數(shù)字邏輯集成門電路

1、1第三章第三章 集成門電路集成門電路2343.1 PN3.1 PN結結56783.2.1 3.2.1 半導體二極管（半導體二極管（Diode)Diode)3.2 3.2 晶體管開關特性晶體管開關特性9UDID導通壓降導通壓降: : 硅管硅管0.60.60.7V,0.7V,鍺管鍺管0.20.20.3V0.3V。死區(qū)電壓：死區(qū)電壓：硅管硅管 0.5V0.5V鍺管鍺管 0 0.2V.2V。反向飽和電流反向飽和電流（很小，（很小， A A級）級）反向擊穿電壓反向擊穿電壓V VBRBR10R RL LU UiU UO OU Ui iU Uo ot tt t113.2.2 3.2.2 晶體二極管開關特性晶

2、體二極管開關特性1213) 1(TDVUSDeII1415161718193.2.3 3.2.3 半導體三極管半導體三極管(Transistor)(Transistor)2021I IB B( ( A)A)U UBEBE(V)(V)20204040606080800.40.40.80.8U UCECE 1V1V I IB B與與U UBEBE的關系曲線（同二極管）的關系曲線（同二極管）輸入特性輸入特性死區(qū)電壓：死區(qū)電壓：硅管硅管0.5V0.5V工作壓降：工作壓降：硅管硅管U UBE BE 0.7V 0.7V22輸出特性輸出特性(I(IC C與與U UCECE的關系曲線的關系曲線) )2 2 =

3、I=IC C/I/IB B=2=2mAmA/40/40 A=50A=504040 A A3 36060 A A =I=IC C/I/IB B=3=3mAmA/60/60 A=50A=50I IC C( (m mA A ) )U UCECE(V)(V)4 48080 A A233.2.4 3.2.4 雙極型晶體三極管開關特性雙極型晶體三極管開關特性2425262728293.3 3.3 晶體管反相器晶體管反相器303132333.4 3.4 分立元件門電路分立元件門電路3435363738393.5.1 TTL3.5.1 TTL與非門電路結構及工作原理與非門電路結構及工作原理3.5 TTL3.5

4、 TTL門電路門電路40414243 3.5.2 3.5.2 參數(shù)與指標參數(shù)與指標44454647484950 3.6 3.6 其它類型的其它類型的TTLTTL門門3.6.1 TTL3.6.1 TTL門分類門分類一、按系列分類一、按系列分類51二、按邏輯功能分類二、按邏輯功能分類三、按輸出電路形式分類三、按輸出電路形式分類523.6.2 3.6.2 集電極開路輸出門（集電極開路輸出門（OCOC門）門）5354CDABFFF21553.6.3 3.6.3 三態(tài)輸出門（三態(tài)輸出門（TSTS門）門）56575859603.6.4 TTL3.6.4 TTL門閑置輸入端的處理門閑置輸入端的處理61623

5、.7.1 NMOS3.7.1 NMOS和和PMOSPMOS門電路門電路場效應管有兩種場效應管有兩種: :3.7 MOS3.7 MOS集成門電路集成門電路場效應管與晶體管不同，它是多子導電，輸入阻場效應管與晶體管不同，它是多子導電，輸入阻抗高，溫度穩(wěn)定性好?？垢?，溫度穩(wěn)定性好。結型場效應管結型場效應管JFETJFET絕緣柵型場效應管絕緣柵型場效應管MOSMOSN N溝道溝道P P溝道溝道耗盡型耗盡型增強型增強型耗盡型耗盡型增強型增強型631 1、NMOSNMOS管的結構管的結構P PGSDN NN NP P型基底型基底兩個兩個N N區(qū)區(qū)SiOSiO2 2絕緣層絕緣層金屬鋁金屬鋁N N導電溝道導電溝道未預留未預留 N N溝道增強型溝道增強型預留預留 N N溝道耗盡型溝道耗盡型642 2、邏輯符號、邏輯符號P P溝道溝道增強增強型型G GS SD DG GS SD DN N溝道增強型