電工電子技術(shù)基礎(chǔ)與應(yīng)用單元十六課件

1、任務(wù)1晶體管的識別檢測任務(wù)2晶體管放大電路的組裝與調(diào)試任務(wù)1晶體管的識別檢測一、晶體管概述1.晶體管的結(jié)構(gòu)、符號與外形2.晶體管的型號二、晶體管各極電流與電流的控制作用三、晶體管的共射輸入、輸出特性曲線1.輸入特性曲線2.輸出特性曲線四、晶體管的主要參數(shù)1.從外觀上判別引腳2.用萬用表判別引腳和管型3.操作練習(xí)一、判斷題(正確畫“”，錯誤畫“”)二、選擇題任務(wù)1晶體管的識別檢測三、填空題四、思考題任務(wù)1晶體管的識別檢測XXMB.TIF任務(wù)1晶體管的識別檢測RWYR.TIF任務(wù)1晶體管的識別檢測XGZS.TIF1.晶體管的結(jié)構(gòu)、符號與外形(1)結(jié)構(gòu)晶體管由3個雜質(zhì)區(qū)、兩個PN結(jié)構(gòu)成，每個雜質(zhì)區(qū)各

2、引出一個電極，然后封裝而成。(2)符號晶體管的電路符號如圖16-2所示。0.tif圖16-1晶體管的結(jié)構(gòu)1.晶體管的結(jié)構(gòu)、符號與外形圖16-2晶體管的電路符號a)PNPb)NPN1)晶體管由兩個PN結(jié)構(gòu)成，發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，1.晶體管的結(jié)構(gòu)、符號與外形基區(qū)摻雜少且做得很薄，集電區(qū)體積最大或集電結(jié)面積最大。2)晶體管圖形符號中的箭頭，表示發(fā)射結(jié)的正偏電壓方向。(3)晶體管的外形晶體管的外形封裝有多種形式，從封裝材料上看，大致有金屬封裝、塑料封裝和陶瓷封裝等。圖16-3幾種晶體管實物圖2.晶體管的型號P103.TIF二、晶體管各極電流與電流的控制作用1)晶體管各極電流。2)晶體管的電流分配關(guān)系為I

3、E=IB+IC。3)晶體管的電流控制作用就是通過較小的基極電流變化量IB去控制較大的集電極電流變化量IC，且/=。三、晶體管的共射輸入、輸出特性曲線圖16-4晶體管各級電流0.tif三、晶體管的共射輸入、輸出特性曲線16Z5.TIF圖16-5晶體管共射電路2.輸出特性曲線圖16-6輸入特性曲線0.tif2.輸出特性曲線16Z7.TIF圖16-7輸出特性曲線1)在起始段OM(又稱飽和區(qū))，隨著UCE的增大，C顯著上升，2.輸出特性曲線此時IC受UCE影響很大。2)當(dāng)UCE超過某一數(shù)值(稍小于1V)，進(jìn)入MN段(又稱恒流區(qū)、線性區(qū)、放大區(qū))，輸出特性曲線變得平坦，IC基本恒定。3)IB0的區(qū)域(如

4、陰影所示)常稱為截止區(qū)，此時的發(fā)射結(jié)無正偏電壓(通常外加的是反偏電壓)，IB0，IC0，晶體管不導(dǎo)通。四、晶體管的主要參數(shù)1.共射電流放大系數(shù)2.集電極最大允許電流ICM3.集電極最大耗散功率PCMZSTZ.TIF四、晶體管的主要參數(shù)李德福雷斯特四、晶體管的主要參數(shù)DSSJ.TIF1.會使用萬用表測試晶體管的質(zhì)量。2.會使用萬用表識別晶體管的引腳。1.萬用表1塊。2.晶體管3只(不同類型)。1.從外觀上判別引腳圖16-8晶體管的引腳2.用萬用表判別引腳和管型1)基極的判別與管型的確定用萬用表的歐姆擋(測小功率晶體管選R1k擋；測大功率晶體管選R1擋或R10擋)判別管子的基極。2)集電極與發(fā)射極

5、的判別。圖16-9集電極與發(fā)射極的判別a)NPN引腳的判別b)PNP引腳的判別3.操作練習(xí)表16-1晶體管的識別記錄表序號被測晶體管型號類型引腳結(jié)論1233.操作練習(xí)SKYLX.TIF一、判斷題(正確畫“”，錯誤畫“”)1.根據(jù)晶體管的工作狀態(tài)不同，可將輸出特性分為3個區(qū)域。2.晶體管有兩個PN結(jié)。3.晶體管含有PN結(jié)，所以晶體管也具有單向?qū)щ娦浴?.晶體管的集電極和發(fā)射極可以互換。5.晶體管是非線性器件。二、選擇題1.測得電路中一個NPN型晶體管的3個電極電位分別為UC=6V，UB=3V，UE=2.3V，則可判定該晶體管工作在()。2.晶體管的特性曲線是指它的()。3.在晶體管的輸出特性曲線

6、中，每一條曲線與()對應(yīng)。4.用萬用表的電阻擋測得晶體管任意兩引腳間的電阻均很小，說明該管()。5.測得放大電路中晶體管各電極對地電位為UE2.1V，UB2.8V，UC4.4V，則此晶體管處在()。6.基本放大電路中，經(jīng)過晶體管中的信號()。三、填空題1.晶體管是一種控制器件。2.晶體管工作在放大區(qū)的外部條件是發(fā)射結(jié)位置，集電結(jié)偏置。3.晶體管的輸出特性分為3個區(qū)域，即區(qū)、區(qū)和區(qū)。4.晶體管在放大區(qū)的特點是當(dāng)基極電流固定時，其電流基本不變，體現(xiàn)了晶體管的特性。5.在放大區(qū)，對NPN型的晶體管電位UCUBUE；而對PNP型的晶體管，其電位關(guān)系UCUBUE。四、思考題(1)試判定此晶體管的管型；(

7、2)分析、和分別對應(yīng)晶體管的哪個電極?(3)此晶體管用的是硅材料還是鍺材料？任務(wù)2晶體管放大電路的組裝與調(diào)試一、共射極基本放大電路1.各元器件的作用2.靜態(tài)和動態(tài)3.直流通路和交流通路二、共射極基本放大電路的靜態(tài)分析1.近似估算靜態(tài)工作點2.用圖解法確定靜態(tài)工作點(圖16-12)三、共射極基本放大電路的動態(tài)分析四、分壓式偏置電路1.連接電路2.靜態(tài)工作點的調(diào)試與測試3.研究靜態(tài)工作點及輸入信號對放大電路非線性失真的影響一、判斷題(正確畫“”，錯誤畫“”)任務(wù)2晶體管放大電路的組裝與調(diào)試二、選擇題三、填空題四、計算題任務(wù)2晶體管放大電路的組裝與調(diào)試XXMB.TIF任務(wù)2晶體管放大電路的組裝與調(diào)試

8、RWYR.TIF任務(wù)2晶體管放大電路的組裝與調(diào)試XGZS.TIF一、共射極基本放大電路圖16-10共射極基本放大電路3.直流通路和交流通路圖16-11基本放大電路的直流通路和交流通路a)直流通路b)交流通路1.近似估算靜態(tài)工作點1)由圖16-11a輸入回路可得2)利用IC=IB的關(guān)系，可以求得ICQ。3)由圖16-11a輸出回路可得2.用圖解法確定靜態(tài)工作點(圖16-12)1)由直流通路，利用估算法可求IBQ，或在輸入特性曲線上，過UBEQ作垂直于橫軸的直線，該直線與輸入特性曲線的交點，即是Q。圖16-12靜態(tài)工作點2)由式UBE=UCCIBRB在輸出特性曲線X軸及Y軸上確定兩個特殊點：UCC

9、和UCC/RC，即可畫出直流負(fù)載線。3)得到Q點的參數(shù)IBQ、ICQ和UCEQ。三、共射極基本放大電路的動態(tài)分析0.tif圖16-13共射極基本放大電路的分析三、共射極基本放大電路的動態(tài)分析圖16-14NPN管構(gòu)成的共射放大器輸出波形的失真a)飽和失真下平頂現(xiàn)象b)截止失真上平頂現(xiàn)象四、分壓式偏置電路圖16-15分壓偏置電路四、分壓式偏置電路DSSJ.TIF1.直流穩(wěn)壓電源、示波器、低頻信號發(fā)生器各1臺。2.萬用表1臺、萬能板1塊、電路元器件若干。2.靜態(tài)工作點的調(diào)試與測試1)用低頻信號發(fā)生器在電路輸入端加入頻率為1kHz的正弦信號，示波器接在放大器的輸出端，調(diào)整輸入信號幅度和靜態(tài)工作點，使輸

10、出端得到的波形最大而不失真。2)用萬用表測出靜態(tài)值，將數(shù)據(jù)填入表16-2中。圖16-16分壓式放大電路2.靜態(tài)工作點的調(diào)試與測試表16-2靜態(tài)工作點的測試參數(shù)VVVVVmA測試數(shù)據(jù)理論計算3.研究靜態(tài)工作點及輸入信號對放大電路非線性失真的影響1)將放大器調(diào)試到最大不失真輸出狀態(tài)，用示波器觀察輸出波形，測試靜態(tài)工作點記錄于表16-3中。3.研究靜態(tài)工作點及輸入信號對放大電路非線性失真的影響表16-3靜態(tài)工作點對波形失真的影響電路狀態(tài)VVVVVmA不失真截止失真飽和失真3.研究靜態(tài)工作點及輸入信號對放大電路非線性失真的影響2)適當(dāng)調(diào)節(jié)電位器RP，使放大器產(chǎn)生截止失真。3)適當(dāng)調(diào)節(jié)電位器RP，使放大

11、器產(chǎn)生飽和失真。SKYLX.TIF一、判斷題(正確畫“”，錯誤畫“”)1.截止失真和飽和失真統(tǒng)稱為非線性失真。2.交流放大器工作時，電路中同時存在直流分量和交流分量，直流分量表示靜態(tài)工作點，交流分量表示信號的變化情況。3.單管共發(fā)射極放大電路的集電極和基極相位相同。4.放大電路靜態(tài)工作點過高時，在直流電壓和集電極負(fù)載電阻不變的情況下，可增加基極電阻。二、選擇題1.放大電路如圖16-17所示，當(dāng)溫度升高時，工作點Q2將()。圖16-172.放大電路如圖16-18a所示，若產(chǎn)生圖16-18b所示失真，應(yīng)()。二、選擇題圖16-183.電路如圖16-19所示，若RB1短路，則該電路中晶體管處于()狀態(tài)。二、選擇題圖16