第15章半導(dǎo)體二極管和三極管

1、end15.1 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性半導(dǎo)體：半導(dǎo)體：導(dǎo)電能力介乎于導(dǎo)體和絕緣體之導(dǎo)電能力介乎于導(dǎo)體和絕緣體之 間的間的 物質(zhì)。物質(zhì)。半導(dǎo)體特性：半導(dǎo)體特性：熱敏特性、光敏特性、摻雜特性熱敏特性、光敏特性、摻雜特性 本征半導(dǎo)體就是完全純凈的半導(dǎo)體。本征半導(dǎo)體就是完全純凈的半導(dǎo)體。 應(yīng)用最多的本征半應(yīng)用最多的本征半導(dǎo)體為鍺和硅，它們導(dǎo)體為鍺和硅，它們各有四個(gè)價(jià)電子，都各有四個(gè)價(jià)電子，都是四價(jià)元素。是四價(jià)元素。硅的原子結(jié)構(gòu)硅的原子結(jié)構(gòu)15.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體 純凈的半導(dǎo)體其所有的原子基本上整齊排列，形成晶體結(jié)構(gòu)，所以半導(dǎo)體也稱為晶體 晶體管名稱的由來(lái) 本征半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)中的共價(jià)

2、健結(jié)構(gòu)本征半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)中的共價(jià)健結(jié)構(gòu)15.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體SiSiSiSi共價(jià)鍵共價(jià)鍵價(jià)電子價(jià)電子15.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體 共價(jià)鍵中的電子共價(jià)鍵中的電子在獲得一定能量在獲得一定能量后，即可掙脫原后，即可掙脫原子核的束縛，成子核的束縛，成為自由電子為自由電子同時(shí)在共價(jià)鍵中同時(shí)在共價(jià)鍵中留下一個(gè)空穴。留下一個(gè)空穴?？昭昭⊿iSiSiSi自由自由電子電子熱激發(fā)與復(fù)合現(xiàn)象熱激發(fā)與復(fù)合現(xiàn)象 由于受熱或光照由于受熱或光照產(chǎn)生自由電子和產(chǎn)生自由電子和空穴的現(xiàn)象空穴的現(xiàn)象- 熱激發(fā)熱激發(fā)15.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體 自由電子自由電子在運(yùn)動(dòng)中遇在運(yùn)動(dòng)中遇到空穴后，到空穴后，兩者同

3、時(shí)消兩者同時(shí)消失，稱為復(fù)失，稱為復(fù)合現(xiàn)象合現(xiàn)象 溫度一定時(shí)，本溫度一定時(shí)，本征半導(dǎo)體中的自由征半導(dǎo)體中的自由電子電子空穴對(duì)的數(shù)空穴對(duì)的數(shù)目基本不變。溫度目基本不變。溫度愈高，自由電子愈高，自由電子空穴對(duì)數(shù)目越多空穴對(duì)數(shù)目越多。SiSiSiSi自由電子空穴半導(dǎo)體導(dǎo)電方式半導(dǎo)體導(dǎo)電方式 在半導(dǎo)體中，在半導(dǎo)體中，同時(shí)存在著電子同時(shí)存在著電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電，導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電，這是半導(dǎo)體導(dǎo)電這是半導(dǎo)體導(dǎo)電方式的最大特點(diǎn)，方式的最大特點(diǎn)，也是半導(dǎo)體和金也是半導(dǎo)體和金屬在導(dǎo)電原理上屬在導(dǎo)電原理上的本質(zhì)差別。的本質(zhì)差別。載流子載流子自由電子和空穴自由電子和空穴 因?yàn)?，溫度愈因?yàn)?，溫度愈高，載流子數(shù)目愈高，載流子

4、數(shù)目愈多，導(dǎo)電性能也就多，導(dǎo)電性能也就愈好，所以，溫度愈好，所以，溫度對(duì)半導(dǎo)體器件性能對(duì)半導(dǎo)體器件性能的影響很大。的影響很大。15.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體SiSiSiSi價(jià)電子空穴 當(dāng)半導(dǎo)體兩端當(dāng)半導(dǎo)體兩端加上外電壓時(shí)，自加上外電壓時(shí)，自由電子作定向運(yùn)動(dòng)由電子作定向運(yùn)動(dòng)形成電子電流；而形成電子電流；而空穴的運(yùn)動(dòng)相當(dāng)于空穴的運(yùn)動(dòng)相當(dāng)于正電荷的運(yùn)動(dòng)正電荷的運(yùn)動(dòng)15.1.2 N N型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體在硅或鍺的晶體中在硅或鍺的晶體中摻入微量的摻入微量的磷磷（或（或其它其它五價(jià)五價(jià)元素）。元素）。 自由電子自由電子是多數(shù)是多數(shù)載流子，載流子，空穴空穴是是少

5、數(shù)少數(shù)載流子。載流子。 電子型電子型半導(dǎo)體半導(dǎo)體或或N N型型半導(dǎo)體半導(dǎo)體SiSiP+Si多余電子15.1.2 N N型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 在硅或鍺晶體中在硅或鍺晶體中摻入摻入硼硼（或其它（或其它三價(jià)三價(jià)元素）。元素）。 空穴空穴是是多數(shù)多數(shù)載流子，載流子，自由電子自由電子是是少數(shù)少數(shù)載載流子。流子。 空穴型空穴型半導(dǎo)體半導(dǎo)體或或P P型型半導(dǎo)體。半導(dǎo)體。SiSiB-Si空穴15.1.2 N N型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 不論不論N型半導(dǎo)體還是型半導(dǎo)體還是P型半導(dǎo)體，型半導(dǎo)體，雖然它們都有一種載流子占多數(shù)，雖然它們都有一種載流子占多數(shù)

6、，但是整個(gè)晶體仍然是但是整個(gè)晶體仍然是不帶電不帶電的的。end 在在N N型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和P P型半型半導(dǎo)體的結(jié)合面上形成如下導(dǎo)體的結(jié)合面上形成如下物理過(guò)程物理過(guò)程: :因濃度差因濃度差空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)形成形成內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng) 內(nèi)電場(chǎng)促使內(nèi)電場(chǎng)促使少子漂移少子漂移 內(nèi)電場(chǎng)阻止內(nèi)電場(chǎng)阻止多子擴(kuò)散多子擴(kuò)散 多子的多子的擴(kuò)散擴(kuò)散和少子的和少子的漂移漂移達(dá)到達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡動(dòng)態(tài)平衡，PNPN結(jié)形成。結(jié)形成。多子的多子的擴(kuò)散擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)運(yùn)動(dòng)由由雜質(zhì)離子形成雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)空間電荷區(qū) P區(qū)N區(qū)空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)15.2.1 PN結(jié)的形成結(jié)的形成 15.2 PN結(jié)結(jié)15.2.2 PN結(jié)的單向

7、導(dǎo)電性結(jié)的單向?qū)щ娦? 外加正向電壓使外加正向電壓使PN結(jié)導(dǎo)通結(jié)導(dǎo)通PNPN結(jié)呈現(xiàn)低阻導(dǎo)通狀態(tài)，通過(guò)結(jié)呈現(xiàn)低阻導(dǎo)通狀態(tài)，通過(guò)PNPN結(jié)的電流結(jié)的電流基本是多子的擴(kuò)散電流基本是多子的擴(kuò)散電流正向電流正向電流+變窄變窄PN內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng) 方向方向外電場(chǎng)方向外電場(chǎng)方向RI15.2.2 PN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦? 外加反向電壓使外加反向電壓使PN結(jié)截止結(jié)截止 PNPN結(jié)呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，通過(guò)結(jié)呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，通過(guò)PNPN結(jié)的電流是少子的漂移電流結(jié)的電流是少子的漂移電流 -反向電流反向電流+ - 變變 寬寬PN內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng) 方向方向外電場(chǎng)方向外電場(chǎng)方向RI=0特點(diǎn)特點(diǎn): 受溫度影響大受溫度影響大原因原因

8、: 反向電流是靠熱激發(fā)產(chǎn)生的少子形成的反向電流是靠熱激發(fā)產(chǎn)生的少子形成的15.2.2 PN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)結(jié) 論論 PN結(jié)具有單向?qū)щ娦越Y(jié)具有單向?qū)щ娦?（1） PN結(jié)加正向電壓時(shí)，處在導(dǎo)通狀態(tài)，結(jié)電阻很低，結(jié)加正向電壓時(shí)，處在導(dǎo)通狀態(tài)，結(jié)電阻很低，正向電流較大。正向電流較大。（2）PN結(jié)加反向電壓時(shí)，處在截止?fàn)顟B(tài)，結(jié)電阻很高，結(jié)加反向電壓時(shí)，處在截止?fàn)顟B(tài)，結(jié)電阻很高，反向電流很小。反向電流很小。end15.3 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管15.3.1 基本結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu)15.3.2 伏安特性伏安特性15.3.3 伏安特性的折線化伏安特性的折線化15.3.4 二極管的主要參數(shù)二極管的主

9、要參數(shù)15.3.1 基本結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu)PN結(jié)結(jié)陰極引線陰極引線鋁合金小球鋁合金小球金銻合金金銻合金底座底座N型硅型硅陽(yáng)極引線陽(yáng)極引線面接觸型面接觸型引線引線外殼外殼觸絲觸絲N型鍺片型鍺片點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型表示符號(hào)表示符號(hào)15.3.2 伏安特性伏安特性正向正向O 0.4 0.8 U/VI/mA80604020-50 -25I/A-20-40反向反向死區(qū)死區(qū)電壓電壓擊穿擊穿電壓電壓 半導(dǎo)體二極半導(dǎo)體二極管的伏安特性管的伏安特性是非線性的。是非線性的。正向正向O 0.4 0.8 U/VI/mA80604020-50 -25I/A-20-40反向反向死區(qū)電壓死區(qū)電壓擊穿電壓擊穿電壓 死區(qū)電壓：死區(qū)電壓：

10、硅管：硅管：0.5伏左右，鍺管：伏左右，鍺管： 0.1伏左右。伏左右。 正向壓降：正向壓降： 硅管：硅管：0.7伏左右，鍺管：伏左右，鍺管： 0.2 0.3伏。伏。15.3.2 伏安特性伏安特性1 正向特性正向特性反向電流：反向電流：反向飽和電流：反向飽和電流：反向擊穿電壓反向擊穿電壓U（BR）15.3.2 伏安特性伏安特性正向正向O 0.4 0.8 U/VI/mA80604020-50 -25I/A-20-40反向反向死區(qū)電死區(qū)電壓壓擊穿電擊穿電壓壓2 反向特性反向特性15.3.2 伏安特性的折線化伏安特性的折線化U0U0USUSUS15.3.3 主要參數(shù)主要參數(shù)1 最大整流電流最大整流電流

11、IOM： 二極管長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí)，允許流過(guò)的最大正向平均電流。二極管長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí)，允許流過(guò)的最大正向平均電流。2 反向工作峰值電壓反向工作峰值電壓URWM: 保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓。保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓。3 反向峰值電流反向峰值電流IRM: 二極管上加反向工作峰值電壓時(shí)的反向電流值。二極管上加反向工作峰值電壓時(shí)的反向電流值。含二極管電路的分析方法確定確定二極二極管的管的工作工作狀態(tài)狀態(tài) 根據(jù)工根據(jù)工作狀態(tài)用作狀態(tài)用不同的模不同的模型型代替二代替二極管極管在等效后在等效后的的線性線性電電路中作相路中作相應(yīng)的分析應(yīng)的分析若二極管工作在若二極管工作在截止截止?fàn)顟B(tài)則可等效

12、為狀態(tài)則可等效為斷開(kāi)斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)若二極管工作在若二極管工作在導(dǎo)通導(dǎo)通狀態(tài)則可等效為狀態(tài)則可等效為導(dǎo)通導(dǎo)通的開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)U UONONID或電壓為或電壓為U UONON的的電壓源電壓源15.3.4 應(yīng)用舉例應(yīng)用舉例 主要利用二極管的單向?qū)щ娦??？捎糜谡?、檢波、限主要利用二極管的單向?qū)щ娦??？捎糜谡?、檢波、限幅、元件保護(hù)以及在數(shù)字電路中作為開(kāi)關(guān)元件。幅、元件保護(hù)以及在數(shù)字電路中作為開(kāi)關(guān)元件。如何判斷二極管的工作狀態(tài)如何判斷二極管的工作狀態(tài)？步驟步驟1、假設(shè)假設(shè)二極管截止，即將二極管斷開(kāi)。二極管截止，即將二極管斷開(kāi)。2、計(jì)算二極管兩端的電壓計(jì)算二極管兩端的電壓 UD=V陽(yáng)陽(yáng)-V陰陰3、判斷：若

13、判斷：若 UD0，則二極管工作于，則二極管工作于導(dǎo)通導(dǎo)通狀態(tài)狀態(tài) 若若 UD0 UD2=0-（-5）=50則則D1、D2處于導(dǎo)通狀態(tài)，處于導(dǎo)通狀態(tài)，電路可等效為電路可等效為所以，所以，U0=0D1D2U0R5V（2 2）當(dāng)）當(dāng)UA=UB=3V時(shí)時(shí)設(shè)D1、D2截止，則等效電路為截止，則等效電路為由電路，有由電路，有 UD1=3-（-5）=80 UD2=3-（-5）=80則則D1、D2處于導(dǎo)通狀態(tài)，處于導(dǎo)通狀態(tài)，電路可等效為電路可等效為所以，所以，U0=3VUD1UD2D1D2U0R5V3V3VD1D2U0R5V3V3V（3 3）當(dāng)）當(dāng)UA=3V，UB=0時(shí)時(shí)設(shè)D1、D2截止，則等效電路為截止，則

14、等效電路為由電路，有由電路，有 UD1=3-（-5）=80 UD2=0-（-5）=50則則D1、D2處于導(dǎo)通狀態(tài)，處于導(dǎo)通狀態(tài)，電路可等效為電路可等效為所以，所以，U0=3VUD1UD2D1D2U0R5V3VD1D2U0R5V3V出現(xiàn)矛盾！即出現(xiàn)矛盾！即D D1 1、D D2 2不可能不可能同時(shí)導(dǎo)通！同時(shí)導(dǎo)通！合理的情況是：合理的情況是：D1導(dǎo)通，導(dǎo)通，D2截止。截止。D1D2U0R5V3V（4 4）當(dāng)）當(dāng)UA=0，UB=3V時(shí)時(shí)所以，所以，U0=3V同理可得：同理可得：D1截止，截止，D2導(dǎo)通導(dǎo)通。D1D2U0R5V3VendUAUBD1D2U0R5V綜上所述：綜上所述： 當(dāng)當(dāng)UA、UB中有

15、一個(gè)為中有一個(gè)為3V時(shí)，輸出時(shí)，輸出UO為為3V“或或”邏輯邏輯15.4 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管 一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管。它在電路中一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管。它在電路中與適當(dāng)數(shù)值的電阻配合后能起穩(wěn)定電壓的作用。與適當(dāng)數(shù)值的電阻配合后能起穩(wěn)定電壓的作用。 1 1 穩(wěn)壓管表示符號(hào)穩(wěn)壓管表示符號(hào)： 正向+-反向+-IZUZ2 2 穩(wěn)壓管的伏安特性：穩(wěn)壓管的伏安特性：3 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓原理：穩(wěn)壓管穩(wěn)壓原理： 穩(wěn)壓管工作于反向穩(wěn)壓管工作于反向擊穿區(qū)。穩(wěn)壓管擊穿時(shí)，擊穿區(qū)。穩(wěn)壓管擊穿時(shí)，電流雖然在很大范圍內(nèi)電流雖然在很大范圍內(nèi)變化，但穩(wěn)壓管兩端的變化，但穩(wěn)壓管兩端的電壓變化很小。利用這電壓變化很小。利

16、用這一特性，穩(wěn)壓管在電路一特性，穩(wěn)壓管在電路中能起穩(wěn)壓作用。中能起穩(wěn)壓作用。穩(wěn)壓管的反向特性曲線比較陡。穩(wěn)壓管的反向特性曲線比較陡。反向擊穿反向擊穿 是可逆的。是可逆的。 U/VI/mA0IZIZMUZ 15.4 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管4 主要參數(shù)主要參數(shù)（2）電壓溫度系數(shù)）電壓溫度系數(shù) U（1）穩(wěn)定電壓）穩(wěn)定電壓 UZ穩(wěn)壓管在正常工作下管子兩端的電壓。穩(wěn)壓管在正常工作下管子兩端的電壓。說(shuō)明穩(wěn)壓管受溫度變化影響的系數(shù)說(shuō)明穩(wěn)壓管受溫度變化影響的系數(shù)15.4 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管（3）動(dòng)態(tài)電阻）動(dòng)態(tài)電阻（4 4）穩(wěn)定電流）穩(wěn)定電流（5 5）最大允許耗散功率）最大允許耗散功率 rZ穩(wěn)壓管端電壓的變化量與相應(yīng)的電流變化

17、量的比值穩(wěn)壓管端電壓的變化量與相應(yīng)的電流變化量的比值IZPZM管子不致發(fā)生熱擊穿的最大功率損耗。管子不致發(fā)生熱擊穿的最大功率損耗。 PZM=UZIZM15.4 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管例題例題+_UU0UZR穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用當(dāng)當(dāng)UUZ時(shí)時(shí),穩(wěn)壓管擊穿穩(wěn)壓管擊穿RUUIZZ此時(shí)此時(shí)選選R，使，使IZIZMend15.5 半導(dǎo)體三極管半導(dǎo)體三極管15.5.1 基本結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu)15.5.1 基本結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu)15.5.2 電流分配和放大原理電流分配和放大原理15.5.3 特性曲線特性曲線15.5.4 主要參數(shù)主要參數(shù) 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)平面型平面型 合金型合金型 NPN PNP15.5.1 基本結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu)

18、發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電結(jié)BNNP發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)基區(qū)基區(qū) 集電區(qū)集電區(qū)ECNNPBECCEB發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電結(jié)BPPN發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)基區(qū)基區(qū) 集電區(qū)集電區(qū)ECPPNBECCEB15.5.1 基本結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu)15.5.2 電流分配和放大原理電流分配和放大原理AmAmAIBICIERBEC+_EBBCE3DG6共發(fā)射極接法共發(fā)射極接法15.5.2 電流分配和放大原理電流分配和放大原理晶體管電流測(cè)量數(shù)據(jù)晶體管電流測(cè)量數(shù)據(jù)IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10IC/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95IE/mA 0.001 0.72 1.54 2

19、.36 3.18 4.05由此實(shí)驗(yàn)及測(cè)量結(jié)果可得出如下結(jié)論：由此實(shí)驗(yàn)及測(cè)量結(jié)果可得出如下結(jié)論： （1） IE=IC+IB 符合基爾霍夫電流定律。符合基爾霍夫電流定律。 （2） IE和和IC比比IB 大的多。大的多。 （3）當(dāng)）當(dāng)IB=0（將基極開(kāi)路）時(shí)，（將基極開(kāi)路）時(shí)， IE=ICEO， ICEO0,UBC0,UBC=UBE-UCE,UBE1 15.5.3 特性曲線特性曲線2 輸出特性曲線輸出特性曲線CICECB| )U(If 晶體管的輸晶體管的輸出特性曲線是出特性曲線是一組曲線。一組曲線。UCE/V13436912IC/mA10080604020AIB=00215.5.3 特性曲線特性曲線

20、晶體管的輸出特性曲線分為三個(gè)工作區(qū)晶體管的輸出特性曲線分為三個(gè)工作區(qū)：（1）放大區(qū)）放大區(qū)（2）截止區(qū)）截止區(qū)（3）飽和區(qū)）飽和區(qū)（1）放大區(qū)（線性區(qū)）放大區(qū)（線性區(qū)）132436912IC/mA10080604020AIB=00放大區(qū)UCE/V 輸出特性曲線的近似輸出特性曲線的近似水平部分。水平部分。 BCII特點(diǎn)：特點(diǎn)：等效等效：BECIB條件條件：E E結(jié)正偏、結(jié)正偏、C C結(jié)反偏結(jié)反偏15.5.3 特性曲線特性曲線（2）截止區(qū)）截止區(qū)IB=0曲線以下的區(qū)域?yàn)榻刂箙^(qū)曲線以下的區(qū)域?yàn)榻刂箙^(qū)IB=0 時(shí)，時(shí)，IC=ICEO0.001mA 對(duì)對(duì)NPN型硅管而言，型硅管而言，當(dāng)當(dāng)UBE0.5V時(shí)

21、，即已時(shí)，即已開(kāi)始截止，為了截止開(kāi)始截止，為了截止可靠，常使可靠，常使UBE小于等小于等于零。于零。132436912IC/mA10080604020AIB=00截止區(qū)UCE/V特點(diǎn)特點(diǎn)：IB=0，IC=0等效等效：BEC條件條件：E E結(jié)反偏結(jié)反偏（3）飽和區(qū)）飽和區(qū) 當(dāng)當(dāng)UCEUBE時(shí)，集電結(jié)處于正向偏置，晶體管工作處于時(shí)，集電結(jié)處于正向偏置，晶體管工作處于飽和狀態(tài)飽和狀態(tài) 在飽和區(qū)，在飽和區(qū)，I IB B的變化對(duì)的變化對(duì)I IC C的影響較小，兩者不成比例的影響較小，兩者不成比例13436912IC/mA10080604020AIB=002飽和區(qū)UCE/V15.5.3 特性曲線特性曲線條

22、件條件：E E結(jié)正偏、結(jié)正偏、C C結(jié)正偏結(jié)正偏等效等效：BEC特點(diǎn)特點(diǎn)：U UCECE=U=UCESCES00，I IC CI IB B例例1:測(cè)得各晶體管在無(wú)信號(hào)輸入時(shí)測(cè)得各晶體管在無(wú)信號(hào)輸入時(shí),三個(gè)電極相對(duì)于三個(gè)電極相對(duì)于”地地”的電壓如的電壓如圖所示。問(wèn)哪些管子工作于放大狀態(tài)圖所示。問(wèn)哪些管子工作于放大狀態(tài),哪些處于截止、飽和狀態(tài)，哪哪些處于截止、飽和狀態(tài)，哪些管子已經(jīng)損壞？些管子已經(jīng)損壞？ecb硅管-3V0V-2.7Vecb鍺管-0.3V-3V0Vecb鍺管1.3V1.1V1Vecb硅管-2.8V-1.4V-3.5V截止放大飽和放大15.5.3 特性曲線特性曲線ecb鍺管1.2V1.

23、3V1.5Vecb鍺管1.8V3.7V1.5Vecb硅管2V12V-0.7V飽和放大已損壞ecb鍺管0V0.7V-3.5V倒置15.5.3 特性曲線特性曲線15.5.4 主要參數(shù)主要參數(shù)1 電流放大系數(shù)電流放大系數(shù) ,_：靜態(tài)電流（直流）放大系數(shù)：靜態(tài)電流（直流）放大系數(shù)BCII_：動(dòng)態(tài)電流（交流）放大系數(shù)：動(dòng)態(tài)電流（交流）放大系數(shù)BCII注意：注意： ,_兩者的含義是不同的，但在特性曲線近于平行兩者的含義是不同的，但在特性曲線近于平行等距并且等距并且ICEO較小的情況下，兩者數(shù)值較為接較小的情況下，兩者數(shù)值較為接近。在估算時(shí)，常用近。在估算時(shí)，常用_近似關(guān)系近似關(guān)系（1）（2）對(duì)于同一型號(hào)的晶體管，對(duì)于同一型號(hào)的晶體管，值有差別，常用晶體管的值有差別，常用晶體管的值在值在20-100之間。之間。15.5.4 主要參數(shù)主要參數(shù)2 2 集集基極反向截止電流基極反向截止電流ICBOICBO=IC|IE=0 ICBO受溫度的影響大。受溫度的影響大。在室溫下，小功率鍺管的在室溫下，小功率鍺管的ICBO約為幾微安到幾十微安，約為幾微安到幾十微安，小功率硅管在一微安以下。小功率硅管在一微安以下。ICBO越小越好。越小越好。EC