DDR3存儲器行業(yè)深度報告

1、1、利基 DRAM 主要產(chǎn)品，全球市場超 70 億美金DDR3 隸屬利基 DRAM，十五年發(fā)展歷經(jīng)輝煌與沒落存儲是半導(dǎo)體第二大細(xì)分品類，周期波動性最強(qiáng)，歷史成長性最好。 1）市場規(guī)模：2021/2020/2019 年全球存儲市場規(guī)模為 1534/1175/1064億美金，占半導(dǎo)體規(guī)模的比例為 28/27/26，是全球第二大細(xì)分品類。 2）周期波動：存儲的周期性與全球半導(dǎo)體整體周期性走勢一致，但波動性遠(yuǎn)大于其他細(xì)分品類。3）成長性：2002-2021 年、2011-2021 年、2016-2021 年存儲 CAGR 分別為 9.5、9.7、14.9，均為半導(dǎo)體成長性最優(yōu)細(xì)分產(chǎn)品，且近 5 年增速

2、顯著高于近十年和近二十年增速，成長性顯著提升。圖 1：半導(dǎo)體市場規(guī)模（億美金）圖 2：半導(dǎo)體細(xì)分市場占比分立、光電器件、傳感器模擬芯片 分立、光電器件、傳感器模擬芯片微型元件邏輯芯片 微型元件邏輯芯片存儲器存儲器 60005000400030002000100020022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021040%30%20%10%2002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020

3、20210%WSTS，WSTS，圖 3：半導(dǎo)體細(xì)分市場增速圖 4：半導(dǎo)體細(xì)分市場CAGR60%40%分立、光電器件、傳感器 集成電路模擬芯片 微型元件邏輯芯片存儲器存儲器邏輯芯片微型元件模擬芯片2016-21年CAGR20%2011-21年CAGR2004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020210%-20%2002-21年CAGR-40%0%5%10%15%20%WSTS，WSTS，DRAM 是存儲器第一大市場，周期波動性最強(qiáng)，歷史成長性最優(yōu)。1）市場規(guī)模：2021/2020/2019 年全球 DR

4、AM 市場規(guī)模為 930/643/625 億美金，占存儲的比例為 61/55/59，是存儲第一大細(xì)分品類。2）周期波動：DRAMNANDNor 及其他，DRAM 周期波動性大于存儲平均水平，是存儲細(xì)分市場中周期性波動最大細(xì)分市場。3）成長性：從 2009-21 年、2011-21 年、2016-21 年存儲器各細(xì)分品類 CAGR 看，DRAMNANDNor 及其他，DRAM 成長性大于存儲平均水平，且近 5 年增速顯著高于近十年增速，成長性顯著提升。圖 5：存儲器各細(xì)分市場占比100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%DRAMNANDNor等2009 2010 2011

5、 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021WSTS，圖 6：存儲器細(xì)分市場增速圖 7：存儲器細(xì)分市場CAGR80%60%40%20%20092010201120122013201420152016201720182019202020210%-20%-40%-60%存儲器DRAMNANDNOR及其他存儲器DRAMNANDNOR及其他2016-21年CAGR2011-21年CAGR2009-21年CAGR-10%-5%0%5%10%15%20%WSTS，WSTS，DRAM 屬于半導(dǎo)體存儲器，是易失性存儲器的一種，主要用于電子設(shè)備的內(nèi)存。半導(dǎo)

6、體存儲器分為非易失性存儲器和易失性存儲器，非易失性存儲器在斷電時仍然可以保存數(shù)據(jù)，包括 NAND Flash、NOR Flash 等，易失性存儲器在斷電狀態(tài)下數(shù)據(jù)會丟失，包括動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）。在易失性存儲器中，DRAM 和 SRAM 的應(yīng)用場景各有不同。SRAM 的讀寫速度在所有的存儲器中最快，但同時制造成本高，常用于對容量要求較小的高速緩沖存儲器，如 CPU 的一級、二級緩存等。DRAM 利用電容儲存電荷的多少存儲數(shù)據(jù)，需要定時刷新電路克服電容的漏電問題，讀寫速度比 SRAM 慢，但快于所有的只讀存儲器（ROM），且集成度高、功耗低、體積小，制造成本低，

7、常用PC平臺： SDR,DDR1-4筆記本平臺： LPDDR于容量較大的主存儲器，如計算機(jī)、智能手機(jī)、服務(wù)器的內(nèi)存等。除半導(dǎo)體存儲器外，按照存儲介質(zhì)的不同，存儲器還包括光學(xué)存儲器和磁性存儲器。光學(xué)存儲器根據(jù)激光等特性進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲，常見的有 DVD、 CD 等，磁性存儲器利用磁性特征進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲，常見的有磁盤、軟盤等。圖 8：DRAM 是易失性存儲器的一種（2021 年的市場規(guī)模）930億美元 31美元591億美元 560億美元 磁帶、軟盤、機(jī)械硬盤等磁性存儲偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器： PSRAM同步存儲：SDRAM等異步存儲：FP DRAM,EDO DRAMPCM:相變FRAM:鐵電MRAM:磁阻新型

8、RAM：斷電數(shù)據(jù)不會丟失移動存儲RRAM:阻變3D-Xpoint固態(tài)硬盤（SSD）NAND FLASH: eMMC,SSD,US B3.0FLASHNOR FLASHROM：只讀存儲器，斷電數(shù)據(jù)不會丟失半導(dǎo)體存儲串行 NOR存儲器EEPROM PROM EPROM掩膜ROMDRAM：動態(tài)隨機(jī)存儲器RAM：隨機(jī)存儲器，斷電數(shù)據(jù)會丟失顯存平臺： GDDR1-4SRAM：靜態(tài)隨機(jī)存儲器DVD，CD， CD-ROM等光學(xué)存儲UFS嵌入式存儲并行 NOReMMCSATA接口閃存盤（“U盤”）SD/MicroSD等存儲卡NVMe接口SIA,IC Insights，圖 9：DRAM 屬于臨時存儲區(qū)域圖 10

9、：DRAM 與 CPU、SSD 的傳輸關(guān)系存儲系統(tǒng)，三星，圖 11：DRAM 所處位置示意圖（以三星 4GB HBM2 為例）三星，表 1：SRAM 和DRAM 的性能比較存儲信息破壞性讀出需要刷新送行列地址運(yùn)行速度集成度發(fā)熱量存儲成本SRAM觸發(fā)器否否同時快低大高DRAM電容是是分兩次慢高小低CSDN，同步 DRAM 速度更快，替代異步 DRAM。按照 RAM 和 CPU 是否同頻，DRAM可分為同步 DRAM （ Synchronous DRAM ， 簡稱 SDRAM ） 和異步 DRAM（Asynchronous DRAM）。在異步 DRAM 中，CPU 與 RAM 之間沒有公共的時鐘信

10、號，當(dāng) RAM 不能及時提供數(shù)據(jù)時，CPU 需等待內(nèi)存數(shù)據(jù)，這嚴(yán)重影響性能。為解決該問題，同步 DRAM 應(yīng)運(yùn)而生，在 RAM 中加入時鐘輸入引腳，使得 CPU 與 RAM 之間有公共的時鐘信號、實現(xiàn)同步，此時 CPU 無需等待數(shù)據(jù)，讀寫速度加快、數(shù)據(jù)的傳輸效率大幅提升。異步 DRAM 通常適用于低速存儲系統(tǒng)，但不適用于現(xiàn)代高速存儲系統(tǒng)，在 1996-2002 年期間，同步 DRAM 逐步取代了異步 DRAM，逐步占領(lǐng)了內(nèi)存市場。同步 DRAM 不斷迭代，新 DDR 逐步替換老 DDR 是行業(yè)規(guī)律。根據(jù)時鐘邊沿讀取數(shù)據(jù)，同步 DRAM 分為 SDR（Single Data Rate）和 DDR

11、(Double Data Rate)技術(shù)，在 2003 年之后，SDR SDRAM（有時也簡稱為 SDRAM）逐漸被存取速度更快的 DDR SDRAM 取代。DDR SDRAM 已經(jīng)發(fā)展至第五代，分別是：第一代 DDR SDRAM，第二代 DDR2 SDRAM，第三代 DDR3 SDRAM，第四代 DDR4 SDRAM，第五代 DDR5 SDRAM。每一次迭代，基本都能實現(xiàn)芯片性能翻倍，當(dāng)新一代性能更好的 DDR 出現(xiàn)時，老一代 DDR 會逐漸被替代。DDR5DDR4DDR3DDR2DDRSDRAM圖 12：不同代際DRAM 標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布時間性能199720002003200720122020標(biāo)

12、準(zhǔn)發(fā)布時間IMEC、CSDN、ResearchGate，代數(shù)越高，功耗越低，傳輸速率和理論容量越高，每一代較前一代性能 翻倍。相較 1997 年發(fā)布的 SDR SDRAM，后面每一代 DDR SDRAM 在功耗、容量和傳輸速率上都不斷改進(jìn)，順應(yīng)電子設(shè)備大容量、省電、低功耗的 發(fā)展趨勢。其中，容量提升是來自芯片集成度的提高，傳輸速率的提升 主要是來自預(yù)取倍數(shù)的增加。1）功耗方面，從 SDR 支持的 3.3V 降低到 DDR5 的 1.1V，功耗降低 67。2）容量方面，隨著芯片制程的縮小，存 儲器的集成度提高，DDR5 單顆密度將從8GB 起步，理論密度最高可達(dá)64GB，是 SDR 單顆容量的

13、8 倍不止。3）傳輸速率方面，通過增加預(yù)取倍數(shù)、Bank Group、DDR 等技術(shù)，DDR5 可以輕松實現(xiàn) 4266MT/s 的高運(yùn)行速率，最高 運(yùn)行速率可達(dá) 6400MT/s，是 SDR 的 40 倍。表 2：不同代的標(biāo)準(zhǔn)DDR 的對比SDR SDRAMDDRDDR2DDR3DDR4DDR5發(fā)布時間199720002003200720122020133-200133-300（OC）100-200100-266（OC）133-300（OC）100-150內(nèi)部時鐘頻率/核心時鐘頻率（MHz)Vdd（主電源）3.3V2.5V1.8V1.5V/1.35V1.2V1.1V100-150100-200

14、200-533533-12001066-24002133-3200（MHz)預(yù)取位數(shù)1n2n4n8n8n16n數(shù)據(jù)的傳輸速率（MT/s)100-150200-400400-10661066-24002133-48004266-6400內(nèi)存條的傳輸帶寬（GB/s）0.8-1.61.6-3.23.2-8.56.4-19.219.2-38.434.1-51.2Bank 數(shù)量4 個4 個8 個8 個16 個32 個Bank 組數(shù)00004 組8 組128MB-512M8GB-64G顆粒密度256MB-1GB512MB-4GB1GB-8GB4GB-32GBBB典型內(nèi)存條的密度512MB1GB4GB8GB

15、16GB32GB內(nèi)存條的引腳數(shù)量168184240240288288通道位寬64 位64 位64 位64 位64 位64 位（32x2）外部時鐘頻率/I/O 時鐘頻率通道數(shù)量111112顆粒位寬x4,x8,x16x4,x8,x16x4,x8,x16x4,x8,x16x4,x8,x16x4,x8,x16CAS 延遲周期2,32-33-75-1610-19-IMEC、CSDN、ResearchGate，技術(shù)實現(xiàn)路徑：內(nèi)部時鐘頻率提升不大，每一代主要通過翻倍預(yù)取來實現(xiàn)數(shù)據(jù)的傳輸速度的提升。DDR 中有兩個時鐘頻率，一個是內(nèi)部時鐘頻率（也稱為核心頻率），是內(nèi)存收到指令到將數(shù)據(jù)的傳輸?shù)?I/O 接口上所

16、需要的反應(yīng)速度，這主要由存儲單元內(nèi)部的電容、晶體管、放大器等微觀結(jié)構(gòu)決定，提升難度大，所以從 SDR 到 DDR5，內(nèi)部時鐘頻率雖有提升但提升幅度不大；另一個是外部時鐘頻率（也稱為 I/O 時鐘頻率），外部時鐘頻率在核心時鐘頻率的基礎(chǔ)上，通過翻倍預(yù)取提高速度。SDR SDRAM：在一個時鐘周期里只在上升沿傳輸數(shù)據(jù)，所以 SDR 也叫 Single Data Rate SDRAM，此時數(shù)據(jù)的傳輸速率的提升主要是靠提升內(nèi)部時鐘頻率。DDR1 SDRAM：內(nèi)部時鐘頻率提升難度大,因此通過在時鐘周期的上升沿和下降沿各輸出一次數(shù)據(jù)，相當(dāng)于在一個時鐘周期需要預(yù)取 2 倍數(shù)據(jù)，即每當(dāng)讀取一筆數(shù)據(jù)的時候，都會

17、一共讀取 2 筆的數(shù)據(jù)。因此在內(nèi)部時鐘頻率不變的情況下，DDR1 的數(shù)據(jù)的傳輸速率實現(xiàn)翻倍。DDR2 SDRAM：預(yù)取 4 倍數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)的傳輸速率達(dá)到內(nèi)部時鐘頻率的 4倍，較 DDR1 提升 2 倍。DDR3 SDRAM：預(yù)取 8 倍數(shù)據(jù)，此時數(shù)據(jù)的傳輸速率達(dá)到內(nèi)部時鐘頻率的 8 倍，較 DDR2 提升 2 倍。DDR4 SDRAM：標(biāo)準(zhǔn)型 DDR 的總線位寬是 64bit，若進(jìn)行 16 倍預(yù)取，總共有 128Byte 的數(shù)據(jù)，超過了目前主流處理器的 Cacheline size（用于處理器緩存的基本數(shù)據(jù)單元）64Byte 的數(shù)據(jù)通道，由于 Cacheline 的限制，DDR4 沒有將預(yù)取加倍

18、，而是使用 Bank Group 技術(shù)，通過兩個不同 Bank Group 的 8 倍預(yù)取來拼湊出一個 16 倍的預(yù)取，當(dāng) DRAM 獲得了兩筆數(shù)據(jù)的讀命令，并且這兩筆數(shù)據(jù)的內(nèi)容分布在不同的Bank Group 中時，由于每個 Bank Group 可以獨(dú)立完成讀取操作，兩個 Bank Group 幾乎可以同時準(zhǔn)備好這兩筆 8 倍數(shù)據(jù)。然后這兩筆 8 倍數(shù)據(jù)被拼接成 16 倍的數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)的傳輸速度達(dá)到內(nèi)部時鐘頻率的 16 倍，較 DDR3 提升 2 倍。 6）DDR5 SDRAM：在 Bank Group 技術(shù)的基礎(chǔ)上，使用通道拆分技術(shù)增加預(yù)取倍數(shù)，將 64 位的總線分成 2 個獨(dú)立的 32

19、位通道，此時每個通道都只提供 32bit 數(shù)據(jù)，將預(yù)取增加到 16 倍，仍然保證了 Cacheline 的大小還是 64Byte。通道拆分帶來的 16 倍預(yù)取，疊加 Bank Group 增加的 2 倍，數(shù)據(jù)的傳輸速率達(dá)到內(nèi)部時鐘頻率的 32 倍，較 DDR4 又提升 2 倍。圖 13：SDR SDRAM 到DDR3 SDRAM 的預(yù)取倍數(shù)圖 14：DDR4 SDRAM 的預(yù)取倍數(shù)imec，imec， 按照應(yīng)用場景，DRAM 分成標(biāo)準(zhǔn) DDR、LPDDR、GDDR 三類。JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會，微電子產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)）定義并開發(fā)了以下三類 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)，以幫助設(shè)計人員滿足其目標(biāo)應(yīng)用的功

20、率、性能和尺寸要求。標(biāo)準(zhǔn)型 DDR：Double Data Rate SDRAM，針對服務(wù)器、云計算、網(wǎng)絡(luò)、筆記本電腦、臺式機(jī)和消費(fèi)類應(yīng)用程序，允許更寬的通道寬度、更高的密度和不同的外形尺寸。LPDDR：Low Power Double Data Rate SDRAM，針對尺寸和功率非常敏感的移動和汽車領(lǐng)域，有低功耗的特點，提供更窄的通道寬度。 3）GDDR：Graphics Double Data Rate SDRAM，適用于具有高帶寬需求的計算領(lǐng)域，例如圖形相關(guān)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和 AI 等，與 GPU 配套使用。另外，DRAM 按照市場流行程度可分為主流 DRAM 和利基型 DRAM。圖

21、 15：DRAM 在不同應(yīng)用場景下有不同產(chǎn)品SDRAM標(biāo)準(zhǔn)DDRLPDDRGDDRPC、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、家電手機(jī)、汽車、平板等顯卡、游戲機(jī)、高性能計算領(lǐng)域 DDR1 LPDDR1 GDDR1 DDR2 LPDDR2 GDDR2 DDR3 DDR4 LPDDR3 LPDDR4 GDDR3 GDDR4 DDR5 LPDDR5 GDDR5應(yīng)用領(lǐng)域利基型DRAM主流DRAM注：根據(jù)DRAMexchange數(shù)據(jù)，目前DDR4 4GB DDR4 8Gb 512M*16 屬于利基型DRAMSemiconductor Engineering，DDR3 是利基產(chǎn)品，目前主流是 DDR4，DDR5 跑馬進(jìn)場。產(chǎn)

22、品不斷迭代，按照市場流行程度可分為主流產(chǎn)品和利基產(chǎn)品，利基產(chǎn)品一般是從主流規(guī)格中退役的產(chǎn)品。目前市場主流 DRAM 是容量 8GB+的 DDR4/DDR5，容量在 4GB 及以下的 DDR4、DDR3 等現(xiàn)階段屬于利基 DRAM。DDR3 主要應(yīng)用于液晶電視、數(shù)字機(jī)頂盒、播放機(jī)等消費(fèi)型電子與網(wǎng)絡(luò)通訊等領(lǐng)域，需求較為穩(wěn)定，很多都是客制化晶片，不屬于大眾規(guī)格產(chǎn)品，價格主要受供給影響。圖 16：DDR3 屬于利基產(chǎn)品利基產(chǎn)品SLC NAND,MLC/TLC NAND 4GBPC/Mobile/Server（Faster than DDR3/LPDDR3）總收入總投入來源：表 3：利基DRAM VS

23、主流DRAMDDR2DDR3DDR4DDR5利基 DRAMDDR2 512Mb 32M*16 DDR2 1Gb 64M*16DDR3 1Gb 64M*16DDR3 2Gb 128M*16 DDR3 4Gb 256M*16DDR4 4Gb 256M*16 DDR4 8Gb 512M*16主流 DRAMDDR4 8Gb 1G*8 DDR4 16Gb 2G*8 DDR4 8GB U-DIMN DDR4 8GB SO-DIMM DDR4 16GB U-DIMM DDR4 16GB SO-DIMMDDR5 16Gb 2G*8 DDR5 8GB U-DIMM DDR5 8GB SO-DIMM DDR5 1

24、6GB U-DIMM DDR5 16GB SO-DIMMDRAMexchange，全球市場超 70 億美金，市場萎縮但生命力持久DDR3 市場規(guī)模超 70 億美金，市場逐漸萎縮，但生命力持久、中短期仍占據(jù)一定行業(yè)地位。市場規(guī)模：自 2007 年 JEDEC 發(fā)布 DDR3 標(biāo)準(zhǔn)至今，DDR3（包括標(biāo)準(zhǔn) DDR3、LPDDR3）已發(fā)展 15 年，2020 年在DRAM 市場占比 20，預(yù)計 2021年占比 8，2022 年有望維持 8的占比。預(yù)計 2021 年、2022 年市場規(guī)模將分別達(dá)到 74 億美金、75 億美金。市場逐漸萎縮：2020 年 DDR4/DDR4+占比超過 80，目前處于 D

25、DR4 替代 DDR3 的切換期。DDR3 市場在逐漸萎縮，其市場規(guī)模在 2014 年達(dá)到最大值 394 億美金，到 2020 年縮小到 129 億美金，市場規(guī)模年復(fù)合增長率為-20。被替代速度放緩，中短期仍占據(jù)一定行業(yè)地位。從 DDR3 標(biāo)準(zhǔn)的推出，到 2010 年 DDR3 市場規(guī)模超過 DDR2，歷經(jīng)三年時間；從 2012 年 JEDEC推出 DDR4 標(biāo)準(zhǔn)，到 2018 年 DDR4 市場規(guī)模超過 DDR3，耗時 6 年。DDR3被 DDR4 完全替代的速度相對放緩。我們認(rèn)為原因有二：主流 DDR3 時代導(dǎo)入的產(chǎn)品量遠(yuǎn)大于主流 DDR2 時導(dǎo)入的產(chǎn)品量，僅從全球 PC 年出貨量看，根據(jù)

26、 IDC 的數(shù)據(jù)，2007 年（DDR3 新發(fā)布，DDR2 是主流）出貨 2.7 億臺，2014 年（DDR4 發(fā)布，DD3 是主流）出貨 3.5 億臺，增長近 30，因為各代 DDR 之間不兼容，如果升級 DDR，需要將 CPU、主板等一并更換，替換成本高，替換成 DDR4 的動力減弱。 DDR3 目前主要需求落在大量的低容量低端消費(fèi)電子領(lǐng)域。該領(lǐng)域產(chǎn)品不追求高性能，短時間內(nèi)無升級需求，如 WiFi 路由器、家電等消費(fèi)性電子產(chǎn)品的首選仍是 DDR3，另外在汽車、工業(yè)領(lǐng)域，DDR3 也有其較為穩(wěn)定的市場，同時從 DDR3 切換到 DDR4 仰賴主控芯片廠的芯片迭代、終端市場的共同推進(jìn)。DDR3

27、 的需求是來自于技術(shù)迭代過程中的滯后性，硬件迭代速度慢，我們預(yù)計這種滯后性在中短期內(nèi)仍將存在。圖 17：DRAM 市場規(guī)模拆分DDR1/OtherDDR2DDR3DDR4/DDR4+3%19%34%55%73% 80% 83%84%76%52% 52% 45%18% 20%8%8%100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%2006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021e2022e0%IC Insights,Statistia，圖 18：DDR3 與DRAM 市場規(guī)模（億美金）圖 19：DRAM

28、 出貨量拆分（LPDDR、GDDR 拆分）120010008006004002002016201720182019202020212022e2023e2024e2025e0DRAM市場規(guī)模DDR3市場規(guī)模100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%DDR3DDR4DDR5LPDDRGDDRIC Insights,Statistia，Omdia，2、中國臺灣占據(jù)半壁江山，長尾市場較為穩(wěn)定主流以韓美為主力，利基市場臺系占據(jù)半壁江山DRAM：全球三大原廠寡頭壟斷，競爭格局穩(wěn)定，大陸還看長鑫。 1）三足鼎立：DRAM 競爭格局歷經(jīng)洗牌，現(xiàn)階段韓國三星、韓國海力士、美國美光三大寡頭

29、壟斷市場，呈現(xiàn)“三足鼎立”之勢。2）格局穩(wěn)定：2021 年三星、海力士、美光市占率依次為 43、28、23，合計占比超 90，自 2013 年美光收購爾必達(dá)后，三大廠商市場率合計始終位于 90以上，2019 年達(dá)到 99，2020-2021 年因大陸廠商擴(kuò)產(chǎn)等，三大原廠合計市占率略微下降到 94。圖 20：DRAM 廠商數(shù)量25DRAM廠商數(shù)量2015105198419851986198719881989199019911992199319941995199619971998199920002001200220032004200520062007200820092010201120120WST

30、S，IDC，圖 21：三星、海力士、美光全球DRAM 市占率變化情況圖 22：DRAM 行業(yè)集中度持續(xù)提升三星海力士美光 Top3廠商合集市占率其他廠商合計市占率60%50%40%30%20%10%0%120%100%80%60%40%20%20052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020210%Trendforce，Trendforce，DRAM：大陸第二大市場但自給率極低，

31、長鑫引領(lǐng)發(fā)展。第二大市場：根據(jù) 2019 年數(shù)據(jù)，中國是全球第二大 DRAM 市場，占據(jù) 34的市場，僅次于美國的 39。自給率極低：長鑫量產(chǎn)前，本土自給率幾乎為 0。海力士 21nm 1Xnm 1Ynm 1Znm 1Anm美光 20nm 1Xnm 1Ynm1Znm南亞20nm華邦 20nm 長鑫存儲1Xnm/ 19nm 17nm 25nm38nm1Xnm1nm長鑫引領(lǐng)大陸 DRAM 發(fā)展：長鑫是大陸首家 DRAM IDM 廠商，2016 年在合肥成立，規(guī)劃三期，產(chǎn)能共 36 萬片/月。2019 年 19nm 8Gb DDR4 投產(chǎn)，2022年預(yù)計將試產(chǎn) 17nm。從制程發(fā)展看，長鑫較三大原廠

32、及南亞仍落后，但已超過華邦。圖 23：中國是全球第二大DRAM 市場（2019 年）圖 24：長鑫制程緊跟海外大廠步伐 美國中國歐洲日本其他18%4%39%5%34%20152016201720182019202020212022e三星18nm1Ynm1Znm1AnmYole Research，Trendforce， DDR3：海外+臺系 CR4 高達(dá) 90 ，大陸廠商占比亟待提高。1）三大原廠+中國臺灣廠商：根據(jù)我們的測算，三星在 DRAM 市場、細(xì)分 DDR3 市場都是絕對龍頭，在DRAM、DDR3 市場份額分別達(dá) 43、40，美光在 DRAM、細(xì)分 DDR3 市場也是行業(yè)領(lǐng)先者，市場份額

33、分別達(dá) 23、22，海力士在 DRAM、細(xì)分 DDR3 占比分別為 28、4，因其逐漸退出 DDR3 市場，預(yù)計其在 DDR3 市場占比持續(xù)萎縮，中國臺灣廠商南亞、華邦在 DRAM 市場份額較小但發(fā)力利基市場，南亞在 DDR3 市場份額達(dá) 22，華邦在 DDR3 市占份額達(dá) 5。 2）大陸廠商：IDM廠商長鑫發(fā)布多種DRAM 產(chǎn)品，兆易創(chuàng)新2021 年量產(chǎn)19nm 4Gb DDR4,目前17nm 4Gb DDR3 在研，北京君正(ISSI)營業(yè)收入主要是 DDR3，東芯股份目前 DRAM產(chǎn)品包括 LPDDPR1、LPDDR2、DDR3（官網(wǎng)列示，截至 2022/6）。圖 25：全球DRAM 競

34、爭格局（2021 年）圖 26：DDR3 競爭格局測算（2021 年）3% 1%2%4% 4% 1%1%三星23%43%三星海力士美光5%40%美光南亞科華邦南亞科技22%海力士華邦北京君正28%其他23%鈺創(chuàng)晶豪Trendforce，來源： DDR3：韓系龍頭逐漸退出，臺系廠商產(chǎn)能未就位，DDR3 格局優(yōu)化。三星是 DDR3 第一大供應(yīng)商，另外占據(jù)主要份額的有海力士、美光、華邦、力晶、南亞。根據(jù)中國臺灣媒體消息，三星、海力士減產(chǎn) DDR3，計劃將產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至 CIS 或者 DDR4、DDR5，三星下半年將完全停止 2Gb DDR3 供貨， 2Gb 以下低容量 DDR3 亦陸續(xù)進(jìn)入 EOL 停產(chǎn)

35、 cft 階段（注：三星已對客戶發(fā)出產(chǎn)品變更通知（PCN），4/28 結(jié)束 2Gb DDR3 生產(chǎn)周期，4/29 是最后下單（Last Time Buy）截止日，6/30 是最后出貨日期）。根據(jù)集邦咨詢的消息，美光的 DDR3 到 2026 年都暫無結(jié)束產(chǎn)品周期的規(guī)劃，但是 DDR3產(chǎn)能預(yù)計轉(zhuǎn)移至以生產(chǎn)利基產(chǎn)品為主的美國廠，但美國廠同時生產(chǎn)車用、消費(fèi)類等產(chǎn)品，在車用存儲需求增長的情況下，產(chǎn)能可能向毛利更高的車規(guī)產(chǎn)品傾斜，壓縮消費(fèi)類產(chǎn)品的供給。中國臺灣廠商南亞、華邦等雖有產(chǎn)能擴(kuò)增計劃，不過實際貢獻(xiàn)要等到 2023-2024 年。表 4：DDR3 各大廠商的退出和擴(kuò)產(chǎn)情況廠商主要應(yīng)用領(lǐng)域備注三星消

36、費(fèi)計劃在 2 年內(nèi)停產(chǎn) DDR3海力士消費(fèi)逐步減產(chǎn)美光車、消費(fèi)至少生產(chǎn)到 2026 年華邦消費(fèi)擴(kuò)產(chǎn)，最早 2023 年力晶消費(fèi)-南亞消費(fèi)擴(kuò)產(chǎn)，最早 2023 年Trendforce，我們從 DRAM 制程推進(jìn)、料號數(shù)量、下游應(yīng)用來判斷各家廠商 DRAM 發(fā)展側(cè)重。制程：現(xiàn)階段三大原廠推進(jìn) DDR5 制程，臺系廠商迭代 DDR3、DDR4，大陸聚焦利基產(chǎn)品的制程迭代。三大原廠：DDR3 制程停留在 2015、2016 年的 20nm，近兩年主要推進(jìn) DDR5 的制程。臺系廠商：2020 年南亞將 DDR3 迭代至 20nm 后，近兩年主要迭代 DDR4制程，華邦 DDR3 制程已推進(jìn)至 25nm

37、。大陸廠商：長鑫引領(lǐng)大陸 DRAM 發(fā)展，2019 年量產(chǎn) 19nm DDR4， 2022年預(yù)計將試產(chǎn) 17nm DDR5；兆易創(chuàng)新 2021 年量產(chǎn) 19nm DDR4，17nm DDR3目前處于小批量測試階段，預(yù)計今年量產(chǎn)；北京君正、東芯股份目前 DRAM制程主要是 25nm。圖 27：DRAM 制程演進(jìn)Techinsights，表 5：DRAM 制程制程節(jié)點具體制程范圍3xnm39-30nm4xnm49-50nm2xnm29-20nm1xnm16-19nm1znm12-14nm1ynm14-16nm1 1 1 來源：料號數(shù)量：三大原廠 DDR4 料號數(shù)量遙遙領(lǐng)先，中國臺灣廠商利基產(chǎn)品料號

38、數(shù)量矚目，大陸仍有差距。我們統(tǒng)計 8 家廠商官網(wǎng)列示的 1000 余款 DRAM 芯片（截至 2022/5），并根據(jù) DRAM 代際和容量進(jìn)行分類，具體來看： 1）三大原廠：三大原廠均已實現(xiàn) DDR4 迭代，4G-32G 容量全線鋪齊。其中，三星作為 DDR3 第一大供應(yīng)商，DDR3 料號數(shù)量可觀，占比 61%；海力士目前重心在DDR4，DDR4 料號占比 69%，DDR3 目前有 4G 的大容量產(chǎn)品；美光料號分布廣泛，DDR-DDR4 全覆蓋，DDR3、DRR4料號數(shù)量分別占比 38%、40%，占比均衡。近年來，三巨頭也在探索 DDR5，如 2020 年 10 月宣布 SK 海力士在 202

39、0 年 10 月宣布推出全球首款DDR5 DRAM。臺系廠商：南亞除覆蓋 DDR-DDR3 產(chǎn)品外，目前在進(jìn)行 DDR4 初步迭代，已量產(chǎn) 4G、8G 產(chǎn)品，而華邦繼續(xù)專注 DDR-DDR3 市場；從不同代際 DRAM 的料號占比看，目前中國臺灣廠商仍主力DDR3，DDR3料號占比分別達(dá)到 63%、69%。大陸廠商：長鑫存儲專注 DDR4（注：表格未列示），F(xiàn)abless 廠商如兆易創(chuàng)新、北京君正、東芯股份均主要發(fā)力 DDR3 和小容量 DDR4，但從料號數(shù)量看與中國臺灣廠商仍有差距。其中，北京君正因收購 ISSI 獲得比較全面的利基DRAM 產(chǎn)品陣列，目前 DDR、DDR2、DDR3、小容量

40、 DDR4 全覆蓋，目前主力是 DDR3，料號占比 44；兆易創(chuàng)新 2021 年推出 18 款 4G DDR4，今年預(yù)計量產(chǎn) 2G、4G DDR3 產(chǎn)品；東芯股份的 DDR3 覆蓋 1G、2G、4G，共計 10 款產(chǎn)品。表 6：各廠商官網(wǎng)DDR 芯片料號數(shù)量（數(shù)據(jù)更新至 2022/5）兆易創(chuàng)新料號數(shù)據(jù)來自 2021 年產(chǎn)品手冊，其余公司的 DRAM 料號統(tǒng)計自公司官網(wǎng)，注：料號數(shù)據(jù)統(tǒng)計的是大批量生產(chǎn)的產(chǎn)品，（）括號表示該產(chǎn)品未大批量生產(chǎn)；占比計算的方式：各代 DDR 料號數(shù)除以 DDR-DDR4 合計料號數(shù)下游應(yīng)用：三大原廠、臺系廠商布局全面，大陸車規(guī)產(chǎn)品看北京君正。從芯片嚴(yán)苛程度看，車規(guī)工規(guī)

41、商規(guī)，目前大陸只有北京君正有車規(guī) DRAM 產(chǎn)品，兆易創(chuàng)新有商規(guī)和工規(guī) DRAM，東芯股份目前只有商規(guī) DRAM。表 7：各廠商DRAM 下游應(yīng)用商規(guī)工規(guī)車規(guī)三星海力士美光南亞兆易東芯股份華邦北京君正各公司官網(wǎng)，主流以手機(jī)+PC+服務(wù)器三大市場為主，利基偏重長尾市場DRAM 可分為模組和芯片，模組是將 DRAM 芯片（Die）組合在一起，容量更大，在電腦、服務(wù)器上主要是模組（也稱為內(nèi)存條），DRAM 芯片主要與主控芯片配套使用，應(yīng)用在消費(fèi)等容量要求較低的領(lǐng)域。智能手機(jī)+服務(wù)器+PC 三大驅(qū)動力，大容量趨勢明確。目前手機(jī)占比 39，是第一大市場，服務(wù)器占比 34，是第二大市場，PC 占比 13，萎縮明顯。目前電子產(chǎn)品的容量需求提升，大容量 DRAM 市占份額逐漸提升，根據(jù) IHS 數(shù)據(jù)，2019 年 容量4Gb 的 DRAM 占比 87。圖 28：不同應(yīng)用的DRAM 占比圖 29：DRAM 的容量占比100%80%60%40%20%200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020210%Server DRAMMobile DRAMPC