單相半橋無源逆變電路的設(shè)計(jì)要點(diǎn)_第1頁(yè)
單相半橋無源逆變電路的設(shè)計(jì)要點(diǎn)_第2頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩18頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、基于MOSFET的單相半橋無源逆變電路的設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)目的:1掌握單相橋式全控橋整流電路和單相半橋無源逆變電路的工作原理,進(jìn)行結(jié)合完成交-直-交電路的設(shè)計(jì);2熟悉兩種電路的拓?fù)?,控制方法?掌握兩種電路的主電路,驅(qū)動(dòng)電路,保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方法,元器件參數(shù)的計(jì)算方法;4培養(yǎng)一定的電力電子的實(shí)驗(yàn)和調(diào)試能力;5培養(yǎng)學(xué)生綜合運(yùn)用知識(shí)解決問題的能力與實(shí)際動(dòng)手能力;6加深理解電力電子技術(shù)課程的基本理論;設(shè)計(jì)指標(biāo):MOSFET電壓型單相半橋無源逆變電路設(shè)計(jì)(純電阻負(fù)載)(1) 輸入直流電壓:Ui=200V(2) 輸出功率:500W(3) 輸出電壓波形:1KHz方波總體目標(biāo)及任務(wù):選擇整流電路,計(jì)算整流變壓器額定參數(shù)

2、,選擇全控器件的額定電壓電流,計(jì)算平波電抗器感值,設(shè)計(jì)保護(hù)電路,全控器件觸發(fā)電路的設(shè)計(jì),畫出主電路原理圖和控制電路原理圖,進(jìn)行Matlab的仿真,畫出輸出電壓,電流模擬圖。1主電路的設(shè)計(jì):(1) 整流部分主電路設(shè)計(jì):單項(xiàng)橋式全控整流電路帶電阻性負(fù)載電路如圖(1):在單項(xiàng)橋式全控整流電路中,晶閘管VT和VT組成一對(duì)橋臂,VT和VT組1 423成另一對(duì)橋臂。在u正半周(即a點(diǎn)電位高于b點(diǎn)電位),若4個(gè)晶閘管均不導(dǎo)2通,負(fù)載電流i為零,u也為零,VT、VT串聯(lián)承受電壓u,設(shè)VT和VT的漏電dd14214阻相等,則各承受u2的一半。若在觸發(fā)角a處給VT1和VT加觸發(fā)脈沖,VT、41VT即導(dǎo)通,電流從a

3、端經(jīng)VT、R、VT流回電源b端。當(dāng)u為零時(shí),流經(jīng)晶閘管4142的電流也降到零,VT和VT關(guān)斷。14在u2負(fù)半周,仍在觸發(fā)延遲角a處觸發(fā)VT和VT(VT和VT的a=0處為32 323t=n),VT和VT導(dǎo)通,電流從電源的b端流出,經(jīng)VT、R、VT流回電源a端。2332到u2過零時(shí),電流又降為零,VT和VT關(guān)斷。此后又是VT1和VT4導(dǎo)通,如此23循環(huán)的工作下去,整流電壓ud和晶閘管VT、VT兩端的電壓波形如下圖(2)所14示。晶閘管承受的最大正向電壓和反向電壓分別為空U和訂2U。222工作原理:第1階段(031):這階段u2在正半周期,a點(diǎn)電位高于b點(diǎn)電位晶閘管1VT和VT方向串聯(lián)后于u連接,V

4、T承受正向電壓為u/2,VT承受u/2的反向1221222電壓;同樣VT和VT反向串聯(lián)后與u連接,VT承受u/2的正向電壓,VT承受3 42324u/2的反向電壓。雖然VT和VT受正向電壓,但是尚未觸發(fā)導(dǎo)通,負(fù)載沒有電213流通過,所以U=0,i=0。dd第2階段(stn):在st時(shí)同時(shí)觸發(fā)VT和VT,由于VT和VT受正向111313電壓而導(dǎo)通,有電流經(jīng)a點(diǎn)一VTfRVT-變壓器b點(diǎn)形成回路。在這段區(qū)間里,13u=u,i=i=i=u/R。由于VT和VT導(dǎo)通,忽略管壓降,u二u=0,而承受的d2dVT1VT3d13VT1VT2電壓為u=u=u。VT2VT42第3階段(nst):從st=皿開始u2

5、進(jìn)入了負(fù)半周期,b點(diǎn)電位高于a2點(diǎn)電位,VT1和VT3由于受反向電壓而關(guān)斷,這時(shí)VTVT都不導(dǎo)通,各晶閘管14承受u/2的電壓,但VT和VT承受的事反向電壓,VT和VT承受的是正向電壓,21324負(fù)載沒有電流通過,u=0,i=i=0。dd2第4階段(stn):在st時(shí),u2電壓為負(fù),VT2和VT4受正向電壓,觸22發(fā)VT2和VT4導(dǎo)通,有電流經(jīng)過b點(diǎn)fVTfRfVTa點(diǎn),在這段區(qū)間里,u=u,24d2i=i=i=i=u/R。由于VT和VT導(dǎo)通,VT和VT承受u的負(fù)半周期電壓,至dVT2VT42d24242此一個(gè)周期工作完畢,下一個(gè)周期,充復(fù)上述過程,單項(xiàng)橋式整流電路兩次脈沖間隔為180

6、6;。(2)逆變部分主電路設(shè)計(jì):如圖所示,它有兩個(gè)橋臂,每個(gè)橋臂由一個(gè)全控器件和一個(gè)二極管反并聯(lián)而成。在直流側(cè)有兩個(gè)相互串聯(lián)的大電容,兩個(gè)電容的中點(diǎn)為直流電源中點(diǎn)。負(fù)載接在直流電源中點(diǎn)和兩個(gè)橋臂連接點(diǎn)之間。開關(guān)器件設(shè)為VI和V2,當(dāng)負(fù)載為感性時(shí),輸出為矩形波,Um=Ud/2.剛開始V1為通態(tài),V2為斷態(tài),給V1關(guān)斷信號(hào),V2開通信號(hào)后,V1關(guān)斷,但由于感性負(fù)載,電流方向不能立即改變,就沿著VD2續(xù)流,直到電流為零時(shí)VD2截止,V2開通,電流開始反向。依此原理,V1和V2交替導(dǎo)通,VD1和VD2交替續(xù)流。此電路優(yōu)點(diǎn)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,使用器件少,缺點(diǎn)是輸出交流電壓幅值僅為Ud/2。(3) 控制電路的設(shè)

7、計(jì):控制電路需要實(shí)現(xiàn)的功能是產(chǎn)生控制信號(hào),用于逆變電路中功率器件的通斷,通過對(duì)逆變角的調(diào)節(jié)而達(dá)到對(duì)逆變后的交流電壓的調(diào)節(jié)。我們采用PWM控制方法,進(jìn)行連續(xù)控制,我們采用了SG3525芯片,它是一款專用的PWM控制集成芯片,它采用恒頻調(diào)寬控制方案,內(nèi)部包括精密基準(zhǔn)源,鋸齒波振蕩器,誤差放大器,比較器,分頻器和保護(hù)電路等。SG3525是電流控制型PWM控制器,所謂電流控制型脈寬調(diào)制器是按照接反饋電流來調(diào)節(jié)脈寬的。在脈寬比較器的輸入端直接用流過輸出電感線圈的信號(hào)與誤差放大器輸出信號(hào)進(jìn)行比較,從而調(diào)節(jié)占空比使輸出的電感峰值電流跟隨誤差電壓變化而變化。由于結(jié)構(gòu)上有電壓環(huán)和電流環(huán)雙環(huán)系統(tǒng),因此,無論開關(guān)電

8、源的電壓調(diào)整率、負(fù)載調(diào)整率和瞬態(tài)響應(yīng)特性都有提高,是目前比較理想的新型控制器。SG3525的結(jié)構(gòu)和工作原理:RepresentativeBlockDiagramTblrtera二右N'JTLE'"亠3ui3e-Sjto*-1OTRefrw«n:r壬VCCOSCCwu:OOuitxr4亠go.MQ"ir>"pitCupLBSG3W7OrtpUSla(pv:“ITjitfViBffEAv地ZlW11S蛙制檢電端I尸牙利*I反牆霸扎匚|SU腳入匚|S|*?«匚弄也茁娟出匚CTLl.lnv.input(引腳1):誤差放大器反向輸入

9、端。在閉環(huán)系統(tǒng)中,該引腳接反饋信號(hào)。在開環(huán)系統(tǒng)中,該端與補(bǔ)償信號(hào)輸入端(引腳9)相連,可構(gòu)成跟隨器。2.Noninv.input(引腳2):誤差放大器同向輸入端。在閉環(huán)系統(tǒng)和開環(huán)系統(tǒng)中,該端接給定信號(hào)。根據(jù)需要,在該端與補(bǔ)償信號(hào)輸入端(引腳9)之間接入不同類型的反饋網(wǎng)絡(luò),可以構(gòu)成比例、比例積分和積分等類型的調(diào)節(jié)器。3.Sync(引腳3):振蕩器外接同步信號(hào)輸入端。該端接外部同步脈沖信號(hào)可實(shí)現(xiàn)與外電路同步。4.0SC.0utput(引腳4):振蕩器輸出端。5. CT(引腳5):振蕩器定時(shí)電容接入端。6. RT(引腳6):振蕩器定時(shí)電阻接入端。7. Discharge(引腳7):振蕩器放電端。該端

10、與引腳5之間外接一只放電電阻,構(gòu)成放電回路。8.Soft-Start引腳8):軟啟動(dòng)電容接入端。該端通常接一只5的軟啟動(dòng)電容。9.Compensation(引腳9):PWM比較器補(bǔ)償信號(hào)輸入端。在該端與引腳2之間接入不同類型的反饋網(wǎng)絡(luò),可以構(gòu)成比例、比例積分和積分等類型調(diào)節(jié)器。10.Shutdown(引腳10):外部關(guān)斷信號(hào)輸入端。該端接高電平時(shí)控制器輸出被禁止。該端可與保護(hù)電路相連,以實(shí)現(xiàn)故障保護(hù)。11.OutputA(引腳11):輸出端A。引腳11和引腳14是兩路互補(bǔ)輸出端。12. Ground(引腳12):信號(hào)地。13. VC(引腳13):輸出級(jí)偏置電壓接入端。14.OutputB(引腳

11、14):輸出端B。引腳14和引腳11是兩路互補(bǔ)輸出端。15. VCC(引腳15):偏置電源接入端。16. Vref(引腳16):基準(zhǔn)電源輸出端。該端可輸出一溫度穩(wěn)定性極好的基準(zhǔn)其中,腳16為SG3525的基準(zhǔn)電壓源輸出,精度可以達(dá)到(5.1±1%)V,采用了溫度補(bǔ)償,而且設(shè)有過流保護(hù)電路。腳5,腳6,腳7內(nèi)有一個(gè)雙門限比較器,內(nèi)電容充放電電路,加上外接的電阻電容電路共同構(gòu)成SG3525的振蕩器。振蕩器還設(shè)有外同步輸入端(腳3)。腳1及腳2分別為芯片內(nèi)誤差放大器的反相輸入端、同相輸入端。該放大器是一個(gè)兩級(jí)差分放大器,直流開環(huán)增益為70dB左右。SG3525的特點(diǎn)如下:(1)工作電壓范圍

12、寬:835V。(2)5.1(11.0%)V微調(diào)基準(zhǔn)電源。(3)振蕩器工作頻率范圍寬:100Hz-400KHz.(4)具有振蕩器外部同步功能。(5)死區(qū)時(shí)間可調(diào)。(6)內(nèi)置軟啟動(dòng)電路。(7)具有輸入欠電壓鎖定功能。(8)具有PWM瑣存功能,禁止多脈沖。(9)逐個(gè)脈沖關(guān)斷。(10)雙路輸出(灌電流/拉電流):mA(峰值)。各部分功能:a基準(zhǔn)電壓源:基準(zhǔn)電壓源是一個(gè)三端穩(wěn)壓電路,其輸入電壓VCC可在(835)V內(nèi)變化,通常采用+15V,其輸出電壓VST=5.1V,精度±1%,采用溫度補(bǔ)償,作為芯片內(nèi)部電路的電源,也可為芯片外圍電路提供標(biāo)準(zhǔn)電源,向外輸出電流可達(dá)400mA,沒有過流保護(hù)電路。

13、b振蕩電路:由一個(gè)雙門限電壓均從基準(zhǔn)電源取得,其高門限電壓VH=3.9V,低門限電壓VL=0.9,內(nèi)部橫流源向CT充電,其端壓VC線性上升,構(gòu)成鋸齒波的上升沿,當(dāng)VC=VH時(shí)比較器動(dòng)作,充電過程結(jié)束,上升時(shí)間t1為:11=0.67RTCT比較器動(dòng)作時(shí)使放電電路接通,CT放電,VC下降并形成鋸齒波的下降沿,當(dāng)VC=VL時(shí)比較器動(dòng)作,放電過程結(jié)束,完成一個(gè)工作循環(huán),下降時(shí)間間12為:t2=1.3RDCT注意:此時(shí)間即為死區(qū)時(shí)間鋸齒波的基本周期T為:T=11+12=(0.67RT+1.3RD)CT振蕩頻率:f=1/TCT和RT是連接腳5和腳6的振蕩器的電阻和電容,RD是于腳7相連的放電電阻的阻值。控

14、制電路圖:3U1SG3525洛jyitcMSCCSSCOMP5DVKEFOSC二OUTA§OUTBIMD32QQC3luF驅(qū)動(dòng)信號(hào)(4) 驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì):PWM調(diào)制如圖,我們采用了電氣隔離的光耦合方式。光耦合器(opticalcoupler,英文縮寫為0C)亦稱光電隔離器,簡(jiǎn)稱光耦。光耦合器以光為媒介傳輸電信號(hào)。它對(duì)輸入、輸出電信號(hào)有良好的隔離作用,所以,它在各種電路中得到廣泛的應(yīng)用。目前它已成為種類最多、用途最廣的光電器件之一。光耦合器一般由三部分組成:光的發(fā)射、光的接收及信號(hào)放大。輸入的電信號(hào)驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管(LED),使之發(fā)出一定波長(zhǎng)的光,被光探測(cè)器接收而產(chǎn)生光電流,再經(jīng)過進(jìn)一步

15、放大后輸出。這就完成了電一光一電的轉(zhuǎn)換,從而起到輸入、輸出、隔離的作用。由于光耦合器輸入輸出間互相隔離,電信號(hào)傳輸具有單向性等特點(diǎn),因而具有良好的電絕緣能力和抗干擾能力。又由于光耦合器的輸入端屬于電流型工作的低阻元件,因而具有很強(qiáng)的共模抑制能力。所以,它在長(zhǎng)線傳輸信息中作為終端隔離元件可以大大提高信噪比。在計(jì)算機(jī)數(shù)字通信及實(shí)時(shí)控制中作為信號(hào)隔離的接口器件,可以大大增加計(jì)算機(jī)工作的可靠性。光耦合器的主要優(yōu)點(diǎn)是:信號(hào)單向傳輸,輸入端與輸出端完全實(shí)現(xiàn)了電氣隔離隔離,輸出信號(hào)對(duì)輸入端無影響,抗干擾能力強(qiáng),工作穩(wěn)定,無觸點(diǎn),使用壽命長(zhǎng),傳輸效率高。光耦合器是70年代發(fā)展起來產(chǎn)新型器件,現(xiàn)已廣泛用于電氣絕

16、緣、電平轉(zhuǎn)換、級(jí)間耦合、驅(qū)動(dòng)電路、開關(guān)電路、斬波器、多諧振蕩器、信號(hào)隔離、級(jí)間隔離、脈沖放大電路、數(shù)字儀表、遠(yuǎn)距離信號(hào)傳輸、脈沖放大、固態(tài)繼電器(SSR)、儀器儀表、通信設(shè)備及微機(jī)接口中。在單片開關(guān)電源中,利用線性光耦合器可構(gòu)成光耦反饋電路,通過調(diào)節(jié)控制端電流來改變占空比,達(dá)到精密穩(wěn)壓目的。我們?cè)谀┒思右粋€(gè)推挽式放大結(jié)構(gòu)進(jìn)行電壓電流放大,達(dá)到高輸出電壓,高速,高共模抑制。(5) 保護(hù)電路的設(shè)計(jì):相對(duì)于電機(jī)和繼電器,接觸器等控制器而言,電力電子器件承受過電流和過電壓的能力較差,短時(shí)間的過電流和過電壓就會(huì)把器件損壞。但又不能完全根據(jù)裝置運(yùn)行時(shí)可能出現(xiàn)的暫時(shí)過電流和過電壓的數(shù)值來確定器件參數(shù),必須充

17、分發(fā)揮器件應(yīng)有的過載能力。因此,保護(hù)就成為提高電力電子裝置運(yùn)行可靠性必不可少的重要環(huán)節(jié)。主電路的過電壓保護(hù)設(shè)計(jì)所謂過壓保護(hù),即指流過晶閘管兩端的電壓值超過晶閘管在正常工作時(shí)所能承受的最大峰值電壓Um都稱為過電壓,其電路圖見圖3.3圖3.3產(chǎn)生過電壓的原因一般由靜電感應(yīng)、雷擊或突然切斷電感回路電流時(shí)電磁感應(yīng)所引起。其中,對(duì)雷擊產(chǎn)生的過電壓,需在變壓器的初級(jí)側(cè)接上避雷器,以保護(hù)變壓器本身的安全;而對(duì)突然切斷電感回路電流時(shí)電磁感應(yīng)所引起的過電壓,一般發(fā)生在交流側(cè)、直流側(cè)和器件上,因而,下面介紹單相橋式全控整流主電路的電壓保護(hù)方法。交流側(cè)過電壓保護(hù)過電壓產(chǎn)生過程:電源變壓器初級(jí)側(cè)突然拉閘,使變壓器的勵(lì)

18、磁電流突然切斷,鐵芯中的磁通在短時(shí)間內(nèi)變化很大,因而在變壓器的次級(jí)感應(yīng)出很高的瞬時(shí)電壓。保護(hù)方法:阻容保護(hù)直流側(cè)過電壓保護(hù)過電壓產(chǎn)生過程:當(dāng)某一橋臂的晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)突然因果載使快速熔斷器熔斷時(shí),由于直流住電路電感中儲(chǔ)存能量的釋放,會(huì)在電路的輸出端產(chǎn)生過電壓。保護(hù)方法:阻容保護(hù)主電路的過電壓保護(hù)晶閘管的保護(hù)電路1.晶閘管過電壓保護(hù)過電流保護(hù)第一種是采用電子保護(hù)電路,檢測(cè)設(shè)備的輸出電壓或輸入電流,當(dāng)輸出電壓或輸入電流超過允許值時(shí),借助整流觸發(fā)控制系統(tǒng)使整流橋短時(shí)內(nèi)工作于有源逆變工作狀態(tài),從而抑制過電壓或過電流的數(shù)值。第二種是在適當(dāng)?shù)牡胤桨惭b保護(hù)器件,例如,R-C阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器

19、、壓敏電阻或硒堆等。我們這次的課程設(shè)計(jì)采用的是第二種保護(hù)電路。(1)晶閘管變流裝置的過電流保護(hù)晶閘管變流裝置運(yùn)行不正?;蛘甙l(fā)生故障時(shí),可能會(huì)發(fā)生過電流,過電流分過載和短路兩種情況,由于晶閘管的熱容量較小,以及從管心到散熱器的傳導(dǎo)途徑中要遭受到一系列熱阻,所以一旦過電流,結(jié)溫上升很快,特別在瞬時(shí)短路電流通過時(shí),內(nèi)部熱量來不及傳導(dǎo),結(jié)溫上升更快,晶閘管承受過載或短路電流的能力主要受結(jié)溫的限制??捎米鬟^電流保護(hù)電路的主要有快速熔斷器,直流快速熔斷器和過電流繼電器等。在此我們采用快速熔斷器措施來進(jìn)行過電流保護(hù)。過電流保護(hù)采用快速熔斷器是電力電子裝置中最有效、應(yīng)用最廣的一種過電流保護(hù)措施。在選擇快熔時(shí)應(yīng)

20、考慮:1)電壓等級(jí)應(yīng)根據(jù)熔斷后快熔實(shí)際承受的電壓來確定。2)電流容量應(yīng)按其在主電路中的接入方式和主電路聯(lián)結(jié)形式確定??烊垡话闩c電力半導(dǎo)體器件串聯(lián)連接,在小容量裝置中也可串接于閥側(cè)交流母線或直流母線中。3)快熔的I21值應(yīng)小于被保護(hù)器件的允許I21值、4)為保證熔體在正常過載情況下不熔化,應(yīng)考慮其時(shí)間電流特性。因?yàn)榫чl管的額定電流為10A,快速熔斷器的熔斷電流大于1.5倍的晶閘管額定電流,所以快速熔斷器的熔斷電流為15A。晶閘管變流裝置的過電壓保護(hù)電力電子裝置中可能發(fā)生的過電壓分為外因過電壓和內(nèi)因過電壓兩類。外因過電壓主要來自雷擊和系統(tǒng)中的操作過程等外部原因,內(nèi)因過電壓主要來自電力電子裝置內(nèi)部器

21、件的開關(guān)過程,過電壓保護(hù)有避雷器保護(hù),利用非線性過電壓保護(hù)元件保護(hù),利用儲(chǔ)能元件保護(hù),利用引入電壓檢測(cè)的電子保護(hù)電路作過電壓保護(hù)。在此我們采用儲(chǔ)能元件保護(hù)即阻容保護(hù)。單相阻容保護(hù)的計(jì)算公式如下:C>6i%S/0/U22廠U2l'U%R>2.32k-(32):USi%'0S:變壓器每相平均計(jì)算容量(VA)U2:變壓器副邊相電壓有效值(V)(33)i%:變壓器激磁電流百分值0U%:變壓器的短路電壓百分值。k當(dāng)變壓器的容量在(101000)KVA里面取值時(shí)i%=(410)在里面取值,0U%=(510)里面取值。k電容C的單位為口F,電阻的單位為歐姆,電容C的交流耐壓21.

22、5UeU:正常工作時(shí)阻容兩端交流電壓有效值。e根據(jù)公式算得電容值為4.8口F,交流耐壓為165V,電阻值為12.86Q,在設(shè)計(jì)中我們?nèi)‰娙轂?uF,電阻值為13Q。電流上升率、電壓上升率的抑制保護(hù)電流上升率di/dt的抑制在無緩沖電路的情況下,mosfet開通時(shí)電流迅速上升,di/dt很大,關(guān)斷時(shí)du/dt很大,并出現(xiàn)很高的過電壓。在有緩沖電路的情況下,V開通時(shí)緩沖電容Cs先通過Rs向V放電,使電流ic先上升一個(gè)臺(tái)階,以后因?yàn)橛衐i/dt抑制回路Li,ic的上升速度減慢。Ri,VDi是V關(guān)斷時(shí)為L(zhǎng)i中的磁場(chǎng)能量提供放電回路而設(shè)置的。在V關(guān)斷時(shí),負(fù)載電流通過VDs向Cs分流,減輕V的負(fù)擔(dān),抑制了

23、du/dt和過電壓。因?yàn)殛P(guān)斷時(shí)電路中電感的能量要釋放,所以還會(huì)出現(xiàn)一定的過電壓。電壓上升率du/dt的抑制加在晶閘管上的正向電壓上升率du/dt也應(yīng)有所限制,如果du/dt過大由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流,該電流可以實(shí)際上起到觸發(fā)電并聯(lián)R-C阻容吸收回路(6)元器件及電路參數(shù)的計(jì)算:1) 整流輸出電壓的平均值可按下式計(jì)算U二丄2Usin®td6t)二Ucosa=0.9Ucosa(21)d兀a2兀2U=100V從而得出U=111V,2當(dāng)a=0時(shí),U取得最大值100V即U=0.9dda=90o時(shí),U=0°a角的移相范圍為90。d2)整流輸出電壓的有效值為住莎曲=U

24、2=111V2-2)3)整流電流的平均值和有效值分別為2-3)UUI=d=0.92cosadRRddUU2-4)I=2RRdd4)在一個(gè)周期內(nèi)每組晶閘管各導(dǎo)通180°,兩組輪流導(dǎo)通,變壓器二次電流是正、負(fù)對(duì)稱的方波,電流的平均值I和有效值I相等,其波形系數(shù)為1。d流過每個(gè)晶閘管的電流平均值和有效值分別為:dT112d0該Id丄I=丄I'2兀dy:2d25)26)5)晶閘管在導(dǎo)通時(shí)管壓降篤=0,故其波形為與橫軸重合的直線段;VT和VT2加正向電壓但觸發(fā)脈沖沒到時(shí),VT3、VT4已導(dǎo)通,把整個(gè)電壓u加到VT12或VT2上,則每個(gè)元件承受的最大可能的正向電壓等于viU;VT1和VT

25、2反2向截止時(shí)漏電流為零,只要另一組晶閘管導(dǎo)通,也就把整個(gè)電壓u加到2VT1或VT2上,故兩個(gè)晶閘管承受的最大反向電壓也為.J2U。2元器件的選取由于單相橋式全控整流帶電感性負(fù)載主電路主要元件是晶閘管,所以選取元件時(shí)主要考慮晶閘管的參數(shù)及其選取原則。1).晶閘管的主要參數(shù)如下: 額定電壓UTn通常取U和U中較小的,再取靠近標(biāo)準(zhǔn)的電壓等級(jí)作為晶閘管型的額定DRMRRM電壓。在選用管子時(shí),額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的23倍,以保證電路的工作安全。晶閘管的額定電壓U二minU,UTnDRMRRMU三(23)U(2-7)TnTMU:工作電路中加在管子上的最大瞬時(shí)電壓TM 額定電流IT(AV)I又稱為

26、額定通態(tài)平均電流。其定義是在室溫40°和規(guī)定的冷卻條件下,元T(AV)件在電阻性負(fù)載流過正弦半波、導(dǎo)通角不小于170°的電路中,結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時(shí),所允許的最大通態(tài)平均電流值。將此電流按晶閘管標(biāo)準(zhǔn)電流取相近的電流等級(jí)即為晶閘管的額定電流。要注意的是若晶閘管的導(dǎo)通時(shí)間遠(yuǎn)小于正弦波的半個(gè)周期,即使正向電流值沒超過額定值,但峰值電流將非常大,可能會(huì)超過管子所能提供的極限,使管子由于過熱而損壞。在實(shí)際使用時(shí)不論流過管子的電流波形如何、導(dǎo)通角多大,只要其最大電流有效值IWI,散熱冷TMTn卻符合規(guī)定,則晶閘管的發(fā)熱、溫升就能限制在允許的范圍。TnI、IIT(AV)TMTnI:額定電

27、流有效值,根據(jù)管子的I換算出,三者之間的關(guān)系:T(AV)j212-8)=1/2兀J兀(Imsin3t)2d(®t)=-mTn0兀T(AV)=1/2兀兀Imsin®tdt)=02-9)波形系數(shù):有直流分量的電流波形,其有效值-與平均值-之比稱為該波形的TTd波形系數(shù),用K表示。fTd額定狀態(tài)下,晶閘管的電流波形系數(shù)TnT(AV)2-11)2-12)U=丄J""、2Usin®td6t)=22Ucosa=0.9Ucosad兀a2兀22當(dāng)a=0時(shí),U取得最大值100V即U=0.9U=100V從而得出U=lllV,a=90。dd22時(shí),U=0。a角的移相

28、范圍為90°。d晶閘管承受最大電壓為U=同=2x111V二157V考慮到2倍裕量,取TM2400V.晶閘管的選擇原則:I所選晶閘管電流有效值I大于元件在電路中可能流過的最大電流有效值。TnII、選擇時(shí)考慮(1.52)倍的安全余量。即I=0.7071=(1.52)ITnT(AV)TMI>(1.52)Lm(2-13)T(AV)1.11因?yàn)镮=-L,則晶閘管的額定電流為If)=10A(輸出電流的有效值為最小值,T弋2T(AV)所以該額定電流也為最小值)考慮到2倍裕量,取20A.即晶閘管的額定電流至應(yīng)大于20A.在本次設(shè)計(jì)中我選用4個(gè)KP20-4的晶閘管.III、若散熱條件不符合規(guī)定要

29、求時(shí),則元件的額定電流應(yīng)降低使用。 通態(tài)平均管壓降U。指在規(guī)定的工作溫度條件下,使晶閘管導(dǎo)通的正弦T(AV)波半個(gè)周期內(nèi)陽(yáng)極與陰極電壓的平均值,一般在0.41.2V。 維持電流I。指在常溫門極開路時(shí),晶閘管從較大的通態(tài)電流降到剛好能H保持通態(tài)所需要的最小通態(tài)電流。一般I值從幾十到幾百毫安,由晶閘管電H流容量大小而定。 門極觸發(fā)電流I。在常溫下,陽(yáng)極電壓為6V時(shí),使晶閘管能完全導(dǎo)通所需g的門極電流,一般為毫安級(jí)。 斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt。在額定結(jié)溫和門極開路的情況下,不會(huì)導(dǎo)致晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的最大正向電壓上升率。一般為每微秒幾十伏。 通態(tài)電流臨界上升率di/dt。在規(guī)定條件下,晶閘管

30、能承受的最大通態(tài)電流上升率。若晶閘管導(dǎo)通時(shí)電流上升太快,則會(huì)在晶閘管剛開通時(shí),有很大的電流集中在門極附近的小區(qū)域內(nèi),從而造成局部過熱而損壞晶閘管。2)變壓器的選取根據(jù)參數(shù)計(jì)算可知:變壓器應(yīng)選變比為2,容量至少為24.2VA。性能指標(biāo)分析整流電路的性能常用兩個(gè)技術(shù)指標(biāo)來衡量:一個(gè)是反映轉(zhuǎn)換關(guān)系的用整流輸出電壓的平均值表示;另一個(gè)是反映輸出直流電壓平滑程度的,稱為紋波系數(shù)。1)整流輸出電壓平均值U=1嚴(yán)sin®td6t)二空Ucosa=0.9Ucosa(2-14)d兀a2兀222)紋波系數(shù)紋波系數(shù)K用來表示直流輸出電壓中相對(duì)紋波電壓的大小,即r-Lr2-15)(7)電路仿真1SIMULINK仿真軟件介紹Simulink是MATLAB最重要的組件之一,它提供一個(gè)動(dòng)態(tài)系統(tǒng)建模、仿真和綜合分析的集成環(huán)境。在該環(huán)境中,無需大量書寫程序,而只需要通過簡(jiǎn)單直觀的鼠標(biāo)操作,就可構(gòu)造出復(fù)雜的系統(tǒng)。Simulink具有適應(yīng)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論