半導(dǎo)體學(xué)習總結(jié)學(xué)習教案

1、會計學(xué)1半導(dǎo)體學(xué)習總結(jié)半導(dǎo)體學(xué)習總結(jié)第一頁，編輯于星期日：十三點 五分。目錄半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體特性及應(yīng)用半導(dǎo)體及其產(chǎn)業(yè)分類集成電路工藝流程半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢第1頁/共28頁第二頁，編輯于星期日：十三點 五分。1.半導(dǎo)體材料定義根據(jù)物體導(dǎo)電能力的不同，來劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。導(dǎo)體：109 .cm半導(dǎo)體：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間。第2頁/共28頁第三頁，編輯于星期日：十三點 五分。三種導(dǎo)電性不同的材料的比較 金屬的價帶與導(dǎo)帶之間沒有距離，因此電子（紅色實心圓圈）可以自由移動。絕緣體的能隙寬度最大，電子難以從價帶躍遷到導(dǎo)帶。 半導(dǎo)體的能隙在兩者之間，電子較容易躍遷至導(dǎo)帶中。第3頁/共28頁第四頁

2、，編輯于星期日：十三點 五分。 半導(dǎo)體材料生產(chǎn)總值很大，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛。 半導(dǎo)體材料的發(fā)展使國民經(jīng)濟和科技等領(lǐng)域出現(xiàn)了巨大的進步，改變了我們的生活。市場規(guī)模第4頁/共28頁第五頁，編輯于星期日：十三點 五分。半導(dǎo)體材料的分類按純度可分為 本征半導(dǎo)體：純凈的單晶半導(dǎo)體。常溫下其電阻率很高，是電的不良導(dǎo)體。 雜質(zhì)半導(dǎo)體:摻入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體。由于雜質(zhì)原子提供導(dǎo)電載流子，使材料的電阻率大為降低。 雜質(zhì)半導(dǎo)體靠導(dǎo)帶電子導(dǎo)電的稱N型半導(dǎo)體，靠價帶空穴導(dǎo)電的稱P型半導(dǎo)體。 第5頁/共28頁第六頁，編輯于星期日：十三點 五分。半導(dǎo)體材料的分類按化學(xué)成分可分為第6頁/共28頁第七頁，編輯于星期日：十三點 五

3、分。主要的半導(dǎo)體材料（部分）第7頁/共28頁第八頁，編輯于星期日：十三點 五分。2.半導(dǎo)體特性及應(yīng)用摻雜特性摻入微量的雜質(zhì)能顯著地改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力。雜質(zhì)含量改變能引起載流子濃度變化，實現(xiàn)半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的可控性。制成P型或N型半導(dǎo)體第8頁/共28頁第九頁，編輯于星期日：十三點 五分。溫度特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度升高而迅速增加，不同于金屬的正的電阻溫度系數(shù)。第9頁/共28頁第十頁，編輯于星期日：十三點 五分。光電導(dǎo)特性光電導(dǎo)現(xiàn)象：半導(dǎo)體導(dǎo)電能力隨光照而發(fā)生變化。例如：半導(dǎo)體硒，它的電阻值有隨光強的增加而急劇減小的現(xiàn)象。第10頁/共28頁第十一頁，編輯于星期日：十三點 五分。光生伏特效應(yīng)光生伏

4、特：光照在PN結(jié)上，產(chǎn)生電子-空穴對，在內(nèi)建電場作用下，產(chǎn)生光生電勢。可用于太陽能電池的制造。太陽能電池及原理第11頁/共28頁第十二頁，編輯于星期日：十三點 五分。整流特性整流：半導(dǎo)體電阻率與所加電場方向有關(guān)。硅單晶材料和晶體管的發(fā)明，硅集成電路的研制成功，導(dǎo)致了電子工業(yè)革命。晶體二極管三極管大規(guī)模集成電路信息時代第12頁/共28頁第十三頁，編輯于星期日：十三點 五分。3.半導(dǎo)體及其產(chǎn)業(yè)分類半導(dǎo)體的分類第13頁/共28頁第十四頁，編輯于星期日：十三點 五分。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分類第14頁/共28頁第十五頁，編輯于星期日：十三點 五分。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)特點第15頁/共28頁第十六頁，編輯于星期日：十三點 五

5、分。4.集成電路工藝流程集成電路產(chǎn)業(yè)流程圖第16頁/共28頁第十七頁，編輯于星期日：十三點 五分。集成電路制造流程晶圓處理制程：晶圓處理制程：主要工作為在矽晶圓上制作電路與電子元件。晶圓處理基本步驟晶圓處理基本步驟：第17頁/共28頁第十八頁，編輯于星期日：十三點 五分。構(gòu)裝制程構(gòu)裝制程：利用塑料和陶瓷包裝晶粒以成積體電路 目的目的：是為了制造出所生產(chǎn)的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 晶圓針測制程：晶圓針測制程：使用針測儀器測試晶圓處理制程后晶圓上形成的一格格的晶粒的電氣特性，將不合格的的晶粒標上記號的過程。第18頁/共28頁第十九頁，編輯于星期日：十三點 五分。晶圓前處理

6、流程第19頁/共28頁第二十頁，編輯于星期日：十三點 五分。第20頁/共28頁第二十一頁，編輯于星期日：十三點 五分。第21頁/共28頁第二十二頁，編輯于星期日：十三點 五分。第22頁/共28頁第二十三頁，編輯于星期日：十三點 五分。集成電路制造工藝分類BiMOSECL/CMLI2TTTL第23頁/共28頁第二十四頁，編輯于星期日：十三點 五分。芯片封裝方式介紹（部分）第24頁/共28頁第二十五頁，編輯于星期日：十三點 五分。5.半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢半導(dǎo)體的發(fā)展歷程硅質(zhì)圓晶硅質(zhì)圓晶GaAsGaAs半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器汽車防撞雷達系統(tǒng)汽車防撞雷達系統(tǒng)第25頁/共28頁第二十六頁，編輯于星期日：十三點 五分。半導(dǎo)體的發(fā)展方向 半導(dǎo)體材料體系：硅基材料作為微電子器件的基礎(chǔ)在21世紀中葉之前不會改變；化合物半導(dǎo)體在光電子器件，光電集成等領(lǐng)域作用會越來越大。 半導(dǎo)體材料結(jié)構(gòu)：三維材料薄膜量子線、量子