LGA1151及DDR4介紹

1、LGA1151與與DDR4介紹介紹LGA1151英特爾二代英特爾二代14nm工藝工藝制程制程CPU，命名為，命名為Skylake處理器處理器Skylake將改用最新的LGA1151封裝接口，即該處理器的背面觸點為1151個.其主要技術(shù)特點：1、英特爾Skylake將集成雙內(nèi)存控制器，包括DDR4 1.2V和1.35V DDR3L（低電壓版內(nèi)存）2、K系列熱設(shè)計功耗集顯95W 、S系列其他型號中會有84W和35W。主板芯片組命名也更新為100系列。 Z170/ H1703、 Skylake會全系列引入觸摸控制器會全系列引入觸摸控制器，從而有利于降低觸摸設(shè)備的成本，推進普及LGA1150LGA11

2、51CPU對比圖從左依次為從左依次為1155、1150、1151英特爾100系列芯片組Z170（性能級）（性能級）取代取代Z97，H170（主流）取代（主流）取代H97，H110（性價比）取代（性價比）取代H81，B150（中小型企業(yè)級）取（中小型企業(yè)級）取代代B85。而。而Q170 Q150芯片組是專為企業(yè)高端平臺打造芯片組是專為企業(yè)高端平臺打造的，具有英特爾的，具有英特爾博銳博銳技術(shù)，用于取代技術(shù)，用于取代Q87 Q85。Z170專為解鎖專為解鎖K系超頻系列設(shè)計，但也包括了不少技術(shù)和擴系超頻系列設(shè)計，但也包括了不少技術(shù)和擴展支持。有四條雙通道展支持。有四條雙通道DDR3/DDR4內(nèi)存支持。

3、內(nèi)存支持。Z170還支持還支持共共14個個USB接口，其中接口，其中10個個USB3.0和和4個個USB 2.0 。至于更強。至于更強大的大的USB3.1支持。英特爾支持。英特爾Z170芯片組也將支持芯片組也將支持6個個SATA 6Gbps接口和接口和20 條條PCI Express通道，通道，Z170主板也將采用三個主板也將采用三個SATA ExpressX2接口和四個接口和四個M.2接口。接口。 DDR4介紹介紹在DDR4內(nèi)存上采用了類似于GDDR5的Bank Group設(shè)計，從DDR3的8Bit巧妙拆分，將預(yù)存取數(shù)提升至2個8bit，也就是相當(dāng)于16bit。另外，采用了全新的點對點總線技

4、術(shù)，可以盡可能 多地使用內(nèi)存位寬資源，并且能夠支持更高的內(nèi)存頻率。DDR4起步頻率就高達(dá)2133MHz，最高則是4266 MHz。DDR4運行 電壓則會進一步降低至1.2V，甚至還可能會有1.1V/1.05V的超低壓節(jié)能版。就連DDR4-3000以上頻率工作電壓也僅有1.35V。對比 DDR3，起步電壓就達(dá)到1.5V，像DDR3-2133及以上高頻必須得上1.65V或更高。不僅如此，DDR4內(nèi)存使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條 內(nèi)存的容量最大可以達(dá)到目前產(chǎn)品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量內(nèi)存單條容量為8GB（單顆芯片512MB，共16顆），而DDR4則完全可以達(dá) 到64GB，甚至128

5、GB。特點特點外形差異外形差異DDR4的針腳數(shù)增加到了284個，DDR3是240個，由于內(nèi)存整體長度不變，所以相鄰針腳之間的距離從1.00毫米減到了0.85毫，而每個針腳本身的寬度為0.600.03毫米。另外一個明顯差別是DDR4內(nèi)存底部金手指不再是直的，而是呈彎曲狀。從左側(cè)數(shù)，第35針開始邊長，到第47針達(dá)到最長，然后從第105針開始縮短，到第117針回到最短。最后是接口位置也發(fā)生了改變，金手指中間的“缺口”位置相比DDR3更為靠近中央，這樣做的目的就是防止用戶差錯內(nèi)存，歷代產(chǎn)品升級均如此。頻率和帶寬提升巨大頻率和帶寬提升巨大容量和電壓差異容量和電壓差異DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，

6、單條內(nèi)存的容量最大可以達(dá)到目前產(chǎn)品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量內(nèi)存單條容量為8GB（單顆芯片512MB，共16顆），而DDR4則完全可以達(dá)到64GB，甚至128GB。而電壓方面，DDR4將會使用20nm以下的工藝來制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動版的SO-DIMMD DR4的電壓還會降得更低。性能差異性能差異DDR4最重要的使命當(dāng)然是提高頻率和帶寬。DDR4內(nèi)存的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70。DDR4超頻內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格超頻內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格 2133 MHz 1

7、.2V 8G2400 MHz 1.2V 16GB(4GBx4),32GB(8GBx4)2666 MHz 1.2V 16GB(4GBx4),32GB(8GBx4)2800 MHz 1.2V 16GB(4GBx4),32GB(8GBx4)3000 MHz 1.35V 16GB(4GBx4)3200 MHz 1.35V 16GB(4GBx4) DDR4與與DDR3內(nèi)存差異一：處理器內(nèi)存差異一：處理器每次內(nèi)存升級換代時，必須支持的就是處理器。Haswell-E平臺的內(nèi)存同IVB-E/SNB-E一樣為四通道設(shè)計，DDR4內(nèi)存頻率原生支持 2133MHz，這相較IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始

8、頻率有不小的提升。Haswell-E作為新的旗艦提升最大兩點一個是6核升級8 核，另一點是對DDR4的支持。上市初期整體成本相當(dāng)高，并且不會同時支持DDR3和DDR4內(nèi)存，所以增加了DDR4普及的門檻。DDR4與與DDR3內(nèi)存差異二：外型內(nèi)存差異二：外型DDR4內(nèi)存金手指變的彎曲。早期的都是平直的內(nèi)存金手指插入內(nèi)存插槽后，受到的摩擦力較大，因此內(nèi)存存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個問題，DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間 稍突出、邊緣收矮的形狀。在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設(shè)計既可以保證DDR4內(nèi)存的金手指和內(nèi)存插槽觸點有足夠的接觸面，信號傳輸確 保信號穩(wěn)定的同時，讓中間凸

9、起的部分和內(nèi)存插槽產(chǎn)生足夠的摩擦力穩(wěn)定內(nèi)存。DDR4與與DDR3內(nèi)存差異三：參數(shù)內(nèi)存差異三：參數(shù)DDR4最重要的使命當(dāng)然是提高頻率和帶寬。DDR4內(nèi)存的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70。特點總結(jié)：特點總結(jié)：1：DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀 2：DDR4內(nèi)存頻率提升明顯，可達(dá)4266MHz 3：DDR4內(nèi)存容量提升明顯，可達(dá)128GB 4：DDR4功耗明顯降低，電壓達(dá)到1.2V、甚至更低 5： DDR4的針腳數(shù)增加到了284個，DDR3是240個對比總結(jié)對比總結(jié)AIDA64內(nèi)存帶寬

10、測試內(nèi)存帶寬測試 AIDA64是一個測試軟硬件系統(tǒng)信息的工具，32位的底層硬件掃描，使它可以詳細(xì)的顯示出PC硬件每一個方面的信息。DDR3 1866頻率狀態(tài)的測試成績頻率狀態(tài)的測試成績DDR4-2800頻率狀態(tài)的測試頻率狀態(tài)的測試成績成績AIDA64內(nèi)存帶寬對比內(nèi)存帶寬對比以上是AIDA64自帶內(nèi)存測試工具的測試情況，我們從測試的數(shù)據(jù)看出DDR4 2800明顯領(lǐng)先內(nèi)存讀取、寫入、復(fù)制分別為55.565GB/s、54.739GB/s、63.853GB/s遙遙領(lǐng)先于DDR3的表現(xiàn)。同是四通道DDR3 1866和DDR4 2133的表現(xiàn)在伯仲之間，甚至是DDR3略有領(lǐng)先。軟件測試對比總結(jié)軟件測試對比總結(jié)從測試結(jié)果來看，DDR4略有領(lǐng)先DDR3內(nèi)存，但同頻下這種優(yōu)勢非常