計(jì)算機(jī)組成原理控制器實(shí)驗(yàn)報(bào)告

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上實(shí)驗(yàn)題目控制器小組合作否姓名班級(jí)12級(jí)計(jì)本班學(xué) 號(hào)一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康氖炀氄莆沾鎯?chǔ)器的讀寫原理，完成“觀察思考”的要求兩人為組，提交電子版實(shí)驗(yàn)報(bào)告：根據(jù)指導(dǎo)書中“觀察思考”的要求，記錄實(shí)驗(yàn)過程和結(jié)果。實(shí)驗(yàn)心得體會(huì)。雷同報(bào)告的處理：得分為D，并重做實(shí)驗(yàn)報(bào)告(僅一次機(jī)會(huì))；該次實(shí)驗(yàn)的最終成績(jī)以二次實(shí)驗(yàn)報(bào)告成績(jī)?yōu)闇?zhǔn)。掌握靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM工作特性及數(shù)據(jù)的讀寫方法。二實(shí)驗(yàn)環(huán)境實(shí)驗(yàn)室三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容與步驟存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)原理圖： 2、實(shí)驗(yàn)步驟： 形成時(shí)鐘脈沖信號(hào)T3。根據(jù)“2.3.710)” ，時(shí)序電路的開關(guān)設(shè)置為： STOP=RUN、STEP=STEP 發(fā)單脈沖STOP=RUN、 STEP=

2、EXEC(STEP=0) 發(fā)連續(xù)脈沖連線ADDRESS UNIT的LDAR（單針）與SWITCH UNIT的LDAR（雙針）的連接；MAIN MEM單元的A7A0與EXT BUS單元的AD0AD7的連接（高、低位交叉連接）寫存儲(chǔ)器：寫地址、寫數(shù)據(jù)。讀存儲(chǔ)器寫地址、讀存儲(chǔ)器。 四、實(shí)驗(yàn)過程與分析(1) 形成時(shí)鐘脈沖信號(hào)T3。具體接線方法和操作步驟如下： 接通電源，用示波器接入方波信號(hào)源的輸出插孔H23，調(diào)節(jié)電位器W1 及W2 ，使H23 端輸出實(shí)驗(yàn)所期望的頻率及占空比的方波。 將時(shí)序電路模塊（STATE UNIT）單元中的和信號(hào)源單元（SIGNAL UNIT）中的H23 排針相連。 在時(shí)序電路模

3、塊中有兩個(gè)二進(jìn)制開關(guān)“STOP”和“STEP” 。將“STOP”開關(guān)置為“RUN”狀 3 態(tài)、“STEP”開關(guān)置為“EXEC”狀態(tài)時(shí)，按動(dòng)微動(dòng)開關(guān)START，則TS3端即輸出為連續(xù)的方波信號(hào)，此時(shí)調(diào)節(jié)電位器W1，用示波器觀察，使T3 輸出實(shí)驗(yàn)要求的脈沖信號(hào)。當(dāng)“STOP”開關(guān)置為“RUN”狀態(tài)、“STEP”開關(guān)置為“STEP”狀態(tài)時(shí)，每按動(dòng)一次微動(dòng)開關(guān)START，則T3 輸出一個(gè)單脈沖，其脈沖寬度與連續(xù)方式相同。若用PC 聯(lián)機(jī)軟件中的示波器功能也能看到波形，可以代替真實(shí)示波器。實(shí)驗(yàn)測(cè)得的實(shí)驗(yàn)頻率和周期分別為：f=104.49HZ，T=9.57ms (2) 按圖連接實(shí)驗(yàn)線路，仔細(xì)查線無誤后接通電

4、源。 (3) 寫存儲(chǔ)器 給存儲(chǔ)器的00、01、02、03、04 地址單元中分別寫入數(shù)據(jù)11、12、13、14、15。 由上面的存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)原理圖看出，由于數(shù)據(jù)和地址全由一個(gè)數(shù)據(jù)開關(guān)來給出，這就要分時(shí)地給出。下面的寫存儲(chǔ)器要分兩個(gè)步驟，第一步寫地址，先關(guān)掉存儲(chǔ)器的片選（CE=1），打開地址鎖存器門控信號(hào)（LDAR=1），打開數(shù)據(jù)開關(guān)三態(tài)門（SW-B=0），由開關(guān)給出要寫存儲(chǔ)單元的地址，按動(dòng)START 產(chǎn)生T3 脈沖將地址打入到地址鎖存器，第二步寫數(shù)據(jù)，關(guān)掉地址鎖存器門控信號(hào)（LDAR=0），打開存儲(chǔ)器片選，使處于寫狀態(tài)（CE=0，WE=1），由開關(guān)給出此單元要寫入的數(shù)據(jù)，按動(dòng)START 產(chǎn)生T3

5、脈沖將數(shù)據(jù)寫入到當(dāng)前的地址單元中。寫其它單元依次循環(huán)上述步驟。 寫存儲(chǔ)器流程如下：（以向00 號(hào)單元寫入11 為例） (4) 讀存儲(chǔ)器 依次讀出第 00、01、02、03、04 號(hào)單元中的內(nèi)容，觀察上述各單元中的內(nèi)容是否與前面寫入的一致。同寫操作類似，讀每個(gè)單元也需要兩步，第一步寫地址，先關(guān)掉存儲(chǔ)器的片選（CE=1），打開地址鎖存器門控信號(hào)（LDAR=1），打開數(shù)據(jù)開關(guān)三態(tài)門（SW-B=0），由開關(guān)給出要寫存儲(chǔ)單元的地址，按動(dòng)START 產(chǎn)生T3 脈沖將地址打入到地址鎖存器；第二步讀存儲(chǔ)器，關(guān)掉地址鎖存器門控信號(hào)（LDAR=0），關(guān)掉數(shù)據(jù)開關(guān)三態(tài)門（SW-B=1），片選存儲(chǔ)器，使它處于讀狀態(tài)（

6、CE=0，WE=0），此時(shí)數(shù)據(jù)總線上顯示的數(shù)據(jù)即為從存儲(chǔ)器當(dāng)前地址中讀出的數(shù)據(jù)內(nèi)容。讀其它單元依次循環(huán)上述步驟。讀存儲(chǔ)器操作流程如下：（以從00 號(hào)單元讀出1 1 數(shù)據(jù)為例。 (5)將存儲(chǔ)單元內(nèi)數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算 在原來實(shí)驗(yàn)連線的基礎(chǔ)上，按如下所示圖連線。 5 其中，由于某些端口需要重復(fù)連接，所以為防止出現(xiàn)運(yùn)算錯(cuò)誤，借連接到其他端口上。，如：ALU-B借連接到299-B，LDDR1借連接到LDPC，LDDR2借連接到AR上。 進(jìn)行讀操作，讀出03號(hào)地址中數(shù)據(jù)，然后置SW-B=1,ALU-B=1(即使299-B開關(guān)置1)， LDAR=0,CE=0,LDDR1=1(LDPC=1),LDDR2=0( AR

7、=0),按動(dòng)微動(dòng)開關(guān)KK2，則將03號(hào)地址中的數(shù)據(jù)輸入保存到LDDR1中。 進(jìn)行讀操作,讀出04號(hào)地址中數(shù)據(jù),然后SW-B, ALU-B, LDAR, CE開關(guān)置數(shù)保持不 變,LDDR1=0,LDDDR2=1,按動(dòng)微動(dòng)開關(guān)KK2，則將04號(hào)地址中數(shù)據(jù)輸入保存到LDDR2。 SW-B=1，ALU-B=0，CE=1,再分別將S3、S2、S1、S0、M、Cn分別置為，則3、4號(hào)地址中數(shù) 據(jù)進(jìn)行加法運(yùn)算。 將結(jié)果送入8號(hào)單元，將LDDR1，LDDR2全置0，然后按動(dòng)微動(dòng)開關(guān)KK2，將加法運(yùn)算的結(jié)果送入 LDDR1中，接著進(jìn)行寫地址操作：CE=1，LDAR=1，SW-B=0，由開關(guān)給出地址（），按動(dòng)START鍵產(chǎn)生T3脈沖將地址打入地址鎖存器。然后寫入數(shù)據(jù)： SW-B=0,ALU-B=0，按動(dòng)KK2開關(guān)，將LDDR1中的數(shù)據(jù)輸出到總線上，然后關(guān)閉地址鎖存器LDAR=0打開存儲(chǔ)器片選，使CE=0，WE=1，按動(dòng)START開關(guān)將總線上的數(shù)據(jù)寫入到8號(hào)地址單元中。五、實(shí)驗(yàn)總結(jié)經(jīng)過存儲(chǔ)器試驗(yàn)，我深刻認(rèn)識(shí)到存儲(chǔ)器的工作原理，以及存儲(chǔ)器在寫存儲(chǔ)和讀存儲(chǔ)的過程。熟練地掌握了計(jì)算機(jī)五大模塊之一的存儲(chǔ)器，在連線過程中我也能夠更加熟練地連接線，有了很大