最新-4電氣設備絕緣預防性試驗-PPT課件

1、第二篇 電氣設備絕緣試驗 電氣設備進行絕緣試驗的必要性： 電力系統(tǒng)的規(guī)模、容量不斷地擴大，停電造成的損失越來越嚴重。 我國電力短缺，這就需要提高發(fā)電設備可靠性，使其滿負荷運轉，增加發(fā)電量。 絕緣往往是電力系統(tǒng)中的薄弱環(huán)節(jié)，絕緣故障通常是引發(fā)電力系統(tǒng)事故的首要原因。 電介質理論仍遠未完善，須借助于各種絕緣試驗來檢驗和掌握絕緣的狀態(tài)和性能。 絕緣試驗分為非破壞性試驗和破壞性試驗兩大類。 破壞性試驗檢驗絕緣的電氣強度，如耐壓試驗和擊穿試驗，具有破壞性的特征，所加的試驗電壓很高，以考驗絕緣耐受各種過壓的能力，試驗過程有可能給被試絕緣帶來不可逆轉的局部損傷或整體損壞。非破壞性試驗檢測絕緣除電氣強度以外的

2、其他電氣性能，是在較低的電壓下或用其他不損傷絕緣的方法進行的，具有非破壞的性質。絕緣預防性試驗的目的是什么？ 絕緣故障大多因內(nèi)部存在缺陷而引起，我們通過測量電氣特性的變化來發(fā)現(xiàn)隱藏著的缺陷。 絕緣缺陷類型 集中性缺陷：絕緣子瓷體內(nèi)的裂縫、發(fā)電機定子絕緣因擠壓磨損出現(xiàn)的局部破損、電纜絕緣層內(nèi)存在的氣泡等 分散性缺陷：電機、變壓器等設備的內(nèi)絕緣受潮、老化、變質等。常見試驗項目：測量絕緣電阻，吸收比，泄漏電 流，介質損耗角正切，局部放電，電壓分布等。數(shù)字式局部放電測試系統(tǒng) 第一節(jié) 絕緣的老化 什么叫絕緣的老化？絕緣老化的原因有哪些 電介質的熱老化 電介質的電老化 什么叫絕緣的老化？ 電氣設備的絕緣在

3、長期運行過程中會發(fā)生一系列物理變化和化學變化，致使其電氣、機械及其他性能逐漸劣化，這種現(xiàn)象統(tǒng)稱為絕緣的老化。 老化的原因有哪些？ 熱、電、機械力、水分、氧化、各種射線、微生物等因素的作用。一、電介質的熱老化什么是電介質的熱老化？ 在高溫的作用下，電介質在短時間內(nèi)就會發(fā)生明顯的劣化；即使溫度不太高，但如作用時間很長，絕緣性能也會發(fā)生不可逆的劣化，這就是電介質的熱老化。 溫度越高，絕緣老化得越快，壽命越短。熱老化規(guī)則： 熱老化8規(guī)則：對A級絕緣介質，如果它們的工作溫度超過規(guī)定值8時，壽命約縮短一半。 相應的對B級絕緣和H級絕緣則分別適用10和12規(guī)則。固體介質的熱老化過程 受熱帶電粒子熱運動加劇載

4、流子增多載流子遷移電導和極化損耗增大介質損耗增大介質溫升加速老化 液體介質的熱老化過程 油溫升高氧化加速油裂解分解出多種能溶于油的微量氣體絕緣破壞二、電介質的電老化 什么是電老化？ 電老化系指在外加高電壓或強電場作用下的老化。 介質電老化的主要原因是什么？ 介質中出現(xiàn)局部放電。 局部放電引起固體介質腐蝕、老化、損壞的原因有： 放電產(chǎn)生的帶電粒子不斷撞擊絕緣引起破壞。破壞高分子的結構，造成裂解； 放電能量中有一部分轉化為熱能，不易散出，引起熱裂解，氣隙膨脹使材料開裂、分層； 在局部放電區(qū)，強烈的粒子復合產(chǎn)生高能輻射線，引起材料分解； 氣隙中如含有氧和氮，放電可產(chǎn)生臭氧和硝酸，是強烈的氧化劑和腐蝕

5、劑，能使材料發(fā)生化學破壞。第二節(jié) 絕緣電阻、吸收比、泄漏電流的測量 絕緣電阻 最基本的綜合性特性參數(shù)。組合絕緣和層式結構，在直流電壓下均有明顯的吸收現(xiàn)象，使外電路中有一個隨時間而衰減的吸收電流。 吸收比 檢驗絕緣是否嚴重受潮或存在局部缺陷。 泄漏電流 所加直流電壓高得多，能發(fā)現(xiàn)用兆歐表所不能顯示的某些缺陷。 一、雙層介質的吸收現(xiàn)象 為了分析方便，改用電阻R1和R2代替電導G1和G2。（R11/G1, R2=1/G2) 討論因吸收現(xiàn)象而出現(xiàn)的過渡過程 一般取開關S合閘作為時間t的起點，在t=0+的極短時間內(nèi)，層間電壓分布為達到穩(wěn)態(tài)時t ，層間電壓改為按電阻分配穩(wěn)態(tài)電流將為電導電流 由于存在吸收現(xiàn)

6、象， ， ，在這個過程中的層間電壓變化為流過雙層介質的電流為i如選用第一個方程式，則 式中第一個分量為電導電流 ，第二個分量為吸收電流 。不難看出：當絕緣嚴重受潮或出現(xiàn)導電性缺陷時，阻值R1、R2或者二者之和顯著減小， 大大增加，而 迅速衰減。二、絕緣電阻和吸收比的測量 絕緣電阻的表達式在工程應用上的表達方便，把介質處在吸收過程時的U/i也稱為絕緣電阻R，在吸收電流分量尚未衰減完畢時，呈現(xiàn)的電阻值是不斷變化的，即吸收和泄漏電流及絕緣電阻的變化曲線測量絕緣電阻時，其值是不斷變化的；t無窮時刻，R等于兩層介質絕緣電阻的串聯(lián)值。 通常所說的絕緣電阻均指吸收電流 衰減完畢后的穩(wěn)態(tài)電阻值。 受潮時，絕緣

7、電阻顯著降低， 顯著增大， 迅速衰減。因此，能揭示絕緣整體受潮、局部嚴重受潮、存在貫穿性缺陷等情況。但有局限性。 對于某些大型被試品，用測“吸收比”的方法來替代 定義吸收比K1：為加壓60秒時的絕緣電阻R60與15秒 時電阻R15之比值在一般情況下，R60已經(jīng)接近于穩(wěn)態(tài)絕緣電阻，吸收之比恒大于1，且K1值越大表示吸收現(xiàn)象越顯著、絕緣的性能越好。一旦絕緣受潮，電導電流分量將顯著增大，吸收電流衰減很快，在t=15s時， 已衰減很多，因而K1值減小，其極限值為1。 由于吸收比是同一試品在兩個不同時刻的絕緣電阻的比值，所以排除了絕緣結構體積尺寸的影響。一般以K1作為設備絕緣狀態(tài)良好的標準亦不盡適，有些

8、變壓器的K1雖大于1.3，但 R 值卻很低；有些K1 小于1.3，但R值卻很高。 所以應將R值和K1值結合起來考慮，方能作出比較準確的判斷。大容量電氣設備中，吸收現(xiàn)象延續(xù)很長時間，吸收比不能很好地反映絕緣的真實狀態(tài)，用極化指數(shù)K2再判斷。 某些集中性缺陷已相當嚴重，以致在耐壓試驗時被擊穿，但在此前測得的絕緣電阻、吸收比、極化指數(shù)卻并不低，因為缺陷未貫穿絕緣。可見僅憑上述試驗結果判斷絕緣狀態(tài)是不夠的。 絕緣狀態(tài)的判定若絕緣內(nèi)部有集中性導電通道，或絕緣嚴重受潮，則電阻R1 、R2會顯著降低，泄漏電流大大增加，時間常數(shù)大為減小，吸收電流迅速衰減。即使絕緣部分受潮，只要R1與R2中的一個數(shù)值降低，值也

9、會大為減小，吸收電流仍會迅速衰減，仍可造成吸收比K1（及極化指數(shù)K2，下同）的下降。當K11或接近于1，則設備基本喪失絕緣能力。不同絕緣狀態(tài)下的絕緣電阻的變化曲線 圖1 兆歐表實圖 圖2 測試接線圖 如圖1、圖2所示。被測絕緣電阻接到L和E接線柱之間時，指針的停留位置由電流線圈電流和電壓線圈電流的比值決定。流過電壓線圈的電流大小由分壓電阻RV確定，而電流線圈的電流由被測絕緣電阻的大小確定。 保護環(huán)G裝在L接線柱的外圈，它與L接線柱絕緣，并接至手搖發(fā)電機的負極。保護環(huán)G的作用是排除由于導線絕緣層表面漏電電流和L，E接線柱間漏電電流所引起的誤差。當天氣潮濕時測量其他電氣設備時（電氣設備引出線瓷套表

10、面會凝結一層極薄的水膜 ），使用保護環(huán)G以避免被測設備表面漏電影響測量結果。4）試驗步驟試驗前要選擇合適電壓等級的絕緣電阻兆歐表，然后檢查兆歐表是否正常。方法是：將兆歐表放在水平位置，將表的L端子與E端子開路，搖動把手到額定轉速(一般120rmin)此時指針應指向“”；用線短接L端子與E端子，輕搖把手，指針應指“0”(注意輕搖以免打壞表針)。以恒定速度轉動搖表把手(平均120rmin)，搖表指針漸逐上升，在搖表達額定轉速后，分別讀取15s和60s的電阻值并記錄于試驗數(shù)據(jù)表格表1中。試驗名稱及型品搖表電壓電阻值(M)絕緣電阻R60吸收比R60R151560表1 試驗數(shù)據(jù)表圖為手搖式兆歐表測量電力

11、電纜絕緣電阻的接線圖。 兆歐表有三個接線端子：線路端子（L）、接地端子（E）和保護（屏蔽）端子（G）。被試絕緣接在端子L和E之間，而保護端子G的作用是使絕緣表面泄漏電流不要流過線圈LA，測得的絕緣體積電阻不受絕緣表面狀態(tài)的影響。絕緣電阻的測量定義：工程上常用兆歐表(搖表)進行測量，以加壓60s后讀數(shù)為試品的絕緣電阻。原理：電壓線圈與電流線圈中電流在磁場中產(chǎn)生轉動力矩，在力矩差作用下，旋轉到平衡為止。指針偏角與絕緣電阻關系：開路時絕緣電阻的測量定義：工程上常用兆歐表(搖表)進行測量，以加壓60s后讀數(shù)為試品的絕緣電阻。原理：電壓線圈與電流線圈中電流在磁場中產(chǎn)生轉動力矩，在力矩差作用下，旋轉到平衡

12、為止。指針偏角與絕緣電阻關系：短路時三、泄漏電流的測量泄露電流的大小反映絕緣電阻值，但有一些特點： 加在試品上的直流電壓比兆歐表的工作電壓高得多, 故能發(fā)現(xiàn)兆歐表所不能發(fā)現(xiàn)的試品中一些尚未完全貫通的集中性缺陷。 施加在試品上的直流電壓是逐漸增大的，這樣就可以在升壓過程中監(jiān)視泄漏電流的增長動向。 在電壓升到規(guī)定的試驗電壓值后，要保持1min再讀出最后的泄漏電流值。當絕緣良好時，泄漏電流應保持穩(wěn)定，且其值很小。 測量結果分析 測試時逐漸升高電壓，并同時讀取微安表（mA）數(shù)值和毫安表（A）的數(shù)值，并將其繪制成曲線進行分析。這里被測的直流試驗電壓由直流微安表的指示值和高阻器的電阻值Rv得到。 圖5是發(fā)

13、電機泄漏電流變化曲線，圖中：1絕緣性能良好2整體受潮3存在集中性缺陷4在0.5Us附近泄漏電流迅速上升，表明在運行電壓下有擊穿的危險。發(fā)電機泄露電流變化曲線3 測試的有效性 比兆歐表更有效的發(fā)現(xiàn)一些尚未完全貫通的集中性缺陷（如局部開裂、內(nèi)部受潮、絕緣油劣化、絕緣紙沿面碳化等）。泄漏電流試驗接線圖如圖所示微安表直讀法（兩種接法）測量電力變壓器主絕緣泄漏電流的接線 T1調壓器； T2高壓試驗變壓器； D高壓硅堆 R保護電阻； C穩(wěn)壓電容； T被試變壓器V-高壓靜電電壓表 (1)被試品一極接地泄露電流用接在被試品高壓側或低壓側的微安表來測量。如果被試品的一極固定接地，且接地線不易解開時，微安表可接在

14、高壓側，這一情況下，微安表及其接往被試品的高壓線均應加等電位屏蔽，使這部分對地雜散電流（泄露電流、電暈電流）不流過微安表，以減小測量誤差。如果被試品的兩極都可以做到不直接接地時，微安表就可以接在被試品低壓側和大地之間?；芈犯邏翰糠謱ν饨缥矬w的雜散電流入地時都不會流過微安表，故不必設屏蔽。 (2)被試品不接地注意 ：測量泄漏電流用的微安表需用并聯(lián)放電管V進行保護。 微安表是很靈敏和脆弱的儀表，當流過微安表的電流超過某一定值時，電阻R 1上的壓降將引起V的放電而達到保護微安表的目的。 第三節(jié) 介質損耗角正切的測量由前面可知：介質的功率損耗 與介質損耗正切 成正比，所以 是絕緣品質的重要指標，測量

15、是判斷電氣設備絕緣的一項靈敏有效的方法。 能反映絕緣的整體性缺陷（如全面老化）和小電容試品中的嚴重局部缺陷。測量 不能靈敏地反映大容量發(fā)電機、變壓器和電力電纜（它們的電容量都很大）絕緣中的局部性缺陷，這時應盡可能的將這些設別分解成幾個部分，然后分別測量它們的 。 的測量最常用的是高壓電流平衡電橋（西林電橋）。一、西林電橋基本原理 其中被試品的等值電容和電阻分別為CX和Rx；高壓臂：一個是代表試品的Z1；另一個是無損耗的標準電容CN，它以阻抗Z2作為代表。低壓臂：一個處在橋箱體內(nèi)，一個是可調無感電阻R3；另一個是無感電阻R4和可調電容C4的并聯(lián)回路。前者以Z3來代表，后者以Z4來代表。保護：放電

16、管V P為交流檢流計。 在交流電壓 U的作用下，調節(jié)R3 和 C4 ，使電橋達到平衡，即通過檢流計P的電流為零，因而 可得 （4-15）由式（4-15）可寫出 （4-16）式中可求得試品電容CX和等值電阻RX介質并聯(lián)等值電路的介質損耗角正切 （4-20）因為 ，如取 ，并取C4 的單位為uF，則式（4-20）化簡為試品電容 西林電橋反接線原理 在實驗室內(nèi)：通常測試材料及小設備，被試品是對地絕緣的現(xiàn)場試驗中：有許多一端接地的試品，如敷設在地下的電纜及擺在地面的重大電氣設備，要改成對地絕緣是不可能的，只能改變電橋回路的接地點。這樣就產(chǎn)生了一種反接法的西林電橋 被試品的一極往往是固定接地的，應改用反

17、接線。電橋平衡的過程與正接線時無異，所不同者在于各個調節(jié)元件、檢流計和屏蔽網(wǎng)均處于高電位，故必須保證足夠的絕緣水平和采取可靠的保護措施。二、 測量的影響因素 （1）外界電磁場的干擾影響 干擾包括高壓電源和試驗現(xiàn)場高壓帶電體引起的電場干擾。在現(xiàn)場測試條件下，電橋往往處于一個相當顯著的交變磁場中，這時電橋接線內(nèi)也會感應出一個干擾電勢，對電橋的平衡產(chǎn)生影響，也將導致測量誤差。 消除干擾的方法：金屬屏蔽網(wǎng)和屏蔽電纜 （2）溫度的影響 一般說來 隨溫度的增高而增大?，F(xiàn)場試驗時的絕緣溫度不是一定的，為了便于比較，應將各種溫度下測得的 值換算到20時的值。 （3)試驗電壓的影響 一般說來，良好的絕緣在額定范

18、圍內(nèi)，其 值幾乎保持不變，如圖中的曲線1所示。如果絕緣內(nèi)部存在空氣隙或氣泡時，當所加電壓大到能引起氣泡電離或發(fā)生局部放電時， 值即開始隨U的升高而迅速增大，電壓回落時電離要比電壓上升時更強一些，因而會出現(xiàn)閉環(huán)狀曲線，如曲線2所示。如果絕緣受潮，則電壓較低時的 就相當大，電壓升高時 更將急劇增大；電壓回落時， 要比電壓上升時更大一些，因而形成不閉合的分叉曲線，如曲線3所示，主要原因是介質的溫度因發(fā)熱而提高了。4）試品電容量的影響：對于電容量較小的試品， 測量能有效的發(fā)現(xiàn)局部集中性缺陷和整體分布性缺陷。但對電容量較大的試品， 測量只能發(fā)現(xiàn)整體分布性缺陷，此時要把它分解成幾個彼此絕緣部分的被試品，分

19、別測量各部分的 值，能有效的發(fā)現(xiàn)缺陷。5）試品表面泄漏的影響：由于試品表面泄漏電阻總是與試品等值電阻 相并聯(lián)，所以會影響 值。為了排除或減小這種影響，在測試前應先清楚絕緣表面的積污和水分，必要時還可以在絕緣表面上裝設屏蔽極。 第四節(jié) 局部放電的測量 絕緣中的局部放電是引起電介質老化的重要原因之一。 測定電氣設備在不同電壓下的局部放電強度和發(fā)展趨勢，就能判斷絕緣內(nèi)是否存在局部缺陷以及介質老化的速度和目前的狀態(tài)。 局部放電的基本概念，表征局部放電的重要參數(shù)。 局部放電檢測方法綜述。 脈沖電流法的測量原理。 局部放電的概念：簡稱為PD-Partial Discharge，指由于電氣設備內(nèi)部絕緣里面存

20、在的弱點，在一定外施電壓下發(fā)生的局部的重復擊穿和熄滅現(xiàn)象局部放電的危害：這種局部放電發(fā)生在一個或幾個絕緣內(nèi)部的氣隙或氣泡之中，因為在這個很小的空間內(nèi)電場強度很大。它的放電能量很小，所以它的存在并不影響電氣設備的短時絕緣強度。但如一個電氣設備在運行電壓下長期存在局部放電現(xiàn)象，這些微弱的放電能量和由此產(chǎn)生的一些不良效應，如不良化合物的產(chǎn)生，就可以慢慢地損壞絕緣，日積月累，最后可導致整個絕緣被擊穿，發(fā)生電氣設備的突發(fā)性故障一、局部放電基本概念 絕緣內(nèi)部氣隙局部放電的等值電路如圖4-9所示。局部放電的三電容模型以三個電容來表征介質內(nèi)部存在缺陷時的局部放電的機理Cg：氣泡的電容；Cb：和Cg相串聯(lián)部分的

21、介質電容；Ca：其余完好部分介質的電容； Z：對應于氣隙放電脈沖頻率的電源阻抗整個系統(tǒng)的總電容為C=Ca+CgCb/(Cb+Cg)氣泡很小，Cg比Cb大，Ca比Cg大很多電極間加上交流電壓U，則Cg上的電壓為Ug， Ug = UCb/(Cg+Cb)Ug隨外加電壓U升高，Ug到達Cg的放電電壓Us時，Cg氣隙發(fā)生火花放電。于是Cg上的電壓一下子從Us迅速下降到熄滅電壓Ur，然后火花熄滅，完成一次局部放電。Ur叫做殘余電壓，它可以接近為零值，也可以為小于Us（均絕對值）的其它值。圖4-11表示一次局部放電從開始到終結的過程，在此期間，出現(xiàn)一個對應的局部放電電流脈沖。這一放電過程時間很短，約為10-

22、8s,可認為瞬間完成。氣隙每放電一次，其電壓瞬時下降Ug=UsUr。放電過程示意圖外部電壓u、空間電荷q、氣隙電壓uc的時間變化圖 當Cg放電時，放電總電容Cg應為 Cg= Cg+CaCb/(Ca+Cb) Cg上的電壓變化為(UsUr)，故一次脈沖放出的電荷qr應為 qr = (UsUr)Cg+CaCb/(Ca+Cb) 當Ca Cb qr(Cg+Cb)(UsUr) qr為真實放電量，但很難確定。氣隙放電引起的壓降(UsUr)將按反比分配在Ca和Cb上，因而Ca上的電壓變動為： Ua=Cb(UsUr)/(Ca+Cb)這意味著，當氣隙放電時，試品兩端的電壓會下降Ua。這相當于試品放掉電荷q q=(

23、Ca+Cb)Ua=Cb(UsUr) 因為Ca Cb ，所以q CaUa q稱為視在放電量，通常以它作為衡量局部放電強度的一個重要參數(shù)。q既是發(fā)生局部放電時試品電容Ca放掉的電荷，也是電容Cb上的電荷增量（=CbUg ） q=qrCb/(Cg+Cb) 由于Cg Cb ,所以視在放電量q比真實放電量qr小得多，但它們之間存在比例關系，所以q值就能相對地反映qr的大小。表征局部放電的其他重要參數(shù)放電重復率N：亦稱脈沖重復率，它是在選定的時間間隔內(nèi)測得的每秒鐘發(fā)生放電脈沖的平均次數(shù)，它表示局部放電的頻度?？梢酝ㄟ^實驗求得如果每半周期內(nèi)的放電次數(shù)為n，則N=2fn=100n放電能量 指一次局部放電所消耗

24、的能量。式中視在放電量q和出現(xiàn)局部放電時的外加電壓值Ui(亦稱局部放電起始電壓)都是可以測得的。其他參數(shù) 平均放電電流、放電的均方率、放電功率、局部放電起始電壓和局部放電熄滅電壓等。表征局部放電的重要參數(shù)：放電重復率放電能量式中氣隙中出現(xiàn)局放時外施電壓為Ui，則 令Ur=0，則二、局部放電檢測方法綜述 局部放電的檢測方法很多具體分為電氣檢測和非電檢測兩大類。大多數(shù)情況下，非電檢測法往往不夠靈敏，大多限于定性檢測，即只能判斷是否存在局部放電，而不能作定量的分析；目前應用得比較廣泛和成功的是電氣檢測法，特別是測量絕緣內(nèi)部氣隙發(fā)生局部放電時的電脈沖，它不僅可以靈敏地檢測出是否存在局部放電，還可判定放

25、電強弱程度。（一）非電檢測法1.噪聲檢測法介質中發(fā)生局部放電時，其瞬時釋放的能量將放電源周圍的介質加熱使其蒸發(fā)，效果就像一個小爆炸。此時放電源如同一個聲源，向外發(fā)出聲波。由于放電持續(xù)時間很短，所發(fā)射的聲波頻譜很寬，覆蓋面從數(shù)十赫到數(shù)十兆赫。(人耳可聽到聲音頻率20-20000Hz ) 光檢測法 采用光纖傳感器，局部放電產(chǎn)生的聲波壓迫使得光纖性質改變，導致光纖輸出信號改變，從而可以測得放電。 光測法只能測試表面放電和電暈放電 ，在現(xiàn)場中光測法基本上沒有直接應用。 將光纖技術和聲測法相結合提出了聲-光測法?；瘜W分析法 通過檢查電氣設備油樣內(nèi)所含的氣體組成的含量來判斷設備內(nèi)部的隱藏缺陷膜紙絕緣介質中

26、，常用高性能液體色譜分析法（HPLC）判斷介質老化情況。 在電力變壓器中，油色譜分析（DGA）方法是一 種簡單、經(jīng)濟、有效的變壓器在線監(jiān)測方法。 （二）電氣檢測法 脈沖電流法 測量視在放電量。當發(fā)生局部放電時，試品兩端會出現(xiàn)一個幾乎是瞬時的電壓變化，在檢測回路中引起一高頻脈沖電流，將它變成電壓脈沖后就可以用示波器等測量其波形或幅值，由于其大小與放電量成正比，通過校準就能得出視在放電量。(測PD所形成的脈沖電流大小以判斷絕緣PD的強弱程度)介質損耗法 利用西林電橋 測出介質的 關系曲線，曲線突然升高處的相對應的電壓E0即為局部放電起始電壓 Ui。三、脈沖電流法的測量原理三種回路的基本目的都是使在

27、一定電壓作用下的被試品Cx中產(chǎn)生的局部放電電流脈沖流經(jīng)檢測阻抗Zm，然后把Zm上的電壓或Zm及Zm的電壓差加以放大后送到測量儀器M上去，所測得的脈沖電壓峰值與試品的視在放電量成正比，只要經(jīng)過適當?shù)男剩湍苤苯幼x出視在放電量q之值。Z為阻塞阻抗（低通濾波器），只允許工頻電流通過而阻塞高頻電流，阻止高壓電源中的高頻分量對測試回路產(chǎn)生干擾，也防止局部脈沖分流流到電源中。試品通過Ck后與檢測阻抗并聯(lián)的回路 試品與檢測阻抗相串聯(lián)的回路 電橋平衡回路 直測法并聯(lián)測試回路適用于被試品一端接地的情況，將測量阻抗Zm與耦合電容Ck串聯(lián)后，并聯(lián)到被試品Cx兩端。串聯(lián)測試回路適用于被試品兩端均對地絕緣的情況，Zm

28、直接與Cx串聯(lián)，由于變壓器繞組對高頻脈沖有很大的感抗，阻塞高頻脈沖電流的流通，所以必須另加耦合電容Ck，給脈沖電流提供低阻抗的通道。Ck必須無局部放電。Cx值不是很大時，最好還應使Cx值不小于Ck。 不難看出，兩者對高頻脈沖電流的回路是相同的，都是串聯(lián)地流經(jīng)Cx、Ck和Zm三個元件；理論上，兩者的靈敏度也是相同的但實用上，并聯(lián)測試回路的優(yōu)點為：（1）允許被試品一端接地；（2）對Cx值較大的被試品，可以避免較大的工頻電容電流 流過Zm;（3）萬一被試品Cx被擊穿時，不會危及人身和測試系統(tǒng)。由于局部放電測試時所加電壓一般均高于絕緣的正常工作電壓，所以測試時，被試品被擊穿的可能性是存在的。平衡法 橋

29、式測試回路屬于平衡法，此時試品Cx和耦合電容Ck的低壓端均對地絕緣，檢測阻抗分成Zm及Zm,分別接在Cx 和Ck的低壓端與地之間。此時測量儀器M測得的是Zm及Zm上的電壓差。 它與直測法的區(qū)別在于檢測阻抗和接地點的布置，但它的抗干擾性能好，這是因為橋路平衡時，外部干擾源在Zm和Zm產(chǎn)生的干擾信號基本上相互抵消，工頻信號也可相互抵消；只有當試品Cx發(fā)生局部放電時，平衡被破壞，通過檢測電路即可測出此不平衡脈沖電壓。 在測量儀器上所測得的局部放電脈沖值是與試驗的局部放電視在電荷量q成比例的，他們之間的具體比例關系與測量回路和放大器等都有關，要從指示值來算得視在放電電荷q是有困難的，只能通過試驗來確定，亦即PD的測量儀器必須進行實驗校正。脈沖電流法的校準電路小結局部放電的檢測已成為確定產(chǎn)品質量和進行絕緣預防性試驗的重要項目之一。試驗內(nèi)容包括測量視在放電量、放電重復率、局部放電起始電壓和熄滅電壓、放電的具體部位。表征局部放