模擬電子電路及技術(shù)基礎(chǔ)第四章

1、第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 4.1 基本要求及重點(diǎn)、 難點(diǎn)4.2 習(xí)題類型分析及例題精解4.3 習(xí)題解答 第四章第四章 常用半導(dǎo)體器件原理常用半導(dǎo)體器件原理 第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 1. 基本要求基本要求(1) 理解本征半導(dǎo)體、 P型和N型半導(dǎo)體以及漂移電流和擴(kuò)散電流等基本概念。 (2) 掌握PN結(jié)的工作原理、 單向?qū)щ娦浴?擊穿特性和電容特性等基本知識(shí)。 (3) 掌握晶體二極管的伏安特性、 常用參數(shù)、 溫度特性， 能夠應(yīng)用簡(jiǎn)化模型對(duì)二極管基本應(yīng)用電路(包括整流、 限幅、 電平選擇和峰值檢波電路)進(jìn)行分析和計(jì)算。 4.1 基本要求及重點(diǎn)、基本要求及重點(diǎn)、 難點(diǎn)難點(diǎn) 第四章 常用半導(dǎo)體器件原

2、理 (4) 掌握穩(wěn)壓二極管特性及其應(yīng)用電路的分析、 計(jì)算， 掌握包含二極管、 穩(wěn)壓管和運(yùn)放的電路(包括精密整流電路、 輸出限幅比較器、 輸出限幅且占空比可調(diào)的弛張振蕩器等電路)的分析和計(jì)算。 (5) 掌握雙極型晶體三極管的工作原理、 共射輸出特性和輸入特性曲線及主要參數(shù)， 熟練掌握直流偏置下晶體管的工作狀態(tài)分析、 計(jì)算以及各種晶體管應(yīng)用電路(包括對(duì)數(shù)、 反對(duì)數(shù)、 值測(cè)量、 恒流源電路)的分析和計(jì)算。 (6) 掌握J(rèn)FET和MOSFET的工作原理、 輸出特性和轉(zhuǎn)移特性曲線及主要參數(shù)， 熟練掌握直流偏置下FET的工作狀態(tài)分析、 計(jì)算以及各種FET應(yīng)用電路(包括方波、 鋸齒波發(fā)生器， 取樣/保持電路

3、， 相敏檢波電路)的分析和計(jì)算。(7) 了解雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管的性能及參數(shù)比較。 第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 2. 重點(diǎn)、重點(diǎn)、 難點(diǎn)難點(diǎn)重點(diǎn)： PN結(jié)工作原理， 晶體二極管應(yīng)用電路及晶體三極管和場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理、 特性曲線、 主要參數(shù)及其應(yīng)用電路的分析和計(jì)算。難點(diǎn)： 本章概念較多， 晶體三極管尤其是場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理、 特性曲線及其應(yīng)用電路的分析和計(jì)算較難掌握， 教學(xué)中應(yīng)密切聯(lián)系應(yīng)用背景， 引起學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣。 第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 1.半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)和半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)和PN結(jié)結(jié)作為原理基礎(chǔ)篇的開始， 本章涉及到許多新的概念， 原理描述較多， 引入了不少專有名詞。 應(yīng)用時(shí)應(yīng)該注意概

4、念準(zhǔn)確， 原理描述簡(jiǎn)潔， 專有名詞拼寫正確。 同時(shí)， 本章相對(duì)和相似的內(nèi)容較多， 如N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體， NPN型晶體管和PNP型晶體管， 三種N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和三種P溝道場(chǎng)效應(yīng)管， 等等， 學(xué)習(xí)時(shí)應(yīng)該注意區(qū)分， 避免混淆。 4.2 習(xí)題類型分析及例題精解習(xí)題類型分析及例題精解 第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 【例4-1】 半導(dǎo)體中載流子通過(guò)什么物理過(guò)程產(chǎn)生？ 半導(dǎo)體電流與哪些因素有關(guān)？答 本征半導(dǎo)體中的載流子通過(guò)本征激發(fā)產(chǎn)生。 雜質(zhì)半導(dǎo)體中， 多子的絕大部分由摻雜產(chǎn)生， 極少部分由本征激發(fā)產(chǎn)生； 少子則單純由本征激發(fā)產(chǎn)生。半導(dǎo)體電流分為漂移電流和擴(kuò)散電流。 漂移電流與電場(chǎng)強(qiáng)度、 載流子的濃度和

5、遷移率有關(guān)， 擴(kuò)散電流與載流子沿電流方向單位距離的濃度差即濃度梯度有關(guān)。 第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 2. 二極管和穩(wěn)壓二極管二極管和穩(wěn)壓二極管1) 二極管的直流電阻和交流電阻二極管的直流電阻利用其兩端的直流電壓和其中的直流電流直接計(jì)算， 也可以利用伏安特性曲線通過(guò)圖解法得到。 圖解法求交流電阻誤差很大， 一般利用熱電壓和直流電流計(jì)算， 不加說(shuō)明時(shí)， 熱電壓取26 mV。 【例4-2】 二極管的伏安特性如圖4-1所示， 計(jì)算直流靜態(tài)工作點(diǎn)Q處的直流電阻RD和交流電阻rD。第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 圖4-1 例4-2特性曲線第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 解 Q處直流電壓UDQ=0.7 V, 直流

6、電流IDQ=2.5 mA， 則直流電阻交流電阻2802.5mA0.7VDDDQQIUR4 .102.5mA26mVDTDQIUr第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 2) 二極管的管壓降和電流二極管中的電流即其所在支路的電流， 如果電流已知， 則可以利用外電路的電壓分布間接計(jì)算管壓降， 反之， 可以利用已知的管壓降從外電路計(jì)算二極管中的電流。 如果可以精確測(cè)量二極管兩端的電壓， 其變化不大時(shí)， 可以利用二極管的交流電阻線性外推二極管中的電流。 【例4-3】 二極管電流測(cè)量電路如圖4-2所示。 當(dāng)電源電壓E=10 V時(shí)， 電流表讀數(shù)ID1=9.7 mA， 則當(dāng)E=20 V時(shí)， 估計(jì)電流表讀數(shù)ID2。第四章

7、 常用半導(dǎo)體器件原理 圖4-2 例4-3電路圖第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 解 二極管VD的管壓降UD(on)=EID1R=10 V9.7 mA1 k=0.3 V 當(dāng)E=20 V時(shí)， 電流表讀數(shù)19.7mA1k0.3V20VD(on)D2RUEI第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 【例4-4】 二極管電壓測(cè)量電路如圖4-3所示。 當(dāng)電源電壓E=13.6 V時(shí)， 電壓表讀數(shù)UD1=0.6 V； E增大后， 電壓表讀數(shù)UD2=0.63 V, 估計(jì)此時(shí)二極管VD中的電流ID2。圖4-3 例4-4電路圖第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 解 當(dāng)E=13.6 V時(shí)， VD中的電流VD的交流電阻 E增大后， VD兩端的電壓

8、變化不大， 即U=UD2UD1=0.63 V-0.6 V=0.03 V1.7 V時(shí)， VD導(dǎo)通， uo=uiUD(on)=ui0.7 V; 當(dāng)ui0.3 V時(shí)， VD導(dǎo)通， uo=E+UD(on)=0.3 V； 當(dāng)ui1.3 V時(shí)， VD截止，當(dāng)ui1.4 V時(shí)， VD截止，當(dāng)ui0時(shí)， A輸出負(fù)電壓， 二極管VD1導(dǎo)通， VD2截止， A存在負(fù)反饋， 用作放大器， 電阻R2右端懸空， 其上沒(méi)有電流， 輸出電壓uo=u=u+=0； 當(dāng)ui0時(shí)， A2輸出正電壓， VD截止， A2不存在負(fù)反饋， 用作電壓比較器， 電阻R1上沒(méi)有電流， u1=u1+=ui, uo=2u1ui=ui; 當(dāng)uiUB，

9、 所以集電結(jié)反偏， 假設(shè)成立， 晶體管處于放大狀態(tài)， 以上結(jié)果正確， UCE=UC=2.55 V。在圖4-9(b)中標(biāo)出PNP型晶體管極電流的實(shí)際流向。 發(fā)射極經(jīng)過(guò)電阻RE接地， 所以假設(shè)晶體管處于放大狀態(tài)， 則 UCC+IBRBUBE(on)+IERE=UCC+IBRBUBE(on)+(1+)IBRE=12 V+IB100 k(0.7 V)+(1+50)IB2 k=0第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 計(jì)算出IB=55.9 A0， 確定發(fā)射結(jié)正偏， 晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)。 假設(shè)晶體管處于放大狀態(tài)， 則集電極電壓UC=UCC+ICRC=UCC+IBRC=12 V+5055.9 A4 k=0.81 V基極

10、電壓UB=UCC+IBRB =12 V+55.9 A100 k=6.4 V因?yàn)閁CUB， 所以集電結(jié)正偏， 晶體管處于飽和狀態(tài)， UCE=UCE(sat)。第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 【例4-11】 場(chǎng)效應(yīng)管直流偏置電路和有關(guān)參數(shù)如圖4-10所示， 判斷場(chǎng)效應(yīng)管的工作狀態(tài)并計(jì)算極間電壓UDS。圖4-10 例4-11電路圖第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 解 圖4-10(a)中， UGS=0UGS(off)=5 V， 所以場(chǎng)效應(yīng)管工作在導(dǎo)通區(qū)， ID=IDSS=3 mA， UDG=UDSUGS=UDS=UDDIDRD=12 V3 mA1 k=9 VUGS(off)=5 V，所以場(chǎng)效應(yīng)管工作在恒流區(qū)，

11、UDS=UDG=9 V。圖4-10(b)中， UGS=UGG=2 VUGS(th)=3 V， 所以場(chǎng)效應(yīng)管工作在截止區(qū)， ID=0， UDS=UDD+IDRD=UDD=12 V。 第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 2) 對(duì)數(shù)和反對(duì)數(shù)運(yùn)算電路基本的對(duì)數(shù)和反對(duì)數(shù)運(yùn)算電路可以構(gòu)成較復(fù)雜的模擬運(yùn)算電路。 對(duì)數(shù)運(yùn)算電路中， 輸出電壓和晶體管發(fā)射結(jié)電壓有關(guān)， 輸入電壓則和集電極電流有關(guān)， 電流方程聯(lián)系了發(fā)射結(jié)電壓和集電極電流， 從而確定了輸出電壓與輸入電壓的關(guān)系； 反對(duì)數(shù)運(yùn)算電路中， 輸出電壓和輸入電壓分別與集電極電流和發(fā)射結(jié)電壓有關(guān)， 并且通過(guò)電流方程關(guān)聯(lián)。 【例4-12】 由對(duì)數(shù)運(yùn)算電路構(gòu)成的模擬運(yùn)算電路如

12、圖4-11所示， 推導(dǎo)輸出電壓uo的表達(dá)式。第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 圖4-11 例4-12電路圖第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 解 由得由得1i1sC1TBE1eRuIiUu1si1TBE1lnRIuUu2i2sC2TBE2eRuIiUu2si2TBE2lnRIuUu第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 所以i12i21T1si1T2si2TBE1BE2olnlnlnuRuRURIuURIuUuuu第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 3) 恒流源電路處于放大狀態(tài)的晶體管可以實(shí)現(xiàn)恒流輸出。 如果負(fù)載電阻變化， 其上的電壓會(huì)相應(yīng)改變， 繼而引起晶體管輸出電壓的變化， 于是工作點(diǎn)會(huì)沿輸出特性曲線運(yùn)動(dòng)。 應(yīng)該保證工作點(diǎn)

13、不超出放大區(qū)， 即不進(jìn)入飽和區(qū)或擊穿區(qū)， 這樣就限制了負(fù)載電阻的取值范圍。 場(chǎng)效應(yīng)管的工作點(diǎn)位于恒流區(qū)時(shí)， 也可以實(shí)現(xiàn)輸出電流為恒流， 與場(chǎng)效應(yīng)管輸出電壓的變化無(wú)關(guān)。 第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 【例4-13】 晶體管恒流源電路和相關(guān)的晶體管輸出特性曲線分別如圖4-12(a)和(b)所示， 在負(fù)載電阻變化時(shí)， 電路為其提供恒定電流。 穩(wěn)壓二極管VDZ的穩(wěn)定電壓UZ=6 V， 計(jì)算負(fù)載電阻RL上的輸出電流IO， 并確定允許接入的RL的取值范圍。第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 圖4-12 例4-13電路圖及輸出特性曲線第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 解由輸出特性曲線可知， 為了保證處于放大狀態(tài)， 晶體管的

14、輸出電壓應(yīng)滿足UCE(sat)uCE=UCC-IO(RL+R2)UBR(CEO)即0.1 V36 V20 mA(RL+300 )25 V計(jì)算出RL的取值范圍為550 RL0時(shí)， 二極管VD1導(dǎo)通， VD2截止， 第一級(jí)放大器的輸出電壓uo1=u1=u1+=ui， 集成運(yùn)放A2的輸入電壓u2=u2+=ui， 所以電阻R2和Rf2中無(wú)電流， 輸出電壓uo= u2=ui。第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 當(dāng)ui1.3 V時(shí)， VD截止， uo=E=2 V； 當(dāng)ui2.7 V 時(shí)， VD截止， uo=ui； 當(dāng)ui3.7 V時(shí)， VD導(dǎo)通， uo=uiEUD(on)=ui3.7 V； 當(dāng)ui2.3 V時(shí)，

15、VD導(dǎo)通， uo=ui+E=ui+3 V； 當(dāng)ui1.7 V時(shí)， VD導(dǎo)通， uo=ui-UD(on)=ui0.7 V； 當(dāng)ui3.4 V時(shí)， VD導(dǎo)通， uo=UD(on)+E=0.7 V+1 V=1.7 V； 當(dāng)ui0時(shí)， 二極管VD導(dǎo)通， 集成運(yùn)放的輸入電壓u=u+=ui， 則當(dāng)ui0時(shí)， 二極管VD導(dǎo)通， uo=u=u+=0； 當(dāng)uiUZ1+UZ2=6 V+4 V=10 V時(shí)， VDZ1和VDZ2都擊穿， uo=UZ1+ UZ2=10 V； 當(dāng)ui2UD(on)=20.7 V=1.4 V時(shí)， VDZ1和VDZ2都導(dǎo)通， uo=2UD(on) =1.4 V； 而當(dāng)2UD(on)=1.4

16、VuiUZ1+UD(on)=6 V+0.7 V=6.7 V時(shí)， VDZ1擊穿， VDZ2導(dǎo)通， uo=UZ1+UD(on)=6.7 V； 當(dāng)ui(UZ2+UD(on)=(4 V+0.7 V) =4.7 V時(shí)， VDZ1導(dǎo)通， VDZ2擊穿， uo=(UZ2+UD(on)=4.7 V； 而當(dāng)(UZ2+UD(on)=4.7Vui2UD(on)=20.7 V=1.4 V時(shí)， VDZ1和VDZ2都導(dǎo)通， uo=2UD(on) =1.4 V； 當(dāng)ui(UZ1+UZ2)=(6 V+4 V)=10 V時(shí)， VDZ1和VDZ2都擊穿， uo=(UZ1+UZ2)=10 V； 而當(dāng)(UZ1+UZ2)=10 Vui

17、2UD(on)=1.4 V時(shí)， VDZ1和VDZ2都截止， uo=ui。 根據(jù)以上分析， 該電路的電壓傳輸特性如圖P4-11(c)所示。 第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 4-12 求圖P4-12所示電路的輸出電壓UO, 已知穩(wěn)壓二極管VDZ1和VDZ2的穩(wěn)定電壓分別為UZ1=6 V, UZ2=7 V, 導(dǎo)通電壓UD(on)均為0.7 V。圖 P4-12第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 解 圖P4-12(a)中， 因?yàn)閁Z10時(shí)， 二極管VD截止， 集成運(yùn)放A1的輸入電壓u1=u1+=ui， 輸出電壓V5V4V51V26V1VV8iiiiouuuuui121i1ouuRRuuu第四章 常用半導(dǎo)體器件原理

18、當(dāng)ui0時(shí)， VD導(dǎo)通， A1構(gòu)成反相比例放大器， 有 根據(jù)以上分析， 在任意時(shí)刻， uo =|ui |。ii12ouuRRu第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 4-14 電路如圖P4-14所示。 設(shè)電容C的初始電壓為零。 (1) 說(shuō)明集成運(yùn)放A1、 A2和A3的功能； (2) 當(dāng)輸入電壓ui=8 sint(V)時(shí)， 畫出各級(jí)輸出電壓uo1、 uo2和uo的波形。 第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 圖 P4-14第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 解 (1) A1構(gòu)成反相比例放大器， A2構(gòu)成反相過(guò)零簡(jiǎn)單比較器， A3構(gòu)成反相積分器。 (2) 當(dāng)uo10時(shí)， uo2 =6 V。 uo2 =6 V時(shí)， 電容C充電，

19、uo 隨時(shí)間線性下降； uo2 =6 V時(shí)， C放電， uo 隨時(shí)間線性上升。 根據(jù)以上分析， uo1、 uo2 和uo 的波形如圖P4-14所示。 ii12o1uuRRu第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 圖 P4-14第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 4-15 定性畫出圖P4-15中弛張振蕩器的輸出電壓uo和電容電壓uC的波形。 解 圖P4-15(a)中， 當(dāng)uo =UoH=6 V時(shí)， 二極管VD截止， uo通過(guò)電阻R5對(duì)電容C充電； 當(dāng)uo=UoL=-6 V 時(shí)， VD導(dǎo)通， C通過(guò)R4R5放電。 根據(jù)以上分析， 該電路的充電速度慢， 放電速度快， uo和uC的波形如圖P4-15(a)所示， 其中設(shè)t

20、=0時(shí)， C上的電量為零。 圖P4-15(b)中， 當(dāng)uo=UoH=6 V時(shí)， 二極管VD導(dǎo)通， uo通過(guò)電阻R4對(duì)電容C充電； 當(dāng)uo=UoL=-6 V時(shí)， VD截止， C通過(guò)R4+R5放電。 根據(jù)以上分析， 該電路的充電速度大于放電速度， uo和uC的波形如圖P4-15(b)所示， 其中設(shè)t=0時(shí)， C上的電量為零。 第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 圖 P4-15第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 圖 P4-15第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 4-16 電路如圖P4-16所示， 畫出輸出電壓uo和電容電壓uC的波形。 圖 P4-16第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 圖 P4-16第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 解

21、集成運(yùn)放A1構(gòu)成反相積分器， A2構(gòu)成同相遲滯比較器。 當(dāng)uo=UoH=6 V時(shí)， 電容C恒流充電， uC隨時(shí)間線性下降， 當(dāng)時(shí)， uo=UoL=6 V， C恒流放電， uC隨時(shí)間線性上升。 根據(jù)以上分析， uo和uC的波形如圖P4-16所示， 其中設(shè)t=0時(shí)， C上的電量為零。 V6V6k10k10OH21TLURRUuC第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 4-17 判斷圖P4-17中晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管的工作狀態(tài)。 解 圖P4-17(a)中， 可以確定發(fā)射結(jié)正偏， 所以晶體管處于放大狀態(tài)或飽和狀態(tài)。 假設(shè)其處于放大狀態(tài)， 則IBRB + UBE(on) + (1 + b)IBRE = UCC，即IB

22、370 k + 0.6 V + (1 + 100)IB 2 k = 12 V，計(jì)算出IB = 20 A，則IC = bIB = 100 20 A = 2 mA。所以集電結(jié)反偏， 假設(shè)成立， 晶體管處于放大狀態(tài)。 04.4Vk5 . 1mA2k370A20)()(CCBBBBCCCCCCBCCBRIRIRIURIUUUU第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 圖P4-17(b)中， UGS=0 UGS(off)， 所以場(chǎng)效應(yīng)管工作在恒流區(qū)或可變電阻區(qū)， 且ID=IDSS=4 mA。所以場(chǎng)效應(yīng)管工作在恒流區(qū)。 DDDDDSDGRIUUUGS(off)V8k1mA)4(V12U第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 圖 P

23、4-17第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 4-18 實(shí)驗(yàn)測(cè)得圖P4-18中兩個(gè)放大狀態(tài)下的晶體管三極的電位分別為(1) U1=3 V， U2=6 V， U3=3.7 V； (2) U4=2.7 V， U5=2 V， U6=5 V。 判斷每個(gè)晶體管的類型， 標(biāo)出其基極、 發(fā)射極和集電極。 解 (1) NPN型晶體管， U1為發(fā)射極， U2為集電極， U3為基極；(2) PNP型晶體管， U4為基極， U5為發(fā)射極， U6為集電極。 第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 圖 P4-18第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 4-19 實(shí)驗(yàn)測(cè)得圖P4-19中兩個(gè)放大狀態(tài)下的晶體管的極電流分別為(1) I1=5 mA， I2=0

24、.04 mA， I3=5.04 mA； (2) I4=1.93 mA， I5=1.9 mA， I6=0.03 mA。 判斷每個(gè)晶體管的類型， 標(biāo)出其基極、 發(fā)射極和集電極， 并計(jì)算直流電流放大倍數(shù)和。 解 (1) NPN型晶體管， I1為集電極， I2為基極， I3為發(fā)射極， =125 ， =0.992; (2) PNP型晶體管， I4為發(fā)射極， I5為集電極， I6為基極， =63.3， =0.984。 第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 圖 P4-19第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 4-20 推導(dǎo)圖P4-20中對(duì)數(shù)運(yùn)算電路的輸出電壓uo的表達(dá)式。 解 其中所以SCBEolnIiUuuT2i21i1i2

25、i1CRuRuiii2Si21Si1olnRIuRIuUuT第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 圖 P4-20第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 4-21 由對(duì)數(shù)和反對(duì)數(shù)運(yùn)算電路構(gòu)成的模擬運(yùn)算電路如圖P4-21所示。 求輸出電壓uo的表達(dá)式。 解 電路中電阻R5起調(diào)零作用， 所以有uBE1+Ube3uBE4uBE2=0由晶體管的電流方程得 1S1BE1lnRIuUuT2S2BE3lnRIuUuT3S3BE2lnRIuUuT4SoBE4lnRIuUuT第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 所以有即1o321uuuu321ouuuu 第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 圖 P4-21第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 4-22 對(duì)數(shù)運(yùn)算電

26、路如圖P4-22所示。 (1) 說(shuō)明晶體管V1和V2的功能；(2) 說(shuō)明熱敏電阻R4的功能；(3) 證明輸出電壓uo的表達(dá)式為 證明 節(jié)點(diǎn)A的電壓 BE1BE2AuUuRi12T43oln1UuRRURRuC1C2SC1SC2lnlnlniIUIiUIIUTTT第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 圖 P4-22第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 其中， ， ， 所以又2RC2RUI1iC2RuiiR21Ti12RTAlnlnuURRUuRRUUuo434AuRRRu第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 所以 從以上證明過(guò)程中可以看出， 晶體管V1和V2的反相飽和電流彼此相約， 從而抵消了其對(duì)溫度變化敏感帶來(lái)的影響。 R

27、4應(yīng)該具有正溫度系數(shù)， 可以在一定程度上減弱隨溫度變化的UT帶來(lái)的影響。 Ri1243iR2143A43oln1ln11UuRRURRuURRURRuRRuTT第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 4-23 圖P4-23所示電路中， 穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓為UZ。 推導(dǎo)輸出電壓UO的表達(dá)式。 解 3ZE1C1RUIIZ32CC2C1CC22URRURIUUUZ43242CCE2C2URRRRUUIIZ43525C23URRRRRIUZ435233OURRRRUUU第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 圖 P4-23第四章 常用半導(dǎo)體器件原理 4-24 圖P4-24(a)、 (b)分別給出了兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性和轉(zhuǎn)移特性。判斷它們的類型， 確定其UGS(off)或U