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1、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)Analog Electronic Technology Foundation南京林業(yè)大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院2015年7月第四章 放大電路的頻率響應(yīng)4.1 頻率響應(yīng)的一般概念4.2 單級(jí)放大電路的高頻響應(yīng)4.3 單管共發(fā)射極放大電路的頻率響應(yīng)4.4 單管共基極和共集電極放大電路的頻率響應(yīng)4.5 多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)4.1 頻率響應(yīng)的一般概念一、研究頻率響應(yīng)的必要性二、單時(shí)間常數(shù)RC 電路的頻率響應(yīng)一、研究頻率響應(yīng)的必要性 電子電路中所遇到的信號(hào)往往頻率并不單一,而是具有一定的頻譜。 由于放大電路中耦合電容、旁路電容、半導(dǎo)體器件極間電容的存在,使放大倍數(shù)為頻率的函數(shù)(即放大電路對(duì)

2、不同頻率的信號(hào)具有不同的放大能力)。 在使用一個(gè)放大電路時(shí)應(yīng)了解其信號(hào)頻率的適用范圍,在設(shè)計(jì)放大電路時(shí),應(yīng)滿(mǎn)足信號(hào)頻率的范圍要求。1. RC低通電路的頻率響應(yīng)(電路理論中的穩(wěn)態(tài)分析)RC電路的電壓增益(傳遞函數(shù)):則且令又電壓增益的幅值(模)(幅頻響應(yīng))電壓增益的相角(相頻響應(yīng))增益頻率函數(shù)二、單時(shí)間常數(shù)RC 電路的頻率響應(yīng)RC低通電路頻率響應(yīng)曲線(xiàn)描述幅頻響應(yīng)相頻響應(yīng)(1)當(dāng)ffH時(shí)RC低通道路的波特圖 信號(hào)頻率越低,輸出電壓越接近輸入電壓2. RC高通電路的頻率響應(yīng)RC電路的電壓增益:幅頻響應(yīng)相頻響應(yīng)高通電路:信號(hào)頻率越高,輸出電壓越接近輸入電壓(3)幾個(gè)結(jié)論 當(dāng) f=fL時(shí)放大倍數(shù)幅值約降

3、到0.707倍,相角超前45; 頻率響應(yīng)有幅頻特性和相頻特性?xún)蓷l曲線(xiàn)。 當(dāng) f=fH時(shí)放大倍數(shù)幅值約降到0.707倍,相角滯后45。 截止頻率決定于電容所在回路的時(shí)間常數(shù)放大電路中的頻率參數(shù) 在低頻段,隨著信號(hào)頻率逐漸降低,耦合電容、旁路電容等的容抗增大,使動(dòng)態(tài)信號(hào)損失,放大能力下降。高通電路低通電路 在高頻段,隨著信號(hào)頻率逐漸升高,晶體管極間電容和分布電容、寄生電容等雜散電容的容抗減小,使動(dòng)態(tài)信號(hào)損失,放大能力下降。下限頻率上限頻率結(jié)電容4.2 單級(jí)放大電路的高頻響應(yīng)一、晶體管的混合模型二、三極管的頻率參數(shù)三、場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效模型 1. 混合模型:形狀像,參數(shù)量綱各不相同結(jié)構(gòu):由體電阻、結(jié)

4、電阻、結(jié)電容組成。rbb:基區(qū)體電阻rbe:發(fā)射結(jié)電阻C:發(fā)射結(jié)電容re:發(fā)射區(qū)體電阻rbc:集電結(jié)電阻C:集電結(jié)電容rc:集電區(qū)體電阻因多子濃度高而阻值小因面積大而阻值小一、晶體管的混合模型混合模型:忽略小電阻,考慮集電極電流的受控關(guān)系 gm為跨導(dǎo),它不隨信號(hào)頻率的變化而變。為什么引入?yún)?shù)gm?因在放大區(qū)iC幾乎僅決定于iB而阻值大因在放大區(qū)承受反向電壓而阻值大1. 模型的建立:由結(jié)構(gòu)而建立,形狀像,參數(shù)量綱各不相同。 gm為跨導(dǎo),它不隨信號(hào)頻率的變化而變。阻值小阻值大連接了輸入回路和輸出回路2. 混合模型的單向化(使信號(hào)單向傳遞)等效變換后電流不變3. 晶體管簡(jiǎn)化的高頻等效電路?電流放大倍

5、數(shù)的頻率響應(yīng)為什么短路?1. 適于頻率從0至無(wú)窮大的表達(dá)式2. 電流放大倍數(shù)的頻率特性曲線(xiàn)3. 電流放大倍數(shù)的波特圖: 采用對(duì)數(shù)坐標(biāo)系 采用對(duì)數(shù)坐標(biāo)系,橫軸為lg f,可開(kāi)闊視野;縱軸為 單位為“分貝” (dB),使得 “ ” “ ” 。lg f注意折線(xiàn)化曲線(xiàn)的誤差20dB/十倍頻折線(xiàn)化近似畫(huà)法二、三極管的頻率參數(shù)共射截止頻率共基截止頻率特征頻率集電結(jié)電容通過(guò)以上分析得出的結(jié)論: 低頻段和高頻段放大倍數(shù)的表達(dá)式; 截止頻率與時(shí)間常數(shù)的關(guān)系; 波特圖及其折線(xiàn)畫(huà)法; C的求法。手冊(cè)查得討論一1. 若干個(gè)放大電路的放大倍數(shù)分別為1、10、102、103、104、105,它們的增益分別為多少?2. 為

6、什么波特圖開(kāi)闊了視野?同樣長(zhǎng)度的橫軸,在單位長(zhǎng)度不變的情況下,采用對(duì)數(shù)坐標(biāo)后,最高頻率是原來(lái)的多少倍?102030405060Of10102103104105106lg f討論二 電路如圖。已知各電阻阻值;靜態(tài)工作點(diǎn)合適,集電極電流ICQ2mA;晶體管的rbb=200,Cob=5pF, f=1MHz。 試求解該電路中晶體管高頻等效模型中的各個(gè)參數(shù)。討論二三、場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效電路可與晶體管高頻等效電流類(lèi)比,簡(jiǎn)化、單向化變換。很大,可忽略其電流單向化變換極間電容CgsCgdCds數(shù)值/pF1101100.11忽略d-s間等效電容4.3 單管共發(fā)射極放大 電 路 的 頻 率 響 應(yīng)單管共射放大電路

7、的頻率響應(yīng)中頻段:極間電容 容抗很大,可視為開(kāi)路,耦合電容和旁路電容的容抗很小,可視為短路。1. 中頻電壓放大倍數(shù)帶負(fù)載時(shí):空載時(shí): 中頻段電壓增益可看成是常數(shù),在一定的頻率范圍內(nèi),電壓增益不會(huì)隨信號(hào)頻率的改變而變化。2. 低頻電壓放大倍數(shù):低頻段:極間電容 容抗仍很大,可視為開(kāi)路,耦合電容和旁路電容的容抗增大,不可視為短路。2. 低頻電壓放大倍數(shù):定量分析C所在回路的時(shí)間常數(shù)?2. 低頻電壓放大倍數(shù):低頻段頻率響應(yīng)分析中頻段20dB/十倍頻3. 高頻電壓放大倍數(shù):高頻段:極間電容會(huì)對(duì)高頻特性產(chǎn)生很大影響,不可視為開(kāi)路,耦合電容和旁路電容的容抗很小,可視為短路。3. 高頻電壓放大倍數(shù):定量分析

8、3. 高頻電壓放大倍數(shù):高頻段頻率響應(yīng)分析4. 電壓放大倍數(shù)的波特圖全頻段放大倍數(shù)表達(dá)式:中頻段:耦合電容和旁路電容視為短路,極間電容視為開(kāi)路,在一定頻率范圍內(nèi)電壓增益為常數(shù)。低頻段:極間電容視為開(kāi)路,但耦合電容和旁路電容不再視為短路,而是影響放大電路低頻特性的主要因素??赏ㄟ^(guò)選用大的電容來(lái)增大回路的時(shí)間常數(shù)改善低頻特性或采用直接耦合放大電路。高頻段:極間電容Cbe,Cbc是影響放大電路高頻特性的主要因素,且Rs,rbb都對(duì)高頻特性產(chǎn)生影響。要想獲得良好的高頻特性(增大上限截至頻率,增大帶寬),可降低時(shí)間常數(shù),如選用較小的rbb,Cbe,Cbc,Rs或選用較高特征頻率的BJT管等。5. 帶寬增

9、益積:定性分析fbw fH fL fH矛盾 當(dāng)提高增益時(shí),帶寬將變窄;反之,增益降低,帶寬將變寬。5. 帶寬增益積:定量分析若rbeRb、 Rs fL1, fH fH1,頻帶變窄!2. 多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)與各級(jí)的關(guān)系 對(duì)于n級(jí)放大電路,若各級(jí)的下、上限頻率分別為fL1 fLn、 fH1 fHn,整個(gè)電路的下、上限頻率分別為fL、 fH,則由于求解使增益下降3dB的頻率,經(jīng)修正,可得1.1為修正系數(shù)討論一 1. 信號(hào)頻率為0時(shí)電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式? 2. 若所有的電容容量都相同,則下限頻率等于多少?時(shí)間常數(shù)分析:C2、Ce短路, 開(kāi)路,求出C1、Ce短路, 開(kāi)路,求出C1、C2短路, 開(kāi)路,求出C1、 C2、 Ce短路,求出若電容值均相等,

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