第六章 集成電路

1、上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)6.1集成運(yùn)放概述集成運(yùn)放概述集成電路集成電路 把整個電路中的元器件制作在一塊硅把整個電路中的元器件制作在一塊硅基片上，構(gòu)成具有某種特定功能的電子電路?；希瑯?gòu)成具有某種特定功能的電子電路。體積小，重量輕，成本低，可靠性高，組裝和調(diào)試體積小，重量輕，成本低，可靠性高，組裝和調(diào)試的難度小。的難度小。6 集成運(yùn)算放大器集成運(yùn)算放大器 1. 集成電路的主要特點(diǎn)集成電路的主要特點(diǎn)上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 2. 集成電路的分類集成電路的分類 (1) 按功能分按功能分a. 模擬集成電路模擬集成電路b. 數(shù)字集成電路數(shù)

2、字集成電路主要用于放大和變換連續(xù)變化的電壓和電流信號。主要用于放大和變換連續(xù)變化的電壓和電流信號。主要用于處理離散的、斷續(xù)的電壓和電流信號。主要用于處理離散的、斷續(xù)的電壓和電流信號。數(shù)字集成電路種類多，形式較為簡單，通用性強(qiáng)。數(shù)字集成電路種類多，形式較為簡單，通用性強(qiáng)。上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) (2) 按集成度分按集成度分 a. 小規(guī)模集成電路（小規(guī)模集成電路（SSI small scale integration circuit) 。 b. 中規(guī)模集成電路（中規(guī)模集成電路（MSI middle scale integration circuit)集成度：一塊芯

3、片上包含的元器件在集成度：一塊芯片上包含的元器件在100個以下。個以下。集成度：一塊芯片上包含的元器件在集成度：一塊芯片上包含的元器件在1001,000之間。之間。上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) c. 大規(guī)模集成電路（大規(guī)模集成電路（LSI large scale integration circuit)集成度：一塊芯片上包含的元器件在集成度：一塊芯片上包含的元器件在1,000100,000 之間。之間。d. 超大規(guī)模集成電路（超大規(guī)模集成電路（VLSI very large scale Integration circuit)集成度：一塊芯片上包含的元器件在集成度：

4、一塊芯片上包含的元器件在100,000以上。以上。上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)e. 目前的集成電路目前的集成電路(a) 已經(jīng)可以在一片硅片上集成幾千萬只，甚至已經(jīng)可以在一片硅片上集成幾千萬只，甚至 上億只晶體管。上億只晶體管。(b) 集成電路的性能（高速度和低功耗等）也迅速集成電路的性能（高速度和低功耗等）也迅速 提高。提高。(c) 集成度大約每集成度大約每3年年增加一倍。增加一倍。(d) 出現(xiàn)了系統(tǒng)級芯片出現(xiàn)了系統(tǒng)級芯片（SOCsystem on chip）。）。(e) 集成電路逐步向集成系統(tǒng)集成電路逐步向集成系統(tǒng)（integrated system） 的方向發(fā)展

5、。的方向發(fā)展。上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) (3) 按制造工藝分按制造工藝分a. 半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路b. 薄膜集成電路薄膜集成電路集成電路的元器件和電路由不到集成電路的元器件和電路由不到1m mm厚的金屬厚的金屬半導(dǎo)體或金屬氧化物重疊而成。半導(dǎo)體或金屬氧化物重疊而成。c. 厚膜集成電路厚膜集成電路厚膜集成電路與薄膜集成電路基本相同，膜的厚膜集成電路與薄膜集成電路基本相同，膜的厚度約幾微米到幾十微米。厚度約幾微米到幾十微米。上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)3 . 模擬集成電路的分類模擬集成電路的分類(1) 線性集成電路線性集成電路輸出

6、信號與輸入信號呈線性關(guān)系。輸出信號與輸入信號呈線性關(guān)系。(2) 非線性集成電路非線性集成電路線性集成電路有：集成振蕩器、混頻器、檢波器、線性集成電路有：集成振蕩器、混頻器、檢波器、集成開關(guān)穩(wěn)壓電源等。集成開關(guān)穩(wěn)壓電源等。線性集成電路有：集成運(yùn)算放大器、集成音頻功線性集成電路有：集成運(yùn)算放大器、集成音頻功率放大器、集成高頻、中頻放大器等。率放大器、集成高頻、中頻放大器等。輸出信號與輸入信號呈非線性關(guān)系。輸出信號與輸入信號呈非線性關(guān)系。上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)4. 集成運(yùn)算放大器概述集成運(yùn)算放大器概述(1) 集成運(yùn)算放大器簡稱集成運(yùn)放集成運(yùn)算放大器簡稱集成運(yùn)放b.

7、信號處理。信號處理。(2) 集成運(yùn)算放大器的主要應(yīng)用集成運(yùn)算放大器的主要應(yīng)用a. 完成比例、求和、積分、微分、對數(shù)、反對數(shù)、完成比例、求和、積分、微分、對數(shù)、反對數(shù)、乘法等數(shù)字運(yùn)算。乘法等數(shù)字運(yùn)算。c. 波形產(chǎn)生。波形產(chǎn)生。d. 信號測量。信號測量。上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(3) 集成運(yùn)放發(fā)展的三個階段集成運(yùn)放發(fā)展的三個階段a. 通用型集成運(yùn)放的廣泛使用。通用型集成運(yùn)放的廣泛使用。b. 專用集成運(yùn)放的出現(xiàn)。如高速型、高輸入電阻型、專用集成運(yùn)放的出現(xiàn)。如高速型、高輸入電阻型、 高壓型、大功率型，低漂移型和低功耗型等。高壓型、大功率型，低漂移型和低功耗型等。c. 開

8、發(fā)更高性能指標(biāo)的產(chǎn)品，進(jìn)一步提高集成度。開發(fā)更高性能指標(biāo)的產(chǎn)品，進(jìn)一步提高集成度。上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(5) 是線性集成電路中發(fā)展最早、應(yīng)用最廣、最為是線性集成電路中發(fā)展最早、應(yīng)用最廣、最為 龐大的一族成員。龐大的一族成員。 (3) 輸出電阻小，幾百歐以下。輸出電阻小，幾百歐以下。(4) 通用型和靈活性強(qiáng)、成本低、用途廣、互換性好。通用型和靈活性強(qiáng)、成本低、用途廣、互換性好。5. 集成運(yùn)放的主要特點(diǎn)集成運(yùn)放的主要特點(diǎn)(1) 電壓放大倍數(shù)高，電壓放大倍數(shù)高，103105倍。倍。(2) 輸入電阻大，幾十千歐到幾兆歐。輸入電阻大，幾十千歐到幾兆歐。上頁上頁下頁下頁

9、返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(1) 相鄰元器件的特性一致性好。相鄰元器件的特性一致性好。(2) 用有源器件代替無源器件。用有源器件代替無源器件。(3) 二極管大多由三極管構(gòu)成。二極管大多由三極管構(gòu)成。(4) 只能制作小容量的電容，難以制造電感和較只能制作小容量的電容，難以制造電感和較 大容量的電容大容量的電容( C 2000pF ) 。(5) 電路采用直接耦合的方式。電路采用直接耦合的方式。6.1.1 集成電路中元器件的特點(diǎn)集成電路中元器件的特點(diǎn)上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)6.1.2 集成運(yùn)放的典型結(jié)構(gòu)集成運(yùn)放的典型結(jié)構(gòu)1. 典型結(jié)構(gòu)典型結(jié)構(gòu)輸入級輸入級

10、輸出級輸出級中間級中間級偏置電路偏置電路輸入輸入輸出輸出上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(1) 偏置電路偏置電路2. 各各部分的作用部分的作用具有與輸出同相和反相的兩個輸入端，較高的輸入電具有與輸出同相和反相的兩個輸入端，較高的輸入電阻和抑制干擾及零漂的能力。阻和抑制干擾及零漂的能力。為各級電路提供穩(wěn)定合適的偏置電流，并使整個運(yùn)放為各級電路提供穩(wěn)定合適的偏置電流，并使整個運(yùn)放的靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定且功耗較小。的靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定且功耗較小。(2) 輸入級輸入級輸入級輸入級輸出級輸出級中間級中間級偏置電路偏置電路上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)為負(fù)載提供足夠

11、的電壓和電流，具有很小的輸出電為負(fù)載提供足夠的電壓和電流，具有很小的輸出電阻和較大的動態(tài)范圍。阻和較大的動態(tài)范圍。主要進(jìn)行電壓放大，具有很高的電壓增益。主要進(jìn)行電壓放大，具有很高的電壓增益。(3) 中間級中間級(4) 輸出級輸出級輸入級輸入級輸出級輸出級中間級中間級偏置電路偏置電路上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)3. 集成運(yùn)算放大器的電路符號集成運(yùn)算放大器的電路符號同相輸入端同相輸入端反相輸入端反相輸入端輸出端輸出端+ +上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1電流鏡電路電流鏡電路T1和和T2特性相同特性相同(1) 電路組成電路組成(2) 電路特點(diǎn)電路

12、特點(diǎn)(3) 電路分析電路分析 21設(shè)設(shè)由于由于 UBE1= UBE2 = UBE6.1.3 電流源電路電流源電路1T2TRCCV RIC1IC2I+B1IB2IBE2UBE1U上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)C1C2II 21C2 RII當(dāng)當(dāng)2 時時RC2II 所以所以 IB1= IB2 = IBBR2 II C2R2 II 故故RUVBECC RVCC 1T2TRCCV RIC1IC2I+B1IB2IBE2UBE1U上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)T1和和T2特性相同特性相同(1) 電路組成電路組成(2) 電路特點(diǎn)電路特點(diǎn)(3) 電路分析電路分

13、析由圖可知由圖可知2比例電流源電路比例電流源電路E1CCE1BE1CCRRRVRRUVI 1T2TRCCV RIC1IC2I+B1IB2IBE2UBE1UE1RE2RE2IE1I上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)BE22E2EBE11EE1URIURI RE2E1C2IRRI 2E2C1ERRIRI 由于由于BE2BE1UU E2C2II E1RII 故有故有1T2TRCCV RIC1IC2I+B1IB2IBE2UBE1UE1RE2RE2IE1I上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)3微電流源電路微電流源電路T1和和T2特性相同特性相同(1) 電路組成電

14、路組成(2) 電路特點(diǎn)電路特點(diǎn)(3) 電路分析電路分析由圖可知由圖可知EE2BE2BE1RIUU EC2RI 1T2TRCCV RIC1IC2I+B1IB2IBE2UBE1UERE2I上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ))exp(TBESCUuIi 由由SC1TBE1lnIIUU 得得SRTlnIIU SC2TBE2lnIIUU 故有故有EC2SC2TSRTlnlnRIIIUIIU 1T2TRCCV RIC1IC2I+B1IB2IBE2UBE1UERE2I上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)C2RC2TElnIIIUR 例例1 已知已知IR=0.73 m

15、A，IC2=20 m mA，求，求RE=?解解 由由得得C2RC2TElnIIIUR )102073.0ln102026(33ER1T2TRCCV RIC1IC2I+B1IB2IBE2UBE1UERE2I k86.4上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)例例2 在例在例1中，如果不用微電流中，如果不用微電流源，而采用電流鏡，那么在源，而采用電流鏡，那么在VCC=15 V時，欲獲時，欲獲IC2=20 m mA, 求求R=?解解 已知已知IC2=20 m mA, 則則R VCC/IR=750 k IR=20 m mA1T2TRCCV RIC1IC2I+B1IB2IBE2UBE1U

16、上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)6.2.1 典型差分放大電路典型差分放大電路6.2集成運(yùn)放中的基本單元電路集成運(yùn)放中的基本單元電路1. 電路組成電路組成+-+-I1uBRCRC1iC2iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCR+-+-+B1iB2i上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(1) 電路特點(diǎn)電路特點(diǎn)a. 電路兩邊對稱。電路兩邊對稱。b. 兩管共用發(fā)射極電阻兩管共用發(fā)射極電阻RE。c. 具有兩個信號輸入端。具有兩個信號輸入端。d. 信號既可以雙端，也可以單端輸出。信號既可以雙端，也可以單端輸出。+-+-I1uBRCRC2

17、iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCRC1i+- -+- - -+B1iB2i上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)兩個輸入端信號電壓的差值是有用的，稱之為差模兩個輸入端信號電壓的差值是有用的，稱之為差模輸入信號，因而該電路稱為差分放大電路。輸入信號，因而該電路稱為差分放大電路。(2) 信號的輸入信號的輸入+-+-I1uBRCRC1iC2iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCR+-+-+B1iB2i上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(3) 抑制零漂的原理抑制零漂的原理（T1和和T2 特性相同）特性相同

18、）(a) 當(dāng)溫度當(dāng)溫度T一定時一定時0O2O1O uuuO2O1uu C2C1ii ( uI1=uI2=0 ) a. 電路雙端輸出電路雙端輸出+-+-I1uBRCRC2iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCRC1i+- -+- - -+上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(b) 當(dāng)溫度增加當(dāng)溫度增加 時時TC2C2C1C1IIII C2C1II 0O u在雙端輸出的情況下，漂移為零。在雙端輸出的情況下，漂移為零。+-+-I1uBRCRC2iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCRC1i+- -+- - -+B1iB2i上頁上

19、頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) b. 單端輸出時單端輸出時因射極電阻因射極電阻RE的負(fù)反饋?zhàn)饔玫呢?fù)反饋?zhàn)饔每梢砸种屏泓c(diǎn)漂移可以抑制零點(diǎn)漂移+-+-I1uBRCRC2iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCRC1i+- -+- - -+B1iB2i上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2靜態(tài)分析靜態(tài)分析BRCRCREREEV 1T2TCCV BR直流通路直流通路+-+-I1uBRCRC2iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCRC1i+- -+- - -+B1iB2i上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬

20、電子技術(shù)基礎(chǔ)B2B1BIII 因為電路對稱，所以因為電路對稱，所以C2C1CIII E2E1EIII CE2CE1CEUUU BE2BE1BEUUU BR1BI2BI1EI2EI1CI1CEU2CIE21EII 2CEU1BEU2BEUBRCRCREREEV 1T2TCCV +上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)EEEEBEBB2VRIURI 列輸入回路方程列輸入回路方程EBBEEEB)1(2RRUVI 由此可得由此可得BE)1(II EBEEEB)1(2RUVI EB)1(2 RR 因因BR1BI2BI1EI2EI1CI1CEU2CIE21EII 2CEU1BEU2BEU

21、BRCRCREREEV 1T2TCCV +上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)EBEEEBC2RUVII EECCEECCCE2)(RIRIVVU )2(ECCEECCRRIVV BR1BI2BI1EI2EI1CI1CEU2CIE21EII 2CEU1BEU2BEUBRCRCREREEV 1T2TCCV +上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)3. 動態(tài)分析動態(tài)分析(1) 小信號差模特性小信號差模特性差模信號差模信號Id2Id1Iduuu 記為記為Id2Id1uu 當(dāng)當(dāng) 時的輸入信號時的輸入信號 Id12u Id22u +-+-I1uBRCRC2iCCV

22、OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCRC1i+- -+- - -+B1iB2i上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)差模輸入時放大電路中的電流差模輸入時放大電路中的電流BRCRId1uEREEV 1T2TCCV Id2uOduC1iC2iC2CiI b2BiI 1b1c2b2ce1ie2iE2IBRCRC2CiI Od1uOd2ue1EiI b1BiI e2EiI 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)由于由于Id2Id1uu e2e1ii 電阻電阻RE上無交流電流，上無交流電流，T1、T2發(fā)射極虛地。發(fā)射極虛地。BRCRId1uEREEV

23、 1T2TCCV Id2uOduC1iC2iC2CiI b2BiI 1b1c2b2ce1ie2iE2IBRCRC2CiI Od1uOd2ue1EiI b1BiI e2EiI 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)交流通路交流通路CRCRBRId1uId2u1T2TBROduOd1uOd2u BRCRId1uEREEV 1T2TCCV Id2uOduC1iC2iC2CiI b2BiI 1b1c2b2ce1ie2iE2IBRCRC2CiI Od1uOd2ue1EiI b1BiI e2EiI 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)由于由于Id2Id1uu Od2O

24、d1uu 故故Id1Id2Id1Id2 uuuu Od1Od2Od1Od2 uuuu CRCRBRId1uId2u1T2TBROduOd1uOd2u 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1) 差模電壓放大倍數(shù)差模電壓放大倍數(shù)a. 雙端輸出雙端輸出IdOdduuAu Id1Od122uu Id1Od1uu beBCrRR CRCRBRId1uId2u1T2TBROduOd1uOd2u 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)b. 單端輸出單端輸出IdOd1duuAu Id1Od12 uu Id1Od121uu beBC2rRR (a) 輸出輸出uO1CRCRB

25、RId1uId2u1T2TBROduOd1uOd2u 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)IdOd2duuAu Id1Od12 uu Id1Od121uu (b) 輸出輸出uO2beBC2rRR CRCRBRId1uId2u1T2TBROduOd1uOd2u 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)c. RL時時(a) 雙端輸出雙端輸出負(fù)載電阻負(fù)載電阻RL的中點(diǎn)虛地的中點(diǎn)虛地由于由于Od2Od1uu BRBRCRCRId1uEREEV 1T2TCCV Id2uodu od1uod2uLR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)CRCR2LRB

26、RId1uId2u1T2TOd1uOd2uOdu2LRBR 等效電路等效電路BRBRCRCRId1uEREEV 1T2TCCV Id2uodu od1uod2uLR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)IdOdduuAu Id1Od122uu Id1Od1uu beBLC2/rRRR Aud與單級共射極電路電壓放大與單級共射極電路電壓放大倍數(shù)相同。可見，差分放大電倍數(shù)相同?？梢姡罘址糯箅娐肥怯寐肥怯谩皵?shù)量換質(zhì)量數(shù)量換質(zhì)量”。CRCR2LRBRId1uId2u1T2TOd1uOd2uOdu2LRBR 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(b) 單端輸出單端

27、輸出從從T1的集電極輸出的集電極輸出IdOdduuAu Id1Od2 uu beBLC/2rRRR 輸出與輸入反相輸出與輸入反相CRCRLRBRId1uId2u1T2TOduBR 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)CRCRLRBRId1uId2u1T2TOduBR 從從T2的集電極輸出的集電極輸出IdOdduuAu Id2Od2 uu beBLC/2rRRR 輸出與輸入同相輸出與輸入同相上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2) 差模輸入電阻差模輸入電阻)(2beBIdIdidrRIUR CRBRId1uId2u1T2TOd1uOd2uOduBR Idu

28、idRIdiCR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)a. 單端輸出時單端輸出時CoRR 求求Ro的等效電路的等效電路CRBRId1uId2u1T2TuBR IduoRIdiCRi3) 輸出電阻輸出電阻Ro上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)b. 雙端輸出時雙端輸出時CRBRId1uId2u1T2TuBR IduoRIdiCRii求求Ro的等效電路的等效電路Co2RR 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(2) 小信號共模特性小信號共模特性共模信號共模信號IcIc2Ic1uuu 記為記為當(dāng)當(dāng)uIc1=uIc2時的輸入信號時的輸入信號BR

29、BRCRCRIc1uIc2uc1OuEREEV 1T2TCCV c2OucOu 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)Oc2Oc1uu 1) 共模電壓放大倍數(shù)共模電壓放大倍數(shù)a. 雙端輸出共模電壓雙端輸出共模電壓0Oc2Oc1Oc uuu共模電壓放大倍數(shù)共模電壓放大倍數(shù)0IcOcc uuAuIcIc2Ic1uuu 由由知知故故BRBRCRCRIc1uIc2uc1OuEREEV 1T2TCCV c2OucOu 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)b. 單端輸出單端輸出 交流通路交流通路，BRBRCRCRIc1uIc2uEREEV 1T2TCCV cOuLRE

30、1iE2iBRBRCRCRIc1uIc2uE2R1T2TcOuLRE2R上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)cIcOcuuAu 電壓放大倍數(shù)電壓放大倍數(shù)EbeBLC2)1(/RrRRR 1cIcOuu ELCc2/RRRAu EbeB2)1(RrR 一般情況一般情況BRBRCRCRIc1uIc2uE2R1T2TcOuLRE2R上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)ELCc2/RRRAu 一般情況中一般情況中ELC2/RRR 故故1cIcOc uuAu上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)差分放大電路對共模信號有抑制作用，差分放大電路對共模

31、信號有抑制作用，RE越大，抑越大，抑制共模信號的能力越強(qiáng)。制共模信號的能力越強(qiáng)。綜上所述綜上所述12/ELCcIcOc RRRuuAu單端輸出時單端輸出時雙端輸出時雙端輸出時0cIOcc uuAu上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2) 共模抑制比共模抑制比CMRK共模抑制比的定義共模抑制比的定義cdCMRuuAAK (dB)log20cdCMRuuAAK 或者或者a. 雙端輸出雙端輸出 cdCMRuuAAK上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)ELbeBLcdCMR2)(2RRrRRAAKuu b. 單端輸出單端輸出ELc2RRAu beBLd21rRR

32、Au 因因beBErRR 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)3) 共模輸入電阻共模輸入電阻 交流通路交流通路，Ic2uBRBRCRCRIc1uc1OuEREEV 1T2TCCV c2OucOu BRBRCRCRIc1uIc2uc1OuER1T2Tc2OucOu Ic1iIc2iicRicR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)EbeBicicic)1(2RrRIUR IcIc2Ic1uuu 因為因為故故IcIc2Ic1iii BRBRCRCRIc1uIc2uc1OuER1T2Tc2OucOu Ic1iIc2iicRicR4) 輸出電阻輸出電阻雙端輸出時雙

33、端輸出時Co2RR 單端輸出時單端輸出時CoRR 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(3) 任意輸入信號的分解任意輸入信號的分解既不是差模信號又不是共模信號的輸入信號既不是差模信號又不是共模信號的輸入信號任意信號任意信號+12差差 分分放放 大大電電 路路uI2_uI1_上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2I2I1Icuuu I2I1Iduuu 令令那么那么2IdIcI1uuu 2IdIcI2uuu 任意信號可以分解成差模和共任意信號可以分解成差模和共模信號兩種性質(zhì)的輸入信號模信號兩種性質(zhì)的輸入信號+12差差 分分放放 大大電電 路路uI2_uI1_

34、上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)差差分分放放大大電電路路12+uId_+uIc_+_+_2uId2uId任意輸入信號分解示意圖任意輸入信號分解示意圖+12差差 分分放放 大大電電 路路uI2_uI1_上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)uI10 ，uI2=0特別的，對于特別的，對于單端輸入單端輸入即即或或uI1=0 ，uI2 0單端輸入是一種特殊的雙端輸入形式單端輸入是一種特殊的雙端輸入形式+12差差 分分放放 大大電電 路路uI_單端輸入電路單端輸入電路上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ))(2C1CuIdfii 、(4) 大信

35、號傳輸特性大信號傳輸特性1-1線性區(qū)線性區(qū)截止、截止、飽和區(qū)飽和區(qū)截止、截止、飽和區(qū)飽和區(qū)傳輸特性傳輸特性0246 2 4 6.0.10.9iC1 、iC2UTuId/0.70.50.3上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)例例(4)當(dāng)輸出接一個當(dāng)輸出接一個12k 負(fù)載時的差負(fù)載時的差模電壓增益。模電壓增益。解：解：求求:mA1)V12(0c3C3 RIV9)V12(0e3E3E3C3CE3 RIVVV。時，時，當(dāng)當(dāng)，均為硅管，均為硅管，、V008050TTTOi321321 vv?mV5)3(;)2(;)1(Oi2d2e2CE2CE3EC23C vvvvv時，時，當(dāng)當(dāng)?shù)闹档?/p>

36、值及及、AAARVVIII(1)靜態(tài)靜態(tài)上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) k3 . 2mV26)1(200E33be3Ir (2)電壓增益電壓增益mA37. 0c2BE3e3E3C2 RVRII V9V )7 . 0(1037. 012V12E2c2C2CE2 VRIVmA74. 022C2E2E III k3 . 5k )74. 0121074. 07 . 0(V)12(Ee1EEe2IRIVR k78. 3mV26)1(200E22be2Ir 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) k3 .245)1(e33be3i2RrR (3)50)(2)|(

37、b1bei2c22d2 RrRRAv9 . 3)1()|(e33beL3c32 RrRRAv1952d2 vvvAAAmV5 . 2)0mV5(21)(21i2i1ic vvv差分電路的共模增益差分電路的共模增益3 . 0)(2)1()|(e2e12b1bei2c22c2 RRRrRRAv2icc2idd22O2O)(vvvvvvvvAAAA 共模輸入電壓共模輸入電壓不計共模輸出電壓時不計共模輸出電壓時mV975O vmV972mV)9 . 3(5 . 2)3 . 0(550 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(4)時時 k12LR95. 1)1()|(e33beL3c3

38、2 RrRRAv5 .972d2 vvvAAA上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)+- -+-Id1uBRCRCRCCV OuBRId2uEREEV 1T2TWRLR+- -Icu+- -Icu+- -(12V)(+12V)k1 .5k100k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2(a) 靜態(tài)工作點(diǎn)靜態(tài)工作點(diǎn)IC、UC之值之值；(b) uO及及KCMR之值之值；(c) 若將若將RL接在接在C1對地之間，求對地之間，求UC、 uO 及及KCMR；(d) Rid、Ric和和Ro之值。之值。 例例 電路如圖所示。設(shè)電路如圖所示。設(shè)T1、T2的特性一致，的特性一致，=5

39、0，UBE=0.7 V， uIc=1 V，uId =50 mV， 。試求：試求： 300bbr上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 解解 為了計算簡單，為了計算簡單，設(shè)調(diào)零電位器設(shè)調(diào)零電位器RW的滑的滑動端在電位器的中間。動端在電位器的中間。(a) 畫出放大電路的畫出放大電路的直流通路直流通路+- -+-Id1uBRCRCRCCV OuBRId2uEREEV 1T2TWRLR+- -Icu+- -Icu+- -(12V)(+12V)k1 .5k100k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)直流通路直流通路B

40、RCRCRCCV BREREEV 1T2TWR(12V)(+12V)k1 .5k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2IEIBIB+- -+-Id1uBRCRCRCCV OuBRId2uEREEV 1T2TWRLR+- -Icu+- -Icu+- -(12V)(+12V)k1 .5k100k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)EEWEBBBEEE22RIRIRIUV )1(22)1(EWBBBEEERRRIUV BE)1(II 由圖可得由圖可得由上兩式得由上兩式得因因EWB)1(22)1(RRR BRCRCRCC

41、V BREREEV 1T2TWR(12V)(+12V)k1 .5k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2IEIB上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)則有則有EE2IR EBEEEEC2RUVII V6V)1 . 52 . 112(CCCCC RIVUBEBEEE)1 ( 2IRUV mA1 . 527 . 012 mA2 . 1 BRCRCRCCV BREREEV 1T2TWR(12V)(+12V)k1 .5k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2IEIB上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(b) 根據(jù)題意根據(jù)題意EQbbbe26

42、)1(Irr 0IcOcc uuAu )2 . 12651300( k4 . 12)1(2/WbeBLCIdOddRrRRRuuAu 7 .4605. 0514 . 11501 . 5501 . 550 +- -+-Id1uBRCRCRCCV OuBRId2uEREEV 1T2TWRLR+- -Icu+- -Icu+- -(12V)(+12V)k1 .5k100k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)IccIddOuAuAuuu cdCMRuuAAKV)1005. 07 .46( V3 . 2 +- -+-Id1uBRCRCR

43、CCV OuBRId2uEREEV 1T2TWRLR+- -Icu+- -Icu+- -(12V)(+12V)k1 .5k100k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(c) 當(dāng)當(dāng)RL在在C1對地之間時對地之間時RLCRCIII CRCCCCRIVU 經(jīng)整理可得經(jīng)整理可得BRCRCRCCV BREREEV 1T2TWR(12V)(+12V)k1 .5k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2IEIBLRIRLLCCRUI LCCCCCC1RRRIVU V1001 . 511 . 52 . 112 V6 上頁上頁下頁下

44、頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)IcOccuuAu ELC2/RRR 1 . 521001 . 51001 . 5 5 . 0 +- -+-Id1uBRCRCRCCV OuBRId2uEREEV 1T2TWRLR+- -Icu+- -Icu+- -(12V)(+12V)k1 .5k100k1k1 100k1 .5k1 .5c1c2LR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)IdOdduuAu 495 . 05 .24cdCMR uuAAK2)1( 2)/(WbeBLCRrRRR )05. 0514 . 11(21001 . 51001 . 550 5 .24 IccI

45、ddOuAuAuuu V73. 1 V)15 . 005. 05 .24( +- -+-Id1uBRCRCRCCV OuBRId2uEREEV 1T2TWRLR+- -Icu+- -Icu+- -(12V)(+12V)k1 .5k100k1k1 100k1 .5k1 .5c1c2LR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)( (d) )差模輸入電阻差模輸入電阻2)1( 2WbeBidRrRR k)05. 0514 . 11(2 k9 . 9共模輸入電阻共模輸入電阻EWbeBic)1(22)1(RRrRR E)1(2R k1 . 5512 k520+- -+-Id1uBRCRCR

46、CCV OuBRId2uEREEV 1T2TWRLR+- -Icu+- -Icu+- -(12V)(+12V)k1 .5k100k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)輸出電阻輸出電阻Ro雙端輸出時雙端輸出時 k2 .10k1 . 522CoRR單端輸出時單端輸出時 k1 . 5CoRR+- -+-Id1uBRCRCRCCV OuBRId2uEREEV 1T2TWRLR+- -Icu+- -Icu+- -(12V)(+12V)k1 .5k100k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子

47、技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)雙端輸出雙端輸出 CMRKbeBECMRrRRK 單端輸出單端輸出對于圖示電對于圖示電路路6.2.2 帶恒流源的差分放大電路帶恒流源的差分放大電路RE越大越大，KCMR越大，電路抑制共模信號的能力越強(qiáng)。越大，電路抑制共模信號的能力越強(qiáng)。+-+-I1uBRCRC2iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCRC1i+- -+- - -+B1iB2i上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)a. 當(dāng)當(dāng)VEE一定，一定，IE減小，減小，rbe增增大，大， Aud減小。減小。c. 在集成電路中不易制作較大阻值的電阻。在集成電路中不易制作較大阻值

48、的電阻。RE太太大對電路的影響大對電路的影響b. 為了維持為了維持IE不變，必須提高電源電壓不變，必須提高電源電壓VEE。+-+-I1uBRCRC2iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCRC1i+- -+- - -+B1iB2i上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)恒流源的主要特點(diǎn)恒流源的主要特點(diǎn)b. 直流電阻較小直流電阻較小a. 具有很大的交流等效電阻具有很大的交流等效電阻恒流源恒流源通常采用恒流源來代替通常采用恒流源來代替RE+-+-I1uBRCRC2iCCV OuO1uO2uBRI2uE2iEEV 1T2TCRC1i+- -+- - -+上頁上

49、頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)當(dāng)iB恒定恒定，則則iC恒定恒定，晶體管相當(dāng)于一個電流源。，晶體管相當(dāng)于一個電流源。 當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時，當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時，iC基本上與基本上與uCE無關(guān)無關(guān)，只取只取決于決于iB。晶體管恒流源晶體管恒流源CEuCiQ晶體管恒流源工作原理晶體管恒流源工作原理RCE1rce1 uCE iC= =BiCiBEuCEu+ + +上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)帶恒流源的差分放大電路帶恒流源的差分放大電路恒流源恒流源BRCRCROuO1uBR1T2TO2uCCV +-Id2u+- -Id1u+- -Icu3TD1R2R

50、EREEV RiBQ3Ie+- - - -上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)選擇選擇R1和和R2使使IBQ3恒定，恒定， 則則IC3恒定。恒定。BRCRCROuO1uBR1T2TO2uCCV +-Id2u+- -Id1u+- -Icu3TD1R2REREEV RiBQ3Ie+- - - -IC3上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)5T1RCCV RIOi2R3T4T3R1T2T6TI1uEEV LRI2uOu+- -+- -C1iC2iC5iC6i4電流源作有源負(fù)載的差分放大電路電流源作有源負(fù)載的差分放大電路(1) 電路組成電路組成上頁上頁下頁下頁返回

51、返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)代替代替RE，為，為T1、T2 提供合適、穩(wěn)提供合適、穩(wěn)定的靜態(tài)工作點(diǎn)定的靜態(tài)工作點(diǎn)代替代替RC，稱，稱有源負(fù)載有源負(fù)載電流鏡電流鏡比例電流源比例電流源5T1RCCV RIOi2R3T4T3R1T2T6TI1uEEV LRI2uOu+- -+- -C1iC2iC5iC6i上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)因為因為T5、T6 組成組成電流電流鏡，所以鏡，所以C6C5ii a.a.當(dāng)當(dāng)ui1=ui2時時C2C1ii (2) 電路分析電路分析忽略忽略T5、T6的的基極電基極電流。則有流。則有 iC5 iC1 5T1RCCV RIOi2R3T4

52、T3R1T2T6TI1uEEV LRI2uOu+- -+- -C1iC2iC5iC6i上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) iO= iC6 + iC2= iC5 iC1無共模信號輸出無共模信號輸出輸出電流輸出電流 05T1RCCV RIOi2R3T4T3R1T2T6TI1uEEV LRI2uOu+- -+- -C1iC2iC5iC6i上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)b.當(dāng)當(dāng)uI1= uI2時時C2C1ii 輸出電流輸出電流 iO= iC6 + iC2= iC1 + iC2= 2 iC1負(fù)載上得到了雙端輸出的電流負(fù)載上得到了雙端輸出的電流5T1RCCV

53、 RIOi2R3T4T3R1T2T6TI1uEEV LRI2uOu+- -+- -C1iC2iC5iC6i上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)用電流鏡取代差分放用電流鏡取代差分放大電路的集電極電阻大電路的集電極電阻, ,以單端輸出的電路形式，實現(xiàn)了雙端輸出的功能以單端輸出的電路形式，實現(xiàn)了雙端輸出的功能。結(jié)論結(jié)論5T1RCCV RIOi2R3T4T3R1T2T6TI1uEEV LRI2uOu+- -+- -C1iC2iC5iC6i上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)思思 考考 題題1. 差分放大電路中，單端輸出與雙端輸出在性能上有差分放大電路中，單端輸出

54、與雙端輸出在性能上有 何區(qū)別？單端輸入與雙端輸入在性能上有何區(qū)別？何區(qū)別？單端輸入與雙端輸入在性能上有何區(qū)別？3. 差分放大電路中為什么要用恒流源代替公共發(fā)射極差分放大電路中為什么要用恒流源代替公共發(fā)射極 電阻電阻RE?2. 差分放大電路中，公共發(fā)射極電阻對共模信號有差分放大電路中，公共發(fā)射極電阻對共模信號有 什么影響？為什么？對差模信號有什么影響？為什么影響？為什么？對差模信號有什么影響？為 什么？什么？上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)6.3.1 雙極型通用運(yùn)放簡化電路雙極型通用運(yùn)放簡化電路6.3通用集成運(yùn)放通用集成運(yùn)放反相輸入端反相輸入端同相輸入端同相輸入端輸出端輸

55、出端+- -+- -Id1u1I輸入級輸入級+- -1T2T1R2R2IId2uE1iE2i3T4T5T6TC3iC5iC4iC6iO1i中間級中間級3IC7T8T3R輸出級輸出級+OuEEV CCV 4I1D2D9T10T11T上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)輸入級輸入級+- -+- -1T2T1R2RId1u2IId2uE1iE2i3T4T5T6TC3iC5i1IC4iC6iO1i中間級中間級3IC7T8T3R輸出級輸出級+OuEEV CCV 4I1D2D9T10T11T上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)6.3.2 CMOS運(yùn)放運(yùn)放1T2T3T

56、4T5T6T7T8TDDV SSV RIRIuCOu上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)6.4.1 交流參數(shù)交流參數(shù)1開環(huán)差模電壓增益開環(huán)差模電壓增益Aud 2開環(huán)帶寬（開環(huán)帶寬（3dB帶寬）帶寬）fH3單位增益帶寬單位增益帶寬fBWG4單位增益上升速率單位增益上升速率SR )SV(ddmaxoRtuS 6.4運(yùn)放的主要參數(shù)及簡化低頻等效電路運(yùn)放的主要參數(shù)及簡化低頻等效電路上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)5建立時間建立時間Tset 6最大差模輸入電壓最大差模輸入電壓UIDM 7最大共模輸入電壓最大共模輸入電壓UICM 8最大輸出電流最大輸出電流IOM

57、 9輸出電壓峰輸出電壓峰 峰值峰值UoppOu 2t0.1UomUomTset上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1輸入失調(diào)電壓輸入失調(diào)電壓UIOBE2BE1IOUUU 2輸入偏置電流輸入偏置電流IIB 2B2B1IBIII 3輸入失調(diào)電流輸入失調(diào)電流IIO B2B1IOIII 4失調(diào)電壓和失調(diào)電流的溫漂失調(diào)電壓和失調(diào)電流的溫漂 UIO T、 IIO T BREEV BRC1IC2IB1IB2IE2I6.4.2 直流參數(shù)直流參數(shù)上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)+- -+-(+)(-)IduidrIdOduAOrOu6.4.3 簡化低頻等效電路簡化低頻

58、等效電路上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)6.5.1 幾種特殊用途的運(yùn)放簡介幾種特殊用途的運(yùn)放簡介6.5其它集成運(yùn)放其它集成運(yùn)放1高精度運(yùn)算放大器高精度運(yùn)算放大器2高輸入阻抗運(yùn)算放大器高輸入阻抗運(yùn)算放大器3高速運(yùn)算放大器高速運(yùn)算放大器4低功耗運(yùn)算放大器低功耗運(yùn)算放大器5高壓運(yùn)算放大器高壓運(yùn)算放大器上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)跨導(dǎo)型運(yùn)算放大器的簡化電路跨導(dǎo)型運(yùn)算放大器的簡化電路6.5.2 跨導(dǎo)運(yùn)放跨導(dǎo)運(yùn)放+- -Idu 1T2T3T4T5T6T7T8T9T10TBICCV EEV C1i C9i C2i C4i C10i C7i C8i Ou O

59、i +-LR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)dImmO)(uguugi 跨導(dǎo)運(yùn)算放大器電路符號跨導(dǎo)運(yùn)算放大器電路符號gmuIdiOu_u+上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)電流模電路具有與閉環(huán)增益無關(guān)的近似恒定帶寬電流模電路具有與閉環(huán)增益無關(guān)的近似恒定帶寬1電流模電路基礎(chǔ)電流模電路基礎(chǔ)(1) 電流模電路的一般概念電流模電路的一般概念6.5.3 電流模運(yùn)放電流模運(yùn)放電流模（電流型）電路電流模（電流型）電路: 以電流為參量傳遞信號以電流為參量傳遞信號電壓模（電壓型）電路電壓模（電壓型）電路: 以電壓為參量傳遞信號以電壓為參量傳遞信號上頁上頁下頁下頁返回

60、返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(2) 跨導(dǎo)線性的基本概念跨導(dǎo)線性的基本概念TBEeSCUuIi SCTBElnIiUu 工作在放大區(qū)的雙極型晶體管，當(dāng)工作在放大區(qū)的雙極型晶體管，當(dāng)UBE100mV時時跨導(dǎo)跨導(dǎo)TTUuUiUIuigTCSBECmBEedd 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(3) 跨導(dǎo)線性回路原理跨導(dǎo)線性回路原理4BE2BE3BE1BEuuuu 4S2S4C2C3S1S3C1ClnlnIIiiIIii 4S2S4C2C3S1S3C1CIIiiIIii 四個晶體三極管發(fā)射結(jié)構(gòu)成四個晶體三極管發(fā)射結(jié)構(gòu)成的閉合回路，稱為跨導(dǎo)線性回路，的閉合回路，稱為跨導(dǎo)線