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![激光芯片測(cè)試_第3頁](http://file3.renrendoc.com/fileroot_temp3/2022-5/20/97acd251-83cd-478e-b9dd-71dd8c6f12b6/97acd251-83cd-478e-b9dd-71dd8c6f12b63.gif)
![激光芯片測(cè)試_第4頁](http://file3.renrendoc.com/fileroot_temp3/2022-5/20/97acd251-83cd-478e-b9dd-71dd8c6f12b6/97acd251-83cd-478e-b9dd-71dd8c6f12b64.gif)
![激光芯片測(cè)試_第5頁](http://file3.renrendoc.com/fileroot_temp3/2022-5/20/97acd251-83cd-478e-b9dd-71dd8c6f12b6/97acd251-83cd-478e-b9dd-71dd8c6f12b65.gif)
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1、激光芯片測(cè)試:測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備:CCD(2個(gè)):上方用于俯視芯片位置,后方用于后視芯片和透鏡之間的距離。電流源(80-123mA):經(jīng)過測(cè)試電流在這個(gè)范圍內(nèi),測(cè)試出來的光功率相對(duì)較大。給芯片提供電流。放置于芯片的兩側(cè)。透鏡(LENS)一對(duì):用于將芯片發(fā)出的光進(jìn)行匯聚到功率計(jì)的探頭上。透鏡有兩端,小端為進(jìn)光口,大端為出光口。TEC(半導(dǎo)體制冷器):DC=1v在溫度為15°C時(shí),光功率最高。TEC的溫度通過調(diào)節(jié)供電電壓來調(diào)節(jié),可以用萬用表的溫度檔檢測(cè)功率計(jì)(81618A/81533B):20mw注意事項(xiàng):平時(shí)探頭不用時(shí)需要蓋上防塵帽,定期保養(yǎng),用無塵布和酒精擦拭。光源:波長(zhǎng)1310測(cè)試882
2、芯片波長(zhǎng)1550測(cè)試871芯片光譜分析儀準(zhǔn)直器:準(zhǔn)直器型號(hào)(接頭):APC(接頭為斜8度)-FC(金屬外殼)PC(平角)-FCSC(塑料外殼)TC(金屬外殼)測(cè)試參數(shù):出光功率:P1P2(P1/P2如下圖)飽和光功率:Psat(測(cè)試條件:Pin=-3dbm)增益GainP(測(cè)試條件:Pin:-25dbm,入=1310nm)影響芯片出光的因素:熱敏電阻1,芯片的尺寸大?。豪?20um和670um花匕王全錫捏赳走向幸存<57金錫焊料(導(dǎo)電)金錫焊料芯片電壓為0.68v芯片上(有導(dǎo)光槽)P1出光口一廣P2出光口測(cè)試系統(tǒng)平臺(tái)搭建:上(垂直方向)CCD鏡頭支架(上下左右前后可調(diào)),后(縱向)CC
3、D鏡頭支架(上下左右前后可調(diào)),供電探針支架正負(fù)極(2個(gè)上下左右前后可調(diào)),透鏡支架(2個(gè)上下左右前后可調(diào)),TEC托盤,功率計(jì)探頭支架(2個(gè)上下左右前后可調(diào))設(shè)備儀器相關(guān)信息:電流源:E-TEKEA-3010LASERPOWERSUPPLY&STABILIZER功率計(jì):Agilent8163ALightwaveMultimeter電壓源:HPE3620A0-25V0-1ADUALOUTPUTDCPOWERSUPPLY光譜分析儀(OSA):HP70004A光源:HP8167BTUNABLELASERSOURSEF1310nm衰減器:Agilent8156AOpticalAttenuat
4、or待解決的疑惑:1 .電流源設(shè)置為123mA未加芯片默認(rèn)值為101mA,加上芯片為123mA后來默認(rèn)值為-0.05mA,加上芯片后為123mA,-0.05應(yīng)該為正常值,需將未加芯片時(shí)的默認(rèn)值校正為0mA電流源設(shè)置為80mA未加芯片默認(rèn)值為80mA,加上芯片為80mA待測(cè)試2 .芯片導(dǎo)光槽出光角度,平面還是三維?3 .測(cè)試探頭的參數(shù)指標(biāo)(性能)要求4 .如何保證測(cè)試平臺(tái)和環(huán)境的穩(wěn)定,及測(cè)試數(shù)據(jù)的穩(wěn)定與可靠。由于目前測(cè)試平臺(tái)和條件的限制,測(cè)試數(shù)據(jù)會(huì)出現(xiàn)不穩(wěn)定和較大的誤差。5 .出光功率P1和P2理論上應(yīng)該時(shí)相等的,但實(shí)際相差很大,原因?理論上P1=P2,但是實(shí)際值是由于誤差和測(cè)試條件的限制,會(huì)有
5、一定的差距。6 .電流源上的LD和PD的作用?其和芯片LD和PD有何關(guān)系?LD為激光器發(fā)射芯片,PD為監(jiān)控芯片7 .激光芯片尺寸白定義?如882/871待查飽和光功率測(cè)試Psat:測(cè)試芯片:1550nm的激光器芯片測(cè)試設(shè)備:功率計(jì)和光源,光纖(一端是連接頭,另一端是準(zhǔn)直器)將光源的輸出波長(zhǎng)設(shè)置為1550nm,功率為-3dBm目前的測(cè)試方式是:,然后去掉一端的功率計(jì)探頭換成帶有將測(cè)試平臺(tái)的出光功率調(diào)試到最佳狀態(tài)(功率最大)準(zhǔn)直器的光纖(光纖的另一端接光源)(光源)一1(光纖連接頭)一一_18a1550nm,直器fc*人-3dBm(光纖)-八八功率計(jì)探頭00增益測(cè)試P:目前的測(cè)試方式:如果光源不能直接提供需要的輸出功率(例如-25dBm),那就需
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