Flash存儲(chǔ)器在線編程

1、知識(shí)回顧硬件結(jié)構(gòu)尋址方式指令系統(tǒng)PTAPTBPTCPTDPTE鍵盤SCIA/D無SPIT/C1綜合實(shí)驗(yàn)一鍵盤輸入（PTA口）、兩個(gè)端口開關(guān)量輸入（PTE0、1）、顯示輸出（PTB口）通過鍵盤輸入一個(gè)字符，可以通過液晶顯示出來；端口開關(guān)量的狀態(tài)（0或者1），通過LCD顯示出來2第九章 Flash存儲(chǔ)器在線編程9.1 Flash存儲(chǔ)器概述與編程模式9.2 MC68HC908GP32單片機(jī)存儲(chǔ)器編程方法9.3 MC68HC908GP32單片機(jī)flash在線編程實(shí)例39.1 Flash存儲(chǔ)器概述與編程模式9.1.1 Flash存儲(chǔ)器的基本特點(diǎn)與編程模式 9.1.2 M68HC08系列單片機(jī)Flash存

2、儲(chǔ)器的特點(diǎn)與編程模式 49.1.1 Flash存儲(chǔ)器的基本特點(diǎn)與編程模式 1Flash存儲(chǔ)器的基本特點(diǎn) （1）固有不揮發(fā)性（2）易更新性（3）成本低、密度高、可靠性好 59.1.1 Flash存儲(chǔ)器的基本特點(diǎn)與編程模式2Flash存儲(chǔ)器的兩種編程模式 在單片機(jī)中，可以利用Flash存儲(chǔ)器固化程序，一般情況下通過編程器來完成，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器工作于這種情況，叫監(jiān)控模式（Monitor Mode）; Flash存儲(chǔ)器具有電可擦除功能，因此，在程序運(yùn)行過程中，有可能對(duì)Flash存儲(chǔ)器區(qū)的數(shù)據(jù)或程序進(jìn)行更新，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器工作于這種情況，叫用戶模式（User Mode）或在線編程模式。 69.1.2

3、 M68HC08系列單片機(jī)Flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)與編程模式1M68HC08系列單片機(jī)Flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn) （1）編程速度快及可靠性高（2）單一電源電壓供電（3）支持在線編程 79.1.2 M68HC08系列單片機(jī)Flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)與編程模式Flash存儲(chǔ)器工作于監(jiān)控模式的條件之一是：（1）復(fù)位向量（$FFFE$FFFF）內(nèi)容為“空”（$FFFF）。（2）在單片機(jī)復(fù)位時(shí)在IRQ引腳上加上高電壓（1.42Vdd）,并給某些I/O腳置適當(dāng)值。 89.1.2 M68HC08系列單片機(jī)Flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)與編程模式兩種模式各有優(yōu)缺點(diǎn)：監(jiān)控模式需要外部硬件支持，但不需要單片機(jī)內(nèi)部程序的存在，所以適

4、合對(duì)新出廠芯片進(jìn)行編程寫入，或是對(duì)芯片進(jìn)行整體擦除與寫入；用戶模式可以在單片機(jī)正常工作時(shí)進(jìn)入，所以常用在程序運(yùn)行過程中對(duì)部分Flash存儲(chǔ)器的一些單元內(nèi)容進(jìn)行修改，特別適合于目標(biāo)系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)程序更新和運(yùn)行數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。 99.2 MC68HC908GP32單片機(jī)存儲(chǔ)器編程方法9.2.1 Flash存儲(chǔ)器編程的基本概念 9.2.2 Flash存儲(chǔ)器的編程寄存器 9.2.3 Flash存儲(chǔ)器的編程過程 109.2.1 Flash存儲(chǔ)器編程的基本概念對(duì)Flash編程的基本操作有兩種：1、擦除（Erase）擦除操作的含義是將存儲(chǔ)單元的內(nèi)容由二進(jìn)制的0變成1；2、寫入（Program）而寫入操作的含義，是將

5、存儲(chǔ)單元的內(nèi)容由二進(jìn)制的1變成0 119.2.1 Flash存儲(chǔ)器編程的基本概念Flash存儲(chǔ)器在片內(nèi)是以頁（Page）和行（Row）為單位組織的。頁和行的大?。ㄗ止?jié)數(shù)）隨整個(gè)Flash存儲(chǔ)器的大小變化而變化，但頁的大小始終為行的兩倍。 MC68HC908GP32內(nèi)含32K的Flash存儲(chǔ)器（地址為$8000$FFFF），每頁的大小為128字節(jié)，每行的大小為64字節(jié)； 129.2.1 Flash存儲(chǔ)器編程的基本概念注意：1、GP32的Flash存儲(chǔ)器的擦除操作可以進(jìn)行整體擦除也可以僅擦除某一起始地址開始的一頁（128字節(jié)）。2、GP32單片機(jī)的寫入操作以行（64字節(jié)）基礎(chǔ)，一次連續(xù)寫入數(shù)據(jù)個(gè)數(shù)

6、只能在一行之內(nèi)。 3、不經(jīng)過擦除的區(qū)域，不能進(jìn)行寫入 。139.2.2 Flash存儲(chǔ)器的編程寄存器1.Flash控制寄存器（FLash Control Register FLCR）$FE08 D7D4位：未定義。D3 HVEN位：高壓允許位（High-Voltage Enable Bit）。 D2 MASS位：整體擦除控制位（Mass Erase Control Bit）。D1 ERASE位：擦除控制位（Erase Control Bit）。 D0 PGM位：編程（寫入）控制位（Program Control Bit）。 149.2.2 Flash存儲(chǔ)器的編程寄存器2.Flash塊保護(hù)寄存器

7、（FLash Block Protect Register FLBPR）$FF7E159.2.3 Flash存儲(chǔ)器的編程過程MC68HC908GP32的Flash編程的基本操作:1.頁擦除操作下面過程可以擦除GP32的Flash存儲(chǔ)器的一頁(128字節(jié)): $2FLCR(1ERASE位，0MASS位):進(jìn)行頁面擦除； 讀Flash塊保護(hù)寄存器FLBPR； 向被擦除的Flash頁內(nèi)任意一個(gè)地址寫入任意值，為方便起見，一般向待擦除頁首地址寫入0；169.2.3 Flash存儲(chǔ)器的編程過程 延時(shí)tnvs(10s)，； $AFLCR(1HVEN位)； 延時(shí)terase(1ms)； $8FLCR(0ER

8、ASE位)； 延時(shí)tnvh(5s)； $0FLCR(0HVEN位)；(10)延時(shí)trcv(1s)，完成一頁的擦除操作。179.2.3 Flash存儲(chǔ)器的編程過程2.整體擦除操作 $6FLCR(1ERASE位，1MASS位):進(jìn)行整體擦除； 讀Flash塊保護(hù)寄存器FLBPR； 向被擦除的Flash任意一個(gè)地址寫入任意值，為方便起見，一般向首地址寫入0； 延時(shí)tnvs(10s)； $EFLCR(1HVEN位、MASS位、ERASE位)；189.2.3 Flash存儲(chǔ)器的編程過程 延時(shí)tMerase(4ms)； $CFLCR(0ERASE位)； 延時(shí)tnvhl(100s)； $0FLCR(0HVE

9、N位、MASS位)； (10)延時(shí)trcv(1s)，完成整體擦除操作。199.2.3 Flash存儲(chǔ)器的編程過程3.編程操作 $1FLCR(1PGM位)； 讀Flash塊保護(hù)寄存器FLBPR； 向?qū)⒁獙懭氲腇lash行內(nèi)任意一個(gè)地址寫入任意值，為方便起見，一般向行首地址寫入0，這一步選定了所要編程的行，以下的目標(biāo)地址必需在這一行中； 延時(shí)tnvs(10s)； $9FLCR(1HVEN位)； 延時(shí)tpgs(5s)；209.2.3 Flash存儲(chǔ)器的編程過程 待寫數(shù)據(jù)寫入對(duì)應(yīng)的Flash地址； 延時(shí)tprog(30s)，完成一個(gè)字節(jié)的寫入(編程)工作； 重復(fù)、，直至同一行內(nèi)各字節(jié)寫入完畢； $8FLCR(0PGM位)； 延時(shí)tnvh(5s)； $0FLCR(0HVEN位)； (10) 延時(shí)trcv(1s)以后，完成本行寫入工作，可以讀出校驗(yàn) 219.3 MC68HC908GP32單片機(jī)flash在線編程實(shí)例9.3.1 Flash存儲(chǔ)器的擦