分空間分配給各個(gè)芯片？配給各個(gè)芯片？ 假設(shè)用假設(shè)用74LS把把64K空間全部劃分為每塊空間全部劃分為每塊4KB，如何劃分？如何劃分？8.3.3 8.3.3 外部地址鎖存器外部地址鎖存器8031 373G27166116(2)6116(1)8155P0P2.2-P2.0PSENALE

11、WRRDABCG2AG2BG1P1.0A0A7A8A10D7D0D7D0D7D0 CECECSOEA0A7A8A10WEWEOEOEWERDALEAD0AD7CEY2Y1Y0+5VIO/ MPAPBPCP2.3P2.4P2.5P2.6P2.7D7D7D0: 8D0: 8位數(shù)據(jù)輸入線位數(shù)據(jù)輸入線 Q7Q7Q0: 8Q0: 8位數(shù)據(jù)輸出線。位數(shù)據(jù)輸出線。G:G:數(shù)據(jù)輸入鎖存選通訊號(hào)數(shù)據(jù)輸入鎖存選通訊號(hào) OEOE* *: : 數(shù)據(jù)輸出允許信號(hào)數(shù)據(jù)輸出允許信號(hào)8.3.3 8.3.3 外部地址鎖存器外部地址鎖存器常用地址鎖存器芯片常用地址鎖存器芯片: 74LS373: 74LS373、82828282、

12、74LS57374LS5731. 1. 鎖存器鎖存器74LS37374LS373帶有三態(tài)門的帶有三態(tài)門的8D8D鎖存器鎖存器2. 2. 鎖存器鎖存器82828282功能及內(nèi)部構(gòu)造與功能及內(nèi)部構(gòu)造與74LS37374LS373完全一樣，只是其引腳的完全一樣，只是其引腳的陳列與陳列與74LS37374LS373不同不同3 3鎖存器鎖存器74LS573 74LS573 輸入的輸入的D D端和輸出的端和輸出的Q Q端也是依次排在芯片的兩側(cè)，端也是依次排在芯片的兩側(cè)，與與82828282一樣，為繪制印刷電路板時(shí)的布線提供方便。一樣，為繪制印刷電路板時(shí)的布線提供方便。8.4 8.4 程序存儲(chǔ)器程序存儲(chǔ)器E

13、PROMEPROM的擴(kuò)展的擴(kuò)展 采用只讀存儲(chǔ)器，非易失性。采用只讀存儲(chǔ)器，非易失性。1 1掩膜掩膜ROMROM 在制造過程中編程在制造過程中編程, ,只適宜于大批量消費(fèi)。只適宜于大批量消費(fèi)。2 2可編程可編程ROMROMPROMPROM 用獨(dú)立的編程器寫入，只能寫入一次。用獨(dú)立的編程器寫入，只能寫入一次。 3 3EPROMEPROM 電信號(hào)編程，紫外線擦除的只讀存儲(chǔ)器芯片。電信號(hào)編程，紫外線擦除的只讀存儲(chǔ)器芯片。4 4E2PROME2PROM EEPROMEEPROM 電信號(hào)編程，電擦除。讀寫操作與電信號(hào)編程，電擦除。讀寫操作與RAMRAM類似，寫入速類似，寫入速度稍慢。斷電后可以保管信息。度

14、稍慢。斷電后可以保管信息。5 5Flash ROMFlash ROM 又稱閃爍存儲(chǔ)器，簡稱閃存。電改寫，電擦除，讀寫又稱閃爍存儲(chǔ)器，簡稱閃存。電改寫，電擦除，讀寫速度快速度快70ns70ns，讀寫次數(shù)多，讀寫次數(shù)多1 1萬次。萬次。8.4.1 8.4.1 常用常用EPROMEPROM芯片引見芯片引見典型芯片是典型芯片是2727系列產(chǎn)品，例如，系列產(chǎn)品，例如， 2764 2764 8KB8KB8 8271282712816KB16KB8 8272562725632KB32KB8 8275122751264KB64KB8 8“2727后面的數(shù)字表示其位存儲(chǔ)容量。后面的數(shù)字表示其位存儲(chǔ)容量。擴(kuò)展程序

15、存儲(chǔ)器時(shí)，應(yīng)盡量用大容量的芯片。擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器時(shí)，應(yīng)盡量用大容量的芯片。 1.1.常用的常用的EPROMEPROM芯片芯片 電氣參數(shù)見表電氣參數(shù)見表8-48-4P123P123。引腳如以下圖。引腳如以下圖。引腳功能如下：引腳功能如下：A0A0A15A15：地址線引腳。數(shù)目決議存儲(chǔ)容量。：地址線引腳。數(shù)目決議存儲(chǔ)容量。D7D7D0D0：數(shù)據(jù)線引腳：數(shù)據(jù)線引腳CECE* *： 片選輸入端片選輸入端OEOE* * ： 輸出允許控制端輸出允許控制端PGMPGM* *： 編程時(shí)，加編程脈沖的輸入端編程時(shí)，加編程脈沖的輸入端VppVpp： 編程時(shí)，編程電壓編程時(shí)，編程電壓+12V+12V或或+25V+25

16、V輸入端輸入端VccVcc： +5V+5V，芯片的任務(wù)電壓。，芯片的任務(wù)電壓。 GNDGND： 數(shù)字地。數(shù)字地。NCNC： 無用端無用端 2. EPROM2. EPROM芯片的任務(wù)方式芯片的任務(wù)方式1 1讀出方式讀出方式 片選控制線為低片選控制線為低, , 輸出允許為低，輸出允許為低，VppVpp為為+5V+5V，指定，指定地址單元的內(nèi)容從地址單元的內(nèi)容從D7D7D0D0上讀出。上讀出。 2 2未選中方式未選中方式 片選控制線為高電平。片選控制線為高電平。3 3編程方式編程方式 VppVpp端加規(guī)定高壓端加規(guī)定高壓, CE, CE* *和和OEOE* *端加適宜電平，就端加適宜電平，就能將數(shù)據(jù)

17、線上的數(shù)據(jù)寫入到指定的地址單元。能將數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)寫入到指定的地址單元。 4 4編程校驗(yàn)方式編程校驗(yàn)方式 5 5編程制止方式編程制止方式 輸出呈高阻形狀，不寫入程序。輸出呈高阻形狀，不寫入程序。8.4.2 8.4.2 程序存儲(chǔ)器的操作時(shí)序自學(xué)程序存儲(chǔ)器的操作時(shí)序自學(xué)8.4.3 8.4.3 典型的典型的EPROMEPROM接口電路接口電路1. 1.運(yùn)用單片運(yùn)用單片EPROMEPROM的擴(kuò)展電路的擴(kuò)展電路 27162716、2732 EPROM2732 EPROM價(jià)錢貴，容量小，且難以價(jià)錢貴，容量小，且難以買到。買到。僅引見僅引見27642764、2712827128、2725627256、275

18、1227512芯片的接芯片的接口電路。口電路。 以下圖為外擴(kuò)以下圖為外擴(kuò)16K16K字節(jié)的字節(jié)的EPROM 27128EPROM 27128的接口的接口電路圖電路圖 。MCS-51MCS-51外擴(kuò)單片外擴(kuò)單片32K32K字節(jié)的字節(jié)的EPROM 27256EPROM 27256的接口。的接口。 3. 3. 運(yùn)用多片運(yùn)用多片EPROMEPROM的擴(kuò)展電路的擴(kuò)展電路擴(kuò)展擴(kuò)展4 4片片2712827128。 8.5 8.5 靜態(tài)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展靜態(tài)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展8.5.1 8.5.1 常用的靜態(tài)常用的靜態(tài)RAMRAMSRAMSRAM芯片芯片典型型號(hào)有典型型號(hào)有:6116:6116、62646264、

19、6212862128、6225662256。+5V+5V電源供電，雙列電源供電，雙列直插，直插，61166116為為2424引腳封裝，引腳封裝，62646264、6212862128、6225662256為為2828引腳封引腳封裝。裝。各引腳功能如下各引腳功能如下: : A0 A0A14A14：地址輸入線。：地址輸入線。 D0D0D7D7：雙向三態(tài)數(shù)據(jù)線。：雙向三態(tài)數(shù)據(jù)線。 CECE* *： 片選信號(hào)輸入。對(duì)于片選信號(hào)輸入。對(duì)于62646264芯片，當(dāng)芯片，當(dāng)CSCS為高電平為高電平, ,且且CECE* * 為低電平常才選中該片。為低電平常才選中該片。 OEOE* *： 讀選通訊號(hào)輸入線。讀選

20、通訊號(hào)輸入線。 WEWE* *： 寫允許信號(hào)輸入線，低電平有效。寫允許信號(hào)輸入線，低電平有效。 VccVcc： 任務(wù)電源任務(wù)電源+5V+5V GND GND： 地地有讀出、寫入、維持三種任務(wù)方式，操作控制如表有讀出、寫入、維持三種任務(wù)方式，操作控制如表8-6(P181)8-6(P181)。 8.5.2 8.5.2 外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的讀寫操作時(shí)序外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的讀寫操作時(shí)序8.5.3 8.5.3 典型的外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的接口電路典型的外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的接口電路 圖圖8-21 8-21 用線選法擴(kuò)展用線選法擴(kuò)展80318031外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的電路。外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的電路。 地址線為地址線為A0A0A12A

21、12，故剩余地址線為三根。用線選，故剩余地址線為三根。用線選法可擴(kuò)展法可擴(kuò)展3 3片片62646264。3 3片片62646264對(duì)應(yīng)的地址空間如下。對(duì)應(yīng)的地址空間如下。譯碼選通法譯碼選通法 各片各片6212862128地址分配見表地址分配見表8-98-9。 表表8-9 8-9 各片各片6212862128地址分配地址分配 P2.7 P2.6 P2.7 P2.6 譯碼輸出譯碼輸出 選中芯片選中芯片 地址范圍地址范圍 存存儲(chǔ)容量儲(chǔ)容量 0 0 YO0 0 YO* * IC1 0000H-3FFFH IC1 0000H-3FFFH 16K16K 0 1 Y1 0 1 Y1* * IC2 4000H

22、-7FFFH IC2 4000H-7FFFH 16K16K 1 0 Y2 1 0 Y2* * IC3 8000H-BFFFH IC3 8000H-BFFFH 16K16K 1 1 Y3 1 1 Y3* * IC4 C000H-FFFFH IC4 C000H-FFFFH 16K 16K 單片單片6225662256與與80318031的接口電路如圖的接口電路如圖8-238-23所示。地所示。地址范圍為址范圍為0000H0000H7FFFH7FFFH。 例例8-1 8-1 編寫程序?qū)⑵饩帉懗绦驅(qū)⑵釸AMRAM中中5000H5000H50FFH50FFH單元全部清單元全部清零。零。方法方法1 1

23、：用用DPTRDPTR作為數(shù)據(jù)區(qū)地址指針，同時(shí)運(yùn)用字節(jié)計(jì)數(shù)器。作為數(shù)據(jù)區(qū)地址指針，同時(shí)運(yùn)用字節(jié)計(jì)數(shù)器。 MOV DPTRMOV DPTR，#5000H#5000H；設(shè)置數(shù)據(jù)塊指針的初值；設(shè)置數(shù)據(jù)塊指針的初值 MOV R7MOV R7，#00H#00H ；設(shè)置塊長度計(jì)數(shù)器初值；設(shè)置塊長度計(jì)數(shù)器初值 CLR ACLR ALOOPLOOP： MOVX DPTRMOVX DPTR，A A ；把某一單元清零；把某一單元清零 INC DPTRINC DPTR ；地址指針加；地址指針加1 1 DJNZ R7 DJNZ R7，LOOP LOOP ；數(shù)據(jù)塊長度減；數(shù)據(jù)塊長度減1 1，假設(shè)不，假設(shè)不為為 0 0那

24、么繼續(xù)清零那么繼續(xù)清零HEREHERE： SJMP HERESJMP HERE ；執(zhí)行終了，原地踏步；執(zhí)行終了，原地踏步 方法方法2 2： 用用DPTRDPTR作為數(shù)據(jù)區(qū)地址指針，但不運(yùn)用字節(jié)計(jì)作為數(shù)據(jù)區(qū)地址指針，但不運(yùn)用字節(jié)計(jì)數(shù)器，而是比較特征地址。數(shù)器，而是比較特征地址。MOV DPTRMOV DPTR，#5000H#5000HCLR ACLR ALOOPLOOP：MOVX DPTRMOVX DPTR，A AINC DPTRINC DPTRMOV R7MOV R7，DPLDPLCJNE R7CJNE R7，#0#0，LOOP LOOP ；與末地址；與末地址+1+1比較比較HEREHERE：

25、SJMP HERESJMP HERE8.6 EPROM8.6 EPROM和和RAMRAM的綜合擴(kuò)展的綜合擴(kuò)展8.6.1 8.6.1 綜合擴(kuò)展的硬件接口電路綜合擴(kuò)展的硬件接口電路例例8-2 8-2 采用線選法擴(kuò)展采用線選法擴(kuò)展2 2片片8KB8KB的的RAMRAM和和2 2片片8KB8KB的的EPROM, RAMEPROM, RAM選選62646264，EPROMEPROM選選27642764。IC2IC2和和IC4IC4占用地址空間為占用地址空間為2000H2000H3FFFH3FFFH共共8KB8KB。同理。同理IC1IC1、IC3IC3地址范圍地址范圍4000H4000H5FFFH5FFF

26、HP2.6=1P2.6=1、P2.5=0P2.5=0、P2.7=0P2.7=0。線選法地址不延續(xù)，地址空間利用不充分。線選法地址不延續(xù)，地址空間利用不充分。例例8-3 8-3 采用譯碼器法擴(kuò)展采用譯碼器法擴(kuò)展2 2片片8KB EPROM8KB EPROM，2 2片片8KB 8KB RAMRAM。EPROMEPROM選用選用27642764，RAMRAM選用選用62646264。共擴(kuò)展。共擴(kuò)展4 4片芯片。片芯片。 可見譯碼法進(jìn)展地址分配，各芯片地址空間是延續(xù)的。可見譯碼法進(jìn)展地址分配，各芯片地址空間是延續(xù)的。IC2IC2和和IC4IC4占用地址空間為占用地址空間為2000H2000H3FFFH

27、3FFFH共共8KB8KB。同理。同理IC1IC1、IC3IC3地址范圍地址范圍4000H4000H5FFFH5FFFHP2.6=1P2.6=1、P2.5=0P2.5=0、P2.7=0P2.7=0。線選法地址不延續(xù)，地址空間利用不充分。線選法地址不延續(xù)，地址空間利用不充分。例例8-3 8-3 采用譯碼器法擴(kuò)展采用譯碼器法擴(kuò)展2 2片片8KB EPROM8KB EPROM，2 2片片8KB 8KB RAMRAM。EPROMEPROM選用選用27642764，RAMRAM選用選用62646264。共擴(kuò)展。共擴(kuò)展4 4片芯片。片芯片。 可見譯碼法進(jìn)展地址分配，各芯片地址空間是延續(xù)的。可見譯碼法進(jìn)展地

28、址分配，各芯片地址空間是延續(xù)的。8.6.2 8.6.2 外擴(kuò)存儲(chǔ)器電路的任務(wù)原理及軟件設(shè)計(jì)外擴(kuò)存儲(chǔ)器電路的任務(wù)原理及軟件設(shè)計(jì) 1. 1. 單片機(jī)片外程序區(qū)讀指令過程單片機(jī)片外程序區(qū)讀指令過程 2. 2. 單片機(jī)片外數(shù)據(jù)區(qū)讀寫數(shù)據(jù)過程單片機(jī)片外數(shù)據(jù)區(qū)讀寫數(shù)據(jù)過程 例如，把片外例如，把片外1000H1000H單元的數(shù)送到片內(nèi)單元的數(shù)送到片內(nèi)RAM 50HRAM 50H單元，單元，程序如下：程序如下：MOV DPTRMOV DPTR，#1000H#1000HMOVX AMOVX A，DPTRDPTRMOV 50HMOV 50H，A A 例如，把片內(nèi)例如，把片內(nèi)50H50H單元的數(shù)據(jù)送到片外單元的數(shù)據(jù)

29、送到片外1000H1000H單元中，單元中，程序如下：程序如下：MOV A,50HMOV A,50HMOV DPTR,#1000HMOV DPTR,#1000HMOVX DPTR,AMOVX DPTR,AMCS-51MCS-51單片機(jī)讀寫片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中的內(nèi)容，單片機(jī)讀寫片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中的內(nèi)容，除用除用MOVX A,DPTRMOVX A,DPTR和和MOVX DPTR,AMOVX DPTR,A外，還可運(yùn)用外，還可運(yùn)用MOVX A,RiMOVX A,Ri和和MOVX Ri,AMOVX Ri,A。這時(shí)經(jīng)過。這時(shí)經(jīng)過P0P0口輸出口輸出RiRi中的內(nèi)容低中的內(nèi)容低8 8位地址，而把位地址，而把P2P

30、2口原有的內(nèi)口原有的內(nèi)容作為高容作為高8 8位地址輸出。位地址輸出。例例8-4 8-4 將程序存儲(chǔ)器中以將程序存儲(chǔ)器中以TABTAB為首址的為首址的3232個(gè)單元個(gè)單元的內(nèi)容依次傳送到外部的內(nèi)容依次傳送到外部RAMRAM以以7000H7000H為首地址的區(qū)域去。為首地址的區(qū)域去。DPTRDPTR指向標(biāo)號(hào)指向標(biāo)號(hào)TABTAB的首地址。的首地址。R0R0既指示外部既指示外部RAMRAM的的地址，又表示數(shù)據(jù)標(biāo)號(hào)地址，又表示數(shù)據(jù)標(biāo)號(hào)TABTAB的位移量。本程序的循環(huán)次的位移量。本程序的循環(huán)次數(shù)為數(shù)為3232，R0R0的值：的值：0 03131，R0R0值到達(dá)值到達(dá)3232就終了循環(huán)。就終了循環(huán)。MOV

31、MOVP2,#70HP2,#70HMOVMOVDPTR,#TABDPTR,#TABMOVMOVR0,#0R0,#0AGIN:AGIN:MOVMOVA,R0A,R0MOVCMOVC A,A+DPTRA,A+DPTRMOVXMOVX R0,AR0,AINCINCR0R0CJNECJNE R0,#32,AGINR0,#32,AGINHERE:HERE:SJMPSJMP HEREHERETAB:TAB:DB DB 8.7 E2PROM8.7 E2PROM的擴(kuò)展的擴(kuò)展 保管信息長達(dá)保管信息長達(dá)2020年，不存在日光下信息緩慢喪失的問年，不存在日光下信息緩慢喪失的問題。題。 8.7.1 8.7.1 常用的

32、常用的E2PROME2PROM芯片芯片 在芯片的引腳設(shè)計(jì)上，在芯片的引腳設(shè)計(jì)上， 2KB2KB的的E2PROM 2816E2PROM 2816與與EPROM 2716EPROM 2716和和RAM 6116RAM 6116兼容兼容 8KB8KB的的E2PROM 2864AE2PROM 2864A與與EPROM 2764EPROM 2764和和RAM 6264RAM 6264兼容兼容28162816、28172817和和2864A2864A的讀出時(shí)間均為的讀出時(shí)間均為250ns250ns，寫，寫入時(shí)間入時(shí)間10ms10ms。E2PROME2PROM的主要性能見表的主要性能見表8-108-10P1

33、91P191。8.7 E2PROM8.7 E2PROM的擴(kuò)展的擴(kuò)展 保管信息長達(dá)保管信息長達(dá)2020年，不存在日光下信息緩慢喪失的問年，不存在日光下信息緩慢喪失的問題。題。 8.7.1 8.7.1 常用的常用的E2PROME2PROM芯片芯片 在芯片的引腳設(shè)計(jì)上，在芯片的引腳設(shè)計(jì)上， 2KB2KB的的E2PROM 2816E2PROM 2816與與EPROM 2716EPROM 2716和和RAM 6116RAM 6116兼容兼容 8KB8KB的的E2PROM 2864AE2PROM 2864A與與EPROM 2764EPROM 2764和和RAM 6264RAM 6264兼容兼容281628

34、16、28172817和和2864A2864A的讀出時(shí)間均為的讀出時(shí)間均為250ns250ns，寫，寫入時(shí)間入時(shí)間10ms10ms。E2PROME2PROM的主要性能見表的主要性能見表8-108-10P191P191。8.7.3 MCS-518.7.3 MCS-51擴(kuò)展擴(kuò)展E2PROME2PROM的方法的方法 1.MCS-511.MCS-51外擴(kuò)外擴(kuò)2817A 2817A 2817A2817A既可作為外部的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，又可作為程序既可作為外部的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，又可作為程序存儲(chǔ)器。經(jīng)過存儲(chǔ)器。經(jīng)過P1.0P1.0查詢查詢2817A2817A的的RDY/BUSYRDY/BUSY* *形狀，來完形狀，來

35、完成對(duì)成對(duì)2817A2817A的寫操作。片選信號(hào)由的寫操作。片選信號(hào)由P2.7P2.7提供。提供。8.7.3 MCS-518.7.3 MCS-51擴(kuò)展擴(kuò)展E2PROME2PROM的方法的方法 1.MCS-511.MCS-51外擴(kuò)外擴(kuò)2817A 2817A 2817A2817A既可作為外部的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，又可作為程序既可作為外部的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，又可作為程序存儲(chǔ)器。經(jīng)過存儲(chǔ)器。經(jīng)過P1.0P1.0查詢查詢2817A2817A的的RDY/BUSYRDY/BUSY* *形狀，來完形狀，來完成對(duì)成對(duì)2817A2817A的寫操作。片選信號(hào)由的寫操作。片選信號(hào)由P2.7P2.7提供。提供。 2.MCS-51 2.MCS-51外擴(kuò)外擴(kuò)2864A 2864A 片選端與片選端與P2.7P2.7銜接，銜接，P2.7=0P2.7=0才選中才選中2864A2864A，線，線選法決議了選法決議了2864